JPH02224236A - 集積回路デバイスを製造するための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は分散型電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）プラ
ズマプロセスにより半導体ウェファに各種処理を施して
集積回路デバイスを製造するための装置に関するもので
ある。

〈従来の技術〉 進歩した半導体ＶＬＳＩ技術では、一連のデバイス製造
での数多くの重要な処理工程にプラズマプロセスが採用
されている。プラズマプロセスを採用することにより結
果として、より低い温度でのプロセスを可能にするほか
、絶縁体５半導体、金属などの薄膜の成長や被着の速度
を高いものにする。更に、低圧プラズマによる反応性イ
オンエツチングプロセスは、ＶＬＳＩデバイス構造にお
けるミクロン以下の異方性パターニングには不可欠であ
る。

しかしながら、従来技術のプラズマプロセス技術は、数
多くの制約を被っている。高周波（通常は１３．５６Ｍ
Ｈｚ）放電を伴う低圧反応性イオンエツチングシステム
は、ガスイオン化効率が比較的低く、それに大きな基板
浮遊電位と過剰なイオンエネルギーによりデバイスに損
傷を与える可能性があり、従来の放電法を用いるプラズ
マ被着プロセスもまた似たような問題を被る可能性があ
る。従来の高周波放電技術の主たる不利点は、平均イオ
ンエネルギーが独立に制御ないしは調整できず、イオン
エネルギーの何らかの調整がプラズマ密度の変動、ひい
てはプロセスの動力学的変動をもたらすということであ
る。

無電極マイクロ波（２，４５ＧＨｚ　）放電によるプラ
ズマの発生は、従来技術の高周波放電法に対する実現可
能な代替技術である。より低い周波数の高周波パワーの
代りにマイクロ波パワーを用いると、ガスイオン化効率
が増強され、さらにイオン加速電位がより低いことから
、ウェファに対するイオン衝撃で誘発される損傷も減少
される。適切な静的磁場が放電媒体に設定されているな
らば、マイクロ波パワーの放電媒体に対する結合を非常
に効率的なものにすることができる。所謂、電子サイク
ロトロン共振（ＥＣＲ）の条件下で、プラズマ内の電子
は静止磁束の廻りでサイクロトロン（らせん）運動を行
い、その間に、交番するマイクロ波電場からエネルギー
を得る。均一磁場では、電子が通過する通路の断面は円
である。サイクロトロン廻転の周波数（ｆｃ）は磁束密
度（Ｂ）に直接比例し、電子の質量（ｍｅ）に逆比例す
る。

すなわち以下の関係がある。

Ｂ ここでｑは電荷である。上記方程式を基礎にすると、サ
イクロトロン廻転の周波数は、秒単位のサイクルで。

Ｂは、ガウス単位の静止磁束密度である。　ＥＣＲ条件
下では、電子サイクロトロン廻転周波数は、マイクロ波
周波数に等Ｌ　くなる、　２．４５ＧＨｚのマイクロ波
周波数に対して、ＥＣＲ条件としては８７５ガウスの磁
束密度が必要である。注目すべきは、サイクロトロン周
波数が磁束密度Ｂにのみ依存し、電子速度には無関係で
あるということである。電子らせん通路の曲稟半径は、
電子速度ベクトル成分に直交する磁束密度の成分に反比
例する。

サイクロトロン運動とマイクロ波電場振動が相互に位相
合致の状態に留まるので、マイクロ波電場において各電
子に移入される平均的パワーは。

ＥＣＲ条件が満される場合に最大となる。電気的な観点
からは、プラズマインピーダンスは、高周波において、
大きなりアクタンス（非効率なパワー吸収）を呈する。

　ＥＣＲマイクロ波プラズマでは、電子が中性のガス種
と衝突するまでは、電子がマイクロ波電場からエネルギ
ーを吸収し続ける。ガス圧が高くなると、電子の自由ら
せん運動に対する妨害の頻度が大きくなるので、ＥＣＲ
プラズマ内の電子の衝突確率が大きくなり、活性電子が
少なくなる。結果として、電子と中性ガス種との衝突周
波数がＥＣＲ周波数、すなわちマイクロ波周波数より遺
にに小さい場合に、ＥＣＲプラズマプロセス効果がより
顕著になるであろう、このことは、従来技術の高周波放
電がむしろ非効率であるような低圧プロセス（数ｇＴｏ
ｒｒ乃至はそれ以下でｌθ　　〜１０　　Ｔｏｒｒの範
囲）に対して、ＥＣＲはととりわけ有用であるというこ
とを示唆している。

ＥＣＲプラズマ生成技術は、従来技術の高周波放電やＥ
ＣＲ以外のマイクロ波プラズマ技術に比べて、それより
遥に高い密度（数桁の大きさ）を有していて低圧におい
て効果的なプラズマを生成する能力がある。　ＥＣＲの
強増によっても１作動中のプロセス圧力の範囲が、高真
空領域の極め二個圧の方にまで拡張される。　ＥＧＲプ
ラズマプロセスは、進歩した半導体デバイス製造プロセ
ス（乾洗浄、被着、エツチング）と在来の順次的多段階
プロセスの広い範囲に亘って適用可能である。

現存のＥＣＲプラズマシステムの設計の大部分は、プラ
ズマ形成室の内部に静止磁場を発生させるのに電磁石を
採用している。第１図はＥＣＲプ−ラズマプロセスシス
テムの一般的な構成を示しており、ここでは空間的に変
化する磁束密度を設定し、ＥＣＲプラズマ流を発生させ
るのに、マイクロ波放電空洞の周囲に２個の電磁石を用
いている。

電磁石は、勾配のある磁場をマイクロ波放電空洞内部に
創り出し、ＥＧＲ場の条件（８７５ガウス）が該空洞内
の成る点で満される。プラズマ流は、発散する磁場に沿
ってプラズマ室から反応室に向けて引き出される。磁束
密度はプラズマ室から基板保持体に向って徐々に減少す
る。

〈発明が解決しようとする問題点〉 こノ型のＥＣＲプラズマシステムの設計は数多くの制約
を被るが、それらを要約すると以下の通りである。

一ウェファ上のプロセスの均一性は、プラズマ室内のプ
ラズマの均一性やプラズマ空洞の作動電磁モード（定在
波パターン）に対して極めて敏感である。プラズマ不均
一によるパターンには、縦の磁場線が存在するので、こ
れがウェファ上に簡単に投影されてしまう可能性がある
。

