JPS62106627A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS62106627A JPS62106627A JP24619085A JP24619085A JPS62106627A JP S62106627 A JPS62106627 A JP S62106627A JP 24619085 A JP24619085 A JP 24619085A JP 24619085 A JP24619085 A JP 24619085A JP S62106627 A JPS62106627 A JP S62106627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pressure
- valve
- processing
- process gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に係り、特にドライプロセス
にて半導体素子基板（以下、基板と略）を処理する半導
体製造装置に関するものである。
にて半導体素子基板（以下、基板と略）を処理する半導
体製造装置に関するものである。
ドライプロセスにて基板を処理する半導体製造装置とし
ては、基板を内部に収容する処理室と、該処理室内を真
空排気する真空排気手段と、処理室内に処理ガスを導入
する処理ガス導入手段とを具備し、処理室内に導入され
た処理ガスをプラズマ化して該プラズマにより基板を所
定処理するようにしたものが知られている。（特開昭５
８−３０１３１号） しかし、このような装置では、処理ガスの導入を開始し
て処理室内の圧力調整を行った場合、所定圧力に到達す
るまでの所要時間が長（なり基板の処理時間に占める割
合いが大きくなるため、スループットがその分低下する
といった問題があった。
ては、基板を内部に収容する処理室と、該処理室内を真
空排気する真空排気手段と、処理室内に処理ガスを導入
する処理ガス導入手段とを具備し、処理室内に導入され
た処理ガスをプラズマ化して該プラズマにより基板を所
定処理するようにしたものが知られている。（特開昭５
８−３０１３１号） しかし、このような装置では、処理ガスの導入を開始し
て処理室内の圧力調整を行った場合、所定圧力に到達す
るまでの所要時間が長（なり基板の処理時間に占める割
合いが大きくなるため、スループットがその分低下する
といった問題があった。
本発明の目的は、処理室内の圧力調整時間を短縮するこ
とで、スループットを向上できる半導体製造装置を提供
することにある。
とで、スループットを向上できる半導体製造装置を提供
することにある。
本発明は、半導体製造装置り、処理ガスを静的に溜め、
処理室内への処理ガス導入手段からの処理ガスの導入前
に前記処理室内へ前記溜められた処理ガスを導入するガ
ス溜め手段を具備した装置としたもので、ガス溜め手段
の作用により処理室内の圧力調整時間を短縮しようとし
たものである。
処理室内への処理ガス導入手段からの処理ガスの導入前
に前記処理室内へ前記溜められた処理ガスを導入するガ
ス溜め手段を具備した装置としたもので、ガス溜め手段
の作用により処理室内の圧力調整時間を短縮しようとし
たものである。
本発明の一実施例を第１図〜第３因により説明する。
＠１図、第２図は、本発明をドライエツチング装置に適
用した一実施例を示す。処理室１と隣接した基板搬送室
２は、ゲートバルブ１３で真空的に遮断される。処理室
ｌの基板電極６上への基板搬送手段３による基板の出し
入れは、ゲートバルブ１３を開けた状態で行なう。ガス
供給源７から流量コントローラ８．ガスラインバルブ９
を経て処理室１に入る経路と、途中、流量コントローラ
８を経たのち分岐して、ガスラインバルブ１６．処理ガ
ス溜め、ガス導入バルブ１７を経て処理室１１こ入る経
路を有し、処理室１．処理ガス溜め１４には、圧力計１
１および１５をそれぞれ取りつける。真空排気手段は、
可変コンダクタンスバルブ１０と真空ポンプ（図示省略
）とにより構成される。
用した一実施例を示す。処理室１と隣接した基板搬送室
２は、ゲートバルブ１３で真空的に遮断される。処理室
ｌの基板電極６上への基板搬送手段３による基板の出し
入れは、ゲートバルブ１３を開けた状態で行なう。ガス
供給源７から流量コントローラ８．ガスラインバルブ９
を経て処理室１に入る経路と、途中、流量コントローラ
８を経たのち分岐して、ガスラインバルブ１６．処理ガ
ス溜め、ガス導入バルブ１７を経て処理室１１こ入る経
路を有し、処理室１．処理ガス溜め１４には、圧力計１
１および１５をそれぞれ取りつける。真空排気手段は、
可変コンダクタンスバルブ１０と真空ポンプ（図示省略
）とにより構成される。
基板搬送中および高真空排気中は、ガスラインバルブ９
．１７を閉、ガスラインバルブ１３を開にした状態で、
処理ガス溜め１４内の圧力が上昇するまで待つ。
．１７を閉、ガスラインバルブ１３を開にした状態で、
処理ガス溜め１４内の圧力が上昇するまで待つ。
処理室１の容積をＶｌ、目標圧力をＰＩ、処理ガス溜め
１４の容積をｖ２とすると、待つ圧力Ｐ２は Ｐ２＝Ｐ１（Ｖｌ−１−Ｖ２）／Ｖ２ −＝−＝
ｉｌ＋となる。
１４の容積をｖ２とすると、待つ圧力Ｐ２は Ｐ２＝Ｐ１（Ｖｌ−１−Ｖ２）／Ｖ２ −＝−＝
ｉｌ＋となる。
処理ガス溜め１４の圧力上昇が完了した時点で流量コン
トローラ８．ガスバルブ１６を閉とする。基板搬送、高
真空排気が終了した時点で、ガスバルブ１７を開にして
、処理ガス溜め１４内の処理ガスを処理室ｌ内に導入す
る。処理室１内の圧力と処理ガス溜め１４の圧力とがほ
ぼ等しくなった時点でガスバルブ１７を閉じ、流量コン
トローラ８．ガスバルブ９を開にする。
トローラ８．ガスバルブ１６を閉とする。基板搬送、高
真空排気が終了した時点で、ガスバルブ１７を開にして
、処理ガス溜め１４内の処理ガスを処理室ｌ内に導入す
る。処理室１内の圧力と処理ガス溜め１４の圧力とがほ
ぼ等しくなった時点でガスバルブ１７を閉じ、流量コン
トローラ８．ガスバルブ９を開にする。
処理ガス溜めと処理室間のバルブを複数とすればより辿
え処理室にガス導入できさらに異物の飛散を防止できる
。第２図にバルブの配置例を示す。
え処理室にガス導入できさらに異物の飛散を防止できる
。第２図にバルブの配置例を示す。
本実施例では、処理室内の圧力調整時間を短縮できスル
ープットをその分向上できる。また、処理ガス溜めの容
積を小さくしても、式（１）により、Ｐ２の値を変える
ことにより可能で装置全体な小さくできる。
ープットをその分向上できる。また、処理ガス溜めの容
積を小さくしても、式（１）により、Ｐ２の値を変える
ことにより可能で装置全体な小さくできる。
また、他の実施例として第４図に示すように、処理室ｌ
