JPS60105233A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS60105233A JPS60105233A JP21234883A JP21234883A JPS60105233A JP S60105233 A JPS60105233 A JP S60105233A JP 21234883 A JP21234883 A JP 21234883A JP 21234883 A JP21234883 A JP 21234883A JP S60105233 A JPS60105233 A JP S60105233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- substrate
- processing
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング方法に関するものである。
例えば、対向電極と基板電極とが平行に対向して内設さ
れた真空処理室にて、基板電極に載置された基板は、処
理ガスのプラズマ化で生じる活性な化学種によりエツチ
ング処理される。このようなドライエツチング方法にお
いては従来、エツチング処理期間中、真空処理室には所
定流量に調節されて処理ガスが導入されると共に真空処
理室からは真空処理室の圧力が設定さｎたエツチング圧
力となるように調節して処理ガスが排気される。
れた真空処理室にて、基板電極に載置された基板は、処
理ガスのプラズマ化で生じる活性な化学種によりエツチ
ング処理される。このようなドライエツチング方法にお
いては従来、エツチング処理期間中、真空処理室には所
定流量に調節されて処理ガスが導入されると共に真空処
理室からは真空処理室の圧力が設定さｎたエツチング圧
力となるように調節して処理ガスが排気される。
又、真空処理室内では、対向電極と基板電極とを両底面
とした円柱状廻りから処理ガスは排気口へ流れる。
とした円柱状廻りから処理ガスは排気口へ流れる。
このため、処理ガスの真空処理室への導入端である対向
電極を多孔板又は焼結金属等のポーラスな材料で形成し
ても、対向電極と基板電極との電極間隔が小さい場合と
か、エツチング処理中の圧力が高く処理ガスの流れが粘
性流である場合は、対向電極と基板電極との間の処理ガ
スの流れ分布が不均一となる。つまり、対向電極と基板
電極とを両底面とした円柱状廻りとその中心部では、処
環ガスの流れる断面積が異なるため、ガスの排気速度が
異なり円柱の中心部はどガス圧が高くなる。
電極を多孔板又は焼結金属等のポーラスな材料で形成し
ても、対向電極と基板電極との電極間隔が小さい場合と
か、エツチング処理中の圧力が高く処理ガスの流れが粘
性流である場合は、対向電極と基板電極との間の処理ガ
スの流れ分布が不均一となる。つまり、対向電極と基板
電極とを両底面とした円柱状廻りとその中心部では、処
環ガスの流れる断面積が異なるため、ガスの排気速度が
異なり円柱の中心部はどガス圧が高くなる。
このため、基板電極面内でのプラズマ密度が不均一にな
り、エツチング処理は不均一になるといった欠点があっ
た。
り、エツチング処理は不均一になるといった欠点があっ
た。
本発明の目的は、エツチング処理中、対向電極と基板電
極との間の処理ガスの流れを停止し滞溜させることで、
基板電極面内でのプラズマ密度を均一化してエツチング
処理を均一化できるドライエツチング方法を提供するこ
とにある。
極との間の処理ガスの流れを停止し滞溜させることで、
基板電極面内でのプラズマ密度を均一化してエツチング
処理を均一化できるドライエツチング方法を提供するこ
とにある。
本発明は、真空処理室へ処理ガスを導入する工程と、真
空処理室への処理ガスの導入並びに真空処理室からの排
気を停止して基板をプラズマ処理する工程と、該プラズ
マ処理を中断して真空処理室から処理ガスを排気する工
程とを同一基板のエツチング処理期間中に順次繰り返す
ことを特徴とするもので、対向電極と基板電極との間の
処理ガスの流れをエツチング処理中停止し滞溜させよう
とするものである。
空処理室への処理ガスの導入並びに真空処理室からの排
気を停止して基板をプラズマ処理する工程と、該プラズ
マ処理を中断して真空処理室から処理ガスを排気する工
程とを同一基板のエツチング処理期間中に順次繰り返す
ことを特徴とするもので、対向電極と基板電極との間の
処理ガスの流れをエツチング処理中停止し滞溜させよう
とするものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
室
図面で、真空外を０には、対向電極２０と基板電極３０
とが所定の間隔を有し、この場合、上下方向に対向して
