JPH05144740A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH05144740A JPH05144740A JP3306224A JP30622491A JPH05144740A JP H05144740 A JPH05144740 A JP H05144740A JP 3306224 A JP3306224 A JP 3306224A JP 30622491 A JP30622491 A JP 30622491A JP H05144740 A JPH05144740 A JP H05144740A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スロー排気、スローベント等を行うことな
く、ロードロック室からの真空排気およびロードロック
室への気体導入を行う際に舞い上がったパーティクルが
被処理物に付着することを防止することができ、スルー
プットの向上と歩留まりの向上を図ることのできる真空
処理装置を提供する。 【構成】 ロードロック室１内の天井部には、気密に閉
塞可能な小空間を形成する如く、円形の凹部７が形成さ
れている。この凹部７は、半導体ウエハ４より僅かに大
きなサイズに設定されており、凹部７の周囲には、Ｏリ
ング８が設けられている。そして、搬送アーム５を上昇
させることにより、半導体ウエハ４を支持する搬送アー
ム５とＯリング８とが当接されてこれらの間が気密に閉
塞され、半導体ウエハ４が凹部７内に収容され気密な状
態で隔離されるよう構成されている。また、この凹部７
には、小空間用排気配管９および小空間用気体導入配管
１０が接続されている。
く、ロードロック室からの真空排気およびロードロック
室への気体導入を行う際に舞い上がったパーティクルが
被処理物に付着することを防止することができ、スルー
プットの向上と歩留まりの向上を図ることのできる真空
処理装置を提供する。 【構成】 ロードロック室１内の天井部には、気密に閉
塞可能な小空間を形成する如く、円形の凹部７が形成さ
れている。この凹部７は、半導体ウエハ４より僅かに大
きなサイズに設定されており、凹部７の周囲には、Ｏリ
ング８が設けられている。そして、搬送アーム５を上昇
させることにより、半導体ウエハ４を支持する搬送アー
ム５とＯリング８とが当接されてこれらの間が気密に閉
塞され、半導体ウエハ４が凹部７内に収容され気密な状
態で隔離されるよう構成されている。また、この凹部７
には、小空間用排気配管９および小空間用気体導入配管
１０が接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、真空処理室内に被処理物を収
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、イ
オン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知ら
れている。
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、イ
オン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知ら
れている。
【０００３】このような真空処理装置では、一旦真空処
理室内を常圧に戻してしまうと、再び真空処理室内を所
定の真空度に設定し、次の処理を開始できる状態にする
までに、非常に長い時間を要する。このため、真空処理
室に較べて容積の少ない予備真空室いわゆるロードロッ
ク室を設け、このロードロック室内だけを常圧に戻すよ
うにして、ロードロック室を介して被処理物、例えば半
導体ウエハを真空処理室内に搬入、搬出するよう構成さ
れたものが多い。
理室内を常圧に戻してしまうと、再び真空処理室内を所
定の真空度に設定し、次の処理を開始できる状態にする
までに、非常に長い時間を要する。このため、真空処理
室に較べて容積の少ない予備真空室いわゆるロードロッ
ク室を設け、このロードロック室内だけを常圧に戻すよ
うにして、ロードロック室を介して被処理物、例えば半
導体ウエハを真空処理室内に搬入、搬出するよう構成さ
れたものが多い。
【０００４】図５にこのような従来の真空処理装置の一
例として、エッチング装置の構成を示す。内部を気密に
閉塞可能に構成された真空処理室５０内には、上部に半
導体ウエハ５１を載置可能に構成されたウエハ載置台を
兼ねた下部電極５２が設けられている。この下部電極５
２には、駆動機構５３によって駆動され、半導体ウエハ
５１の周縁部を押圧保持するウエハクランプ機構５４が
設けられている。また、この下部電極５２には、冷却ガ
ス例えばヘリウムガスを循環させて半導体ウエハ５１を
冷却するための冷却機構５５が設けられている。
例として、エッチング装置の構成を示す。内部を気密に
閉塞可能に構成された真空処理室５０内には、上部に半
導体ウエハ５１を載置可能に構成されたウエハ載置台を
兼ねた下部電極５２が設けられている。この下部電極５
２には、駆動機構５３によって駆動され、半導体ウエハ
５１の周縁部を押圧保持するウエハクランプ機構５４が
