JP2001181848A

JP2001181848A - プラズマ処理装置

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Publication number: JP2001181848A
Application number: JP36196499A
Authority: JP
Inventors: Wikuramanayaka Snil; ウィクラマナヤカスニル
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1999-12-20
Filing date: 1999-12-20
Publication date: 2001-07-03
Anticipated expiration: 2019-12-20
Also published as: JP4601104B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】上部電極の特別な内面構造と、より良い磁界
とを用いることによって処理されるべき基板に近い下流
側で大面積でかつ半径方向に均一なプラズマを作ること
のできるプラズマ処理装置。【解決手段】上部電極１１の内面はプラズマ閉じ込め領
域２２を備えるプラズマ閉じ込め構造を有し、領域２２
で高密度プラズマが生成され、上部電極１１にはｒｆ電
力が印加され、プラズマは上部電極１１の近傍でプラズ
マ閉じ込め領域内に生成され、そしてそれは基板１９に
向って拡散し、プラズマ閉じ込め領域内に生成されたプ
ラズマはプラズマ閉じ込め作用のため、高い密度を有
し、大面積のプラズマは上部電極１１に近いところでは
半径方向に不均一のプラズマ密度の状態にあり、そして
下流で半径方向に均一なプラズマ密度を有するようにな
る、プラズムに晒された内面を備えた容量結合型平行電
極構造を有する、プラズマ処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関
し、特に、均一に分散された柱状突起などを用いること
によって半径方向に均一な大面積のプラズマを作ること
ができ、そして半導体産業における集積回路でのミクロ
ン規模の要素の化学気相成長（ＣＶＤ）またはエッチン
グのプロセスのために役に立つイオン、電子、中性ラジ
カル、紫外線、そして可視光線を供給することのできる
改良されたプラズマ源を備えたプラズマ処理装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造において用いられ
るシリコン基板（Ｓｉウェハー）の直径の増大に伴って
単一基板処理のシステムが重要となってきている。しか
しながら、バッチ処理のプラズマ装置の代わりに単一基
板の処理装置を用いることは、スループットを低下させ
る。それ故に、大面積で高密度のプラズマ源を開発する
ことは、上記スループットを改善するより高い処理速度
でウェハーあるいは基板を処理するためには極めて重要
な要求である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】大面積のプラズマ源の
開発において、プラズマ源によって生成されたプラズマ
の半径方向の均一性は重要なパラメータであり、何故な
らば、非均一なプラズマはいくつかの基板処理の段階、
例えば、異方性ドライエッチングプロセスにおいて電荷
誘導ダメージを起こさせる原因となるからである。良好
な半径方向の均一性を備えた大面積のプラズマ源の開発
に関する限り、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）源はよい
候補である。ｒｆ（ラジオ周波数）電極の平行な構造、
そしてｒｆ電極に平行な均一なプラズマ生成領域のため
に、ＣＣＰ源はより良い半径方向の均一性を作り出す。
しかしながら、与えられたｒｆ電力のかなりの部分がｒ
ｆ電極に向ってイオンを加速するのに用いられるので、
残りのｒｆ電力のみが電子の加熱に消費される。このこ
とは低いプラズマ密度という結果をもたらす。

【０００４】さらに厳密にはＣＣＰ源によって生成され
た大面積プラズマにおいて、中央領域におけるプラズマ
密度は増加され、周辺領域におけるプラズマ密度は減少
される。すなわちＣＣＰ源は、半径方向の均一性を有す
ることなく大面積プラズマを生成する。ＣＣＰ源に関す
るこの問題はより改善されるべきものである。

【０００５】従って、ＣＣＰ源によって生成されたプラ
ズマ密度が他の手段によって、例えば磁界を応用するこ
とによって改善されなければ、半導体ウェハー処理にお
けるＣＣＰ源の応用は制限されたものになる。ＣＣＰ源
におけるプラズマ密度を増大するための最も研究された
技術は、ｒｆ電極に平行に磁界を応用することである。
プラズマにおける電子は磁界の下ではサイクロトロン回
転を行うのでプラズマにおけるイオン化の効率は改善さ
れ、そしてこの改善はプラズマ密度の増加という結果を
もたらす。しかしながら、電子のＥ×Ｂドリフト（ここ
でＥとＢはそれぞれ直流電界と磁界である）によりプラ
ズマ密度の半径方向の分布特性はさらに不均一となる。
それ故に、磁気的に強められたＣＣＰ源の応用は同様に
また制限されたものとなる。

