JPS58176923A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS58176923A JPS58176923A JP5917882A JP5917882A JPS58176923A JP S58176923 A JPS58176923 A JP S58176923A JP 5917882 A JP5917882 A JP 5917882A JP 5917882 A JP5917882 A JP 5917882A JP S58176923 A JPS58176923 A JP S58176923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- electrode body
- gas
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマの拡散を防止したプラズマＣＶＤ装置
に関する。
に関する。
ＣＶＤ技術とは反応室内で基板上に膜形成の為の元素を
含んだ混合反応ガスを送り込み、基板上での化学反応を
利用して所望の躾を形成させるものであり、ＬＳｌ、超
ＬＳＩ等のデｌ＼イス構造において不可欠なものとなっ
ている。所で、この技術で用いられる生成方式には常圧
式、減圧式及びプラズマ方式のものがあるが、特にプラ
ズマ式のものは前記二つの方式に比べ厚い膜の生成も可
能で、しかもアルカリ金属に対するブロック性、耐−性
がよい不活性膜の生成も可能なことから有望視されてい
る。このプラズマ方式を用いた、いわゆるプラズマＣＶ
Ｄ装置は、例えば第１図に示す様に、ガス導入口１と排
気口２とを有し、外周に二つの電極体３Ａ、３Ｂが巻か
れ、内部に基板４が′配置された石英製反応管５と、前
記電極体３Ａ。
含んだ混合反応ガスを送り込み、基板上での化学反応を
利用して所望の躾を形成させるものであり、ＬＳｌ、超
ＬＳＩ等のデｌ＼イス構造において不可欠なものとなっ
ている。所で、この技術で用いられる生成方式には常圧
式、減圧式及びプラズマ方式のものがあるが、特にプラ
ズマ式のものは前記二つの方式に比べ厚い膜の生成も可
能で、しかもアルカリ金属に対するブロック性、耐−性
がよい不活性膜の生成も可能なことから有望視されてい
る。このプラズマ方式を用いた、いわゆるプラズマＣＶ
Ｄ装置は、例えば第１図に示す様に、ガス導入口１と排
気口２とを有し、外周に二つの電極体３Ａ、３Ｂが巻か
れ、内部に基板４が′配置された石英製反応管５と、前
記電極体３Ａ。
３Ｂに高周波電力を印加する高周波電源６を備えており
、真空ポンプ７で前記反応管５内を１０°２〜１０’Ｔ
ｏｒｒ前後に排気し、管内の浅留ガス圧が所定値になる
と、前記ガス導入口から管内に一定の流量で膜形成の為
の元素（例えばアルミニウムと窒素）を含んだガス、例
えばトリメチルアルミニウムを水素に溶かしアンモニア
と一緒にガス状にしたものを導入し、同時に前記高ｌ波
電源６を作動させ°て前記電極体３Ａ、３Ｂに高周波電
力を印加してガスプラズマＰを発生させ、前記真空ポン
プ７により該ガスを前記排気口２方向へ吸引し、途中基
板４上に該ガスを供給して、該基板上に所定の膜、即ち
窒化アルミニウムの膜を形成するようにしている。尚、
前記電極体３Ａ、３Ｂの代わりに、コイルを複数回反応
管５に巻くようにしてもよい。
、真空ポンプ７で前記反応管５内を１０°２〜１０’Ｔ
ｏｒｒ前後に排気し、管内の浅留ガス圧が所定値になる
と、前記ガス導入口から管内に一定の流量で膜形成の為
の元素（例えばアルミニウムと窒素）を含んだガス、例
えばトリメチルアルミニウムを水素に溶かしアンモニア
と一緒にガス状にしたものを導入し、同時に前記高ｌ波
電源６を作動させ°て前記電極体３Ａ、３Ｂに高周波電
力を印加してガスプラズマＰを発生させ、前記真空ポン
プ７により該ガスを前記排気口２方向へ吸引し、途中基
板４上に該ガスを供給して、該基板上に所定の膜、即ち
窒化アルミニウムの膜を形成するようにしている。尚、
前記電極体３Ａ、３Ｂの代わりに、コイルを複数回反応
管５に巻くようにしてもよい。
さて、この様な装置において、次の様な問題点がある。
それは前記電極体３Ａ、、３Ｂに高周波電力を印加した
時、大部分は実線に示す様に両電極間を通して電流が流
れるが、少量ではあるが破線に示す様な電流も流れるこ
とがら、反応管内両電極体間及び両電極近傍に発生した
プラズマは、少量拡散して反応管５の上蓋８の表面や基
板４の表面上に連速してしまう。一般に上蓋は金属性で
大地電位にあるので、プラズマ中のプラスイオンが該上
蓋の表面を叩いてしまい、該表面から該上蓋を作ってい
る金属のイオンが飛び出し、ガスプラズマＰを汚染して