設けられている。また、この下部電極５２には、冷却ガ
ス例えばヘリウムガスを循環させて半導体ウエハ５１を
冷却するための冷却機構５５が設けられている。
【０００５】上記下部電極５２の上方には、円板状に形
成された上部電極５６が設けられている。この上部電極
５６の下面には、図示しない多数の細孔が設けられてお
り、処理ガス供給配管５７から供給された所定のエッチ
ングガスを、これらの細孔から、下部電極５２上に載置
された半導体ウエハ５１に向けて供給するよう構成され
ている。この上部電極５６と下部電極５２との間には、
図示しない高周波電源から高周波電圧を印加することが
できるように構成されている。
成された上部電極５６が設けられている。この上部電極
５６の下面には、図示しない多数の細孔が設けられてお
り、処理ガス供給配管５７から供給された所定のエッチ
ングガスを、これらの細孔から、下部電極５２上に載置
された半導体ウエハ５１に向けて供給するよう構成され
ている。この上部電極５６と下部電極５２との間には、
図示しない高周波電源から高周波電圧を印加することが
できるように構成されている。
【０００６】さらに、真空処理室５０には、図示しない
真空排気ポンプに接続された真空排気配管５８が接続さ
れており、内部を所定の真空度に設定することができる
よう構成されている。また、真空処理室５０の側部に
は、半導体ウエハ５１を搬入、搬出するための搬入・搬
出口５９が設けられており、この搬入・搬出口５９に
は、搬入・搬出口５９を気密に閉塞するためのゲートバ
ルブ６０が設けられている。 このゲートバルブ６０の
外側には、ロードロック室（予備真空室）６１が設けら
れている。このロードロック室６１には、図示しない真
空排気ポンプに接続された真空排気配管６２および所定
の清浄化ガス例えば窒素ガスを供給するための気体導入
配管６３が接続されており、内部を所定の真空度に設定
したり、解放のために大気圧に戻したりすることができ
るよう構成されている。また、ロードロック室６１内に
は、半導体ウエハ５１を搬送するための搬送アーム６４
が設けられており、ロードロック室６１の側部には、半
導体ウエハ５１を搬入、搬出するための搬入・搬出口６
５が設けられている。この搬入・搬出口６５には、搬入
・搬出口６５を気密に閉塞するためのゲートバルブ６６
が設けられている。ゲートバルブ６６の外側は、大気圧
とされており、ここには例えば図示しないウエハキャリ
ア等が配置されるオートローダ６７等が配置されてい
る。
真空排気ポンプに接続された真空排気配管５８が接続さ
れており、内部を所定の真空度に設定することができる
よう構成されている。また、真空処理室５０の側部に
は、半導体ウエハ５１を搬入、搬出するための搬入・搬
出口５９が設けられており、この搬入・搬出口５９に
は、搬入・搬出口５９を気密に閉塞するためのゲートバ
ルブ６０が設けられている。 このゲートバルブ６０の
外側には、ロードロック室（予備真空室）６１が設けら
れている。このロードロック室６１には、図示しない真
空排気ポンプに接続された真空排気配管６２および所定
の清浄化ガス例えば窒素ガスを供給するための気体導入
配管６３が接続されており、内部を所定の真空度に設定
したり、解放のために大気圧に戻したりすることができ
るよう構成されている。また、ロードロック室６１内に
は、半導体ウエハ５１を搬送するための搬送アーム６４
が設けられており、ロードロック室６１の側部には、半
導体ウエハ５１を搬入、搬出するための搬入・搬出口６
５が設けられている。この搬入・搬出口６５には、搬入
・搬出口６５を気密に閉塞するためのゲートバルブ６６
が設けられている。ゲートバルブ６６の外側は、大気圧
とされており、ここには例えば図示しないウエハキャリ
ア等が配置されるオートローダ６７等が配置されてい
る。
【０００７】そして、まず、ロードロック室６１を大気
圧に設定しておき、ゲートバルブ６６を開けて搬送アー
ム６４によって半導体ウエハ５１をロードロック室６１
内に搬入し、この後ゲートバルブ６６を閉めてロードロ
ック室６１内を所定の真空度に設定し、しかる後ゲート
バルブ６０を開けて真空処理室５０の下部電極上に半導
体ウエハ５１を載置するよう構成されている。このよう
に半導体ウエハ５１をロードロック室６１を介して搬入
することにより、真空処理室５０内を大気圧に戻すこと
なく、半導体ウエハ５１を搬入することができる。な
お、半導体ウエハ５１を搬出する場合は、上記手順と逆
の手順による。
圧に設定しておき、ゲートバルブ６６を開けて搬送アー
ム６４によって半導体ウエハ５１をロードロック室６１
内に搬入し、この後ゲートバルブ６６を閉めてロードロ
ック室６１内を所定の真空度に設定し、しかる後ゲート
バルブ６０を開けて真空処理室５０の下部電極上に半導
体ウエハ５１を載置するよう構成されている。このよう
に半導体ウエハ５１をロードロック室６１を介して搬入
することにより、真空処理室５０内を大気圧に戻すこと
なく、半導体ウエハ５１を搬入することができる。な
お、半導体ウエハ５１を搬出する場合は、上記手順と逆
の手順による。
【０００８】真空処理室５０内では、ウエハクランプ機