一システム設計は、ウェファ径が大きくなった場合には
、容易な数値操作で対処可能ではない。

ウェファが大きくなると、より大きなプラズマ空洞の使
用やより大きいな電磁石の使用が強く要求されるように
なり、このことが結果として均一性の一層劣るプラズマ
と、−層複雑な反応炉の設計とをもたらす。

・発散する磁束線がウェファ表面にまですっかり伸延し
、その結果、たとえ完全なプラズマ均一性がプラズマ空
洞中に既成されていようとも、均一性の低いプロセスに
なってしまう、磁場の発散効果に起因するプロセス不均
一性の問題は、ドライエツチングへの応用にあたって、
より深刻である。

−大きな電磁石は水冷が必要であり、磁場を維持するの
に大量の電力も必要である。

・ウェ＆アがそれと直交する磁場線に遭遇しており、イ
オンが、プラズマ室からウェファに向って伸延する「高
」から「低」への磁束線に沿って移動することにより、
一方向運動の加速度を得ているので、精密なイオンエネ
ルギーの制御が困難である。磁場線はプラズマの電位に
も悪影響を与える可能性がある。

幾つかの現存するＥＣＲ反応炉の設計にあたって、プロ
セスの不均一性が幾分改良されているが、それは、より
均一な直交磁場を生じさせ。

ウェファ上への磁場の発散を減するのに、ウェファ支持
体の下方に第３の電磁石を用い′ることによるものであ
る。更に、プラズマに対するウェファの電位を制御して
、入射するイオンエネルギーを増強し、磁場の発散効果
を減するのに、基板支持体を高周波源（１３，５ＥＩＭ
Ｈｚ）に結合するのがよい、それにもかかわらず、これ
らの設計は、この型の反応炉の設計のこれ以外の制約を
取り除きはしない。

第１図に示される構成に類似する設計のＥＣＲ反応炉の
他にも１分散多極型ＥＣＲ反応炉が同様に文献で論議さ
れている。第２図は多極型のＥＣＲ装置の概略構成を示
しており、ここでは活性電子がプロセス室の外端にある
磁気カスプに封じ込められる。このシステムでは、プラ
ズマは室壁近くで生成され、室心に向って拡散する。室
の中心における磁場線はむしろ弱く、シかもウェファ表
面に平行である。永久磁石により創り出される多極性の
磁場が、ＥＣＲ条件を確立し、プラズマの磁気封じ込め
により室壁でのプラズマ損失を減少させる。

多極性ＥＣＲの設計は、従来技術のＥＣＲシステムをし
のぐ幾つかの利点（そして同様に幾つかの欠点）を有す
るであろう、その制約は以下の通りである。

拳プラズマ形成室がプロセス室と同一のものである。こ
のことが、一つの複合プラズマ媒体を有するプロセスへ
のシステムの応用に関して制約要因となっている。真空
室中に注入される任意のガスはマイクロ波放電に晒され
、システム設計によっては、ウェファ上への非プラズマ
ガスの注入と同時に行われる選択的プラズマ形成が許容
され得ない、故にかかるシステムの応用分野は専らエツ
チングプロセスに仕向けられる。

・全プロセス室とウェファは、マイクロ波電場に浸漬さ
れる。結果として、ウェファ上のプラズマとプロセスの
均一性は、マイクロ波の定在波とパワー吸収パターンに
より悪影響を受ける。

・ＥＣＲプラズマ形成領域の全体積は、プロセス室全体
積の僅少部分である。これがウェファ上のプラズマ密度
を制限することがある。

従って、プロセスに均一性を有し、ウェファの大小に対
して数値操作可能で、パワー消費が小さく、基板損傷を
生じさせることが少なく、独立の非プラズマガス注入能
力を有し、遠隔発生のＥＣＲプラズマを生成し、プラズ
マ密度を自由に制御可能で、在来の順次的な多段階プロ
セスが実行可能であるような特性を具えた分散型ＥＧＲ
装置を提供することができれば有用であろう。

く問題点を解決するための手段〉 本発明は現存するＥＣＲプラズマ技術の抱える問題を克
服し、現存する幅広ビームで、発散磁場のＥＣＲシステ
ムや多極性ＥＣＲシステムをしのぐ改良を提供するもの
である。

本発明の一実施例によれば１次のものから成る分散型電
子サイクロトロン共振遠隔プラズマプロセス装置が提供
される。そしてそれを構成するものは、プロセス室と、
そのプロセス室と流体的に交流状態にある主トランスフ
ァ室と、主トランスファ室を囲む複数個の周辺の棒磁石
と、主トランスファ室の周辺を囲んで周辺上に分散し、
それから離れて、それと流体的に交流状態にある複数個
の電子サイクロトロン共振プラズマ形成領域と、それに
プラズマ形成領域の外表面を実質上取り囲む複数個の棒
磁石である。

第２の実施例にあっては１次のものから成る分散型電子
サイクロトロン共振遠隔プラズマプロセス装置が提供さ
れる。そしてそれを構成するものは２プロセス室と、そ
のプロセス室と流体的に交流状態にある主トランスファ
室と、主トランスファ室を取り囲む複数個の周辺棒磁石
と、主トランス７７室の周辺を囲んで、それから離れて
、それと流体的に交流状態にある梯形の断面を持つ環状
のプラズマ形成領域と、プラズマ形成領域の外表面を実
質上取り囲む複数個の棒磁石と、それにプラズマ形成領
域の周辺に分散する複数個のプラズマ発生器である。

更に第３の実施例にあっては、加工片に対する分散型電
子サイクロトロン共振遠隔プラズマプロセスのための次
のような方法が示されている。そ１、てそれを構成する
ものは、主トランスファ室の周辺に分散し、それから離
れて、それと流体的に交流状態にあるプラズマ形成領域
内において電子サイクロトロン共振で活性化された核種
を発生させ、プラズマ形成領域の磁場を用いて活性化さ
れた核種を内包させ、活性化された核種を主トランスフ
ァ室に導入し、磁場を用いて主トランスファ室に磁気ミ
ラーを創り出し、それに活性化された核種をプロセス室
、ひいては加工片の一面に向けて導入することである。

本発明は、この明細書にて述べられたこれ以外のものに
加えて、少なくとも以下の利点を提供するものである。

台モジュールの設計は１円筒形の主トランスファ室に接
続された分散多極型ＥＣＲプラズマ形成室を含んでいる
。

・システムの設計は、複数個のＥＣＲプラズマ形成室の
各々を独立に制御できる。

Φプロセス室とウェファは、静止磁場やマイクロ波パワ
ーからの影響を受けない、マイクロ波パワーはＥＣＲプ
ラズマ形成室にのみ供給され、主トランスファ室中に漏
洩することはない。

