JP2002208584A - 枚葉式の処理装置 - Google Patents

枚葉式の処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理空間の雰囲気を載置台の周辺部から均等
に真空引きして被処理体の表面におけるプロセス処理の
面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置
を提供する。 【解決手段】 所定の処理が施される被処理体Ｗを載置
する載置台３０を処理容器２８内に配置してなる枚葉式
の処理装置において、前記処理容器の底部の中心部に、
その下方へ実質的に直線状に延びる大口径の排気管路６
４を接続し、この排気管路の下部に直接的に真空ポンプ
９８を設け、前記排気管路の実質的に中心部に、前記載
置台を支持する載置台支持支柱７４を設けるように構成
する。これにより、処理空間の雰囲気を載置台の周辺部
から均等に真空引きして被処理体の表面におけるプロセ
ス処理の面内均一性を向上させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等に
対して１枚ずつエッチングや成膜やアニール等の処理を
施す枚葉式の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するに
は、半導体ウエハ等の基板に、成膜処理、エッチング処
理、酸化拡散処理、アニール改質処理等の各種の処理を
繰り返し行なって、所望する集積回路を形成するように
なっている。上記したような各種の処理を行なう場合に
は、その処理の種類に対応して必要な処理ガス、例えば
成膜処理の場合には成膜ガスを、アニール改質処理の場
合にはオゾンガスを、エッチング（プラズマエッチング
も含む）する場合にはエッチングガス等を処理容器内へ
導入する。この場合、処理容器内の雰囲気は、その処理
の種類に対応した好ましい一定圧力を維持するように、
真空引きされているが、この真空引きされるガスの流れ
は、処理の面内均一性を高く維持する上から半導体ウエ
ハの表面に対して均等に流れることが要請される。
【０００３】ここで半導体ウエハの表面に付着した自然
酸化膜（ＳｉＯ２ ）等をプラズマを用いて除去するた
めの従来の一般的な処理装置（例えば特表２０００−５
１１７００号公報等）について説明する。図７は従来の
一般的な枚葉式の処理装置を示す概略構成図、図８は図
７中の載置台の部分を示す平面図である。図７に示すよ
うに、プラズマを用いた処理装置は、例えば断面が円筒
形状のアルミニウム製の処理容器２を有しており、この
処理容器２の内部には容器側壁より延在させた中空状の
幅広の支持アーム部材４の先端に設置した載置台６が設
けられ、この載置台６上に半導体ウエハＷを載置するよ
うになっている。そして、処理容器２の上部側壁には、
この中に処理ガスとして例えばＡｒガスやＨ２ ガスの
プラズマ用のガスを導入するガス孔７がその周方向に沿
って多数設けられている。また、処理容器２の天井部は
開放されて、この部分に例えば石英等よりなる有天井の
円柱状の天井ドーム８が気密に設けられる。この円柱状
の天井ドーム８の外側壁には、誘導結合コイル１０が巻
回されており、これに誘導結合プラズマ用の高周波電源
１２から例えば４５０ＫＨｚの高周波を印加するように
なっている。
【０００４】また、上記載置台６は例えば窒化アルミ
（ＡｌＮ）等のセラミックよりなり、この内部には、抵
抗加熱ヒータ１４及びバイアス電極１６が埋め込まれて
おり、それぞれヒータ電源、及び例えば１３．５６ＭＨ
ｚの高周波を発生するバイアス用の高周波電源１６に接
続されている。また、処理容器２の底部の中心部には、
下方に直線的に延びる大口径の所定の長さの排気管路１
８が接続されると共に、この排気管路１８には、流路調
整弁２０及び例えばターボ分子ポンプよりなる真空ポン
プ２２が順次介設されており、上記処理容器２内を真空
引きするようになっている。そして、この真空ポンプ２
２の排出口のフランジは、排気ダクト２４に接続されて
おり、最終的な処理系（図示せず）へ排気ガスを流すよ
うになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した装
置例にあっては、処理容器２の上部側壁に設けた多数の
ガス孔７から処理空間Ｓに略均等に処理ガス（プラズマ
用ガス）が供給され、そして、この処理ガスは、誘導結
合によってプラズマ化されて、ウエハ表面をエッチング
