JP2020147772A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】原料を気化させ生成した原料ガスを用いて処理容器内の基板に所定の膜を形成する成膜装置において、低圧下でも適切な排気を行なって好適な成膜処理を行う。【解決手段】基板に所定の膜を形成する成膜装置であって、減圧可能に構成され、液体原料または固体原料が気化して生成された成膜原料ガスが導入される処理容器と、前記処理容器内に設けられ前記基板を載置する載置台と、前記処理容器の下方に設けられ、前記処理容器の底部に設けられた排気口に通ずる収容体と、を有し、前記収容体は前記載置台の支持部材を収容する収容部と、当該収容部の側部に設けられて前記収容部内に開口し、かつ排気装置に通ずるマニホールド部、とを有し、前記処理容器内における前記載置台の下面側には、前記載置台上の雰囲気が前記載置台周の縁部外方から流れ込む排気空間が形成され、前記収容部の水平断面積は、前記排気空間の水平断面積よりも小さく、前記収容部の入口の断面積は、前記収容部の出口の断面積よりも小さい。【選択図】図１

Description

本開示は、成膜装置及び成膜方法に関する。
特許文献１には、反応室と真空排気装置と、該反応室と該真空排気装置を結び付けるマニホールドを具備する減圧化学気相堆積装置（ＬＰＣＶＤ装置）に於いて、該反応室と該マニホールドとの間のコンダクタンスが該真空排気装置の排気速度よりも充分大きい事を特徴とする化学気相堆積装置が記載されている。
特開２００１−２５７１７１号公報
本開示にかかる技術は、原料を気化させ生成した原料ガスを用いて処理容器内の基板に所定の膜を形成する成膜装置において、低圧下でも適切な排気を行なって好適な成膜処理を行う。
本開示の一態様は、基板に所定の膜を形成する成膜装置であって、減圧可能に構成され、液体原料または固体原料が気化して生成された成膜原料ガスが導入される処理容器と、前記処理容器内に設けられ前記基板を載置する載置台と、前記処理容器の下方に設けられ、前記処理容器の底部に設けられた排気口に通ずる収容体と、を有し、前記収容体は前記載置台の支持部材を収容する収容部と、当該収容部の側部に設けられて前記収容部内に開口し、かつ排気装置に通ずるマニホールド部、とを有し、前記処理容器内における前記載置台の下面側には、前記載置台上の雰囲気が前記載置台上の縁部外方から流れ込む排気空間が形成され、前記収容部の水平断面積は、前記排気空間の水平断面積よりも小さく、前記収容部の入口の断面積は、前記収容部の出口の断面積よりも小さい。
本開示にかかる技術によれば、原料を気化させ生成した原料ガスを用いて処理容器内の基板に所定の膜を形成する成膜装置において、低圧下でも適切な排気を行なって好適な成膜処理を行うことができる。
実施の形態にかかる成膜装置の構成の概略を模式的に示す説明図である。 図１の成膜装置における収容体の斜視図である。 図２の収容体の平面を模式的に示した説明図である。 収容体の他の例の平面を模式的に示した説明図である。
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）に対して、金属膜等の所定の膜を形成する成膜処理等の各種処理が繰り返し行われ、これにより、ウェハ上に所望の半導体デバイスが製造される。
ところで成膜処理では、固体原料または液体原料を加熱して気化させ、成膜原料ガスとすることがある。例えば、ルテニウム（Ｒｕ）膜を形成する場合、固体原料であるＲｕ３（ＣＯ）１２を加熱して昇華させ、生成された原料ガスをキャリアガスによって成膜装置の処理容器内に流すようにしている。
この点に関し、特許文献１に開示の技術は、既述したように、反応室と真空排気装置と、該反応室と該真空排気装置を結び付けるマニホールドを具備する減圧化学気相堆積装置（ＬＰＣＶＤ装置）に於いて、該反応室と該マニホールドとの間のコンダクタンスが該真空排気装置の排気速度よりも充分大きい事を特徴とする化学気相堆積装置が記載されている。しかしながらそれを実現する装置構成としては、マニホールードと円筒形の反応炉とが区切りなく一体化され、マニホールドにゲート・バルブ及びコンダクタンス・バルブを介して直接取り付けられた、ターボ分子ポンプ及びロータリー・ポンプを経して排気される構成が記載されているだけである。
