JPH051071Y2 - - Google Patents

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JPH051071Y2
JPH051071Y2 JP1985076203U JP7620385U JPH051071Y2 JP H051071 Y2 JPH051071 Y2 JP H051071Y2 JP 1985076203 U JP1985076203 U JP 1985076203U JP 7620385 U JP7620385 U JP 7620385U JP H051071 Y2 JPH051071 Y2 JP H051071Y2
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gas
etched
chamber
etching
shelf
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Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案は、ドライエツチング装置に関し、特に
真空チヤンバ内に複数枚の被エツチング材を載置
棚に多段載置した状態でケミカルドライエツチン
グする構造をなすドライエツチング装置の改良に
係わる。
〔考案の技術的背景とその問題点〕
半導体集積回路の製造においては、シリコン等
の半導体基板上に各種の膜を堆積した後、写真蝕
刻法により形成されたレジストパターン等をマス
クとして該膜を選択的にエツチングする工程が行
われている。かかるエツチングに使用される装置
としては、最近、マイクロ波プラズマにより反応
性ガスを励起し、生成したエツチングガスをプラ
ズマ発生器と分離された真空チヤンバに輸送し、
該チヤンバ内の被エツチング材と反応せしめてエ
ツチングするケミカルドライエツチング装置が開
発されている。こうしたエツチング装置は、第5
図に示す構造のものが知られている。即ち、図中
の1は真空チヤンバであり、該チヤンバ内には複
数枚の被エツチング材(例えばウエハ)2を平面
的に載置するための載置台3が配設されている。
前記チヤンバ1の上壁には、エツチングガスを前
記載置台3上のウエハ2に均一に導入するための
ガス分散管4が取着されており、かつ該分散管4
にはガス導入管5が連結されている。このガス導
入管5の途中には、石英ガラス管からなる放電管
6が被嵌されており、かつ該放電管6には導波管
7を通して高周波出力8を印加するとによりプラ
ズマを発生させるようになつている。また、前記
真空チヤンバ1の下面にはガス排出管9がマニホ
ールド10を介して連結されており、かつ該ガス
排出管9には図示しない真空ポンプを連結されて
いる。
上述した装置において、載置台3の上に被エツ
チング材(ウエハ)3を載置し、ガス排出管9を
介して真空チヤンバ1の排気を行なう。この後、
ガス導入管5にCF4等の反応性ガスを供給し、該
ガス導入管5の途中に配置した放電管6に導波管
7を通して高周波出力8を印加することによりガ
スプラズマを発生させ、前記反応性ガスを励起
し、そのエツチングガスを分散管4を通して真空
チヤンバ1内に供給して載置台3上のウエハ2の
エツチングを行なう。こうしたエツチングにおい
て、エツチング処理と、プラズマ発生とを別個の
室で行なうため、ウエハ2のプラズマ照射による
損傷を防止できるという利点を有する。
しかしながら、上述した装置では被エツチング
材2を平面的に並べて載置するため、1回のエツ
チング工程における処理枚数が少なく、生産効率
が低いという問題があつた。かかる問題は、被エ
ツチング材であるウエハの大口径化に伴つてより
顕著となる。なお、前記構造のエツチング装置で
処理枚数を増加させようとすると、真空チヤンバ
1が大型化し、設備費等の面で好ましくない。
このようなことから、本出願人は既に真空容器
内に被処理物を多段に載置する載置台を設けると
共に、該載置台の上記各被処理物の間に各被処理
物を仕切る遮蔽板を設けた構造のドライエツチン
グ装置(特願昭59−250117号)を提案した。こう
したエツチング装置では、被エツチング材間に遮
蔽板を配置することにより、被エツチング材から
放射される赤外線による輻射熱によつて上下に隣
接する被エツチング材が相互に加熱されるのを阻
止し、被エツチング材の温度上昇に伴うエツチン
グの不均一化を抑制し、複数枚の被処理物を一度
にエツチングできる。しかしながら、かかるドラ
イエツチング装置はエツチングガスをガス導入管
を通して直接真空容器内に導入して載置棚に多段
に載置された複数枚の被処理物をエツチングする
ため、エツチングガスが各被処理物に均一に流れ
ず、載置棚の被処理物の位置によりエツチング度
合が変動して均一なエツチングがなされないとい
う不都合があつた。
〔考案の目的〕
本考案は、載置棚に多段に載置された複数枚の
被エツチング材間でのエツチングの均一性を向上
したドライエツチング装置を提供しようとするも
のである。
〔考案の概要〕
本考案は、真空チヤンバ内に設けられ、被エツ
チング材を多段に載置するための載置棚と、この
載置棚の前記被エツチング材の間に設けられ、各