しつつ、載置台６の周辺部を下方へ流下して排気管路１
８内を真空引きされて行くことになる。しかしながら、
この装置例にあっては、載置台６を支持する幅広の支持
アーム部材４が容器側壁に取り付けられていることか
ら、この支持アーム部材４が真空引きされる処理容器２
内の雰囲気の流れを阻害し、これを偏流させてしまって
いた。このため、上記偏流によって排気ガス（容器内雰
囲気）の流れがウエハ表面上において不均一になり、プ
ロセス処理、ここではエッチング処理がウエハ面内にお
いて不均一になって面内均一性が劣化してしまう、とい
った問題があった。本発明は、以上のような問題点に着
目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。
本発明の目的は、処理空間の雰囲気を載置台の周辺部か
ら均等に真空引きして被処理体の表面におけるプロセス
処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処
理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
所定の処理が施される被処理体を載置する載置台を処理
容器内に配置してなる枚葉式の処理装置において、前記
処理容器の底部の中心部に、その下方へ実質的に直線状
に延びる大口径の排気管路を接続し、この排気管路の下
部に直接的に真空ポンプを設け、前記排気管路の実質的
に中心部に、前記載置台を支持する載置台支持支柱を設
けるように構成したものである。これにより、被処理体
を載置する載置台は、処理容器の底部から直線状に下方
へ延びる大口径の排気管路内の中心部に起立する載置台
支持支柱により支持される構造なので、処理容器内の雰
囲気を偏流させることなく載置台の周辺部から略均等に
真空引きして排気することができる結果、被処理体の表
面上におけるガスの流れを面内において均一化させるこ
とができ、この結果、プロセス処理の面内均一性を向上
させることが可能となる。
【０００７】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記載置台支持支柱は、中空パイプ部材よりなり、
この中空パイプ部材内には、必要とされる電力供給ライ
ンが配設されている。また、例えば請求項３に規定する
ように、前記載置台支持支柱は、前記排気管路と前記載
置台支持支柱との間に接続されて排気ガスの流れ方向に
沿って延びる取付板によって支持されている。
【０００８】また、例えば請求項４に規定するように、
前記載置台支持支柱の下端は、前記排気管路の途中に設
けられたライン取り出し管に接合されている。更に、例
えば請求項５に規定するように、前記真空ポンプの上流
側には、前記排気管路の流路面積を制御するための流路
調整弁が設けられている。また、例えば請求項６に規定
するように、前記処理容器の天井部には、誘導結合プラ
ズマ用の高周波電源に接続された高周波コイルが設けら
れると共に、前記載置台には、バイアス用の高周波電源
に接続されたバイアス電極が設けられている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る枚葉式の処
理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１
は本発明の枚葉式の処理装置の一実施例を示す構成図、
図２は図１中のＡ−Ａ線矢視断面図、図３は図１中のＢ
−Ｂ線矢視断面図である。本実施例では、処理装置とし
て誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｌ
ｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）により自然酸化膜
をエッチングする処理装置を一例にとって説明する。図
示するように、この処理装置２６は、例えば天井部が開
口された円筒体状のアルミニウム製の処理容器２８を有
している。この処理容器２８の中心部には、その上面に
被処理体である半導体ウエハＷを載置する例えば窒化ア
ルミ（ＡｌＮ）等のセラミックよりなる円板状の載置台
３０が設置されている。この載置台３０内には、必要に
応じて加熱手段としての抵抗加熱ヒータ３２や高周波電
圧を印加するためのバイアス電極３４が予め埋め込まれ
ている。
【００１０】そして、この載置台３０には、これを上下
方向に貫通した複数、例えば３つのピン孔３６（図１中