Φ主トランスファ室は、一端にあるサファイア製の窓を
通じて、ウェファの前面の実物大の外観を呈する。この
重要な設計上の特徴が、インコヒーレントで濃厚な紫外
線ランプやエフシマレーザ源使用のホトン支援プロセス
のための能力を付与している。トランスファ室の他の孔
は、加熱源や冷却源、高周波チャック等々に対してウェ
ファを結合する。

・従来技術のＥＣＲシステムに比べると、分散型ＥＣＲ
遠隔プラズマシステムの設計は、ウェファ径が大きくな
っても、プロセスの均一性に何らの劣化も伴わずに、容
易に数値操作可能である。ウェファの寸法の点で何の制
限も受けないということである。

−Ｅ（Ｊプラグ１発生とそれの封じ込めは、電磁石の代
りにセラミック製の永久磁石回路を用いて達成される。

従って、磁気回路に電力と水冷の必要がない。

・本システムは１周辺のＥＣＲプラズマ形成室中で、一
種類のガスではなく、それよりも多い種類のＥＣＲプラ
ズマ流（空間分割されたプラズマ流）を同時発生させる
能力を持っており、複合ガス放電媒体が複雑になる可能
性をさけている。異なった種類のガスのプラズマ流はそ
れらの形成後に初めて主トランスファ室で相互に混合さ
れる。

・ＥＣＲプラズマ流は、それがウェファ表面に到達する
以前に、トランスファ室内で自由に重ね合わされて混合
されるが、いかなる磁場の影響をも受けることがない０
円筒形のトランスファ室の中心は、磁場線の影響を受け
ることがなく。

イオン種の自由な拡散と相互混合が許容される。従って
、プロセスの優れた均一性が容易に得られるはずである
。

〈実施例〉 第３図は有用な実施例である分散多極型電子サイクロト
ロン共振（ＥＣＲ）プロセスモジュール１０を示してい
る。プロセスモジュール１０は、プロセス室１２を有し
、ここでウェファ１４に、エツチング、被着、灰化等の
種々の処理を施すことができる。

プロセスモジュールｌＯは、（例えばアルミニウム、ス
テンレス鋼などのような）種々の材料で形成される。ウ
ェファ１４の汚染を最小にすべく、プロセスモジュール
ｌＯの内壁３Ｂは適切に保護化されており、反応体が内
壁３Ｂから離隔されるようなしくみに永久磁石が配置さ
れる。プロセス室１０は、典型的には真空に保たれる。

ウェファ１４は、処理されるべき面１Ｂを下方にしてウ
ェファ支持体１７により支持されている。しかしながら
、ウェファ１４は、それの処理されるべき面１８が下方
に面しているのはもとより、上方に面していても、ある
いは地面に対して平行な面に直角に面していてもよい、
ウェファ１４の処理されるべき面１Ｂが下方に面してい
るか、あるいは地面に対して平行な面に直角に面してい
る場合には、粒子汚染の可能性が減少する。真空ポンプ
孔１８経由で真空に引かれる。真空ポンプ孔１８の配設
により、処理されるべき面１６全体に亘って処理の均一
性が確保される。非プラズマ性プロセスガスの注入部１
９がウェファ１４の周辺部を囲んで配設されていて、こ
れにより非プラズマ性プロセスガスの分布が均一になる
。

ウェファ１４の処理温度は、最小限度の機器変更で７種
々の仕方により設定可能である。第３図では、ウェファ
１４が、熱放射型ヒータ２０によって加熱されるものと
して示されており、このヒータ２０は窓２２を介してウ
ェファ１４に対して熱放射により結合しており、窓２２
は可視光に対して透明な材料、例えば水晶やサファイヤ
であってもよい、熱放射型ヒータ２０は現在公知の数種
類のうちの一つであってもよく、それは、例えば、タン
グステン−ハロゲンランプやアークランプ等である。

ウェファ支持体１７は、窓２２から近距離のところにウ
ェファ１４を支持する。その他のエネルギー源もウェフ
ァ１４やプロセス室１２と結合することができるが、こ
れについては以下に詳述されよう。

プロセスモジュール１０は、さらに複数個のＥＣＲプラ
ズマ形成領域４８（第７図も参照のこと）を含んでいる
。　ＥＣＲプラズマは、各プラズマ形成領域４８中で発
生し、これらプラズマ形成領域の配置が、結果的にプロ
セス室１２の円周の回りに均一に分布する反応性プラズ
マを産み出すことになる。

図示されているプラズマ形成領域４８の数は６であるが
、任意の数のプラズマ形成領域を用いることができよう
、プラズマ生成物は、次いで抑制グリッド６６を通過し
て主トランスファ室３４内に向って拡散してそこに流れ
込む、抑制グリッド８Ｂは。

単に主トランスファ室３４中へのマイクロ波ノぐワーの
移入を抑制するものであるが、流れに悪影響を与えるこ
とはない、主トランスファ室３４は、移行期間中のイオ
ン損失を減じ１反応体と主トランスファ室３４の内壁３
Ｂとの相互反応による汚染をも減するが、電場や磁場の
影響を受けないような実施例にあっては、主トランスフ
ァ室３４が反応体全部の混合を可能にする。主トランス
ファ室３４と複数個のＥＣＲプラズマ形成領域４８の両
者に関しては。

以下に更に詳細に記載されよう。

プロセスガスがガス注入部５０経出で供給される。ガス
注入部５０は小孔を帯びたプレートであって、それらの
小孔はガス注入部５０の出口で反応ガスの均一流が存在
するように穿設されている。ガス注入部５０の下流にあ
る複数側のアンテナ５２を通じてマイクロ波エネルギを
印加することによりプロセスガスが活性化されてプラズ
マ状態になる。各ガス注入部５０に供給される反応ガス
は、別個独立に制御可能で、各別の制御により、数種類
の反応性プラズマの発生を可能にする。

