JPS60137021A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS60137021A JPS60137021A JP24615283A JP24615283A JPS60137021A JP S60137021 A JPS60137021 A JP S60137021A JP 24615283 A JP24615283 A JP 24615283A JP 24615283 A JP24615283 A JP 24615283A JP S60137021 A JPS60137021 A JP S60137021A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 43
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、プラズマエツチング装置に関する。
従来、プラズマ放電部がエツチング室と分離された栴造
を有し、活性種（ラジカル）の作用によって化学的にエ
ツチング処理を行うプラズマエツチング装置は、被エツ
チング基板が活性種に直接さらされないため、被エツチ
ング基板に与える損傷が少ないエツチング装置として重
要視されている。第１図は、このプラズマエツチング装
置の概略栴成金示す説明図である。図中１は、被エツチ
ング基板２を収容したエツチングチャンバーである。エ
ツチングチャンバー１内には、噴出口を被エツチング基
板２に対向するようにして活性種ノズル３が設けられて
いる。活性種ノズル３の後端部はエツチングチャンバー
１を貫挿して放電室４に接続している。
を有し、活性種（ラジカル）の作用によって化学的にエ
ツチング処理を行うプラズマエツチング装置は、被エツ
チング基板が活性種に直接さらされないため、被エツチ
ング基板に与える損傷が少ないエツチング装置として重
要視されている。第１図は、このプラズマエツチング装
置の概略栴成金示す説明図である。図中１は、被エツチ
ング基板２を収容したエツチングチャンバーである。エ
ツチングチャンバー１内には、噴出口を被エツチング基
板２に対向するようにして活性種ノズル３が設けられて
いる。活性種ノズル３の後端部はエツチングチャンバー
１を貫挿して放電室４に接続している。
放電室４では、例えばＣＦ、や０７等のガスを効率よく
プラズマ化し、Ｆ等の活性ａｔｔ生成するようになって
いる。活性種５は、活性種ノズル３から噴出されて被エ
ツチング基板２に吹き付けられるようになっている。エ
ツチングチャンバー１の底部には、内部の雰囲気ガスを
排出するための排気孔６が設けられている。
プラズマ化し、Ｆ等の活性ａｔｔ生成するようになって
いる。活性種５は、活性種ノズル３から噴出されて被エ
ツチング基板２に吹き付けられるようになっている。エ
ツチングチャンバー１の底部には、内部の雰囲気ガスを
排出するための排気孔６が設けられている。
このように構成されたプラズマエツチング装置Ｌヱでは
、被エツチング基板２に均一なエツチング処理を施すた
めに、活性種ノズル３や排気孔６の形状を工夫して活性
Ｋｍ ｋ均一に被エツチング基板２に照射するようにし
ている。しかしながら、被エツチング基板２を活性種ノ
ズル３に対向するようにしてエツチングチャンバー１の
床部に設置するため、被エツチング基板２の径が大きく
なると１回の処理でエツチングできる枚数か減少する。
、被エツチング基板２に均一なエツチング処理を施すた
めに、活性種ノズル３や排気孔６の形状を工夫して活性
Ｋｍ ｋ均一に被エツチング基板２に照射するようにし
ている。しかしながら、被エツチング基板２を活性種ノ
ズル３に対向するようにしてエツチングチャンバー１の
床部に設置するため、被エツチング基板２の径が大きく
なると１回の処理でエツチングできる枚数か減少する。
その結果、生産性を低下する問題かある。生産性を高め
るために、エツチングチャンバー１内に可能な限り被エ
ツチング基板２を多数枚収容しようとすると、活性種ノ
ズル３から遠く離れた被エツチング基板２のエツチング
精度が低下し、歩留りの低下を招く。
るために、エツチングチャンバー１内に可能な限り被エ
ツチング基板２を多数枚収容しようとすると、活性種ノ
ズル３から遠く離れた被エツチング基板２のエツチング
精度が低下し、歩留りの低下を招く。
本発明は、大口径の被エツチング基板に均一にエツチン
グ処理を施すと共に、操作の自動化を可能にして稼動率
の向上ヲ逼成したプラズマエツチング装置である。
グ処理を施すと共に、操作の自動化を可能にして稼動率
の向上ヲ逼成したプラズマエツチング装置である。