【０００６】本発明の目的は、上部電極の特別な内面構
造と、より良い磁界とを用いることによって処理される
べき基板に近い下流側で大面積でかつ半径方向に均一な
プラズマを作ることのできるプラズマ処理装置を提供す
ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ処
理装置は、上記の目的を達成するために、次のように構
成される。

【０００８】本発明によるプラズマ処理装置は、容量結
合型平行電極構造を備え、この構造は内面がプラズマに
晒された上部電極を含み、そして当該上部電極の内面は
複数のプラズマ閉じ込め領域を備えた閉じ込め構造を有
している。プラズマ閉じ込め領域において高いプラズマ
密度が生成される。容量結合型平行構造は、ｒｆ（高周
波）電力が印加される上部電極と、基板ホルダ（ウェハ
ーステージ）であるところの下部電極とから構成されて
いる。プラズマは、通常、上部電極の近傍に生成され、
特に複数のプラズマ閉じ込め領域の中に生成され、そし
てそれは上部電極と下部電極の間の空間を通って基板に
向かって拡散する。プラズマ閉じ込め領域の中で生成さ
れたプラズマはプラズマ閉じ込めの作用によって特に高
い密度を有する。それ故に、大面積のプラズマは上部電
極の下面の近傍において半径方向に非均一のプラズマ密
度の状態にあるけれども、拡散することによって基板の
近くの下流においては半径方向に均一なプラズマ密度を
有するようになる。

【０００９】プラズマ処理装置において、プラズマ閉じ
込め構造は好ましくはプラズマの下流の方向に延びる複
数の均一に分散された柱状突起 (pillars)からなり、そ
して複数のプラズマ閉じ込め領域はこれらの柱状突起の
間の空間として形成される。プラズマ閉じ込め領域にお
いて、柱状突起の間の距離は所定の距離となるように設
定されているので、電子の損失が減少され、それによっ
て高密度プラズマが生成され得る。

【００１０】前述のプラズマ処理装置において、好まし
くは、複数のマグネットが上部電極の外側表面の上に配
置され、マグネットの位置は柱状突起の各々の中心に対
応するようになっている。これらのマグネットは、サイ
クロトロン回転とＥ×Ｂドリフトを用いることによって
プラズマをプラズマ閉じ込め領域内に閉じ込めるために
柱状突起の間の空間において必要とされる水平な（hori
zontal：基板に対して平行な）磁界を生成する。

【００１１】前述のプラズマ処理装置において、好まし
くは、複数の柱状突起は等しい距離で配置されている。

【００１２】前述のプラズマ処理装置において、好まし
くは、複数の柱状突起は異なる高さを有している。

【００１３】前述のプラズマ処理装置において、複数の
マグネットは、上部電極の上側表面の上で、それらの位
置が柱状突起の各々の中心に対応し、かつ交替的に変化
する磁極を有するように配置されている。

【００１４】前述のプラズマ処理装置において、好まし
くは、プラズマ閉じ込め構造は複数の円形の溝、これら
の溝の共通の中心は上部電極の中心に一致し、これらの
溝の中にプラズマが閉じ込められ、そして複数の円形の
マグネットが上部電極の外側表面の上に配置され、円形
マグネットの各々は隣り合う２つの円形の溝の間に配置
されている。このプラズマ処理装置において円形の溝は
前述のプラズマ閉じ込め領域として機能する。

【００１５】前述のプラズマ処理装置において、好まし
くは、複数の円形のマグネットは内部空間に対面する互
いに異なる磁極（または交互に変化された磁極）を持つ
ように配列されている。

【００１６】本発明によるプラズマ処理装置に使用され
る電極は、容量結合型平行電極構造とプラズマに晒され
た内部表面を有し、さらに、内部表面は複数のプラズマ
は閉じ込め領域を備えたプラズマ閉じ込め構造を有して
いる。

【００１７】前述の電極において、プラズマ閉じ込め構
造は好ましくはプラズマの下流に向かって延びる複数の
均等に分散された柱状突起を含み、複数のプラズマ閉じ
込め領域は柱状突起の間に形成される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明によるプラズマ処
理装置の好ましい実施形態は添付図面に従って説明され
る。実施形態の説明を通して本発明の詳細が明らかにさ
れる。