では２つのみ記す）が形成されており、各ピン孔３６に
は下端が連結リング３８により共通に連結された例えば
石英製の押し上げピン４０が遊嵌状態で収容されてい
る。そして、この連結リング３８は、処理容器２８の底
部を上下動可能に貫通する昇降ロッド４２により、押し
上げ可能になされており、上記押し上げピン４０を上下
動してウエハＷを持ち上げ、或いは持ち下げ得るように
なっている。また、上記昇降ロッド４２の容器底部の貫
通部には、金属製の蛇腹状のベローズ４４が設けられて
おり、上記処理容器２８内の気密性を維持しつつこの昇
降ロッド４２の上下動を許容している。尚、図示されて
いないが、載置台３０の周縁部の上方には、エッチング
時にウエハ周縁部や載置台周縁部をエッチングから保護
するためのシャドウリングも上下動可能に設けられてい
る。
【００１１】また、上記処理容器２８の天井開口部に
は、例えば石英等よりなる短い円筒体の有天井の天井ド
ーム４６がＯリング等のシール部材４８を介して気密に
設けられている、そして、この天井ドーム４６の周囲に
は、十数ターン程度巻回された誘導結合プラズマ用の高
周波コイル５０が設けられており、この高周波コイル５
０には、マッチング回路５２を介して例えば４５０ＫＨ
ｚの誘導結合プラズマ用の高周波電源５４に接続されて
いる。そして、処理容器２８の上部側壁には、ウエハＷ
の搬入・搬出時に開閉されるゲートバルブ５６が設けら
れると共に、上部側壁の周方向に沿って、ガス供給手段
としての多数、例えば２０個程度のガス噴射孔５８が形
成されており、このガス噴射孔５８より、流量制御され
たプラズマガス等の処理ガスを処理容器２８内へ供給し
得るようになっている。
【００１２】そして、この処理容器２８の底部６０の略
中央部には、処理容器２８の内径が略３６２ｍｍ程度に
対して、直径が略２１０ｍｍ程度の大口径の開口６２が
形成されている。そして、この開口６２に、その下方
（鉛直方向）へ実質的に直線上に延びる同じく大口径の
排気管路６４がＯリング等のシール部材６６を介して気
密に接続されており、排気コンダクタンスをできるだけ
大きくしている。具体的には、この排気管路６４は、上
記底部６０に接続される上部管６４Ａと、この下端に管
径を調整するために直径が順次縮小された管径調整管６
４Ｂを介して接続される下部管６４Ｃとにより主に構成
されている。上記各管６４Ｂ、６４Ｃの接合部には、そ
れぞれＯリング等のシール部材６５、６８が介設されて
気密性を保持している。そして、この下部管６４Ｃの下
端には、真空ポンプ９８が接続されており、この真空ポ
ンプ９８の側部に設けた排気フランジ９９には、Ｏリン
グ等のシール部材７０を介して後流排気管７２が接続さ
れている。
【００１３】そして、上記排気管路６４の上部管６４Ａ
内の実質的に略中心部には、上記載置台３０を支持する
ための例えばアルミニウム製の載置台支持支柱７４が、
同軸状に設けられている。具体的には、この載置台支持
支柱７４は、上部中空パイプ部材７４Ａと、この下端部
にＯリング等のシール部材７６を介して気密に接合され
る下部中空パイプ部材７４Ｂとよりなり、上記上部中空
パイプ部材７４Ａの上端に、上記載置台３０の下面を気
密に接合して、この載置台３０を支持するようになって
いる。
【００１４】このようにして、上記下部中空パイプ部材
７４Ｂとこの外側の上部管６４Ａとであたかも２重管構
造のようになされており、この両部材間のドーナツ状の
空間７７（図２参照）を排気ガスが流下するようになっ
ている。そして、上記下部中空パイプ部材７４Ｂの外周
壁と上記上部管６４Ａの内周壁との間を接続するように
して、複数の、図示例では４つの取付板７８（図２参
照）が略等間隔で設けられており、この載置台３０と載
置台支持支柱７４の全体荷重を支えるようになってい
る。尚、空間７７は、上記取付板７８により４つに分割
された状態となっている。また、これらの取付板７８
は、排気ガスの流れ方向（鉛直方向）に沿って設けられ
ており、排気抵抗をできるだけ抑制するようになってい
る。尚、この取付板７８の数は、排気抵抗を抑制するた
めに、４つに限定されず、その数を減少させて２つ或い
は３つ設けるようにしてもよい。
【００１５】そして、上記載置台支持支柱７４の下部中
空パイプ部材７４Ｂの下端は、上記上部管６４Ａを横方
向へ貫通させてガス流れ方向に直交するように内部を横
断して設けた中空状のライン取り出し管８０に互いに連
通状態で接合されている。そして、このライン取り出し