このような特許文献１に開示の技術は、複数の基板を上下方向に載置したバッチ式の処理装置であり、基板の加熱は、反応炉の外側に設けたヒータに拠っている。また特許文献１に開示の技術の装置は、基板を上下に昇降させる機能もなく、単に一般的にウェハボート呼ばれる複数のスロットを有する開放容器に載置しているだけである。
かかる特許文献１に開示の技術は、１枚１枚個別に処理を行なう枚葉式の成膜装置に対してそのまま適用することはできない。枚葉式の成膜装置は、処理の均一性が極めて重要であり、たとえばウェハ等の基板にルテニウム（Ｒｕ）膜を形成する場合についていうと、ヒータを内蔵した載置台上に基板を載置し、基板の直上から原料ガスを供給し、基板の周縁部から均等に排気するなど、排気についても均一に行うことが要求されている。しかも前記載置台は基板の搬入出を行なうために上下昇降機構が載置台下面側に設ける必要があり、このような装置構成に対して、特許文献１に開示の技術をそのまま適用することは困難であり、また均一に排気することの課題が依然として残っている。
本開示の技術は、上記したような枚葉式の成膜装置において、処理容器内をたとえば１Ｔｏｒｒ以下の低圧下でも均一な排気を行ない、好適な成膜処理を行う。
以下、本実施形態にかかる成膜装置及び成膜方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１は、本実施形態にかかる成膜装置１の構成の概略を模式的に示す説明図であり、成膜装置１の一部を断面で示している。本実施の形態の成膜装置１は、成膜原料として固体原料であるＲｕ３（ＣＯ）１２を用いて、基板としてのウェハＷ上にＲｕ膜を形成するように構成されている。
図１に示すように、成膜装置１は減圧可能に構成され、基板としてのウェハＷを収容する処理容器１０と、処理容器１０に成膜原料ガスを供給する原料ガス供給機構２０と、を有している。
処理容器１０は、例えば、金属材料（例えばアルミ合金）を用いてその内部が円筒形状に構成されている。処理容器１０の側壁１１には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口には、当該搬入出口を開閉するゲートバルブ（図示せず）が設けられている。
原料ガス供給機構２０は、前記した固体原料を貯蔵する原料タンクを有している。そして当該原料タンク内に貯蔵している固体原料を昇華させて気体とし、キャリアガス（例えばＣＯ）と共に供給管２１を通じて、処理容器１０内の上方中心に設けられた供給部２２から処理容器１０内に供給する。供給管２１にはバルブ２３が設けられている。また供給管２１には、供給管２１内の原料ガスを所定温度に維持するための加熱機構（図示せず）が設けられている。
処理容器１０内には、ウェハＷが水平に載置される、平面視が円形状の載置台３０が設けられている。載置台３０の内部には、ウェハＷを加熱するためのヒータ（図示せず）やチラーの流路（図示せず）が設けられている。載置台３０の下面側中央部には、載置台３０を支持し、処理容器１０の底壁１２中央に形成された排気口１２ａを挿通する支持部材３１が設けられている。
支持部材３１の下端は、昇降機構３２に接続されている。後述の制御部１００に制御される昇降機構３２の駆動によって、載置台３０は、上方の第１の位置と下方の第２の位置との間を上下に移動することができる。図１は載置台が第１の位置にある状態を示している。
前記第１の位置は、ウェハＷに対して成膜処理が行われる処理位置である。処理位置に位置する載置台３０と、処理容器１０の天壁１３から載置台３０の周縁部に延びた環状の隔壁１３ａとにより、載置台３０の上側に処理空間Ｓが形成される。なお、載置台３０が処理位置に位置するとき、載置台３０の上面周縁部と隔壁１３ａの下面との間には、環状の隙間Ｋが形成されており、この隙間Ｋを介して処理空間Ｓ内の雰囲気は、載置台３０の下面側から排気される。
前記第２の位置は、処理容器１０に設けられた前述の搬出入口(図示せず)から、処理容器１０内に進入するウェハＷの搬送機構（図示せず）と、載置台３０の下方に設けられた昇降ピン（図示せず）との間で、ウェハＷを受け渡している時に載置台３０が待機する待機位置である。