【００１９】本発明の第１実施形態が図１と図２に従っ
て説明される。図１は第１実施形態のプラズマ処理装置
の縦断面図を概略的に示し、図２は上部電極の底面図を
示す。プラズマ処理装置のプラズマ源は内部空間が真空
排気された反応容器１０を有する。反応容器中は気密構
造を有し、よく知られた真空排気装置（図示されず）を
備えている。１０ａは真空排気装置につながるガス出口
部を示している。反応容器１０は、上部電極１１、基板
ホルダ（ウェハーステージ）１２、円筒形側壁１３、そ
して底部プレート１４から構成されている。上部電極１
０は反応容器１０のトッププレートとして機能する。基
板ホルダ１２は電極部材を含み、下部電極として機能す
る。上部電極１１は基板ホルダ１２の上面に平行であ
り、それらは容量結合型平行電極構造を作っている。上
部電極１１の下側（内側）の表面は、上部電極１１と下
部電極１２との間に生成されるプラズマに向かって延び
るいくつかの柱状突起１５を有している。いくつかの柱
状突起１５のいかなる隣り合う２つの間の間隔は好まし
くは等しい。従って、柱状突起１５は上部電極１１の上
に描かれた四角形１６の各コーナーに配置されると推測
される。柱状突起１５の断面図は好ましくは円形であ
る。しかしながら、四角の断面形状を有する他の柱状突
起を用いることもできる。柱状突起の断面形状が円形形
状である場合には、その直径は好ましくは５ｍｍ〜３０
ｍｍの範囲にある。もしその断面形状が四角であるなら
ば、それに相当する大きさが採用される。柱状突起１５
の高さは重要なことではなく、好ましくは５ｍｍ〜４０
ｍｍの範囲にある。柱状突起１５のすべての高さは通常
同じである。しかしながら柱状突起１５の高さはプラズ
マ密度を制御する目的でその位置に依存して変えること
ともできる。

【００２０】例えば、図３に示されるように、柱状突起
２５の高さは上部電極１１の中心に向かって次第に低く
することができる。加えて、柱状突起の高さは反対の向
きに次第に低くすることもできる。このようにして複数
の柱状突起は異なる高さを持つ。

【００２１】柱状突起１５のいかなる２つの間の間隔は
一般的にプラズマの動作圧力に依存して選択される。隣
り合う柱状突起１５の壁の間の間隔は、通常、プラズマ
中の電子の平均自由行程と同程度の寸法に選択される。
例えばもし動作圧力が１０ｍＴｏｒｒであるならば、柱
状突起１５の壁の間の間隔はおよそ２５ｍｍに選ばれ
る。

【００２２】ｒｆ発生器１７からのｒｆ（ラジオ周波
数：または高周波）電力は上部電極１１に印加される。
ｒｆ発生器１７のｒｆ周波数は、通常、１０〜１００Ｍ
Ｈｚの範囲にあり、代表的には１３．５６ＭＨｚで動作
する。ｒｆ電力は、整合回路１８を通して上部電極１１
に供給される。ｒｆ電力発生器１７は、およそ３〜５ｋ
Ｗの最大動作電力を生成する。

【００２３】プロセスガスは上部電極１１または側壁１
３で作られたガス導入孔を介して反応容器１０に導入さ
れる。プラズマのプロセスの型に依存して、装置に導入
する適当なガスが用いられる。ガス導入装置のメカニズ
ムは簡単化のため図１において示されていない。ガス出
口ポート１０ａに配置された可変オリフィスは反応容器
１０の内部圧力を制御する。この可変オリフィスも同様
にまた図１において示されていない。

【００２４】基板１９は基板ホルダ１２の上面に搭載さ
れている。基板１９の表面を処理するプラズマは上部電
極１１と基板ホルダ１２の間に生成される。上部電極１
１と反応容器１０の円筒形側壁１３との間に誘電体リン
グ２０が存在する。そして上部電極１１は当該誘電体リ
ング２０の上に設けられている。さらに上部電極１１の
外側はカバー部材２１で覆われている。

【００２５】次に、柱状突起がない場合に比較して、プ
ラズマ生成のメカニズムとプラズマ密度の増加とが説明
される。ｒｆ電力が上部電極１１に与えられるとき、プ
ラズマは容量結合型メカニズムによって生成される。プ
ラズマ密度の増加は２つの理由に帰することができる。