上述した複数個のアンテナ５２の各々は１反応ガスに対
して最も有効に電力移入するように、対応するガス注入
部５０から適切な間隔だけ離されており、各アンテナ５
２には、導電体５４、例えば同軸ケーブルを介してマイ
クロ波が供給されており、各導電体５４は非導電性の物
質、例えばサファイアからなるさや５８中に封入されて
おり、モしてさや５８の内部で導電体５４が軸方向に可
動である。マイクロ波エネルギーによる注入ガスと反応
室への適切な電力移入は可調整の同調プローブ５Ｂの調
節と、各さや５Ｂ内に収納されているマイクロ波アンテ
ナ５２の調節とによって達成される。マイクロ波アンテ
ナ５２は供給孔６０から戻り孔６２に循環するガスによ
り冷却される。

主トランスファ室３４の底部は窓７２で終っており、そ
れが可視範囲（例えば紫外線エネルギーやエキシマレー
ザ）の電磁波エネルギー源３２に対して照射線による結
合を可能にしている。その電磁波エネルギー源は、ＥＣ
Ｒプラズマ形成領域４８とは別個独立に制御可能であり
、並列で同時的にか、あるいは任意の順序で時系列的に
か、いずれかで作動可能である。七のような電磁波エネ
ルギー源３２が、窓７２経由でウェファ１４に結合され
る場合には、不活性パージ（例えばアルゴン）が、パー
ジ孔７８を介して窓７２の内壁７４に供給される。この
窓７２はウェファ１４に対する種々の非接触で実時間の
測定（例えば干渉計による測温）をも可能にする。

第４図は１分散多極ｆｉ　ＥＣＲプロセスモジュールｌ
Ｏの別の有用な実施例を示すものである。この本実施例
では、ウェファ１４が、基板２４により導電的に加熱さ
れたり冷却されたりする。ウェファ１４は、ウェファ支
持体１７により、基板２４に実際上接触して支持されて
いる。基板２４ひいてはウェファ１４は抵抗ヒータ２Ｂ
により加熱可能であり、また冷却水供給部２８と戻り孔
３０を通じて基板２４に供給される冷却水により冷却可
能である。この構成であると、ウェファ１４やプロセス
室１２に結合される多数のエネルギー源３２の組合せが
如何ようであろうとも、最適の温度制御プロセスが可能
になる。

従って、これらの他のエネルギー源３２をプロセス室１
２やウェファ１４に結合することで、施されるべきプロ
セスに関して、単一パワー源のプロセスモジュール、例
えば低温被着や、異方性エツチング用モジュールの場合
よりも、広範囲なものにすることができる。ここに挙げ
たエネルギー源は、いかにして多数のエネルギー源がこ
のプロセスモジュール１０に結合可能かの例として示さ
れたものであるが、これ以外のエネルギー源やその組合
せは、プロセスに多大の融通性と効率性を与えるであろ
う。

第５図は、第３図あるいは第４図のいずれかにおける主
トランスファ室３４の水平方向Ａ−Ａ’線断面を示す、
ウェファ１４の投影像が、主トランスファ室３４の内壁
３８と中心共通の同心円で示されている。主トランスフ
ァ室３４の内壁３Ｂは、適切に保護化されており（例え
ば硬質陽極アルミニウム）、ウェファ１４の投影像の半
径よりも幾分１例えば５０履鳳はど大きい半径を有して
いる。内壁３Ｂは、必要であれば、冷却水供給部（図示
せず）を用いて冷却可能である。複数個の主トランスフ
ァ室永久棒磁石４３が各別に内壁３Ｂを取り囲んでいる
。この実施例では、永久棒磁石は主トランスファ室３４
の半径方向に磁極を付与されている。このことにより、
ウェファ１４の処理されるべき面１６に平行な磁束線が
発生する。互いに隣接する永久棒磁石４３の内表面４２
には、反対極性の磁極が付与されており、その結果とし
て磁気カスプが形成され、これが磁気ミラー効果依存で
プラズマを封じ込める。磁束の強度、ひいては主トラン
スファ室３４中への磁気カスプの浸透が、永久棒磁石４
３の厚みを減することにより、あるいは該棒磁石４３間
に放射方向に鉄板（図示せず）を挿入して、任意の磁性
材料、例えば鉄製の外部シリンダ４４にそれらを接続す
ることにより、調整可能である。

第６図は、第３図及び第４図の主トランスファ室３４に
関する別の実施例の水平方向Ａ−Ａ’線断面を示す、第
５図に示されている実施例のものと類似しているが、永
久棒磁石４３が主トランスファ室３４の半径に直交する
方向に磁極を付与されている。磁束線はここでもウェフ
ァ１４の下面１６に平行である。かかる磁束線形態によ
り、プラズマを包み込むような磁気ミラーが発生する。

第７図は、第３図あるいは第４図のいずれかにおけるプ
ラズマ形成領域４８の水平方向Ｂ−Ｂ’線断面を示すも
のである。主トランスファ室３４の内壁３Ｂの投影像と
ウェファ１４の投影像とが、プラズマ形成領域４８と中
心共通の同心円で示されている。各ＥＣＲプラズマ形成
領域４８は、上述したように、ガス注入部５０、マイク
ロ波アンテナ５２、さや５８を各別に有し、各領域４Ｂ
は第１の側面型磁石８０と第１の背面壁磁石９０を含ん
でいる。そして第２の側面型磁石７Ｂと第２の背面壁磁
石９２をも具備している。これらの永久磁石は、ニッケ
ル被膜の純鉄（軟磁性材料）で被覆された永久磁石材（
例えばセラミック）により形成するのが有益である。

各ＥＣＲプラズマ形成領域４８は、第７図に示すように
梯形を呈する。この梯形形状と、磁石配置と、磁石厚み
の勾配とにより、結果として、勾配のある磁場（すなわ
ち背面壁でかなり強い磁場となる）が存在することにな
る。従って、ＥＣＲプラズマ形成領域４８の一部分のみ
がＥＣＲ領域となろう（例えば、公知のように２，４５
０ＧＨｚのエネルギー信号が印加されると、ＥＣＲは磁
束が８７５ガウスのところに生起するであろう）。

第８（ａ）図は、ｃ−ｃ’薄部分すなわち第７図のプラ
ズマ形成領域４８の１つの背面壁の断面を示す、上述し
たように、各ＥＣＲプラズマ形成領域４８は、周辺部の
廻りに多数の永久磁石を具備する。第１の背面壁磁石９
０と第２の背面壁磁石９２は主トランスファ室３４の半
径方向に磁極が付与されているが、互いに反対の極性の
磁極である。