処理容器１０内における載置台３０の上方には、処理空間Ｓ内における原料ガスの流れを形成するガス流形成部材として、邪魔板２４が、載置台３０と平行に設けられている。邪魔板２４は、処理空間Ｓを上下に仕切る部材であり、支持部材（図示せず）に支持されている。この邪魔板２４により、天壁１３の中央に設けられた前出の供給部２２から供給される原料ガスは、邪魔板２４の上面に沿って外側に向けて移動した後、邪魔板２４の外方の部分から下側に移動し、載置台３０上のウェハＷの上面方向へと流れて行く。
排気口１２ａには、図２にも示したような、収容体４０が設けられている。より詳述すると、この収容体４０は、支持部材３１を収容する収容部４１と、収容部４１と一体になったマニホールド部４２とを有している。そして収容部４１の上面の環状部４１ａが、底壁１２の排気口１２ａの周辺部と気密に接続されている。
マニホールド部４２の入口開口部４２ａは正面視で矩形であり、収容部４１内に開口している。マニホールド部４２の出口開口部４２ｂは円形である。マニホールド部４２の出口開口部４２ｂには、圧力調整弁として機能するＡＰＣバルブ４３が設けられている。ＡＰＣバルブ４３は、自動圧力調整機能及び遮断機能を備えており、後述の制御部１００からの制御信号に基づいて当該ＡＰＣバルブ４３の開度は制御され、排気流量等が制御される。本実施の形態では、ＡＰＣバルブ４３は直径が２００ｍｍ、許容差圧が７．０Ｔｏｒｒのものを使用した。ＡＰＣバルブ４３の後段側には、排気装置４４が接続されている。排気装置４４としては、たとえばターボ分子ポンプを用いることができる。本実施の形態では、１５００Ｌ／ｓの能力を有するターボ分子ポンプを用いた。
収容部４１の底壁４１ｃの外側において、支持部材３１にはフランジ３１ａが設けられている。そして、このフランジ３１ａの上面と、収容部４１の底壁４１ｃの下面との間には、支持部材３１の外周を囲むように、ベローズ３３が設けられている。このベローズ３３によって、収容部４１の底壁４１ｃにおける支持部材３１の貫通部分で気密性が失われることがない。
以上の構成にかかる成膜装置１においては、収容部４１の水平断面積は、排気空間Ｅの水平断面積よりも小さく設定されている。たとえば収容部４１の水平断面積は、排気空間Ｅの水平断面積の５０％以下の面積であり、より好ましくは、２５％から３５％である。また本実施の形態では、処理容器１０の底壁１２中央に形成された排気口１２ａと収容部４１の水平断面積は同一である。
そして成膜装置１の収容体４０においては、収容部４１の入口断面積は、収容部４１の出口断面積、すなわち、マニホールド部４２の入口開口部４２ａの面積よりも小さい。換言すれば、収容部４１の入口断面積よりもマニホールド部４２の入口断面積（入口開口部４２ａの面積）の方が大きく設定されている。さらに図３に示したマニホールド部４２の容積Ｂは、収容部４１の容積Ａと同一以上の大きさを有している。すなわち、容積Ｂ≧容積Ａである。
またさらに本実施の形態にかかる成膜装置１では、図３に示したように、収容部４１の入口におけるマニホールド部４２側の開口端部４１ｄと、マニホールド部４２における出口、すなわちＡＰＣバルブ４３側の出口開口部４２ｂにおける最も収容部４１寄りに位置している開口端部４２ｃとが、平面視において同一直線上に位置している。
そして収容部４１の入口形状は、図３に示したように平面視で非真円形状であり、かつマニホールド部４２側に、拡大開口部４１ｅを有している。すなわち、支持部材３１を囲む約３／４円形の開口に、マニホールド部４２側へと突出した拡大開口部４１ｅが形成された、全体として非真円形状の入口形状を有している。
以上のように構成される成膜装置１には、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ＡＰＣバルブ４３やバルブ２３等を制御して、成膜装置１におけるウェハ処理を実現するためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。また、プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
次に成膜装置１を用いて行われるウェハＷに対する成膜処理について説明する。
まず、バルブ２３、ＡＰＣバルブ４３が閉状態とされている状態において処理容器１０内の圧力を測定し、当該測定結果に基づいてＡＰＣバルブ４３の開度が調整され処理容器１０内が所定の圧力（例えば７Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ）とされる。この状態で、処理容器１０のウェハＷの搬出入口（図示せず）に設けられたゲートバルブ（図示せず）が開かれ、処理容器１０に隣接する真空雰囲気の搬送室（図示せず）から、上記搬出入口を介して、ウェハＷを保持した搬送機構（図示せず）が処理容器１０内に進入する。