構５４で半導体ウエハ５１の周縁部を押圧保持し、冷却
機構５５によって半導体ウエハ５１を冷却しつつ、上部
電極５６の下面からエッチングガスを供給し、このエッ
チングガスを下部電極５２と上部電極５６との間に印加
した高周波電圧等によって活性化して、半導体ウエハ５
１にエッチング処理を施す。なお、この時、真空排気配
管５８により真空排気を実施し、真空処理室５０内部を
所定の真空度に保つ。
構５４で半導体ウエハ５１の周縁部を押圧保持し、冷却
機構５５によって半導体ウエハ５１を冷却しつつ、上部
電極５６の下面からエッチングガスを供給し、このエッ
チングガスを下部電極５２と上部電極５６との間に印加
した高周波電圧等によって活性化して、半導体ウエハ５
１にエッチング処理を施す。なお、この時、真空排気配
管５８により真空排気を実施し、真空処理室５０内部を
所定の真空度に保つ。
【０００９】しかしながら、このような真空処理装置で
は、例えば真空処理室５０内で発生した反応生成物、機
械的な駆動部例えばゲートバルブ６０、６６や被処理物
の搬送機構等から発生した塵埃等のいわゆるパーティク
ルがロードロック室６１内に多数存在する。そして、こ
のパーティクルが、ロードロック室６１内の真空排気を
行う際あるいはロードロック室６１内に窒素ガス等の気
体を導入して常圧に戻し大気解放する際に、急激な気体
の流れによって舞い上がり、半導体ウエハ５１等に付着
するという問題があった。このような問題は、半導体ウ
エハ５１等を用いた半導体デバイスの製造工程において
は、不良発生の原因となり、歩留まりの低下を招くた
め、特に大きな問題となっていた。
は、例えば真空処理室５０内で発生した反応生成物、機
械的な駆動部例えばゲートバルブ６０、６６や被処理物
の搬送機構等から発生した塵埃等のいわゆるパーティク
ルがロードロック室６１内に多数存在する。そして、こ
のパーティクルが、ロードロック室６１内の真空排気を
行う際あるいはロードロック室６１内に窒素ガス等の気
体を導入して常圧に戻し大気解放する際に、急激な気体
の流れによって舞い上がり、半導体ウエハ５１等に付着
するという問題があった。このような問題は、半導体ウ
エハ５１等を用いた半導体デバイスの製造工程において
は、不良発生の原因となり、歩留まりの低下を招くた
め、特に大きな問題となっていた。
【００１０】このため、従来の真空処理装置では、ロー
ドロック室６１内の真空排気およびロードロック室６１
内への気体導入をゆっくりと徐々に行ういわゆるスロー
排気、スローベントによって、このようなロードロック
室６１内におけるパーティクルの舞い上がりを抑制する
ことが行われている。
ドロック室６１内の真空排気およびロードロック室６１
内への気体導入をゆっくりと徐々に行ういわゆるスロー
排気、スローベントによって、このようなロードロック
室６１内におけるパーティクルの舞い上がりを抑制する
ことが行われている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の真空処理装置では、スロー排気、スローベント
によって、ロードロック室内におけるパーティクルの舞
い上がりを抑制するため、真空排気および大気解放に時
間がかかり、スループットの低下を招くという問題と、
たとえ、スロー排気、スローベント等を行っても、完全
にパーティクルの舞い上がりを防止することが困難なた
め、パーティクルが半導体ウエハ等に付着して不良が発
生し、歩留まりが低下するという問題があった。
た従来の真空処理装置では、スロー排気、スローベント
によって、ロードロック室内におけるパーティクルの舞
い上がりを抑制するため、真空排気および大気解放に時
間がかかり、スループットの低下を招くという問題と、
たとえ、スロー排気、スローベント等を行っても、完全
にパーティクルの舞い上がりを防止することが困難なた
め、パーティクルが半導体ウエハ等に付着して不良が発
生し、歩留まりが低下するという問題があった。
【００１２】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、スロー排気、スローベント等を行うこと
なく、ロードロック室からの真空排気およびロードロッ
ク室への気体導入を行う際に舞い上がったパーティクル
が被処理物に付着することを防止することができ、スル
ープットの向上と歩留まりの向上を図ることのできる真
空処理装置を提供しようとするものである。
されたもので、スロー排気、スローベント等を行うこと
なく、ロードロック室からの真空排気およびロードロッ
ク室への気体導入を行う際に舞い上がったパーティクル
が被処理物に付着することを防止することができ、スル
ープットの向上と歩留まりの向上を図ることのできる真
空処理装置を提供しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の本発明の真空処理装置は、被処理物に所定の処理を施
す真空処理室と、内部を真空排気可能に構成された予備
真空室とを備え、この予備真空室を介して、前記被処理
物を前記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成された