管８０によっても上記載置台３０や載置台支持支柱７４
の荷重を受けるようになっている。そして、上記取付板
７８の下端は、上記ライン取り出し管８０の外周壁の上
端部分に接合されている。尚、このライン取り出し管８
０が十分に上記荷重を受ける得る程に強度を高く設定し
ておけば、上記取付板７８の取り付けを省略するように
してもよい。そして、上記ライン取り出し管８０の上部
管６４Ａに対する貫通部にはＯリング等のシール部材８
２が介在されており、排気管路６４内の気密性を保持し
ている。また、このライン取り出し管８０内や載置台支
持支柱７４内は、外気と連通して大気圧になされてお
り、このライン取り出し管８０内には、電力供給ライン
として、上記抵抗加熱ヒータ３２へ接続されるヒータ線
８４や上記バイアス電極３４へ接続される高周波線８６
が挿通されている。そして、このヒータ線８４の他端は
ヒータ電源（図示せず）に接続され、また、上記高周波
線８６の他端はマッチング回路８８を介して例えば１
３．５６ＭＨｚのバイアス用の高周波を出力するバイア
ス用の高周波電源９０に接続されている。
【００１６】また、上記載置台支持支柱７４の上部中空
パイプ部材７４Ａと下部中空パイプ部材７４Ｂとの接合
部には、ここに設けたシール部材７６の熱損傷を防止す
るための冷却ジャケット９２が設けられており、この冷
却ジャケット９２に冷媒を流すための冷媒循環路９４も
上記載置台支持支柱７４内及びライン取り出し管８０内
に挿通されている。そして、排気管路６４の下部管６４
Ｃには、３位置ゲートバルブよりなる流路調整弁９６が
設けられており、この排気管路６４の全開状態及び全閉
状態も含めて流路面積を調整し得るようになっている。
尚、この流路調整弁９６として、上記ゲートバルブに代
えて任意に流路面積を調整できるバタフライバルブ等を
用いてもよい。そして、この下部管６４Ｃには、この流
路調整弁９６の真下において例えばターボ分子ポンプ等
よりなる真空ポンプ９８が直接的に介在されている。こ
の場合、この真空ポンプ９８の吸入口９８Ａは、排気ガ
スの流れに対して直交するように配置されており、排気
抵抗をできるだけ少なくするようになっている。ここ
で、上記上部中空パイプ部材７４Ａの長さＨ１は、冷却
下のシール部材７６が熱劣化しないような十分な温度勾
配を得られるように、例えば１５９ｍｍ程度に設定され
ている。尚、上記説明では、上部管６４Ａ、下部中空パ
イプ部材６４Ｂ、取付板７８、ライン取り出し管８０及
び下部中空パイプ部材７４Ｂの各部材は、それぞれ別体
で設けたが、これらの各部材を、例えばアルミニウムの
ブロック体を切り出し加工等することによって一体的に
成形するようにしてもよい。これによれば、シール性能
の確実性、機械部品強度の向上を図ることが可能とな
る。
【００１７】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、未処理の半導体ウエハＷ
は、図示しない搬送アームに保持されて開状態となった
ゲートバルブ５６を介して処理容器２８内へ搬入され、
このウエハＷは押し上げピン４０に受け渡された後に、
この押し上げピン４０を降下させることにより、ウエハ
Ｗを載置台３０上に載置保持する。この載置台３０は予
め所定の温度に予備加熱されており、ウエハＷの載置後
に抵抗加熱ヒータ３２への供給電力を増加させてこのウ
エハＷを所定のプロセス温度、例えば６００℃まで昇温
すると共にこのプロセス温度を維持する。そして、処理
容器２８の上部側壁に設けた各ガス噴射孔５８から流量
制御された処理ガス、例えばプラズマガスとしてＡｒガ
スやＨ２ ガス等を処理容器２８内へ供給しつつ真空ポ
ンプ９８により処理容器２８内を真空引きして所定の圧
力、例えば５ｍＴｏｒｒ（０．７Ｐａ）〜５Ｔｏｒｒ
（６６５Ｐａ）程度に維持する。これと同時に、載置台
３０に埋め込んだバイアス電極３４に１３．５６ＭＨｚ
のバイアス用の高周波電力を印加し、更に、天井ドーム
４６に巻回した高周波コイル５０に、４５０ＫＨｚの高
周波電力を印加し、これにより、誘導結合を生ぜしめて
処理空間Ｓにプラズマを励起させる。この結果、アルゴ
ンガスや水素の活性種等が生じて載置台３０上のウエハ
表面の自然酸化膜等をエッチングすることになる。
【００１８】ここで、本実施例にあっては、各ガス噴射
孔５８から処理容器２８内へ導入された処理ガスがプラ
ズマ化し、或いは活性種となって真空引きされる際に、
載置台３０の外側部を流下して排気管路６４内を鉛直方