本発明は、被エツチング基板を水平状態にしてエツチン
グチャンバー内に収容するようにしたことにより、大口
径の被エツチング基板に均一にエツチング処理を施すと
共に、操作の自動化を可能にして稼動率の向上全違欣し
たプラズマエツチング装置である。
グチャンバー内に収容するようにしたことにより、大口
径の被エツチング基板に均一にエツチング処理を施すと
共に、操作の自動化を可能にして稼動率の向上全違欣し
たプラズマエツチング装置である。
以下、本発明の実施例について図ｔｈＩ’に参照して説
明する。第２図は、本発明の一実施例の要部の平面図、
第３図は、同実施例の１１緑に沿う断面図である。図中
１１は、略円筒状に形成された密閉型のエツチングチャ
ンバーである。
明する。第２図は、本発明の一実施例の要部の平面図、
第３図は、同実施例の１１緑に沿う断面図である。図中
１１は、略円筒状に形成された密閉型のエツチングチャ
ンバーである。
エツチングチャンバー１１の両側部に社、分散室１２と
排気室１３とが相対向して取付けられている。分散室１
２は、エツチングチャンバーＪ１の側＆に穿設された多
数個の供給０１４を介してエツチングチャンバー１１の
内部と連通している。排気室１３は、同様に側壁に多数
個穿設された排出口１５を介してエツチングチャンバー
１１の内部と連通している。供給口１４及び排出口１５
は、後述する活性ねが層流状態で分散室１２からエツチ
ングチャンバー１１を通過して排気室１３に流れるよう
に、スリット或は孔等で形成されている。分散室１２は
、活性ね発生室１６に接続している。活性種発生室１６
は、例えばマグネトロン放電を利用したプラズマ発生部
盆冶しており、酸素、ハロゲン化合物、ハロゲン等の活
性種（ラジカル）を発生するようになっている。排気室
１３は、ポンプ等の排気機器を有する排気機栴１７に接
続されている。エツチングチャンバー１１内には、多数
枚の被エツチング基板１８を水平状態にして所定間隔で
多段に積層状態に保持したホルダー１９が収容されてい
る。ホ゛ルダ−１９は、枠体の３本の支柱１９ｍの部分
に被エツチング基板Ｊ８の縁部を把持する溝ｉｓｂを形
成したＳ造を有している。ホルダー１９は、エツチング
チャンバー１１の床部に回転自在に設けられたホルダー
テーブル２０上に設置°されている。ホルダーテーブル
２Ｏは、エツチングチャンバー１１の外部に設けられた
モーター等からなる回転機Ｉａ２ノに接続されている。
排気室１３とが相対向して取付けられている。分散室１
２は、エツチングチャンバーＪ１の側＆に穿設された多
数個の供給０１４を介してエツチングチャンバー１１の
内部と連通している。排気室１３は、同様に側壁に多数
個穿設された排出口１５を介してエツチングチャンバー
１１の内部と連通している。供給口１４及び排出口１５
は、後述する活性ねが層流状態で分散室１２からエツチ
ングチャンバー１１を通過して排気室１３に流れるよう
に、スリット或は孔等で形成されている。分散室１２は
、活性ね発生室１６に接続している。活性種発生室１６
は、例えばマグネトロン放電を利用したプラズマ発生部
盆冶しており、酸素、ハロゲン化合物、ハロゲン等の活
性種（ラジカル）を発生するようになっている。排気室
１３は、ポンプ等の排気機器を有する排気機栴１７に接
続されている。エツチングチャンバー１１内には、多数
枚の被エツチング基板１８を水平状態にして所定間隔で
多段に積層状態に保持したホルダー１９が収容されてい
る。ホ゛ルダ−１９は、枠体の３本の支柱１９ｍの部分
に被エツチング基板Ｊ８の縁部を把持する溝ｉｓｂを形
成したＳ造を有している。ホルダー１９は、エツチング
チャンバー１１の床部に回転自在に設けられたホルダー
テーブル２０上に設置°されている。ホルダーテーブル
２Ｏは、エツチングチャンバー１１の外部に設けられた
モーター等からなる回転機Ｉａ２ノに接続されている。
このように構成されたプラズマエツチング装置２５によ
れば、多数枚の被エツチング基板１８を搭載したホルダ
ー１９′ｔ″ホルダーテーブル２０上に設置する。次い
で、回転機ｓ２１によりホル・ダーテーブル２０ｆ介し
てホルダー１９を回転させる。この状態で排気機＆２７
を稼動してエツチングチャンバー１１内の雰囲気ガスｔ
１排出ロ１５．排気室１３を経て排気し、エツチングチ
ャンバー１１内を減圧状態に設定する。然る後、例えは
四フフ化炭素（ＣＦ４）。
れば、多数枚の被エツチング基板１８を搭載したホルダ
ー１９′ｔ″ホルダーテーブル２０上に設置する。次い
で、回転機ｓ２１によりホル・ダーテーブル２０ｆ介し