真空処理装置において、前記予備真空室内に、気密に閉
塞可能な小空間を設け、該予備真空室からの真空排気お
よび該予備真空室への気体導入を行う際に、前記被処理
物をこの小空間内に一時的に退避させるよう構成したこ
とを特徴とする。
の本発明の真空処理装置は、被処理物に所定の処理を施
す真空処理室と、内部を真空排気可能に構成された予備
真空室とを備え、この予備真空室を介して、前記被処理
物を前記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成された
真空処理装置において、前記予備真空室内に、気密に閉
塞可能な小空間を設け、該予備真空室からの真空排気お
よび該予備真空室への気体導入を行う際に、前記被処理
物をこの小空間内に一時的に退避させるよう構成したこ
とを特徴とする。
【００１４】また、請求項２記載の本発明の真空処理装
置は、被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、内部
を真空排気可能に構成された予備真空室とを備え、この
予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空処理室内
に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置におい
て、前記予備真空室内の上部に、気密に閉塞可能な小空
間を設け、該予備真空室からの真空排気および該予備真
空室への気体導入を行う際に、前記被処理物を上昇させ
てこの小空間内に一時的に退避させるよう構成したこと
を特徴とする。
置は、被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、内部
を真空排気可能に構成された予備真空室とを備え、この
予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空処理室内
に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置におい
て、前記予備真空室内の上部に、気密に閉塞可能な小空
間を設け、該予備真空室からの真空排気および該予備真
空室への気体導入を行う際に、前記被処理物を上昇させ
てこの小空間内に一時的に退避させるよう構成したこと
を特徴とする。
【００１５】
【作用】上記構成の本発明の真空処理装置では、例えば
予備真空室すなわちロードロック室の上部等に、気密に
閉塞可能な小空間が設けられている。そして、ロードロ
ック室からの真空排気および大気解放時の気体導入を行
う際に、例えば被処理物を上昇させること等により、こ
の小空間内に被処理物を一時的に退避させる。
予備真空室すなわちロードロック室の上部等に、気密に
閉塞可能な小空間が設けられている。そして、ロードロ
ック室からの真空排気および大気解放時の気体導入を行
う際に、例えば被処理物を上昇させること等により、こ
の小空間内に被処理物を一時的に退避させる。
【００１６】したがって、スロー排気、スローベント等
を行わなくても、ロードロック室内に舞い上がったパー
ティクルが被処理物に付着することを防止することがで
き、スループットの向上と歩留まりの向上を図ることが
できる。
を行わなくても、ロードロック室内に舞い上がったパー
ティクルが被処理物に付着することを防止することがで
き、スループットの向上と歩留まりの向上を図ることが
できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハに真空雰囲気下
で所定の処理を施す真空処理装置に適用した一実施例を
図面を参照して説明する。
で所定の処理を施す真空処理装置に適用した一実施例を
図面を参照して説明する。
【００１８】図１に示すように、ロードロック室１は例
えば円筒容器状に形成されており、その所定部例えば底
部には、図示しない真空ポンプに接続された排気配管２
と、図示しない気体供給源例えば窒素ガス供給機構に接
続された気体導入配管３が接続されている。また、ロー
ドロック室１の内部には、半導体ウエハ４を搬送するた
めの搬送機構として、複数段（本実施例では3 段）の搬
送アーム５が配設されている。この搬送アーム５は、シ
ャフト６を介して外部の図示しない駆動機構に接続され
ており、回転および伸縮することにより、上部に載置さ
れた半導体ウエハ４を搬送するように構成されている。
また、この搬送アーム５は、図中矢印で示すように、上
下動可能に構成されている。
えば円筒容器状に形成されており、その所定部例えば底
部には、図示しない真空ポンプに接続された排気配管２
と、図示しない気体供給源例えば窒素ガス供給機構に接
続された気体導入配管３が接続されている。また、ロー
ドロック室１の内部には、半導体ウエハ４を搬送するた
めの搬送機構として、複数段（本実施例では3 段）の搬
送アーム５が配設されている。この搬送アーム５は、シ
ャフト６を介して外部の図示しない駆動機構に接続され
ており、回転および伸縮することにより、上部に載置さ
れた半導体ウエハ４を搬送するように構成されている。