【００２６】第１の理由は、上部電極１１の下面に柱状
突起１５が存在するので、柱状突起がない場合の同じ大
きさの上部電極のそれに比較してその表面積がより大き
くなる。それ故に、プラズマの生成体積がより大きくな
る。このプラズマは上部電極１１の周辺領域内で生成さ
れるので、柱状突起がない場合の同じ大きさの上部電極
によって生成されたプラズマに比較してプラズマ密度は
大きくなる。

【００２７】第２の理由は、複数の柱状突起１５のいか
なる隣り合う２つのものの間の空間（または領域）２２
の中に存在する電子が、柱状突起１５の壁で多数回反射
によって水平に閉じ込められるということである。この
ことは、いったんプラズマが作られると、上部電極１１
の表面が負にバイアスされるからである。それ故に、上
部電極の表面に到達する電子は反射してプラズマの中に
戻される。電子の平均自由行程は柱状突起１５の壁の間
の間隔にほぼ等しいので、電子は柱状突起１５の壁で何
回もの反射を受け、それによって、電子がガスの原子あ
るいは分子と衝突する前により高い温度になるよう加熱
される。このプロセスが高温度の電子を作り出し、それ
によってより高いイオン化速度がプラズマ密度の増大と
いう結果をもたらす。

【００２８】上で説明されたように柱状突起１５（また
は２５）の間の空間２２の中でのプラズマ密度は増加さ
れる。こうして、上部電極１１の部分、それは複数の柱
状突起１５を含んでなるものであり、これは上部電極１
１の下面においてプラズマ閉じ込め構造（一般的な用語
として）を作っている。このプラズマは、それから、拡
散し、下流に向かって流れ出す。上部電極１１に近いと
ころのプラズマ密度は、それ故に、図３に示されるよう
に不均一になる。分布特性（または半径方向のプラズマ
密度の輪郭形状）３１は上部電極１１に近い不均一なプ
ラズマを示している。分布特性３１によれば、プラズマ
密度は柱状突起１５の間で高くなり、そして柱状突起１
５の位置で低下する。分布特性３１で示された不均一な
プラズマは拡散プロセスによって下流に分布特性３２に
よって示される均一なプラズマを作り出す。均一なプラ
ズマの場所は上部電極１１から離れたところにある。従
って、処理されるべき基板１９、それは基板ホルダ１２
の上に搭載され、これは均一なプラズマの場所に配置さ
れている。上部電極１１から均一なプラズマまでの距離
は、通常、柱状突起１５の間の間隔、柱状突起の直径、
そして動作圧力に依存する。柱状突起の間の間隔、柱状
突起の直径、動作圧力の減少は、均一なプラズマと上部
電極１１の間の距離を短縮する原因となる。

【００２９】本発明の第２の実施形態が図５、図６、図
７に従って説明される。図５に示されたプラズマ源は、
複数のマグネット４１を追加したこと以外は、図１で与
えられたものとほとんど同じものである。図５と図６に
おいて、前述の図で示されたものと実質的に同じ構成要
素には同じ参照番号がされている。注意すべき他の事実
は、柱状突起１５の壁の間の間隔は必ずしも電子平均自
由行程に相当していないということである。柱状突起１
５の間の間隔は５〜４０ｍｍの範囲に存在している。前
述の差異を除いて、他の詳細のすべては第１実施形態で
説明されたそれらと同じである。以下において、特に、
マグネットの配列とプラズマの属性に対するその影響が
説明される。

【００３０】図６は第２実施形態における上部電極４２
の平面図を示す。図５と図６に示されるように、上部電
極４２の上側（外側）の上に、複数のマグネット４２が
配置される。マグネット４１の各々は図６に示されるご
とく対応する柱状突起１５の中心の位置に配置されてい
る。図６において上部電極４２の下面での柱状突起１５
の位置は破線によって示されている。マグネット４１の
外側あるいは内側の極性は交替的に変化させられてい
る。マグネット４１の直径と高さは重要なことではな
い。好ましくはマグネット４１の直径と高さは１０〜２
０ｍｍの範囲に存在する。マグネット４１の強さも同様
にまた重要なことではなく、１〜１２キロガウス（ｋＧ
ａｕｓｓ）の範囲に存在することができる。これらのマ
グネット４１はちょうど上部電極４２の上側表面上に存
在する。好ましくは、それらは図５に示されるごとく上
部電極４２の上側表面に部分的に埋め込まれている。

