JPS5831532A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS5831532A JPS5831532A JP12904281A JP12904281A JPS5831532A JP S5831532 A JPS5831532 A JP S5831532A JP 12904281 A JP12904281 A JP 12904281A JP 12904281 A JP12904281 A JP 12904281A JP S5831532 A JPS5831532 A JP S5831532A
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- JP
- Japan
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- cassette
- wafers
- reaction tube
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、円筒式のガスプラズマ反応処理装置に係シ、
特に処理すべきシリコンウェーハをウェーハカセットか
ら１枚ずつ自動的に取シ出し、パッチ処理を完全自動で
行なう円筒式ガスプラズマ反応処理装置に関するもので
ある。
特に処理すべきシリコンウェーハをウェーハカセットか
ら１枚ずつ自動的に取シ出し、パッチ処理を完全自動で
行なう円筒式ガスプラズマ反応処理装置に関するもので
ある。
最近、半導体工業界の発展は目覚ましいものがあシ、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ、超ＬＳＩなど電子部品材料の加工技術にも
長足の進歩が認められる。このような加工技術の１つと
して、半導体ウェーハのエツチング及びレジストの灰化
技術があげられ、従来のウェット方式が、ガスプラズマ
を用いるドライ方式に切シ替わりつつある。
Ｃ，ＬＳＩ、超ＬＳＩなど電子部品材料の加工技術にも
長足の進歩が認められる。このような加工技術の１つと
して、半導体ウェーハのエツチング及びレジストの灰化
技術があげられ、従来のウェット方式が、ガスプラズマ
を用いるドライ方式に切シ替わりつつある。
従来の円筒式のプラズマ装置では、前工程より送られて
くるウェーハカセットから第１図のような被処理ウェー
ハｌを人手によシピンセットで１曙み、ウェーハ立て２
に並べ替えて第２図のような反応管４内に装填し、処理
したのち、再びウェーハ立てから人手を用いて、ウェー
ハカセットに移し替え、後続工種に供給するのが普通で
ある。しかし、このウェーハカセットは、フォトレジス
トのコーティング、焼付け、現像、リンスなど、プラズ
マ処理を除く全工程において自動化ラインに組み込まれ
、プラズマ処理の工程だけが人手に頼るため、連続的操
業が実現できないという欠点がある。しかも各ウェーハ
をビンセットで１１むため、ウェーハ表面にきすを生じ
たり、場合によって法割れることもあシ、さらに今後ウ
ェーハの大型化が進むとともにビンセットにより把持が
困難になる問題がある。
くるウェーハカセットから第１図のような被処理ウェー
ハｌを人手によシピンセットで１曙み、ウェーハ立て２
に並べ替えて第２図のような反応管４内に装填し、処理
したのち、再びウェーハ立てから人手を用いて、ウェー
ハカセットに移し替え、後続工種に供給するのが普通で
ある。しかし、このウェーハカセットは、フォトレジス
トのコーティング、焼付け、現像、リンスなど、プラズ
マ処理を除く全工程において自動化ラインに組み込まれ
、プラズマ処理の工程だけが人手に頼るため、連続的操
業が実現できないという欠点がある。しかも各ウェーハ
をビンセットで１１むため、ウェーハ表面にきすを生じ
たり、場合によって法割れることもあシ、さらに今後ウ
ェーハの大型化が進むとともにビンセットにより把持が
困難になる問題がある。
本発明は、これらの欠点を除去した自動化されたプラズ
マ処理装置の提供を目的とするものである。
マ処理装置の提供を目的とするものである。
本発明の特徴は、排気管とガス導入管を備えた円筒弐反
♂管が−直に支持され、ウェーハカセットを上下させる
手段と、このカセットよシシリコンウエーハを取出す手
段と、このシリコンウェー八をウェーハ保持具まで搬送
する手段と、この反応管にそのウェーハ保持具を装填、
取シ出しを行う上下機構とを具備したプラズマ処理装置
にある。
♂管が−直に支持され、ウェーハカセットを上下させる
手段と、このカセットよシシリコンウエーハを取出す手
段と、このシリコンウェー八をウェーハ保持具まで搬送
する手段と、この反応管にそのウェーハ保持具を装填、
取シ出しを行う上下機構とを具備したプラズマ処理装置
にある。
すなわち、前稜工程で使用しているウェーハカセットを
セットすると、自動的にウェーハがウニバカセットよシ
取り出されてウェーハ保持具に移り、そのウェーハ保持
具が自動的に反応管の中に装填され、処理され、再びウ
ェーハ保持具よシウエーハカセットにウェーハが移動し
、処理が終了するようにしたもので、以下図面について
詳細に説明する。
セットすると、自動的にウェーハがウニバカセットよシ
取り出されてウェーハ保持具に移り、そのウェーハ保持
具が自動的に反応管の中に装填され、処理され、再びウ
ェーハ保持具よシウエーハカセットにウェーハが移動し
、処理が終了するようにしたもので、以下図面について
詳細に説明する。
第４図は本発明の実施例である。
まず被処理ウェーハｌが、ウェーハカセット１９に入り
九まま、カセットエレベータ−２０にセットされる。こ
のエレベータ−２０は、モーター２３０回転をギア２２
を介してネジ２１に伝えて上下出来る機構、を備えてい