また、この搬送アーム５は、図中矢印で示すように、上
下動可能に構成されている。
【００１９】さらに、ロードロック室１内の天井部に
は、気密に閉塞可能な小空間を形成する如く、円形の凹
部７が形成されている。この凹部７は、半導体ウエハ４
より僅かに大きなサイズに設定されており、凹部７の周
囲には、Ｏリング８が設けられている。そして、搬送ア
ーム５を上昇させることにより、半導体ウエハ４を支持
する搬送アーム５とＯリング８とが当接されてこれらの
間が気密に閉塞され、半導体ウエハ４が凹部７内に収容
され気密な状態で隔離されるよう構成されている。ま
た、この凹部７には、図示しない真空ポンプに接続され
た小空間用排気配管９および図示しない気体供給源例え
ば窒素ガス供給機構に接続された小空間用気体導入配管
１０が接続されている。
は、気密に閉塞可能な小空間を形成する如く、円形の凹
部７が形成されている。この凹部７は、半導体ウエハ４
より僅かに大きなサイズに設定されており、凹部７の周
囲には、Ｏリング８が設けられている。そして、搬送ア
ーム５を上昇させることにより、半導体ウエハ４を支持
する搬送アーム５とＯリング８とが当接されてこれらの
間が気密に閉塞され、半導体ウエハ４が凹部７内に収容
され気密な状態で隔離されるよう構成されている。ま
た、この凹部７には、図示しない真空ポンプに接続され
た小空間用排気配管９および図示しない気体供給源例え
ば窒素ガス供給機構に接続された小空間用気体導入配管
１０が接続されている。
【００２０】また、ロードロック室１の側部には、ゲー
トバルブ１１、１２によって気密に閉塞可能な搬入・搬
出口１３、１４が設けられている。搬入・搬出口１３は
真空処理室１５に連通するものであり、搬入・搬出口１
４は外部１６に向けて開口するものである。外部１６に
は、上下動可能に構成されたウエハキャリア載置台１７
が設けられており、このウエハキャリア載置台１７上に
は複数枚例えば25枚の半導体ウエハ４を収容可能に構成
されたウエハキャリア１８が載置される。
トバルブ１１、１２によって気密に閉塞可能な搬入・搬
出口１３、１４が設けられている。搬入・搬出口１３は
真空処理室１５に連通するものであり、搬入・搬出口１
４は外部１６に向けて開口するものである。外部１６に
は、上下動可能に構成されたウエハキャリア載置台１７
が設けられており、このウエハキャリア載置台１７上に
は複数枚例えば25枚の半導体ウエハ４を収容可能に構成
されたウエハキャリア１８が載置される。
【００２１】一方、真空処理室１５は、前述した図５の
エッチング装置と同様に構成されており、図示しない排
気機構、処理ガス供給機構等が設けられている。また、
その内部にはウエハ載置台（下部電極）１９が設けられ
ている。そして、このウエハ載置台１９上に半導体ウエ
ハ４を載置して、所定の減圧雰囲気下でこの半導体ウエ
ハ４に所定のエッチング処理を施すよう構成されてい
る。なお、この処理は、エッング処理の他、例えばアッ
シング処理、イオン注入処理、スパッタ処理、減圧ＣＶ
Ｄ処理等である。
エッチング装置と同様に構成されており、図示しない排
気機構、処理ガス供給機構等が設けられている。また、
その内部にはウエハ載置台（下部電極）１９が設けられ
ている。そして、このウエハ載置台１９上に半導体ウエ
ハ４を載置して、所定の減圧雰囲気下でこの半導体ウエ
ハ４に所定のエッチング処理を施すよう構成されてい
る。なお、この処理は、エッング処理の他、例えばアッ
シング処理、イオン注入処理、スパッタ処理、減圧ＣＶ
Ｄ処理等である。
【００２２】上記構成の本実施例の真空処理装置は、マ
イクロプロセッサ等から構成される図示しない制御装置
によって制御され、次のような動作により半導体ウエハ
４の処理を実施する。
イクロプロセッサ等から構成される図示しない制御装置
によって制御され、次のような動作により半導体ウエハ
４の処理を実施する。
【００２３】すなわち、まず、図２に示すようにロード
ロック室１内を常圧とした状態でゲートバルブ１２を開
け、搬送アーム５によってウエハキャリア１８内の所定
の半導体ウエハ４を一枚取り出す。なお、この時予めウ
エハ載置台１７によってウエハキャリア１８が上下動
し、所定の半導体ウエハ４が搬送アーム５の高さに応じ
た所定高さ位置になるよう設定される。
ロック室１内を常圧とした状態でゲートバルブ１２を開
け、搬送アーム５によってウエハキャリア１８内の所定
の半導体ウエハ４を一枚取り出す。なお、この時予めウ
エハ載置台１７によってウエハキャリア１８が上下動
し、所定の半導体ウエハ４が搬送アーム５の高さに応じ
た所定高さ位置になるよう設定される。
【００２４】次に、搬送アーム５を収縮および回転させ
ることによって、図３に示すように半導体ウエハ４をロ
ードロック室内に収容し、ゲートバルブ１２を閉じる。
ることによって、図３に示すように半導体ウエハ４をロ
ードロック室内に収容し、ゲートバルブ１２を閉じる。
【００２５】この後、搬送アーム５を上昇させ、図１に
示すように半導体ウエハ４を凹部７内に収容し、搬送ア
ーム５とＯリング８とを当接させて半導体ウエハ４を凹
部７内に気密な状態で隔離する。そして、排気配管２に