【００３１】マグネット４１が図５と図６に示されるよ
うに上部電極４２の上に配置されるとき、複数の磁束に
よって表現された磁界は上部電極４２の水平な表面、こ
れは図５において内側表面として示され、これにほとん
ど平行に生成される。４つの柱状突起１５に関する前述
の磁界４３の磁束４３ａのパターンは図７に示されてい
る。

【００３２】さて、プラズマ密度の増加に関するマグネ
ット４１による影響が説明される。空間２２の中におい
て柱状突起１５の間に磁界４３が存在するので、空間２
２における電子はサイクロトロンの回転を受ける。電子
のこの動きは、より高いイオン化効率という結果をもた
らす電子の移動の長さを増大させる。電子のサイクロト
ロン回転に加えて、それらはＥ×Ｂドリフトを行い、こ
こでＥとＢはそれぞれＤＣ（直流）電界の強さおよび磁
界の強さである。ＤＣ電界（Ｅ）は上部電極４２と基板
ホルダ１２の間に適用されるＤＣ電圧によって生成さ
れ、磁界（Ｂ）は上部電極４２の外側表面に配置された
複数のマグネット４１によって与えられる。マグネット
４１の構成で、空間２２における電子のＥ×Ｂドリフト
は図７に示されるように柱状突起１５の周りの円形の通
路４４の上に存在する。このことは、柱状突起１５の側
壁での衝突による電子の損失が抑えられることを意味す
る。これは、柱状突起１５の間のプラズマ密度の増大を
もたらし、それによってより高いプラズマ密度を持った
プラズマが上部電極４２の下面の下側に生成される。こ
うして、複数のマグネット４２はプラズマ密度を増加さ
せるプラズマ閉じ込め構造を与える部分として機能す
る。半径方向におけるプラズマ密度、それは上部電極４
２に接近しており、図４に示されるように不均一であ
る。この不均一なプラズマは、第１の実施形態において
説明されたように拡散のプロセスによって下流において
均一となる。

【００３３】次に、本発明の第３実施形態が図８と図９
を参照し説明される。この実施形態は、上部電極の構成
を除いて、磁界の利用に関する第２実施形態とほとんど
類似している。図８は、第３実施形態の上部電極５１の
下面の斜視図である。当該下面はいくつかの同心円の位
置関係にある円形の突起５２とそれらの間の溝５３を有
している。各円形の突起５２と円形の溝５３の中心は上
部電極５１の中心と一致している。突起５２と溝５３の
半径方向の幅は重要な事項ではない。例えば、溝５３の
半径方向の幅は５〜３０ｍｍの範囲で変わり得る。円形
の溝５３の数は同様にまた重要なことではなく、上部電
極５１の直径と、そして２つの隣り合う溝５３の間の間
隔に依存している。２つの隣り合う溝の間の間隔は同様
にまた重要なことではなく、１０〜３０ｍｍで変わり得
る。円形の溝５３の深さは５〜３０ｍｍで変えることが
できる。

【００３４】図９は電極５１の平面図を示す。上部電極
５１の上側表面の上に、好ましくは、中心の円柱のマグ
ネット５４ａといくつかの円形のマグネット（あるいは
リングマグネット）５４が配置されている。円形のマグ
ネットの各々は２つの隣り合う円形の溝５３の間にその
位置を有し、図８に示されるように互いに同心円的な位
置関係を有している。円形のマグネット５４の各々は必
ずしも単一のマグネットとして作られる必要はない。そ
の代わりに、それはいくつかの小さなマグネットを固定
することで円形の形に形成するように作ることができ
る。図９に示された円形の破線は上部電極５１の下面に
おける溝５３の位置である。マグネット５４は反応容器
の内側に向かう交互に変わる磁極極性をもって配置され
ている。マグネット５４の断面の大きさおよび強さは重
要なことではなく、好ましくは第１実施形態で述べられ
たごとく選択される。

【００３５】上で説明されたようにマグネット５４ａ，
５４が上部電極５３の上に配置されるとき、円形の溝５
３内で生成された磁界はその上側表面に平行な状態で、
そしてそれらの側壁に垂直な状態で存在する。それ故
に、円形の溝５３における電子はＥ×Ｂドリフトによっ
てその側壁に平行な円形通路５５において移動する。こ
れは概略的に図１０に示されている。図１０において、
５６は磁束線を示す。この電子ドリフトは、側壁での電
子損失を減少させる原因になるので、それによってプラ
ズマ密度を増加させる。円形の溝５３は前述のプラズマ
閉じ込め領域として機能し、マグネット５４ａ，５４は
プラズマ密度を増加させるプラズマ閉じ込め構造に影響
を与える部分として機能する。この構造で得られる上部
電極５１の下面に接近したプラズマ密度の分布形状は図
４で示された第１の実施形態のそれに類似している。こ
の不均一なプラズマは第１実施形態で説明されたように
下流において均一なプラズマを作り出す。