しまう。この結果、基板面に不純な膜が出来てしまう。
時、大部分は実線に示す様に両電極間を通して電流が流
れるが、少量ではあるが破線に示す様な電流も流れるこ
とがら、反応管内両電極体間及び両電極近傍に発生した
プラズマは、少量拡散して反応管５の上蓋８の表面や基
板４の表面上に連速してしまう。一般に上蓋は金属性で
大地電位にあるので、プラズマ中のプラスイオンが該上
蓋の表面を叩いてしまい、該表面から該上蓋を作ってい
る金属のイオンが飛び出し、ガスプラズマＰを汚染して
しまう。この結果、基板面に不純な膜が出来てしまう。
又、基板４の表面上にプラズマが達すると、通常供給さ
れる反応ガス以外のプラズマ粒子が該基板表面を叩き、
該表面にダメージを与え、結果的に膜の生成状態を悪化
させてしまう。
れる反応ガス以外のプラズマ粒子が該基板表面を叩き、
該表面にダメージを与え、結果的に膜の生成状態を悪化
させてしまう。
そこで、プラズマ発生室と基板を含む膜生成室を別々に
設け、プラズマ発生室から膜生成室にプラズマが拡散し
ていかないようにし、該プラズマ室から反応ガスのみ供
給するようにしてもよいが、構造が複雑になり、又、装
置全体が大型化し、更に費用もかかる。
設け、プラズマ発生室から膜生成室にプラズマが拡散し
ていかないようにし、該プラズマ室から反応ガスのみ供
給するようにしてもよいが、構造が複雑になり、又、装
置全体が大型化し、更に費用もかかる。
本発明はこの様な問題点を解決する為になされたもので
、反応管の高さ方向に電極体から適宜な距離をおいて独
立した電極体を配置するようにした新規なプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供するものである。
、反応管の高さ方向に電極体から適宜な距離をおいて独
立した電極体を配置するようにした新規なプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供するものである。
第２図は本発明の一実施例を示したもので、図中第１図
にて用いた番号及び記号と同一のものは同一構成要素を
示す。
にて用いた番号及び記号と同一のものは同一構成要素を
示す。
図中９Ａ、９Ｂは反応管５の高さ方向に適宜な距離をお
いて電極体３Ａ、３Ｂ各々の外側に、電気的に浮かすか
又は接地して反応管５に巻かれたプラズマ拡散防止電極
体である。
いて電極体３Ａ、３Ｂ各々の外側に、電気的に浮かすか
又は接地して反応管５に巻かれたプラズマ拡散防止電極
体である。
この様に構成した装置において、ガス導入口１から反応
管５内に一定の流量で膜形成の為の元素を含んだガスを
導入し、同時に高周波電源６を作動させて電極体３Ａ、
３Ｂに高周波電力を印加すると、該両電極間に強いグロ
ー放電が起こり、電極体３Ａとプラズマ拡散防止電極体
９Ａ間及び電極体３Ｂとプラズマ拡散防止電極体９Ｂ間
に弱いグロー放電が起こる。そして、破線に示す様な電
流が流れようとしても、電極体とプラズマ拡散防止電極
体間の弱いグロー放電の起きている部分で、大部分の電
圧が降下し、僅かな電流が浮遊容量Ｃｇを通して大地へ
流れるだけである。従って、上蓋８方向へ拡散しようと
するプラズマは電極体３Ａとプラズマ拡散防止電極体９
Ａ間に生成された電界内に大略閉じ込められ、基板４方
向へ拡散しようとするプラズマは電極体３Ｂとプラズマ
拡散防止電極体９Ｂ間に生成された電界内に大略閉じ込
められる。この状態において、真空ポンプ７によりガス
を排気口２方向へ吸引し、途中基板４上に該ガスを供給
するようにし、該基板上に所定の躾を形成する。
管５内に一定の流量で膜形成の為の元素を含んだガスを
導入し、同時に高周波電源６を作動させて電極体３Ａ、
３Ｂに高周波電力を印加すると、該両電極間に強いグロ
ー放電が起こり、電極体３Ａとプラズマ拡散防止電極体
９Ａ間及び電極体３Ｂとプラズマ拡散防止電極体９Ｂ間
に弱いグロー放電が起こる。そして、破線に示す様な電
流が流れようとしても、電極体とプラズマ拡散防止電極
体間の弱いグロー放電の起きている部分で、大部分の電
圧が降下し、僅かな電流が浮遊容量Ｃｇを通して大地へ
流れるだけである。従って、上蓋８方向へ拡散しようと
するプラズマは電極体３Ａとプラズマ拡散防止電極体９
Ａ間に生成された電界内に大略閉じ込められ、基板４方
向へ拡散しようとするプラズマは電極体３Ｂとプラズマ
拡散防止電極体９Ｂ間に生成された電界内に大略閉じ込
められる。この状態において、真空ポンプ７によりガス
を排気口２方向へ吸引し、途中基板４上に該ガスを供給
するようにし、該基板上に所定の躾を形成する。
本発明によれば、非常に簡単な構造によりガスプラズマ