よってロードロック室１内の排気を行うとともに、小空
間用排気配管９によって凹部７内の小空間から排気を行
って、ロードロック室１内および小空間内を所定の真空
度、例えば10-5〜10-6Torrに設定する。この時、いわゆ
るスロー排気は行わず、急速に排気を行う。このため、
ロードロック室１内のパーティクルが舞い上がるが、半
導体ウエハ４は凹部７内に隔離されているため、このパ
ーティクルが半導体ウエハ４に付着することはなく、か
つ、急速に排気を行うため、スロー排気を行う場合に較
べて排気時間は大幅に短縮することができる。なお、急
速排気に伴って舞い上がったパーティクルは真空度の上
昇にともなって、ロードロック室１の底部に落下する。
示すように半導体ウエハ４を凹部７内に収容し、搬送ア
ーム５とＯリング８とを当接させて半導体ウエハ４を凹
部７内に気密な状態で隔離する。そして、排気配管２に
よってロードロック室１内の排気を行うとともに、小空
間用排気配管９によって凹部７内の小空間から排気を行
って、ロードロック室１内および小空間内を所定の真空
度、例えば10-5〜10-6Torrに設定する。この時、いわゆ
るスロー排気は行わず、急速に排気を行う。このため、
ロードロック室１内のパーティクルが舞い上がるが、半
導体ウエハ４は凹部７内に隔離されているため、このパ
ーティクルが半導体ウエハ４に付着することはなく、か
つ、急速に排気を行うため、スロー排気を行う場合に較
べて排気時間は大幅に短縮することができる。なお、急
速排気に伴って舞い上がったパーティクルは真空度の上
昇にともなって、ロードロック室１の底部に落下する。
【００２６】このようにして、ある程度ロードロック室
１内の真空度が上昇し、舞い上がったパーティクルが底
部に落下した状態で搬送アーム５を下降させ、図４に示
すようにゲートバルブ１１を開けて、予め所定の真空度
に設定されている真空処理室１５内に搬送アーム５で半
導体ウエハ４を搬入し、ウエハ載置台１９上に半導体ウ
エハ４を載置する。
１内の真空度が上昇し、舞い上がったパーティクルが底
部に落下した状態で搬送アーム５を下降させ、図４に示
すようにゲートバルブ１１を開けて、予め所定の真空度
に設定されている真空処理室１５内に搬送アーム５で半
導体ウエハ４を搬入し、ウエハ載置台１９上に半導体ウ
エハ４を載置する。
【００２７】しかる後、搬送アーム５を収縮させ、ゲー
トバルブ１１を閉じ、真空処理室１５内で半導体ウエハ
４に上述したような所定の処理を施す。
トバルブ１１を閉じ、真空処理室１５内で半導体ウエハ
４に上述したような所定の処理を施す。
【００２８】なお、一般に真空処理室１５には、2 つの
ロードロック室１を設け、一方を半導体ウエハ４を真空
処理室１５に搬入するための搬入用、他方を搬出用に用
いてスループット向上を図ることが多い。このように、
ロードロック室１が2 つ設けられている場合は、上記操
作の後、同様な操作を繰り返して次の半導体ウエハ４の
搬入のための準備を行う。また、ロードロック室１が一
つだけの場合は、真空処理室１５内での処理が終了する
まで待機し、処理が終了した半導体ウエハ４を上記動作
と逆の動作により搬出し、この後、次の半導体ウエハ４
の搬入動作を行う。
ロードロック室１を設け、一方を半導体ウエハ４を真空
処理室１５に搬入するための搬入用、他方を搬出用に用
いてスループット向上を図ることが多い。このように、
ロードロック室１が2 つ設けられている場合は、上記操
作の後、同様な操作を繰り返して次の半導体ウエハ４の
搬入のための準備を行う。また、ロードロック室１が一
つだけの場合は、真空処理室１５内での処理が終了する
まで待機し、処理が終了した半導体ウエハ４を上記動作
と逆の動作により搬出し、この後、次の半導体ウエハ４
の搬入動作を行う。
【００２９】どちらの場合でも、真空処理室１５内での
処理が終了した半導体ウエハ４を搬出する際は、真空処
理室１５からロードロック室１内に取り出した半導体ウ
エハ４を、図１に示すように凹部７内に気密な状態で隔
離し、この状態で気体導入配管２および小空間用気体導
入配管１０から、ロードロック室１および凹部７内に所
定の清浄化された気体、例えば窒素ガスを導入し、常圧
に戻す。この時もいわゆるスローベントは行わない。こ
のため、ロードロック室１内のパーティクルが舞い上が
るが、半導体ウエハ４は凹部７内に隔離されているた
め、このパーティクルが半導体ウエハ４に付着すること
はない。また、ベントに要する時間はスローベントを行
う場合に較べて大幅に短縮することができる。
処理が終了した半導体ウエハ４を搬出する際は、真空処
理室１５からロードロック室１内に取り出した半導体ウ
エハ４を、図１に示すように凹部７内に気密な状態で隔
離し、この状態で気体導入配管２および小空間用気体導
入配管１０から、ロードロック室１および凹部７内に所
定の清浄化された気体、例えば窒素ガスを導入し、常圧
に戻す。この時もいわゆるスローベントは行わない。こ
のため、ロードロック室１内のパーティクルが舞い上が
るが、半導体ウエハ４は凹部７内に隔離されているた
め、このパーティクルが半導体ウエハ４に付着すること
はない。また、ベントに要する時間はスローベントを行