内設されている。対向電極２０にはガス室とガス導入路
ｎとが連通して形成されると共に、基板型＠＋３０と対
向する面側にはガス室２１と連通しガス放出孔２３が多
数穿設されている。又、対向電極２０には、真空処理室
】Ｏ外に設置された処理ガス供給装置４０に連結された
ガス導入管５０がガス導入路能と連通して連結され、ガ
ス導入管５０にはパル筐 プロ０が設けられている。基板電極３０は、真空処理、
１０外に設置された電源、例えば、高周波電源７０と接
続されている。真空処理室】０の、この場合、底−壁に
は排気口ＩＪが設けられ、排気口１１には真空処理室】
０外に設置された真空排気装置ｓｏに連結されＲ 該排気管５１が連結されている。排気管５１にはバルブ
６】が設けられている。又、真空処理室ＪＯには、圧力
計９０が設けられている。圧力計９０にはバルブ６０
、６１ 、高周波電源７０が接続さｎ、バルブ６０，６
］の開閉弁及び高周波電源７０のＯＮ、ＯＦＦは圧力計
９０により制御される。
とが所定の間隔を有し、この場合、上下方向に対向して
内設されている。対向電極２０にはガス室とガス導入路
ｎとが連通して形成されると共に、基板型＠＋３０と対
向する面側にはガス室２１と連通しガス放出孔２３が多
数穿設されている。又、対向電極２０には、真空処理室
】Ｏ外に設置された処理ガス供給装置４０に連結された
ガス導入管５０がガス導入路能と連通して連結され、ガ
ス導入管５０にはパル筐 プロ０が設けられている。基板電極３０は、真空処理、
１０外に設置された電源、例えば、高周波電源７０と接
続されている。真空処理室】０の、この場合、底−壁に
は排気口ＩＪが設けられ、排気口１１には真空処理室】
０外に設置された真空排気装置ｓｏに連結されＲ 該排気管５１が連結されている。排気管５１にはバルブ
６】が設けられている。又、真空処理室ＪＯには、圧力
計９０が設けられている。圧力計９０にはバルブ６０
、６１ 、高周波電源７０が接続さｎ、バルブ６０，６
］の開閉弁及び高周波電源７０のＯＮ、ＯＦＦは圧力計
９０により制御される。
例えば、真空処理室１０には、基板】００が搬入され、
基板】００は、基板電極３０に載置される。その後、真
空処理室１０は密封される。その後、真空排気装置（資
）を駆動しバルブ６１を開弁することで真空処理室１０
は減圧排気される。真空処理室１０の圧力が所定圧力に
達したことを圧力［１９０で確認された時点で、Ａ 例えば、バルブ６］はｌ弁され、これと共にバルブ６０
が開弁される。これにより、処理ガス供給装置４０から
はガス導入管５０を経て処理ガスがガス導入路乙に導入
され、この処理ガスは、ガス導入路２２を流通しガス室
２１に入った後にガス放出孔２３より真空処理室１０内
に放出される。この処理ガスの放出により真空処理１０
の圧力は所定圧力より上昇し始め、真空処理室１０の圧
力が設定されたエツチング圧力に達したことを圧力計９
０で確認された時点でバルブ６０が閉弁される。この状
態で高周波電源７０がＯＮされ基板電極３０には高周波
電力が印加される。これにより対向ｉｌｔ極２０と基板
電極３０との間にはグロー放電が生じ処理ガスはプラズ
マ化される。基板電極３０に載置された基板］００は、
処理ガスのプラズマ化で生じる活性な化学種によりエツ
チング処理される。このようなエツチング処理の進行に
伴い処理ガス中の反応生成物の分圧が上昇してエツチン
グ速度が低下し、又、アウトガス等による真空処理室】
０の圧力上昇によりイオンシースが変化してサイドエッ
チされたり選択性が低下し・たりするため、この時点で
、高周波電源７０はＯＦＦされエツチング処理が中断さ
れる。この状態でバルブ６１が再び開弁され真空処理室
１０は真空排気装置ｉ’８０により所定圧力まで再び減
圧排気される。
基板】００は、基板電極３０に載置される。その後、真
空処理室１０は密封される。その後、真空排気装置（資
）を駆動しバルブ６１を開弁することで真空処理室１０
は減圧排気される。真空処理室１０の圧力が所定圧力に
達したことを圧力［１９０で確認された時点で、Ａ 例えば、バルブ６］はｌ弁され、これと共にバルブ６０
が開弁される。これにより、処理ガス供給装置４０から
はガス導入管５０を経て処理ガスがガス導入路乙に導入
され、この処理ガスは、ガス導入路２２を流通しガス室
２１に入った後にガス放出孔２３より真空処理室１０内
に放出される。この処理ガスの放出により真空処理１０
の圧力は所定圧力より上昇し始め、真空処理室１０の圧
力が設定されたエツチング圧力に達したことを圧力計９
０で確認された時点でバルブ６０が閉弁される。この状
態で高周波電源７０がＯＮされ基板電極３０には高周波
電力が印加される。これにより対向ｉｌｔ極２０と基板