向に流れて行くが、この載置台３０は図７に示す従来装
置とは異なり、この排気管路６４内を同軸状態で鉛直方
向に延びる載置台支持支柱７４によって支持されている
ので、処理容器２８内にはこの排気ガスの流れを阻害す
る部材は全くなく、従って、この排気ガスは偏流するこ
となく載置台３０の周辺部から略均等に真空引きするこ
とが可能となる。この結果、ウエハ面上においてガスの
流れを均一化させることができるので、プラズマ密度を
面内において均一化させ、プラズマ処理の面内均一性を
大幅に向上させることが可能となる。また、載置台支持
支柱７４を排気管路６４側へ取り付け固定してこれを支
持する例えばアルミニウム製の取付板７８は、非常に薄
くて、しかも排気ガスの流れ方向に沿って配列している
ので、ほとんど排気抵抗にはならず、高い排気コンダク
タンスを維持することができる。
【００１９】また、同様に、処理容器２８の底部から略
鉛直方向に直線状に延びる排気管路６４の下部管６４Ｃ
に直接的に真空ポンプ９８を取り付けているので、処理
容器２８内の雰囲気を円滑に真空引きでき、この点より
も更に高い排気コンダクタンスを維持することが可能と
なる。上記排気管路６４内を横断するライン取り出し管
８０の取り付け位置は、上記処理容器２８の底部６０よ
りもかなり下方に位置するので、処理容器２８内の雰囲
気の流れを乱す恐れはほとんどなく、しかも、それ程大
きな排気抵抗となることもない。また、載置台３０を支
持する載置台支持支柱７４の長さを、十分に長く設定し
て、載置台３０の温度分布に悪影響を与えないように十
分に小さな温度勾配としているので、ウエハ温度分布に
悪影響を与えることもない。尚、上記実施例では、ヒー
タ線８４や高周波線８６等の電力供給ラインを外部へ取
り出すためのライン取り出し管８０を、流路である上部
管６４Ａの断面直径方向へ横断させるようにして設けた
が、これに限定されず、これを半径部分のみに設けるよ
うにしてもよい。図４はこのような本発明装置の変形例
の一部を示す部分断面図、図５は図４中のＣ−Ｃ線矢視
断面図である。ここで、図４中の他の部分は図１に示す
構造と同一である。図示するように、この装置例にあっ
ては、ライン取り出し管８０Ａは、載置台支持支柱７４
の下部中空パイプ部材７４Ａの下端と、排気管路６４の
一側壁とを貫通させて接続することにより半径方向に設
けており、いわば、載置台支持支柱７４を片持ち支持す
るような状態となっている。
【００２０】これによれば、図１に示すライン取り出し
管８０の構造と比較して、図４及び図５に示すライン取
り出し管８０Ａは、これと反対側の他の半径方向におけ
るライン取り出し管の設置を省略した分だけ、排気抵抗
が少なくなり、より円滑に排気ガスを排出させることが
可能となる。また、上記各実施例では誘導結合プラズマ
型のエッチング処理装置を例にとって説明したが、これ
に限定されず、どのような形式のエッチング処理装置で
もよく、例えば平行平板型の処理装置等にも適用するこ
とができる。更には、本発明は、エッチング処理装置に
限定されず、ＣＶＤ成膜装置、酸化拡散装置、アッシン
グ装置、改質装置等にも適用することができるし、加熱
手段も抵抗加熱ヒータに限定されず、加熱ランプを用い
た装置にも適用できる。例えば図６は、本発明装置の他
の変形例を示す構成図であって、熱ＣＶＤ成膜用の処理
装置に適用している。尚、図１に示す構成部分について
は、同一符号を付して説明を省略する。
【００２１】ここでは、処理容器２８の天井部に、図１
に示す天井ドーム４６及び高周波コイル５０に代えて、
ガス供給手段として多数のガス噴射孔１００を有するシ
ャワーヘッド１０２を設けて、熱ＣＶＤ処理を行うよう
になっている。従って、ここでは図１中にて記載したガ
ス噴射孔５８、バイアス電極３４及びこれに伴うバイア
ス用の高周波電極９０等の設置は省略されている。この
装置によれば、ウエハ表面上のガスの流れを、偏りが生
ずることなく均一にすることができるので、処理の均一
化、すなわち膜厚の面内均一性を向上させることが可能
となる。また、本実施例では、被処理体として半導体ウ
エハを例にとって説明したが、これに限定されず、ＬＣ
Ｄ基板、ガラス基板等にも適用できるのは勿論である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の枚葉式の
処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。被処理体を載置する載置台は、処理容