う場合に較べて大幅に短縮することができる。
【００３０】このように、本実施例では、ロードロック
室１の排気および気体導入時に、半導体ウエハ４をロー
ドロック室１の上部に設けた凹部７内に気密な状態で隔
離し、この状態で排気および気体導入を行うので、気体
の流れによってロードロック室１内に舞い上がったパー
ティクルが半導体ウエハに付着することを防止すること
ができる。このため、パーティクルの付着による不良発
生を防止することができ、歩留まりの向上を図ることが
できる。また、排気および気体導入を急速に行うことが
できるので、これらに要する時間を短縮することがで
き、スループットの向上を図ることができる。
室１の排気および気体導入時に、半導体ウエハ４をロー
ドロック室１の上部に設けた凹部７内に気密な状態で隔
離し、この状態で排気および気体導入を行うので、気体
の流れによってロードロック室１内に舞い上がったパー
ティクルが半導体ウエハに付着することを防止すること
ができる。このため、パーティクルの付着による不良発
生を防止することができ、歩留まりの向上を図ることが
できる。また、排気および気体導入を急速に行うことが
できるので、これらに要する時間を短縮することがで
き、スループットの向上を図ることができる。
【００３１】さらに、半導体ウエハ４を隔離するための
小空間がロードロック室１の上部に設けられているの
で、僅かに上昇させるだけで半導体ウエハ４を隔離する
ことができ、迅速に隔離することができるとともに、機
械的な動きを最小限としパーティクルの発生を抑制する
ことができる。
小空間がロードロック室１の上部に設けられているの
で、僅かに上昇させるだけで半導体ウエハ４を隔離する
ことができ、迅速に隔離することができるとともに、機
械的な動きを最小限としパーティクルの発生を抑制する
ことができる。
【００３２】なお、上記実施例では、ロードロック室１
内に半導体ウエハ４を搬送するための搬送アーム５を設
けた場合について説明したが、外部１６および真空処理
室１５に搬送機構を設け、ロードロック室１内に半導体
ウエハ４を載置するためのウエハステージを設けて、ロ
ードロック室１内には搬送機構を配置しない場合があ
る。このような場合は、ロードロック室１内のウエハス
テージを上下動可能とすれば、上述した実施例と同様な
半導体ウエハ４の隔離を行うことができ、同様な効果を
得ることができる。また、被処理物は、半導体ウエハに
限らず、例えば液晶表示器用のガラス基板等に処理を施
す装置等に対しても同様に適用することができる。ま
た、半導体ウエハ４を隔離するための小空間を形成する
機構は、上記凹部７、Ｏリング８等に限らず適宜変更す
ることができる。
内に半導体ウエハ４を搬送するための搬送アーム５を設
けた場合について説明したが、外部１６および真空処理
室１５に搬送機構を設け、ロードロック室１内に半導体
ウエハ４を載置するためのウエハステージを設けて、ロ
ードロック室１内には搬送機構を配置しない場合があ
る。このような場合は、ロードロック室１内のウエハス
テージを上下動可能とすれば、上述した実施例と同様な
半導体ウエハ４の隔離を行うことができ、同様な効果を
得ることができる。また、被処理物は、半導体ウエハに
限らず、例えば液晶表示器用のガラス基板等に処理を施
す装置等に対しても同様に適用することができる。ま
た、半導体ウエハ４を隔離するための小空間を形成する
機構は、上記凹部７、Ｏリング８等に限らず適宜変更す
ることができる。
【００３３】本発明の真空処理装置は、真空処理物を収
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、イ
オン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等に利用
することができる。
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、イ
オン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等に利用
することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の真空処理装
置によれば、ロードロック室からの真空排気およびロー
ドロック室への気体導入を行う際に舞い上がったパーテ
ィクルが被処理物に付着することを防止することができ
る。
置によれば、ロードロック室からの真空排気およびロー
ドロック室への気体導入を行う際に舞い上がったパーテ
ィクルが被処理物に付着することを防止することができ
る。
【図１】本発明の一実施例の真空処理装置の構成を示す
図。
図。
【図２】本発明の一実施例の真空処理装置の動作を説明
するための図。
するための図。
【図３】本発明の一実施例の真空処理装置の動作を説明
するための図。
するための図。
【図４】本発明の一実施例の真空処理装置の動作を説明
するための図。
するための図。
【図５】従来の真空処理装置の構成を示す図。