て、ウェーハｌを１枚ずつウェーハ搬送用コンベア２４
．２５により、カセットから電り出しウエーノ１保持具
１１に搬送する。このウェーハ搬送用コンベア２４．２
５は、モーター（図示していない）とプーリー２７とベ
ルト２６により構成され、ベルト２６上をウェーハｌが
搬送される。ウェーハ１がウェーハ保持具１１に移ると
、ウェーハ保持具１１は１ピツチだけ上昇し、再びウェ
ーハ搬送が行われる。
九まま、カセットエレベータ−２０にセットされる。こ
のエレベータ−２０は、モーター２３０回転をギア２２
を介してネジ２１に伝えて上下出来る機構、を備えてい
て、ウェーハｌを１枚ずつウェーハ搬送用コンベア２４
．２５により、カセットから電り出しウエーノ１保持具
１１に搬送する。このウェーハ搬送用コンベア２４．２
５は、モーター（図示していない）とプーリー２７とベ
ルト２６により構成され、ベルト２６上をウェーハｌが
搬送される。ウェーハ１がウェーハ保持具１１に移ると
、ウェーハ保持具１１は１ピツチだけ上昇し、再びウェ
ーハ搬送が行われる。
ウェーハ保持具１１の上下機構は、エレベータ２０と同
じであるが、ウェーハが反応管４に装填された時、反応
管４を真空にする必要があり、Ｍ２Ｓとシール１４を備
えている。又、ウェーハ搬送用コンベア２５は、蓋１３
が反応管４に接するとき、後方へ移動する機構を備えて
いる。
じであるが、ウェーハが反応管４に装填された時、反応
管４を真空にする必要があり、Ｍ２Ｓとシール１４を備
えている。又、ウェーハ搬送用コンベア２５は、蓋１３
が反応管４に接するとき、後方へ移動する機構を備えて
いる。
ウェーハ１が全部ウェーハ保持具１１に移され、反応管
４ ＫＭｌｌｌされると、排気パルプ１０が開き、真空
ポンプ（図示されていない）によシ排気管６を通して反
応管４は真空になる。反応管４の圧力がおよそ１０パス
カル（Ｐｌ）になると、ガス導（ルプ９が開いて反応ガ
ス（例えば、０雪やＣＦ２など）がガス導入管５よシ反
応管４に導入される。
４ ＫＭｌｌｌされると、排気パルプ１０が開き、真空
ポンプ（図示されていない）によシ排気管６を通して反
応管４は真空になる。反応管４の圧力がおよそ１０パス
カル（Ｐｌ）になると、ガス導（ルプ９が開いて反応ガ
ス（例えば、０雪やＣＦ２など）がガス導入管５よシ反
応管４に導入される。
反応管４の断面図を第３図に示す。電極７ａ１７ｂとア
ース８ｍ、８ｂの間に高周波が印加されるので、反応管
４の内部はプラＸ１状急になる。一定時間の処理後、高
周波印加を停止して、反応管４の中をパージして大気圧
にもどし、クエーノ１保持具１１を下降させ、ウエーノ
・供給と逆の方法で、地理済ウェーノーをカセット１９
に搬送する。
ース８ｍ、８ｂの間に高周波が印加されるので、反応管
４の内部はプラＸ１状急になる。一定時間の処理後、高
周波印加を停止して、反応管４の中をパージして大気圧
にもどし、クエーノ１保持具１１を下降させ、ウエーノ
・供給と逆の方法で、地理済ウェーノーをカセット１９
に搬送する。
以上説明したように、本発明によればカセットから人手
を介せずに、ウエーノ・が反応管に入り処理され再びカ
セットに収納されるので、連続的操□業ができ、ビンセ
ットによるきすも与えずにすむという利点がある。
を介せずに、ウエーノ・が反応管に入り処理され再びカ
セットに収納されるので、連続的操□業ができ、ビンセ
ットによるきすも与えずにすむという利点がある。
第１図は従来使用されていたウェー７１立て、第２図は
従来の方法と円筒式プラズマ装置の横断面図、第３図は
円筒式プラズマ装置の縦断面図、第４図は本発明装置の
一実施例のプラズマ処理装置を示す外観−、である。 なお図において、１・・・・・・ウエーノ＼、２・・・
・・・ウェーハ立て、３・・・・・・ウェーハガイド、
４・・・・・・反応管、５・・・・・・ガス導入管、６
・・・・・・排気管、７・・・・・・電極板、８・・・
・・・アース、９・・・・・・ガス導（ルブ、１０・・
・・・・排気バルブ、１１・・・・・・ウエーノ１保持
具、１２・・・・・・ウェーハガイド、１３・・・・・
・蓋、１４・・・・・・シール、１５・・・・・・支持
台％ １６・・・・・・ネジ、１７・・・・・・ギア、
１８・・・・・・モーター％ １９・・・・・・ウエー
ノ１カセツ）、２０・・・・・・エレベータ−１２１・
・・・・・ネジ、２２・・・・・・ギア。 ２３・・・・・・モーター、２４°・・・・・固定コン
ベア、２５・・・・・・可動コンベア、２６・・・・・
・ベルト、２７・・・・・・プーリー、である。 第３図 ′＄４図
従来の方法と円筒式プラズマ装置の横断面図、第３図は
円筒式プラズマ装置の縦断面図、第４図は本発明装置の
一実施例のプラズマ処理装置を示す外観−、である。 なお図において、１・・・・・・ウエーノ＼、２・・・
・・・ウェーハ立て、３・・・・・・ウェーハガイド、
４・・・・・・反応管、５・・・・・・ガス導入管、６
・・・・・・排気管、７・・・・・・電極板、８・・・
・・・アース、９・・・・・・ガス導（ルブ、１０・・
・・・・排気バルブ、１１・・・・・・ウエーノ１保持
具、１２・・・・・・ウェーハガイド、１３・・・・・
・蓋、１４・・・・・・シール、１５・・・・・・支持
台％ １６・・・・・・ネジ、１７・・・・・・ギア、
１８・・・・・・モーター％ １９・・・・・・ウエー
ノ１カセツ）、２０・・・・・・エレベータ−１２１・
・・・・・ネジ、２２・・・・・・ギア。 ２３・・・・・・モーター、２４°・・・・・固定コン
ベア、２５・・・・・・可動コンベア、２６・・・・・
・ベルト、２７・・・・・・プーリー、である。 第３図 ′＄４図
Claims (1)
- 排気管とガス導入管とを備えた円筒式反応管が垂直に支
持され、ウェーハカセットを上下させる手段と、該カセ