被エツチング材を仕切るための遮蔽板と、前記チ
ヤンバの側壁に導入口が前記載置棚に載置された
被エツチング材の面方向に位置するように設けら
れ、反応性ガスをプラズマ励起して生成したエツ
チングガスを前記チヤンバ内に導入するためのガ
ス導入管と、このガス導入管の途中に介装され、
該導入管を流通する反応性ガスをプラズマ励起す
るためのプラズマ発生器と、前記チヤンバの側壁
に排出口が前記導入口と対向して位置するように
設けられたガス排出管と、前記チヤンバ内の前記
ガス導入管の導入口部付近に設けられた第1の分
散板と、前記チヤンバ内の前記第1分散板と前記
載置棚の間に配置され、多数の通気孔を有する第
2の分散板とを具備したことを特徴とするドライ
エツチング装置である。
上述した本考案によれば、エツチングガスをガ
ス導入管から真空チヤンバ内の載置棚に多段に載
置された被エツチング材を通して前記導入管の導
入口と対向して排出口が開口された排出管より排
気して各被エツチング材をエツチングする際、前
記エツチングガスを前記導入管の導入口付近に設
けた第1の分散板で周辺に分散させ、更に第1の
分散板と前記載置棚の間に配置した第2の分散板
の多数の通気孔を通過させることによつて、エツ
チングガスを前記載置棚に載置された複数枚の被
エツチング材に均一に流すことができる。また、
前記載置棚の被エツチング材間に遮蔽板を配置す
ることによつて、上下に隣接する被エツチング材
間の熱干渉を抑制することができる。従つて、前
記載置棚に載置された複数枚の被エツチング材の
面内及び被エツチング材間での均一エツチングを
行うことが可能なドライエツチング装置を得るこ
とができる。
〔考案の実施例〕
以下、本考案の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。
図中の11は、真空チヤンバであり、このチヤ
ンバ11の中心には該チヤンバ11の下面から貫
通されたシヤフト12に軸着された支持台13が
回転可能に配置されている。前記シヤフト12の
チヤンバ11の外に位置する部分には軸受14が
設けられ、かつ該シヤフト12の下端はモータ1
5の駆動軸16とベルト17を介して枢着されて
いる。また、前記支持台13上には第2図に示す
載置棚18が設置されている。この載置棚18
は、一側面が開口され三側面に支持板19を有
し、かつ各支持板19の内側面には複数の溝20
が上下方向に形成されている。これら溝20に
は、一段置きにアルミニウム製の遮蔽板21が設
置されている。前記チヤンバ11の左側壁には、
エツチングガスを導入するためのガス導入管22
が前記載置棚18に多段に載置される被エツチン
グ材の面方向に導入口を位置させるように設けら
れている。このガス導入管22の途中には、図示
しない石英ガラス管からなる放電管が被嵌されて
おり、かつ該放電管には図示しない導波管を通し
て高周波出力を印加することによりプラズマを発
生させるようになつている。前記チヤンバ11の
右側壁には、ガス排出管23が排出口を前記ガス
導入管22の導入口と対向して位置させるように
設けられている。これらガス導入管22及びガス
排出管23のチヤンバ11の導入口及び排出口付
近には、それぞれ第3図に示すように円板状をな
す第1の分散板24,24が支柱25を介してチ
ヤンバ11の側面と略平行となるように配設され
ている。また、前記第1の分散板24,24と前
記支持台3との間には第2の分散板26,26が
前記チヤンバ11の側面と略平行となるように配
設されている。これら第2の分散板26,26
は、第4図に示すように上下方向に多数の通気孔
としてのスリツト27が開口されており、かつ各
スリツト27は前記支持台13上に設置される載
置棚18の被エツチング材に対向するように形成
されている。
次に、本考案のドライエツチング装置の作用を
説明する。
まず、被エツチング材(例えばウエハ)28を
第2図に示すように載置棚18の遮蔽板21間の
溝20に挿入設置した後、該載置棚18をチヤン
バ11の支持台13上に設置し、ガス排出管9を
介して真空チヤンバ1の排気を行なう。この後、
ガス導入管22にCF4等の反応性ガスを供給し、
該ガス導入管22の途中に配置した放電管に導波
管(いずれも図示せず)を通して高周波出力を印
加することによりガスプラズマを発生させ、前記
反応性ガスを励起し、そのエツチングガスをガス
導入管22を通して真空チヤンバ11内に導入す
る。この際、ガス導入管22のチヤンバ11入口
付近には円板形状をなす第1の分散板24が配置
されているため、エツチングガスは矢印Aに示す
ように第1の分散板24に当り、上面、下面及び
側面の四方に分散される。なお、分散されたエツ
チングガスの一部は前記第1の分散板24の背面
側に回り込む。こうして分散されたエツチングガ
スは、多数のスリツト27を有する第2の分散板
26に導かれるが、各スリツト27は第2図に示
す載置棚18に多段に設置されたウエハ28に対
向して形成されているため、エツチングガスは各
スリツト27を通して多段のウエハ28に均一に
供給される。その結果、載置棚18のウエハ28
の位置によりエツチング度合が変動することな
く、均一なエツチングを行なうことができる。か
かる載置棚18に複数枚載置したウエハ28のエ