第８（ｂ）図は、第７図のプラズマ形成領域４ａのＤ−
Ｄ“線断面を示すものである。第１の頂面壁磁石８２と
、第１の側面型磁石８０と、第１の底面壁磁石８Ｂは、
それら自身すべて主トランスファ室３４の半径に直交す
る方向で、すべて同一方向に磁極を付与されており、第
２の側面型磁石７８と、第２の頂面壁磁石８４と、第２
の底面壁磁石８８は、平行な磁極軸を持っている。この
ことにより、プラズマ形成領域４８の頂面部、底面部、
背面部にて。

プラズマを内包する磁気カスプが創り出される。

第９図は第３図と第４図のプロセスモジュールｌＯの別
の有用な実施例のプラズマ形成領域４８の水平方向Ｂ−
Ｂ’線断面を示している。この実施例は第７図に示され
る実施例のものと類似しているが、各永久磁石の磁極軸
がプラズマ形成領域４８ノ半径に概ね平行であるように
見える点で異なっている。

第１θ図（ａ）図と第１０（ｂ）図は、第９図の分散多
極型ＥＣＲプロセスモジュール１０におけるプラズマ形
成領域４８の一つの有用な実施例の垂直方向Ｅ−Ｅ’線
及び垂直方向Ｆ−Ｆ’線断面を示すものである。第８（
ａ）図と第８（ｂ）図に示される構成と類似しており、
同じ機能を奏する。

第１１図は、第３図と第４図に示すような分散多極ｆｉ
　ＥＣＲプロセスモジュールＩＯのプラズマ形成領域４
日の１つの有用な実施例の水平方向Ｂ−Ｂ’線断面を示
すものである。この実施例は第７図と第９図のものに類
似しているが、プラズマ形成領域４８がここではもはや
仕切られていない点で異なっている。アンテナ５２とガ
ス注入部５０の最適の配列が、第１１図に示されるよう
になっていて、マイクロ波パワーの最良のマツチングを
確保する。さらに同図に示されるように、抑制グリッド
６Ｂが、プラズマ形成領域４８から主トランスファ室３
４へのマイクロ波パワー伝送を抑制するのに用いられる
。

第１２（ａ）図と第１２（ｂ）図は、第１１図に示され
ている実施例の分散多極型ＥＣＲプロセスモジュール１
０におけるプラズマ形成領域４Ｂの一つに関し、垂直方
向Ｇ−Ｇ’線及び垂直方向Ｈ−Ｈ’線断面を示すもので
ある。第１２（ａ）図においては、永久磁石９０．９２
は、プラズマ形成領域４８の半径に平行な軸に沿って磁
極を付与されている。背面壁頂部磁石８０と背面壁底部
磁石９２は反対の磁極性を持っている。そして頂面壁磁
石８２と、底面壁磁石８６はプラズマ形成領域４８の半
径に垂直で直交する軸に沿って磁極を付与されている。

第１３図は、第１１図、第１２（ａ）図、第１２　（ｂ
　）図にも実施例として挙げた分散多極型ＥＣＲプロセ
スモジュールｌＯにおけるプラズマ形成領域４８の一つ
に関する有用な実施例の垂直断面を示すものである。す
なわち第１３図は、第１１図に図示済みのプラズマ形成
領域４Ｂの垂直方向Ｊ−Ｊ’線断面を示している。この
実施例においては、頂面壁磁石８２と底面壁磁石８Ｂが
、プラズマ形成領域４８の半径に対して殆んど垂直で殆
んど直交する軸に沿って磁極を付与されている。背面壁
頂部磁石９０と背面壁底部磁石９２は、プラズマ形成領
域４８の半径に対して水平で平行な磁極軸を持ち、互い
に反対の磁極性である。そしてここでの磁束線は垂直で
密度が変化している。背面部から主トランスファ室３４
への境界に至る磁束の密度変化は勾配を持っており、所
定の単一領域でのみＥＣＲを形成し、主トランスファ室
３４内への拡散を可能にする。

第１４（ａ）図は、第１１図で同様に実施例として挙げ
られている分散多極型ＥＣＲプロセスモジュール１０の
プラズマ形成領域４８の有用な実施例の水平方向Ｂ−Ｂ
’　線断面を示す、この実施例では、２つの頂面壁磁石
として環状磁石４５（ａ）　、　４５（ｂ）が、そして
２つの側面壁磁石として同様に環状磁石４５（ｃ）　、
　４５（ｄ）が用いられており、それらは第１４（ａ）
図に示されるような磁極性を持っている。第１４　（ｂ
　）図は第１４　（ａ　）図の垂直方向に−に’線断面
を示すものであり、底面壁磁石としての２つの環状磁石
４５（ｅ）　、　４５（ｆ）も現われている。

このプロセスモジュールは、進歩した真空プロセス系１
例えば米国特許第４，８８５，９９９号（１９８７年８
月１１日付発行）に開示されているもの、あるいはその
他任意の単一のウェファ用プロセスモジュールやモジュ
ール形のプロセス系などと協働させて運転することがで
きる。

く作動〉 作動に際しては、ウェファ１４はプロセス室１２中に搬
入される。ウェファ１４は、次いで必要があれば、放射
ヒータ２０に電力を供給することにより。

特殊プロセス向けに、窓２２を通じて照射加熱される。

使用中の実施例の機器がその他の多重的なエネルギー源
、例えば高周波パワー源３２、紫外線エネルギー源、エ
キシマレーザなどを具備していれば、それらのエネルギ
ー源を所望のとおりに励起させることができる。ウェフ
ァ１４が１例えば窓７４を通じて非接触の実時間計測に
より測定された所定の温度にある場合には、その温度に
応じた所定のプロセスガスがプラズマ形成領域４８に供
給可能である。プロセスガスの種類（１種類でも２種類
以上でも）は、ここで施されるべきプロセスの種類に債
存する０種々のプロセスガスが、プラズマ生成用に、所
望であれば、以下に指摘するように、ガス注入部５０を
介してプラズマ形成領域４Ｂの各々に導入可能である。

更に所望であれば、追加のプロセスガスが、非プラズマ
ガス注入部１９を介して、処理されるべき面１Ｂの近傍
に導入可能である。プロセスガス流が始動されると、マ
イクロ波パワーが、所望であれば、導体５４経由でアン
テナ５２に供給されて、プラズマ形成領域４８にプラズ
マを発生させる。上述したように、マイクロ波パワーと
磁束の組合せが、電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）の
発生をもたらす、プラズマ生成物は、次いでプラズマ形
成領域４８から主トランスファ室３４中へと拡散により
流入し、一方上述したような永久磁石の配置により、そ
のプラズマ生成物はプラズマ形成領域４８の内壁からは
離れたところに導かれる。抑制グリッド６Ｂを通過して
主トランスファ室３４中に流入すると、ＥＣＲプラズマ
生成物は、上述したように永久磁石の作用により、同様
に主トランスファ室３４の内壁３Ｂから離れたところに
導入される。