ットよシリコンウェーハを取出す手段と、該シリコンウ
ェーハをウェーハ保持具まで搬送する手段と、前記円筒
式反応管に皺つェーハ保持臭を装填、取シ出しを行なう
上下機構とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12904281A JPS5831532A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12904281A JPS5831532A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831532A true JPS5831532A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=14999652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12904281A Pending JPS5831532A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831532A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59186326A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS60137021A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS6130236U (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-24 | 株式会社 プラズマシステム | プラズマ処理装置 |
| JPS61192446U (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-29 | ||
| JPS62132322A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | エッチング装置 |
| JPH0778764A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| JPH0794417A (ja) * | 1993-01-13 | 1995-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| JPH07201764A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| JPH07201763A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応方法 |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP12904281A patent/JPS5831532A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59186326A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH0522379B2 (ja) * | 1983-04-06 | 1993-03-29 | Hitachi Ltd | |
| JPS60137021A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS6130236U (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-24 | 株式会社 プラズマシステム | プラズマ処理装置 |
| JPH051071Y2 (ja) * | 1985-05-22 | 1993-01-12 | ||
| JPS61192446U (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-29 | ||
| JPH051975B2 (ja) * | 1985-12-04 | 1993-01-11 | Shibaura Eng Works Ltd | |
| JPS62132322A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | エッチング装置 |
| JPH0794417A (ja) * | 1993-01-13 | 1995-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| JP2648684B2 (ja) * | 1993-01-13 | 1997-09-03 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応装置 |
| JPH0778764A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| JP2670561B2 (ja) * | 1993-10-25 | 1997-10-29 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応による被膜形成方法 |
| JPH07201764A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| JPH07201763A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応方法 |
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