の汚染や基板表面のダメージを防止することが出来る。
の汚染や基板表面のダメージを防止することが出来る。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置、第２図は本発明の
一実施例を示したプラズマＣＶＤ装置である。 １：ガス導入口、２：排気口、３Ａ、３Ｂ：電極体、４
：基板、５：反応管、６：高周波電源、７：真空ポンプ
、Ｐ：プラズマ、８：上蓋、９Ａ。 ９Ｂ：プラズマ拡散防止電極体。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠雄 第２図
一実施例を示したプラズマＣＶＤ装置である。 １：ガス導入口、２：排気口、３Ａ、３Ｂ：電極体、４
：基板、５：反応管、６：高周波電源、７：真空ポンプ
、Ｐ：プラズマ、８：上蓋、９Ａ。 ９Ｂ：プラズマ拡散防止電極体。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠雄 第２図
Claims (1)
- ガス導入口と排気口とを有し、外周に複数の電極体が巻
かれるか、又は単数の電極体が複数回巻かれ、且つ内部
に基板が配置された反応管と、前記電極体に高周波電力
を印加する高周波電源とを備えた装置において、前記反
応管の高さ方向に前記電極体から適宜な距離をおいて独
立した電極体を配置したことを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5917882A JPS58176923A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5917882A JPS58176923A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176923A true JPS58176923A (ja) | 1983-10-17 |
Family
ID=13105878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5917882A Pending JPS58176923A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176923A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58193726A (ja) * | 1982-05-08 | 1983-11-11 | Ushio Inc | 蒸着方法 |
| JPS59145778A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Ushio Inc | 光化学蒸着装置 |
| JPS6263420A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-20 | Nobuo Mikoshiba | 化学的気相法による反応装置及びプラズマ処理方法 |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP5917882A patent/JPS58176923A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58193726A (ja) * | 1982-05-08 | 1983-11-11 | Ushio Inc | 蒸着方法 |
| JPS6150147B2 (ja) * | 1982-05-08 | 1986-11-01 | Ushio Electric Inc | |
| JPS59145778A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Ushio Inc | 光化学蒸着装置 |
| JPS6150152B2 (ja) * | 1983-02-09 | 1986-11-01 | Ushio Electric Inc | |
| JPS6263420A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-20 | Nobuo Mikoshiba | 化学的気相法による反応装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH0553055B2 (ja) * | 1985-09-14 | 1993-08-09 | Nobuo Mikoshiba |
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