所望のプロセスが完了すると、マイクロ波パワー源やそ
の他のパワー源は閉止される。プロセス室１２は、ガス
注入部５０、非プラズマガス注入部１９、パージ孔７６
のいずれかを使って排気される。

多段階の順次的プロセス工程が、パワー源の種類とプロ
セスガスの種類を変えることで実行可能である。所望の
プロセスがすべて完了したとき、ウェファ目がプロセス
室１２から、例えば装てん装置に搬出される。

プロセスモジュール１０は、種々の異なったプロセスや
多段階の順次的プロセスを実行することができる。そし
てプロセスモジュールｌＯは、例えば低温化学蒸着、低
温エピタキシアル成長、表面洗沙、異方性エツチング等
の処理能力を持っている。

典型的な低温化学蒸着プロセスは、テルル化水銀カドミ
ウム上に窒化シリコンを被着するものであろう、５０ワ
ツトのマイクロ波パワーを用いて。

窒素がプラズマ形成領域４８で活性化されて通過し、主
トランスファ室３４経由でプロセス室１２に流入し、そ
の際そこでシランが非プラズマガス注入部１９を通じて
プロセス室１２中に添加される。その結果、基板加熱を
必要としない窒化シリコンの薄膜が得られる。低温エピ
タキシアル層に関しては、非プラズマガス注入部１９経
由のシランや、水素と一緒に、プラズマ形成領域４８を
通過するアルゴンを用いて成長可能である。この場合、
プラグ７形成領域４８の圧力は、７５０℃でＩＸＩＧ　
　であろう。

さらに数種類の表面浄化プロセスが、プロセスモジュー
ル１０を用いて実行可能である。有機物や炭化水素の清
掃は、プラズマ形成領域４８で酸素を通過させることに
より達成される。もともと存在するすべての酸化物の清
掃も、最初の清掃工程中に成長した酸化物の一掃も、プ
ラズマ形成領域４８経由で水素を通過させることにより
、最初の清掃工程が行われた室と同一の室で実行可能で
ある。

最後に、金属性汚染物の清掃は、プラズマ形成領域４８
経由でアルゴンを通過させ、さらに非プラズマガス注入
部１９経由でプロセス室１２に塩酸ガスか弗化水素ガス
のいずれかを添加することにより実行可能である。

もう一つの典型的な低温化学蒸着プロセスは、平担でな
い表面、例えば山と谷のある表面上に平坦化された酸化
物層を被着するための酸化物平坦化処理である。かかる
平担化処理では、酸素とアルゴンが、プラズマ形成領域
４Ｂ内で活性化される。

ここでシランが非プラズマガス注入部１９経由でプロセ
ス室１２に添加される。短時間の平坦化期間中、強い高
周波信号が基板に印加され、それが実際の平坦化に有効
である。

異方性エツチングプロセスとして可能なものの一つに、
シリコンに対して選択性を持つ二酸化シリコンのエツチ
ングがある。この処理は、プラロ波パワーと８００ＫＨ
ｚで２００ボルトの尖頭値の高周波とを使うことにより
実行される。

異方性エツチングプロセスとして可能なもう一つのプロ
セスに、シリコンのエツチングがある。

この処理は、プラズマ形成領域４８経由でＳＦ５　とア
ルゴンガスを通過させ、　３　Ｘ　１０’Ｔｏｒｒの真
空状態下で、６００ワツトのマイクロ波パワーと１３．
５８Ｍ）Ｉｚで１００ボルトの尖頭値の高周波とを使う
ことにより達成される。

上記に特定して記述したものは別として、高周波プラズ
マやＷプラズマ用、それに紫外光用に採用されるパワー
と周波数は、他のプロセスのパラメータで可能であるよ
うに、幅広く変更可能である。

ウェファ目が処理されて成る生成物は、電子工学的なデ
バイス、例えば集積回路やデスクリートの半導体デバイ
スであってもよい、プロセスが一旦完了すると、ウェフ
ァは、デバイス群に分けられる０回路とデバイスはパッ
ケージ中に収納される。そのようなパッケージに関して
は、例えば米国特許第４，４８５，８１７号（発明者オ
ーカット他＝１８７４年８月１４日付発行）や同第３，
４３９，２３８号（発明者ビルヒラ−他：　ＩＦ５８９
年８月１５日付発行）でいずれも本明細書中に参照文献
として組み込まれているものであるが、そこに記載され
ている。これらのパッケージは１次いでプリント基板を
構成するのに使用される。ところで、プリント基板は。

集積回路のパッケージやデバイスなしでは、目的の機能
を果すように作動することができないものであるが、か
かるプリント基板は、コンピュータ、電子コピー、印刷
機、電子通信機器、卓上計算機等々のような、電子・情
報時代に必須の養分である電子機器の内部に必要とされ
る電子部品である。

これまで、本発明を成る程度特定して記述し、例示して
きたが、本明細書の開示は例示のみによりなされたもの
であり、頭足に請求したような本発明の思想並びに技術
的範囲から逸脱することなく、部分の配列や組合せに数
多くの変更が施されることは了解されるべきである。

本発明を要約すると以下のとおりである。

分散多極型電子サイクロトロン共振遠隔プラズマプロセ
ス用の装置が開示されている。そのものは、ウェファプ
ロセス室１２の周辺を囲みそれとは離れて分散し、主ト
ランスファ室３４と流体的に交流しているプラズマ形成
領域４８に電子サイクロトロン共振で活性化された核種
を発生させ、プラズマ形成領域４８にマイクロ波ガス放
電と磁場を用いて活性化された核種を内包させ、プラズ
マ流を主トランスファ室３４に導入し、磁場を用いて主
トランスファ室３４に磁気ミラーを創り出し、プロセス
室１２と加工片！４の表面に核種を導入することを含ん
でいる。このような装置では、多数個のエネルギー源や
励起源が採用可能である。