そしてウェハＷが、前述の待機位置に位置している載置台３０の上方に搬送される。次いで上昇した昇降ピン（図示せず）の上にウェハＷが受け渡され、その後、上記搬送機構は処理容器１０から退出し、上記ゲートバルブが閉じられる。それと共に、上記昇降ピンの下降、及び載置台３０の上昇が行われ、載置台３０上にウェハＷが載置されて、載置台３０は前述の処理位置へと移動し、ウェハＷの上方に処理空間Ｓが形成される。
次いで、載置台３０に設けられたヒータ（図示せず）によってウェハＷが所定の温度（例えば１２０〜３００℃、好ましくは１３０〜２５０℃）まで加熱される。ウェハＷの温度が当該所定の温度に到達すると、ＡＰＣバルブ４３の開度が調整され、処理容器１０内が所定の処理圧力、例えば０．０１３Ｐａ〜１３３．３Ｐａ（０．１ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）、好ましくは、１．３Ｐａ〜６６．５Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ〜５００ｍＴｏｒｒ）に減圧される。
処理容器１０内の減圧が完了すると、バルブ２３、ＡＰＣバルブ４３の開度が調整され、処理容器１０内の処理空間Ｓへの成膜原料ガスであるＲｕ３（ＣＯ）１２の供給が所定の流量、たとえば０．１ｓｃｃｍ〜３．０ｓｃｃｍ、好ましくは０．２ｓｃｃｍ〜１．０ｓｃｃｍで流される。また併せてキャリアガスであるＣＯが１０ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍで流される。これによって、ウェハＷ上へのＲｕ膜の形成が開始される。そしてＲｕ膜の形成が完了すると、上記と逆の手順でバルブ操作が行われ、ウェハＷが処理容器１０から搬出される。
そして成膜処理中、処理容器１０おける気流の流れは、図１の矢印に示したようになっている。すなわち、載置台３０の上面周縁部と隔壁１３ａの下面との間の環状の隙間Ｋから、下方に流れ込んで一旦排気空間Ｅに集められる。その後水平断面積が排気空間Ｅよりも小さい排気口１２ａから収容体４０の収容部４１の入口へと流れて行く。
このとき、排気口１２ａ及び収容部４１の入口は、排気空間Ｅの中心に位置しているので、隙間Ｋから排気空間Ｅに流れて行く際には、載置台３０の周縁部から均一に排気される。そして排気空間Ｅに一旦集められた後、排気口１２ａ及び収容部４１の入口に向かって集中して排気されていく。次いで収容部４１内に流れ込んだ排気は、マニホールド部４２内へと流れて行く。
そして収容部４１の入口断面積よりもマニホールド部４２の入口断面積（入口開口部４２ａの面積）の方が大きく設定されているので、収容部４１内の雰囲気が、マニホールド部４２内に流れる際のコンダクタンスは大きくなっている。それゆえ、低圧下でも適切な排気を行なって好適な成膜処理を行うことができる。しかも前記実施の形態では収容部４１の容積Ａよりも、マニホールド部４２の容積Ｂの方が大きく設定されている。したがって、収容部４１内の雰囲気は極めて円滑にＡＰＣバルブ４３、及び排気装置４４へと流すことができる。そのため、処理容器内１０の処理空間Ｓ内を、従来よりも低圧力にすることが容易である。
そして収容部４１の入口形状は、平面視で全体として非真円形状であり、かつマニホールド部４２側に、拡大開口部４１ｅを有しているから、マニホールド部４２の入口開口部４２ａの形状に合わせて、収容部４１の入口形状のコンダクタンスを大きくしている。もちろん収容部４１の入口形状は、これに限らず、マニホールド部４２の入口開口部４２ａの形状に合わせて、任意の拡大開口部４１ｅを採ることができる。
またさらに本実施の形態にかかる成膜装置１では、収容部４１内への入口におけるマニホールド部４２側の開口端部４１ｄと、マニホールド部４２における出口、すなわちＡＰＣバルブ４３側の出口開口部４２ｂにおける最も収容部４１寄りに位置している開口端部４２ｃとが、平面視において同一直線上に位置している。したがって、収容部４１内からマニホールド部４２、ＡＰＣバルブ４３、排気装置４４へと排気される際のコンダクタンスは、ＡＰＣバルブ４３、排気装置４４が収容部４１の直下に位置していない構成を採っている収容体４０としては、最大限大きくなっている。