器の底部から直線状に下方へ延びる大口径の排気管路内
の中心部に起立する載置台支持支柱により支持される構
造なので、処理容器内の雰囲気を偏流させることなく載
置台の周辺部から略均等に真空引きして排気することが
できる結果、被処理体の表面上におけるガスの流れを面
内において均一化させることができ、この結果、プロセ
ス処理の面内均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の枚葉式の処理装置の一実施例を示す構
成図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】図１中のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図４】本発明装置の変形例の一部を示す部分断面図で
ある。
【図５】図４中のＣ−Ｃ線矢視断面図である。
【図６】本発明装置の他の変形例を示す構成図である。
【図７】従来の一般的な枚葉式の処理装置を示す概略構
成図である。
【図８】図７中の載置台の部分を示す平面図である。
【符号の説明】
２６ 処理装置 ２８ 処理容器 ３０ 載置台 ３２ 抵抗加熱ヒータ ４６ 天井ドーム ５０ 誘導結合プラズマ用の高周波コイル ５８ ガス噴射孔（ガス供給手段） ６４ 排気管路 ６４Ａ 上部管 ６４Ｂ 管径調整管 ６４Ｃ 下部管 ７４ 載置台支持支柱 ７４Ａ 上部中空パイプ部材 ７４Ｂ 下部中空パイプ部材 ７８ 取付板 ８０ ライン取り出し管 ８４ ヒータ線（電力供給ライン） ８６ 高周波線（電力供給ライン） ９８ 真空ポンプ Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/22 ５０１Ｓ 21/22 ５０１ 21/324 Ｒ 21/324 21/302 Ｃ Ｆターム(参考） 4K029 AA06 AA24 CA13 DA02 DC35 EA04 JA01 4K030 EA11 FA04 GA02 HA15 JA05 KA20 KA41 5F004 AA01 BA20 BB13 BB18 BB28 BC02 BC03 BC06 DA23 DA24 DB03 EB08 5F045 AA08 BB02 EE20 EF02 EF08 EF20 EG02 EH11 EH20 EM10

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の処理が施される被処理体を載置す
    る載置台を処理容器内に配置してなる枚葉式の処理装置
    において、 前記処理容器の底部の中心部に、その下方へ実質的に直
    線状に延びる大口径の排気管路を接続し、この排気管路
    の下部に直接的に真空ポンプを設け、前記排気管路の実
    質的に中心部に、前記載置台を支持する載置台支持支柱
    を設けるように構成したことを特徴とする枚葉式の処理
    装置。
  2. 【請求項２】 前記載置台支持支柱は、中空パイプ部材
    よりなり、この中空パイプ部材内には、必要とされる電
    力供給ラインが配設されていることを特徴とする請求項
    １記載の枚葉式の処理装置。
  3. 【請求項３】 前記載置台支持支柱は、前記排気管路と
    前記載置台支持支柱との間に接続されて排気ガスの流れ
    方向に沿って延びる取付板によって支持されることを特
    徴とする請求項１または２記載の枚葉式の処理装置。
  4. 【請求項４】 前記載置台支持支柱の下端は、前記排気
    管路の途中に設けられたライン取り出し管に接合されて
    いることを特徴とする請求項２または３記載の枚葉式の
    処理装置。
  5. 【請求項５】 前記真空ポンプの上流側には、前記排気
    管路の流路面積を制御するための流路調整弁が設けられ
    ていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
    載の枚葉式の処理装置。
  6. 【請求項６】 前記処理容器の天井部には、誘導結合プ
    ラズマ用の高周波電源に接続された高周波コイルが設け
    られると共に、前記載置台には、バイアス用の高周波電
    源に接続されたバイアス電極が設けられることを特徴と
    する請求項１乃至５記載のいずれかに記載の枚葉式の処
    理装置。
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