および処理ガス溜め１４の圧力計を共用させることによ
り、上記一実施例に比べ圧力計の個数を節約できる。
および処理ガス溜め１４の圧力計を共用させることによ
り、上記一実施例に比べ圧力計の個数を節約できる。
本発明によれば、処理室内の圧力調整時間を短縮できる
ので、スループットを向上できるという効果がある。
ので、スループットを向上できるという効果がある。
第１図は、本発明による半導体製造装置の一実施例を示
すドライエツチング装置の正面構成図、第２図は、同じ
（平面構成図、第３図は、同じく基板処理過程の模式図
、第４図は１本発明による半導体製造装置の他の実施例
を示すドライエツチング装置の正面構成図である。 １・・−・・処理室、７・・・・・・ガス供給源、８・
・曲流量コントローラ、 ９． １６． １７・・・
・・・ガスバルブ、１０・・・可変コンダクタンスバル
ブ、１１．１５・・・・・・圧力針、１４・・・・・・
処理ガス溜め オノ図 才２図
すドライエツチング装置の正面構成図、第２図は、同じ
（平面構成図、第３図は、同じく基板処理過程の模式図
、第４図は１本発明による半導体製造装置の他の実施例
を示すドライエツチング装置の正面構成図である。 １・・−・・処理室、７・・・・・・ガス供給源、８・
・曲流量コントローラ、 ９． １６． １７・・・
・・・ガスバルブ、１０・・・可変コンダクタンスバル
ブ、１１．１５・・・・・・圧力針、１４・・・・・・
処理ガス溜め オノ図 才２図
Claims (1)
- １、処理ガスを静的に溜め、処理室内への処理ガス導入
系からの処理ガスの導入前に前記処理室内へ前記溜めら
れた処理ガスを導入するガス溜め手段を具備したことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24619085A JPS62106627A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24619085A JPS62106627A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62106627A true JPS62106627A (ja) | 1987-05-18 |
Family
ID=17144852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24619085A Pending JPS62106627A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62106627A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362325A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH01216534A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH07176519A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 放電処理装置 |
| JP2002194552A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-10 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2003071270A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP2004134466A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処埋装置 |
| JP2009226408A (ja) * | 2009-06-30 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給装置及び成膜装置 |
| JP2020077885A (ja) * | 2020-02-04 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1985
- 1985-11-05 JP JP24619085A patent/JPS62106627A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362325A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPH01216534A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH07176519A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 放電処理装置 |
| JP2002194552A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-10 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2003071270A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-11 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP4490008B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2010-06-23 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| JP2004134466A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処埋装置 |
| US7713582B2 (en) | 2002-10-08 | 2010-05-11 | Hitachi Kokusai Electric | Substrate processing method for film formation |
| JP2009226408A (ja) * | 2009-06-30 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給装置及び成膜装置 |
| JP2020077885A (ja) * | 2020-02-04 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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