かかる場合、図４に示したように、マニホールド部４２における出口、すなわちＡＰＣバルブ４３側の出口開口部４２ｂにおける最も収容部４１寄りに位置している開口端部４２ｃを、収容部４１内への入口におけるマニホールド部４２側の開口端部４１ｄよりも収容部４１寄りに位置させてもよい。すなわち、図４に示したように、マニホールド部４２における開口端部４２ｃを、平面視で収容部４１内の入口内に位置するようにしてもよい。これによってさらに排気の際のコンダクタンスを大きくすることができ、より低圧力の成膜処理を可能とすることができる。
そして前記した条件で、ウェハＷの表面にＲｕの成膜処理を行なったところ、従来の１００ｍＴｏｒｒ程度の一般的なＲｕの成膜処理と比べて、Ｒｕのデポレートを向上させることができた。またウェハＷ表面のＲｕの膜の膜厚は、均一性が良好であった。これは、処理空間Ｓからの肺機器は、排気空間Ｅに一旦集められた後、排気空間Ｅの直下に位置し、かつ排気空間Ｅよりも水平断面積が小さい排気口１２ａ及び収容部４１の入口に向かって集中して排気されていき、その後に収容部４１からより容積の大きいマニホールド部４２内へと流れるようにしたことによるものと推察される。
しかも本実施の形態では、成膜処理前の準備段階の処理容器内の圧力である７Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒから、成膜処理時の圧力である０．１ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒを、正確に制御することができた。しかも、一般的なＡＰＣバルブ４３の定格最大開度（制御を保証する開度）である５０％よりも小さい３０％で実現することができた。このことは、実施の形態にかかる収容体４０の構造、すなわち収容部４１の入口断面積よりもマニホールド部４２の入口断面積（入口開口部４２ａの面積）の方を大きく設定し、収容部４１の容積Ａよりも、マニホールド部４２の容積Ｂの方が大きく設定したことによって得られたものである。
また前記した実施の形態で採用した収容体４０は、載置台の下方に昇降機構等を有する成膜装置における処理容器の底部の排気口に接続するだけでよいので、既存の装置を大きく改変することなく実現できる。すなわち、既存のこの種の成膜装置の処理容器底部の排気口に接続されている排気管を取り外して、収容体４０を接続すればよいので、極めて実用性にすぐれている。
以上の説明では、Ｒｕ膜に対する固体原料として、Ｒｕ３（ＣＯ）１２を用いていたが他の固体原料であってもよい。また、固体原料の代わりに液体原料を用いた低圧の成膜プロセスにも本発明手は適用可能である。固体原料とは、大気圧、室温で固体の原料を意味し、液体原料とは、大気圧、室温で液体の原料を意味する。
以上の例は、Ｒｕ膜を成膜していたものであったが、本開示にかかる技術は、固体原料または液体原料を気化して生成した原料ガスを用いて他の膜を形成する装置にも適用することができる。
また、以上の説明では、キャリアガスとしてＣＯガスを用いていたが、Ａｒガスなどの希ガスやＮ2等の不活性ガスを用いることができる。ただし、ＣＯガスを用いることで、原料ガスの分解を防ぐことができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板に所定の膜を形成する成膜装置であって、
減圧可能に構成され、液体原料または固体原料が気化して生成された成膜原料ガスが導入される処理容器と、
前記処理容器内に設けられ前記基板を載置する載置台と、前記処理容器の下方に設けられ、前記処理容器の底部に設けられた排気口に通ずる収容体と、を有し、
前記収容体は前記載置台の支持部材を収容する収容部と、当該収容部の側部に設けられて前記収容部内に開口し、かつ排気装置に通ずるマニホールド部、とを有し、
前記処理容器内における前記載置台の下面側には、前記載置台上の雰囲気が前記載置台周の縁部外方から流れ込む排気空間が形成され、
前記収容部の水平断面積は、前記排気空間の水平断面積よりも小さく、
前記収容部の入口の断面積は、前記収容部の出口の断面積よりも小さい、成膜装置。