ツチングに際しても既述の如く、ウエハ28から
放射される赤外線による輻射熱によつて上下に隣
接するウエハ28が相互に加熱されるのを遮蔽板
21で阻止し、ウエハ28の温度上昇に伴うエツ
チングの不均一化を抑制し、複数枚のウエハ28
を一度にエツチングできる。
また、上記実施例に示すようにガス排出管23
の入口付近に第1の分散板24を設け、かつ該第
1の分散板24と支持台13の間に第4図に示す
多数のスリツト27を有する第2の分散板26を
配置することにより、ガス排出管23からの排気
により前記エツチングガスの流れをより分散性よ
く載置棚18の複数枚のウエハ28に供給でき、
一層均一なエツチングを遂行できる。
なお、上記実施例ではアルミニウム製の遮蔽板
を使用したが、これに限定されず、石英ガラスの
遮蔽板や弗素樹脂でコーテイングした金属からな
る遮蔽板を使用してもよい。
上記実施例では、ガス導入管及びガス排出管の
両方の入口付近に第1の分散板を配置し、それら
第1の分散板と支持台の間に第2の分散板を夫々
配置したが、これに限定されず、ガス導入管側の
みに第1、第2の分散板を設けても充分均一エツ
チングを行なうことができる。
上記実施例では、第2の分散板の通気孔をスリ
ツトとしたが、スリツトの代わりにパンチング等
が開口された穴で通気孔を形成してもよい。
〔考案の効果〕
以上詳述した如く、本考案によればガス導入管
から真空チヤンバ内に導入されたエツチングガス
を第1の分散板で周辺に分散させ、更に多数の通
気孔を有する第2の分散板を通過させることによ
つて、エツチングガスを載置棚に多段に載置され
た複数枚の被エツチング材に均一に流すことが可
能となり、ひいては各被エツチング材を均一エツ
チングし得る量産性の高いドライエツチング装置
を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示すエツチング装
置の断面図、第2図は第1図の真空チヤンバ内に
装填される載置棚の要部断面図、第3図は第1図
図示のドライエツチング装置に使用される第1の
分散板を示す斜視図、第4図は第1図図示のドラ
イエツチング装置に使用される第2の分散板を示
す斜視図、第5図は従来のドライエツチング装置
を示す概略図である。 11……真空チヤンバ、13……支持台、18
……載置棚、21……アルミニウム製の遮蔽板、
22……ガス導入管、23……排出管、24……
第1の分散板、26……第2の分散板、27……
スリツト、28……被エツチング材(ウエハ)。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空チヤンバ内に設けられ、被エツチング材を
    多段に載置するための載置棚と、この載置棚の前
    記被エツチング材の間に設けられ、各被エツチン
    グ材を仕切るための遮蔽板と、前記チヤンバの側
    壁に導入口が前記載置棚に載置された被エツチン
    グ材の面方向に位置するように設けられ、反応性
    ガスをプラズマ励起して生成したエツチングガス
    を前記チヤンバ内に導入するためのガス導入管
    と、このガス導入管の途中に介装され、該導入管
    を流通する反応性ガスをプラズマ励起するための
    プラズマ発生器と、前記チヤンバの側壁に排出口
    が前記導入口と対向して位置するように設けられ
    たガス排出管と、前記チヤンバ内の前記ガス導入
    管の導入口部付近に設けられた第1の分散板と、
    前記チヤンバ内の前記第1分散板と前記載置棚の
    間に配置され、多数の通気孔を有する第2の分散
    板とを具備したことを特徴とするドライエツチン
    グ装置。
JP1985076203U 1985-05-22 1985-05-22 Expired - Lifetime JPH051071Y2 (ja)

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JPS61192446U JPS61192446U (ja) 1986-11-29
JPH051071Y2 true JPH051071Y2 (ja) 1993-01-12

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5317077A (en) * 1976-07-30 1978-02-16 Nec Corp Production of semiconductor device
JPS5748226A (en) * 1980-09-05 1982-03-19 Matsushita Electronics Corp Plasma processing method and device for the same
JPS5831532A (ja) * 1981-08-18 1983-02-24 Nec Corp プラズマ処理装置

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JPS61192446U (ja) 1986-11-29

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