【００３６】本発明のプラズマ処理装置は、各実施形態
で述べられたいかなる特徴をも組み合わせることによっ
て構成することができる。

【００３７】

【発明の効果】本発明によるプラズマ処理装置は、容量
結合型電極構造の上部電極がプラズマに晒される内面に
さまざまなプラズマ閉じ込め構造を持ち、その上面に配
置された所定のマグネットを有するように形成されたた
め、基板表面にて、改善された大面積プラズマで半径方
向に均一なプラズマ密度を持つプラズマを作り出すこと
のできるプラズマ源を備えている。

【図面の簡単な説明】

【図１】この図は本発明の第１実施形態の縦断面図を示
す。

【図２】この図は第１実施形態の上部電極の底面図を示
す。

【図３】この図は異なる高さの柱状突起を備えた上部電
極の変形を示す。

【図４】この図は上部電極に接近したプラズマ密度と上
部電極から離れたプラズマ密度の半径方向の分布特性を
示す。

【図５】この図は第２実施形態の縦断面図を示す。

【図６】この図は実施形態の上部電極の頂部平面図を示
す。

【図７】この図は柱状突起に関し磁束と電子のＥ×Ｂド
リフトの方向の概略図を示す。

【図８】この図は第３の実施形態による下側に円形の溝
を有する上部電極の斜視図を示す。

【図９】この図は第３の実施形態の上部電極の平面図を
示す。

【図１０】この図は円形の溝における電子の移動を示
す。

【符号の説明】

１０反応容器１１上部電極１２基板ホルダ（ウェハーステージ）１３円筒形側壁１４ボトムプレート１５柱状突起２２空間（領域）４１マグネット４２上部電極５１上部電極５２円形の突起５３円形の溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内面がプラズマに晒された上部電極を含
む容量結合型平行電極構造を備えるプラズマ処理装置で
あり、前記上部電極の前記内面は複数のプラズマ閉じ込
め領域を備えるプラズマ閉じ込め構造を有していること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記プラズマ閉じ込め構造はプラズマの
下流の方向に向かって延びる複数の均一に分散された柱
状突起を含み、前記複数のプラズマ閉じ込め領域は前記
柱状突起の間に形成されることを特徴とする請求項１記
載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記上部電極の外側の表面の上に前記柱
状突起の各々の中心に対応するそれらの位置を持つよう
に複数のマグネットを有することを特徴とする請求項２
記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】前記複数の柱状突起は等しい間隔で配置
されることを特徴とする請求項２〜３のいずれか１項に
記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記複数の柱状突起は異なる高さを有す
ることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載
のプラズマ処理装置。
【請求項６】前記複数のマグネットは前記上部電極の
外側表面の上に前記柱状突起の各々の中心に位置に対応
するようにそれらの位置を有し、そして交互に変化させ
られた磁極を有するように配置されることを特徴とする
請求項３〜５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装
置。
【請求項７】前記プラズマ閉じ込め構造は、複数の円
形の溝を含み、その共通の中心は前記上部電極の中心に
一致し、そこにおいて前記プラズマは閉じ込められ、そ
して複数の円形のマグネットが前記上部電極の外側の表
面の上において前記円形のマグネットの各々が前記隣り
合う２つの円形の溝の間に配置されることを特徴とする
請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】前記複数の丸いマグネットは内側の空間
に向かう交互に変化される磁極を有するように配置され
ることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】容量結合型の平行な電極構造を有し、プ
ラズマに晒される内面を有するプラズマ処理装置のため
の電極であり、複数のプラズマ閉じ込め領域を有するプ
ラズマ閉じ込め構造を前記内面が有することを特徴とす
る電極。
【請求項１０】前記プラズマ閉じ込め構造はプラズマ
の下流に向かって延びる複数の均一に分散された柱状突
起を有し、前記複数のプラズマ閉じ込め領域が前記柱状
突起の間に形成されることを特徴とする請求項９記載の
電極。