（２）前記収容部内への入口における前記マニホールド部側の端部と、前記マニホールド部における出口の前記収容部側の端部が、平面視で同一直線上に位置するか、
または前記マニホールド部における出口の前記収容部側の端部が、前記収容部内への入口における前記マニホールド部側の端部よりも前記収容部寄りに位置している、（１）に記載の成膜装置。
（３）前記収容部の水平断面積は、前記排気空間の水平断面積比で５０％以下である、（１）または（２）のいずれかの成膜装置。
（４）前記マニホールド部の容積は、前記収容部の容積と同一またはそれ以上の大きさである、（１）〜（３）のいずれかに記載の成膜装置。
（５）前記収容部の入口形状は非真円形状であり、かつ前記マニホールド部側に、拡大開口部を有する、（１）〜（４）のいずれかに記載の成膜装置。
（６）前記成膜原料ガスは、ルテニウムを昇華させたガスである、（１）〜（５）のいずれかに記載の成膜装置。
（７）（１）〜（６）いずれかに記載の成膜装置を用いて、基板の表面にルテニウムを堆積させて前記基板表面に、ルテニウムを成膜する成膜方法であって、
ルテニウムを昇華させた原料ガスを、前記処理容器内に導入し、
前記載置台の温度を１２０℃〜３００℃に加熱し、
前記処理容器内の圧力を、１．３Ｐａ〜６６．５Ｐａに維持して成膜処理を行う。
１ 成膜装置
１１ 側壁
１２ 底壁
１２ａ 排気口
１３ 天壁
１３ａ 隔壁
２０ 原料ガス供給機構
２１ 供給管
２２ 供給部
２３ バルブ
２４ 邪魔板
３０ 載置台
３１ 支持部材
３１ａ フランジ
３２ 昇降機構
３３ ベローズ
４０ 収容体
４１ 収容部
４１ａ 環状部
４１ｃ 底壁
４１ｄ 開口端部
４１ｅ 拡大開口部
４２ マニホールド部
４２ａ 入口開口部
４２ｂ 出口開口部
４２ｃ 開口端部
４３ ＡＰＣバルブ
４４ 排気装置
Ｋ 隙間
Ｓ 処理空間
Ｗ ウェハ

Claims (7)

  1. 基板に所定の膜を形成する成膜装置であって、
    減圧可能に構成され、液体原料または固体原料が気化して生成された成膜原料ガスが導入される処理容器と、
    前記処理容器内に設けられ前記基板を載置する載置台と、前記処理容器の下方に設けられ、前記処理容器の底部に設けられた排気口に通ずる収容体と、を有し、
    前記収容体は前記載置台の支持部材を収容する収容部と、当該収容部の側部に設けられて前記収容部内に開口し、かつ排気装置に通ずるマニホールド部、とを有し、
    前記処理容器内における前記載置台の下面側には、前記載置台上の雰囲気が前記載置台周の縁部外方から流れ込む排気空間が形成され、
    前記収容部の水平断面積は、前記排気空間の水平断面積よりも小さく、
    前記収容部の入口の断面積は、前記収容部の出口の断面積よりも小さい。
  2. 前記収容部内への入口における前記マニホールド部側の端部と、前記マニホールド部における出口の前記収容部側の端部が、平面視で同一直線上に位置するか、
    または前記マニホールド部における出口の前記収容部側の端部が、前記収容部内への入口における前記マニホールド部側の端部よりも前記収容部寄りに位置している、請求項１に記載の成膜装置。
  3. 前記収容部の水平断面積は、前記排気空間の水平断面積比で５０％以下である、請求項１または２のいずれか一項に記載の成膜装置。
  4. 前記マニホールド部の容積は、前記収容部の容積と同一またはそれ以上の大きさである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置。
  5. 前記収容部の入口形状は非真円形状であり、かつ前記マニホールド部側に、拡大開口部を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の成膜装置。
  6. 前記成膜原料ガスは、ルテニウムを昇華させたガスである、請求項１〜５のいずれかに記載の成膜装置。
  7. 請求項１〜６のいずれかに記載の成膜装置を用いて、基板の表面にルテニウムを堆積させて前記基板表面に、ルテニウムを成膜する成膜方法であって、
    ルテニウムを昇華させた原料ガスを、前記処理容器内に導入し、
    前記載置台の温度を１２０℃〜３００℃に加熱し、
    前記処理容器内の圧力を、１．３Ｐａ〜６６．５Ｐａに維持して成膜処理を行う。
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