くその他の開示事項〉 以上の記述に加えて、更に下記の各項を開示する。

１）（ａ）プロセス室と、 （ｂ）プロセス室と流動的に交流している主トランスフ
ァ室と、 （ｃ）主トランスファ室を実質上取り囲む複数個の磁石
棒と、 （ｄ）主トランスファ室の周囲を囲んで周辺上に分散し
、それとは離れて、それと流体上交流している複数個の
電子サイクロトロン共振プラズマ形成領域と、 （ｅ）該プラズマ形成領域の外表面を実質上取り囲む永
久磁石である複数個の磁石棒 とから成り、分散型電子サイクロトロン共振遠隔プラズ
マプロセスによりウェファを処理して集積回路デバイス
を製造するための装置。

２）棒磁石が永久磁石である、付記第１項の装置。

３）永久磁石はセラミックである、付記第２項の装置。

４）複数個の周辺の棒磁石は、磁気カスプが主トランス
ファ室上に形成されるよう配置されている、付記第２項
の装置。

５）複数個の周辺の棒磁石は、主トランスファ室の半径
に直角な磁場の極性の軸で配置されている、付記４項の
装置。

６）複数個の周辺の棒磁石は、主トランスファ室の半径
方向に磁場の極性の軸を持つよう配置されている。付記
第４項の装置。

７）複数個の棒磁石は磁気カスプがプラズマ形成領域の
内部表面上に形成されるよう配置されている、付記第２
項の装置。

８）複数個の棒磁石が、電子サイクロトロン共鳴がプラ
ズマ形成領域のある点に設定され得るよう配置されてい
る、付記第２項の装置。

９）非プラズマガス注入部を更に含む付記第１項の装置
。

１０）プロセス室中に結合する複数個のエネルギー源を
更に含む付記第１項の装置。

１１）プロセス室中に結合する複数個のエネルギー源の
一つは、超音波、高周波、レーザ、熱エネルギー源より
なるグループから選ばれる、付記第１Ｏ項の装置。

１２）熱エネルギー源は放射性である付記第１０項の装
置。

！３）熱エネルギー源は導電性である付記第１０項の装
置。

１０複数個のアンテナを更に含む付記第１項の装置。

１５）各々のアンテナの隣接部にガス注入部を更に含む
付記第１４項の装置。

１Ｂ）アンテナの各々は隣接してガス注入部を更に含む
付記第１４項の装置。

！７）サファイアに封入されている複数個のアンテナを
更′に含む、付記第１４項の装置。

１Ｂ）室はアルミニウム製である、付記第１項の装置。

１９）室はアルミニウム製であり、その内表面は陽極硬
化されている。付記第１項の装置。

２０）室は、内面が適切に耐反応性化されている物質に
より製造されている付記第１項の装置。

２１）室は円形である付記第１項の装置。

２２）処理されるべきウェファの面は下方に面している
、付記第１項の装置。

２３）ウェファ面の半径が下方に面している付記第１項
の装置。

２．４）（ａ）プロセス室。

（ｂ）プロセス室と流体的に交流している主トランスフ
ァ室。

（ｃ）主トランスファ室を取り囲む複数個の周辺の棒磁
石、 （ｄ）主トランスファ室の周辺を囲み、それから離へて
、それと流体的に交流している。梯形の断面を有す環状
のプラズマ形成領域。

（ｅ）プラズマ形成領域の外表面をほぼ囲む複数個の棒
磁石。

（ｆ）プラズマ形成領域周辺に分布する複数個のプラズ
マ生成部、 から成る分布型電子サイクロトロン共鳴遠隔プラズマプ
ロセス装置。

２５）棒磁石が永久磁石である付記第２４項の装置。

２６う°永久磁石は磁器である付記第２５項の装置。

２７）複数個の周辺の棒磁石は、磁気カスプが主トラン
スファ室の内表面上に形成されるよう配置されている付
記第２７項の装置。

２８）複数個の周辺の棒磁石は、主トランスファ室の半
径に直角な磁場の極性の軸を持つよう配置されている付
記第２７項の装置。

２９）複数個の周辺の棒磁石は、その磁場の極性の軸は
主トランスファ室の半径方向に沿っているよう配置され
ている付記第２７項の装置。

３０）複数側の棒磁石は、磁気カスプがプラズマ形成領
域の内表面上に形成されるよう配置されている付記第２
７項の装置。

３１）複数個の棒磁石は、電子サイクロトロン共鳴がプ
ラズマ形成領域のある点に設定され得るよう配置されて
いる付記第２７項の装置。

３２）非プラズマガス注入部を更に含む付記第２４項の
装置。

３３）プロセス室中に結合している複数個のエネルギー
源を更に含む付記第２４項の装置。

３０プロセス室中に結合している複数個のエネルギー源
のうちの一つは、紫外線、高周波、レーザ、熱エネルギ
ー源から成るグループから選ばれる、付記第３３項の装
置。

３５）熱エネルギー源は放射性である、付記第３３項の
装置。

３Ｂ）熱エネルギーは導通性である、付記第３３項の装
置。

３７）環形のプラズマ形成室は梯形な断面を有する付記
第２４項の装置。

３日）梯形断面はプラズマ形成領域の外端部よりも主ト
ランスファ室中への開口部が広い、付記第３７項の装置
。

３８）環形のプラズマ形成領域は矩形の断面を有する。

付記第３７項の装置。

４０）プラズマ発生部は、複数個のマイクロ波アンテナ
を含む、付記第２４項の装置。

４１）各々のアンテナの隣接にガス注入部を更に含む、
付記第４０項の装置。

４２）サファイア内に封入された複数個のマイクロ波ア
ンテナを更に含む付記第４０項の装置。

４３）室がアルミニウム製である。付記第２４項の装置
。

４４）室が陽極硬化されている内面のアルミニウム製で
ある付記第２４項の装置。

４５）室は内面が適切に耐反応性化されている物質によ
り製造されている付記第２４項の装置。

４６）室は円形である付記第２４項の装置。

４７）処理されるべきウェファの面は下方に面している
。付記第２４項の装置。

４８）ウェファの半径方向が下方に面している付記第２
４項の装置。

４９）（ａ）プロセス室、 （ｂ）プロセス室と流体的に交流している主トランスフ
ァ室、 （ｃ）主トランスファ室を囲む複数個の第１の永久磁石
、 （ｄ）主トランスファ室の周囲を囲んで分布する複数個
のプラズマ形成領域 Ｃｅ）プラズマ形成領域の外表面を取り囲む複数個の第
２の永久磁石、 （ｆ）複数個の囲ざよう分布する封入されたアンテナ、 （ｇ）ｍ数個のマイクロ波アンテナの一つに隣接して各
々が配設されている複数個のガス注入部 から成る分布型電子サイクロトロン共鳴遠隔プラズマプ
ロセス装置。