てホルダー１９を回転させる。この状態で排気機＆２７
を稼動してエツチングチャンバー１１内の雰囲気ガスｔ
１排出ロ１５．排気室１３を経て排気し、エツチングチ
ャンバー１１内を減圧状態に設定する。然る後、例えは
四フフ化炭素（ＣＦ４）。
酸素を活性種発生室１６に導入し、プラズマを形成して
−などの活性物２６を分散室１２に供給する。活性種２
６は、エツチングチャンバー１１内が減圧状態になって
いるので、分散室１２から供給口１４．エツチングチャ
ンバー１ノ、排出口１５を経て排気室１３に流れ込む。
−などの活性物２６を分散室１２に供給する。活性種２
６は、エツチングチャンバー１１内が減圧状態になって
いるので、分散室１２から供給口１４．エツチングチャ
ンバー１ノ、排出口１５を経て排気室１３に流れ込む。
この時、活性′Ｉｆ！Ｊ２６は、被エツチング基板１８
上をほぼ平行処して層流状態に流れるように排気機構１
７の排気量を調節する。
上をほぼ平行処して層流状態に流れるように排気機構１
７の排気量を調節する。
つまり、全ての被エツチング基板１８に対してほぼ平行
な状態で接触するようにして活性種２６が流れる。しか
も、ホルダー１９が回転しているので、被エツチング基
板１８に極めて均一なエツチング処理を施すことができ
る。また、被エツチング基＆１８は、多段に積層した状
態でエツチングチャンバー１１内に収容されているので
、仮エツチング基板１８の径か大きくなっても富に多数
枚の被エツチング基板１８に均一なエツチング処理を施
すことができる。ま、た、被エツチング基板１８をホル
ダー１９に搭載した状態でエツチングチャンバー１１内
に出入れすることができるので、装置の動作を自動化す
ることができる。
な状態で接触するようにして活性種２６が流れる。しか
も、ホルダー１９が回転しているので、被エツチング基
板１８に極めて均一なエツチング処理を施すことができ
る。また、被エツチング基＆１８は、多段に積層した状
態でエツチングチャンバー１１内に収容されているので
、仮エツチング基板１８の径か大きくなっても富に多数
枚の被エツチング基板１８に均一なエツチング処理を施
すことができる。ま、た、被エツチング基板１８をホル
ダー１９に搭載した状態でエツチングチャンバー１１内
に出入れすることができるので、装置の動作を自動化す
ることができる。
なお、回転機＠２ノによるホルダー１９の回転は、必要
に応じて行うようにし、場合によっては回転させなくて
も良い。
に応じて行うようにし、場合によっては回転させなくて
も良い。
因みに、実施例のプラズマエツチング装置２５では、例
えば被エツチング基板１８が６インチの大口径のものに
なってもエツチング処理のばらつきは約４％以°内にと
どめることができ、１０ット当りの処理時間も約２０分
となり、従来の装置に比べて生産性を２〜３倍高めるこ
とができることを実験によって確認した。
えば被エツチング基板１８が６インチの大口径のものに
なってもエツチング処理のばらつきは約４％以°内にと
どめることができ、１０ット当りの処理時間も約２０分
となり、従来の装置に比べて生産性を２〜３倍高めるこ
とができることを実験によって確認した。
以上説明した如く、本発明に係るプラズマエツチング装
置によれば、大口径の被エツチング基板に均一にエツチ
ング処ｉｌｌ施すと共に、操作の自動化を可能にして稼
動率を向上させあことかできるものである。
置によれば、大口径の被エツチング基板に均一にエツチ
ング処ｉｌｌ施すと共に、操作の自動化を可能にして稼
動率を向上させあことかできるものである。
第１図は、従来のプラズマエツチング装置の概略構成を
示す説明図、第２図は、本発明の一実施例の要部の平面
図、蕗３図は、第２図に示す実施例の履−Ｉ線に沿うｈ
面図である。 １ノ・・・エッチンクチャンバー、１２…分散室１３・
・・抽気室、１４・・・供給口、１５川排出口、１６・
・・活性種発生室、１７・・・排気機構、１８・・・被
エツチング基板、１９・・・ホルダー、２０・・・ホル
ダーテーブル、２１・・・回転機構、２５・・・プラズ
マエツチング装置、２６・・・活性物。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 益 第３図 ５
示す説明図、第２図は、本発明の一実施例の要部の平面
図、蕗３図は、第２図に示す実施例の履−Ｉ線に沿うｈ
面図である。 １ノ・・・エッチンクチャンバー、１２…分散室１３・
・・抽気室、１４・・・供給口、１５川排出口、１６・
・・活性種発生室、１７・・・排気機構、１８・・・被
エツチング基板、１９・・・ホルダー、２０・・・ホル