電極３０との間にはグロー放電が生じ処理ガスはプラズ
マ化される。基板電極３０に載置された基板］００は、
処理ガスのプラズマ化で生じる活性な化学種によりエツ
チング処理される。このようなエツチング処理の進行に
伴い処理ガス中の反応生成物の分圧が上昇してエツチン
グ速度が低下し、又、アウトガス等による真空処理室】
０の圧力上昇によりイオンシースが変化してサイドエッ
チされたり選択性が低下し・たりするため、この時点で
、高周波電源７０はＯＦＦされエツチング処理が中断さ
れる。この状態でバルブ６１が再び開弁され真空処理室
１０は真空排気装置ｉ’８０により所定圧力まで再び減
圧排気される。
その後、基板】００のエツチング処理が終了するまでこ
のような工程が順次繰り返して実施される。
のような工程が順次繰り返して実施される。
本実施例のようなドライエツチング方法では、エツチン
グ処理中、対向電極と基板！極との間の処理ガスは、そ
の流れを停止され滞溜するので、基板電極面内でのプラ
ズマ密度を均一化できエツチング処理を均一化できる。
グ処理中、対向電極と基板！極との間の処理ガスは、そ
の流れを停止され滞溜するので、基板電極面内でのプラ
ズマ密度を均一化できエツチング処理を均一化できる。
又、真空処理室への処理ガスの導入並びに真空処理室か
らの処理ガスの排気をエツチング処理中停止するため、
プロセス制御をより簡単化できる。
らの処理ガスの排気をエツチング処理中停止するため、
プロセス制御をより簡単化できる。
尚、本発明は基板を一枚毎エッチング処理する場合でも
、複数枚の基板を同時にエツチング処理する場合でも問
題なく適用できる。
、複数枚の基板を同時にエツチング処理する場合でも問
題なく適用できる。
本発明は、以上説明したように真空処理室へ処理ガスを
導入する工程と、真空処理室への処理ガスの導入並びに
真空処理室からの処理ガスの排気を停止して基板をプラ
ズマ処理する工程と、該プラズマ処理を中断して真空処
理室から処理ガスを排気する工程とを同一基板のエツチ
ング処理期間中に順次繰り返すことで、エツチング処理
中、対向電極と基板電極との間の処理ガスの流れを停止
し滞溜させるので、基板電極面内でのプラズマ密度を均
一化できエツチング処理を均一化できる効果がある。
導入する工程と、真空処理室への処理ガスの導入並びに
真空処理室からの処理ガスの排気を停止して基板をプラ
ズマ処理する工程と、該プラズマ処理を中断して真空処
理室から処理ガスを排気する工程とを同一基板のエツチ
ング処理期間中に順次繰り返すことで、エツチング処理
中、対向電極と基板電極との間の処理ガスの流れを停止
し滞溜させるので、基板電極面内でのプラズマ密度を均
一化できエツチング処理を均一化できる効果がある。
図面は、本発明を実施したドライエツチング装置の一例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
Claims (1)
- １ 真空処理室にて基板を処理ガスのプラズマ化で生じ
る活性な化学種によりエツチング処理する方法において
、前記真空処理室へ前記処理ガスを導入する工程と、真
空処理室への処理ガスの導入並びに真空処理室からの処
理ガスの排気を停止して前記基板をプラズマ処理する工
程と、該プラズマ処理を中断して真空処理室から処理ガ
スを排気する工程とを同一基板のエツチング処理期間中
に順次繰り返すことを特徴とするドライエツチング方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21234883A JPS60105233A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21234883A JPS60105233A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60105233A true JPS60105233A (ja) | 1985-06-10 |
Family
ID=16621046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21234883A Pending JPS60105233A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60105233A (ja) |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP21234883A patent/JPS60105233A/ja active Pending
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