１ ロードロック室 ２ 排気配管 ３ 気体導入配管 ４ 半導体ウエハ ５ 搬送アーム ６ シャフト ７ 凹部 ８ Ｏリング ９ 小空間用排気配管 １０ 小空間用気体導入配管 １１，１２ ゲートバルブ １３，１４ 搬入・搬出口 １５ 真空処理室 １６ 外部 １７ ウエハキャリア載置台 １８ ウエハキャリア １９ ウエハ載置台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 8422−4Ｍ 21/265
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空
処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置
において、 前記予備真空室内に、気密に閉塞可能な小空間を設け、
該予備真空室からの真空排気および該予備真空室への気
体導入を行う際に、前記被処理物をこの小空間内に一時
的に退避させるよう構成したことを特徴とする真空処理
装置。 - 【請求項２】 被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空
処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置
において、 前記予備真空室内の上部に、気密に閉塞可能な小空間を
設け、該予備真空室からの真空排気および該予備真空室
への気体導入を行う際に、前記被処理物を上昇させてこ
の小空間内に一時的に退避させるよう構成したことを特
徴とする真空処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306224A JP2939378B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 真空処理装置 |
| US07/978,750 US5223001A (en) | 1991-11-21 | 1992-11-19 | Vacuum processing apparatus |
| KR1019920021963A KR0166381B1 (ko) | 1991-11-21 | 1992-11-21 | 진공처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3306224A JP2939378B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144740A true JPH05144740A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2939378B2 JP2939378B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=17954491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3306224A Expired - Fee Related JP2939378B2 (ja) | 1991-11-21 | 1991-11-21 | 真空処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939378B2 (ja) |
| KR (1) | KR0166381B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153388B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same |
| JP2007270352A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5078243B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置および真空予備室の排気方法 |
-
1991
- 1991-11-21 JP JP3306224A patent/JP2939378B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-11-21 KR KR1019920021963A patent/KR0166381B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153388B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same |
| JP2007270352A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930011128A (ko) | 1993-06-23 |
| JP2939378B2 (ja) | 1999-08-25 |
| KR0166381B1 (ko) | 1999-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990601 |
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