ダーテーブル、２１・・・回転機構、２５・・・プラズ
マエツチング装置、２６・・・活性物。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 益 第３図 ５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 α）多数枚の被エツチング基板を水平状態にして所定間
隔で多段に積層収容するホルダーと、該ホルダーを投機
するホルダーテーブルを収容した密閉型のエツチングチ
ャンバーと、該エツチングチャンバー内と連通し、かつ
該エツチングチャンバーの両側部に相対向して設けられ
た分散室及び排気室と、該分散室に接続された活性種発
生室と、該排気室に接続された排気槻栴とを具備するこ
とを％欲とするプラズマエツチング装置。 ■）ホルダーテーブルは、回転機構に接続されている特
許請求の範囲第１項記載のプラズマエツチング装置。 （３） 活性種発生室で発生する活性種は、すくなくと
も酸素、へロゲン、へロゲン化合物の何れか一釉を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載のプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24615283A JPS60137021A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24615283A JPS60137021A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60137021A true JPS60137021A (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=17144260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24615283A Pending JPS60137021A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60137021A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6130236U (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-24 | 株式会社 プラズマシステム | プラズマ処理装置 |
| US5217560A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-08 | Tokyo Electron Limited | Vertical type processing apparatus |
| US5458724A (en) * | 1989-03-08 | 1995-10-17 | Fsi International, Inc. | Etch chamber with gas dispersing membrane |
| CN104975351A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-14 | 江苏德尔森传感器科技有限公司 | 可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5456376A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-07 | Hitachi Ltd | Object processing unit |
| JPS5497375A (en) * | 1978-01-19 | 1979-08-01 | Nec Corp | Cylindrical plasma processor |
| JPS5831532A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS5921025A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Nec Corp | プラズマエツチング装置 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP24615283A patent/JPS60137021A/ja active Pending
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