５０）サファイア内封入されている複数個のマイクロ波
アンテナを更に含む付記第４９項の装置。

５１）プロセス室中に結合した複数個のエネルギー源を
更に含む付記第４８項の装置。

５２）室はアルミニウム製である付記第４８項の装置。

５３）室はその内表面が陽極硬化されているアルミニウ
ム製である付記第４８項の装置。

５０室はその内表面が適切に耐反応性化されている物質
から製造されている付記第４９項の装置。

５５）室は円形である付記第４８項の装置。

５６）プロセスされるべきウェファの面は下方に面して
いる付記第４３項の装置。

５７）プロセスされるべきウェファの面の半径方向が下
方に面している付記第４８項の装置。

５８）複数個の周辺の棒磁石は主トランスファ室の半径
に直角な磁場の極性の軸を有するよう配置されている、
付記第４９項の装置。

５９）複数個の棒磁石は、それらの磁場の極性の軸が主
トランスファ室の半径に沿っているよう、配置されてい
る付記第４８項の装置。

８Ｇ）（ａ）主トランスファ室の周辺に分布し、それか
ら離れて、それと流体的に交流する状態にあるプラズマ
形成領域に、電子サイクロトロン共振で活性化された核
種を発生させ、 （ｂ）プラズマ形成領域内に磁場を用いて活性化された
核種を内包させ、 （ｃ）主トランスファ室に活性化された核種を導入し。

（ｄ）磁場を用いて主トランスファ室内に磁気ミラーを
創り出し。

（ｅ）プロセス室と加工片の一面に向けて活性化された
核種を導入することから成る集積回路デバイスの製造方
法。

８１）活性化された核種はマイクロ波エネルギー源を用
いて生成させる、付記第６０項の方法。

６２）付加的な反応物がプロセス室に導入される、付記
第８０項の方法。

６３）追加の反応物がプロセス室中へ結合している他の
エネルギー源により活性化される付記第６０項の方法。

Ｂ０プラズマ流とその他の非プラズマ性反応物は主トラ
ンスファ室で活性化される、付記１８８０項の方法。

８５）プロセスされるべぎウェファの面は下方に面して
いる、付記第８０項の方法。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来技術のＥＣＲプラズマシステムの構成を
示す断面図である。 第２（ａ）図と＊　２　（ｂ）図は、それぞれその順で
従来技術の多極型ＥＣＲマイクロ波プラズマシステムの
構成を示す断面図と平面図である。 第３図は、分散多極型ＥＧＲプロセスモジュールの有用
な実施例の構成を示す断面図である。 第４図は、分散多極型ＥＣＲプロセスモジュールの第２
の有用な実施例の構成を示す断面図である。 第５図は、第３図と第４図の主トランスファ室の一つの
実施例の水平方向Ａ−Ａ’ｍ断面を示す断面図である。 第６図は、第３図と第４図の主トランスファ室の別の実
施例の水平方向Ａ−Ａ　’線断面を示す断面図である。 第７図は、第３図のプロセスモジュールの有用な実施例
のプラズマ形成領域の水平方向Ｂ−Ｂ　’線断面を示す
断面図である。 第８（ａ）図と第８（ｂ）図は、それぞれその順で分散
多極型ＥＣＲプロセスモジュールのプラズマ形成領域の
一つの有用な実施例の垂直方向ｃ−ｃ　’線断面と垂直
方向Ｄ−Ｄ’線断面を示す断面図である。 第９図は、第３図のプロセスモジュールの別の有用な実
施例のプラズマ形成領域の水平方向Ｂ−Ｂ　’線断面を
示す断面図である。 第１０（ａ）図と第１０（ｂ）図は、それぞれその順で
第９図の分散多極型ＥＣＲプロセスモジュールのプラズ
マ形成領域の一つの有用な実施例の垂直方向Ｅ−Ｅ’線
断面とＦ−Ｆ’線断面を示す断面図である。 第１１図は、分散多極型ＥＣＲプロセスモジュールのプ
ラズマ形成領域の一つの別の有用な実施例の水平方向Ｂ
−Ｂ　’線断面を示す断面図である。 第１２（ａ）図と第１２（ｂ）図は、それぞれその順で
第１１図で実施例として挙げた分散多極型ＥＧＲプロセ
スモジュールのプラズマ形成領域の一つの有用な実施例
の垂直方向Ｇ−Ｇ　’線断面と垂直方向Ｈ−Ｈ’線断面
を示す断面図である。 第１３図は、同じく第１１図で実施例として挙げた分散
多極型ＥＣＲプロセスモジュールのプラズマ形成領域の
一つの有用な実施例の垂直方向Ｊ−Ｊ　’線断面を示す
断面図である。 第１４　（ａ）図と第１４（ｂ）図は、それぞれその順
で同じく第１１図で実施例として挙げた分散多極型ＥＣ
Ｒプロセスモジュールのプラズマ形成領域の有用な実施
例の水平方向Ｂ−Ｂ　’線断面と垂直方向に−Ｋ　’線
断面を示す断面図である。 別個の図でも、同一の参照番号が類似の部分を示すのに
用いられている。更に、図においては。 図示を明確にするため、また説明を簡易にするため、種
々の部分の寸法や大きさを誇張したり歪ませたりしであ
る。 図中、参照番号は以下の通りである。 ＩＱ、、、、、、ＥＣＲモジュール ＋２．、、、、、プロセス室 １４、、、、、、ウェファ １７、、、、、、ウェファ支持体 １８、、、、、、真空ボンプロ １９、、、、、、ガス注入部 ２０、、、、、ヒータ ２２００．、、、窓 ３４、、、、、、主トランスファ室 ４８、、、、、、プラズマ形成領域 ５０、、、、、、ガス注入部 ５２、、、、、、アンテナ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （ａ）プロセス室と、 （ｂ）プロセス室と流体的に交流している主トランスフ
   ァ室と、 （ｃ）主トランスファ室を実質上取り囲む複数個の棒磁
   石と、 （ｄ）主トランスファ室の周囲を囲んで周辺上に分散し
   、それとは離れて、それと流体上交流している複数個の
   電子サイクロトロン共振プラズマ形成領域と、 （ｅ）該プラズマ形成領域の外表面を実質上取り囲む永
   久磁石である複数個の棒磁石 とから成り、分散型電子サイクロトロン共振遠隔プラズ
   マプロセスによりウェファを処理して集積回路デバイス
   を製造するための装置。