CN1154157C - 等离子体蚀刻系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一等离子体体反应器设备(1)，其改善了蚀刻均匀性并提高了刻蚀的产量。通过采用新型的气体输送机构(9a)和绝热的晶片吸盘(42)实现了更好的蚀刻均匀性。真空绝热的吸盘(42)还使得能量消耗低、及产量高。

Description

等离子体蚀刻系统
技术领域
本发明涉及一种改进了的等离子体反应器，尤其涉及一种能提高蚀刻的均匀性和产量的反应器。
背景技术
等离子体蚀刻已成为制造集成电路里的半导体器件的重要的工艺过程。任何制造半导体器件的等离子体工艺过程的关键要求是所造出的器件在整个晶片上的电特性必须均匀和一致。换句话说，等离子体蚀刻过程必须能使器件在厚度、大小和横截面这些结构方面具有高的均匀性。但是，当晶片的直径增加，器件的尺寸减小时，要获得这样的均匀性的困难也就随之增加了。等离子体蚀刻反应器必须在提高均匀性和产量的同时，还要降低生产成本。
整个晶片的器件结构的均匀性取决这样一些因素，如，气体导入容器的方式和整个晶片的温度梯度。为了使整个晶片均匀蚀刻，腐蚀气体必须以均匀方式导入等离子体反应器中。传统的作法是用许多小的导入孔将腐蚀气体导入反应容器。这种做法，不仅导入小孔的机加工很困难，而且在晶片上还是产生了均匀性问题。由于导入孔是在固定位置将气体导入到反应容器中去的，在小孔附近的气体密度最高，因此，气体不是匀衡地导入的，整个晶片蚀刻的均匀性随着导孔的数量和尺寸发生明显的变化。除了气体输送系统，晶片上的温度梯度也会影响蚀刻的均匀性。一些像金属蚀刻的等离子体工艺过程要求在等离子体过程中加热晶片。为了保持整个晶片上温度的均匀性，等离子体蚀刻系统必须要降低热耗量或降低晶片处的热传导。一般来讲，在等离子体处理中，仅仅蚀刻反应器中的晶片夹盘的上表面处于真空，而夹盘的下表面是在大气压力下。晶片夹盘下表面在大气压下引起了在夹盘下部对流所产生的热损耗。在处理过程中，不仅由于对流的热损耗降低了整个晶片的均匀性，而且由于在蚀刻之前加热器需用较长的时间加热晶片也使产量降低了。因此，为了提高蚀刻的均匀性和生产量，必须开发一种装置来降低晶片夹盘下表面的热损耗。
发明内容
从广义上来讲，本发明提供了一种能增加蚀刻均匀性并提高产量的装置。
本发明公开了一种将腐蚀气体引入等离子体蚀刻系统的新的改进型的装置。这种装置不再是通过一组导入小孔将气体导入容器，而是通过一个连续的环形间隙将气体导入。这种间隙可使流进容器的气体变成一种均匀并连续的薄气层，这可消除任何对蚀刻均匀性不利的固定位置的压差。这种连续的环形间隙提供一种放射状的平缓的气流梯度，这使得在晶片周围的气体浓度均衡分布，从而可得到很高的均匀性。
本发明还公开了一种高温绝热夹盘，这种夹盘可进一步提高蚀刻均匀性和晶片的产量。本发明中用的晶片夹盘的后表面有真空绝缘，这种绝缘使温度有很好的一致性。因此，整个晶片具有很好的蚀刻均匀性。这种等离子体蚀刻装置在晶片夹盘后部提供真空绝热，而不是处于大气压下，这就使得整个晶片有好的温度和蚀刻的均匀性。众所周知，真空的高温绝热性特别好，因为，真空不利于热传导。用夹盘下面引入软真空(soft vacuum)的方法，可减少从夹盘下表面因对流造成的热耗散，相反热肯定沿着罩在夹盘下面的真空罩的薄壁传导。热传输的减少也就减少了在处理中需要保持夹盘温度的热能量，因此，也就节约能耗和减少将夹盘的温差保持在允许范围的时间。降低热传输也减少了在蚀刻之前加热晶片的时间，于是，晶片的产量可提高。
具体地，本发明提供一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括：一个等离子体反应容器，所述容器具有一顶部组件；一个用来支撑将被处理的晶片的夹盘；一个通过环形空隙将气体导入所述容器的装置；一相邻于该环形空隙的环形周边法兰，该法兰被引进到所述容器中，以便给所述容器提供一薄气层；所述周边法兰与所述顶部组件相邻，以便将气体引入所述周边法兰和所述顶部组件之间的所述容器；并且其中所述法兰没有遍布用于接收一晶片的所述夹盘的区域。
附图说明
图1是说明了按本发明的整体装置的一个实施例的横截面图。
图2是说明了按本发明的气体输送装置的一个实施例的横截面图。
图3是说明了按本发明的晶片夹盘组件的一个实施例的横截面图。
具体实施方式
用图1的横截面图来说明按本发明的整体装置的一个实施例。该装置包括一个反应容器1，这个容器是用顶部石英窗4、圆柱型容器侧壁40、和晶片夹盘的形成和底盘组件42。在顶部石英窗4的底下并沿其周长是气体输送系统41。气体导入口14提供进入容器的反应物。在反应物进入气体导入口14后，通过U形气体通道进入环形气体内腔2a。该内腔是图2所示的气体输送装置的一部分。在图2中，气体从环形气体内腔2a通过许多缝槽2b进入环形气体增压器9b。气体内腔2a和气体增加器9b主要是用来保持合适的压差。气体通过在顶部石英窗4和气体法兰9之间的连续环形空隙9a，从环形气体增压器9b流到容器1中去。结果，气体通过在气体法兰9和顶部石英窗4之间的连续开口被引入容器，因此，产生了一种连续的气“壁”。
图3说明了晶片夹盘组件42的详细情况。晶片夹盘和底盘组件42包括晶片夹盘6，加热件7和底盘8。加热件7是插在晶片夹盘6和底盘8之间的。容器48通过气体设备19用真空发生器21抽成真空。因此，容器48处在真空下，任何热传输都几乎是沿着晶片夹盘6的侧壁46通过热传导进行的。

Claims (19)

1.一种处理半导体晶片的等离子体反应器，包括：
一个等离子体反应容器，所述容器具有一顶部组件；
一个用来支撑将被处理的晶片的夹盘；
一个通过环形空隙将气体导入所述容器的装置；
一相邻于该环形空隙的环形周边法兰，该法兰被引进到所述容器中，以便给所述容器提供一薄气层；
所述周边法兰与所述顶部组件相邻，以便将气体引入所述周边法兰和所述顶部组件之间的所述容器；并且
其中所述法兰没有遍布用于接收一晶片的所述夹盘的区域。
2.如权利要求1所述的等离子体反应器，
其中，所述用来导入气体的装置由多个气体增压器组成，通过该增压器可保持压差。
3.如权利要求1所述的等离子体反应器，
其中，所述用来导入气体的装置包括气体输送系统。
4.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述等离子体反应容器具有环形周边壁；
所述环形空隙与所述环形周边壁相邻；
所述环形空隙以平行于所述夹盘表面的方向导入气体，其中所述夹盘接收与之相邻的晶片；并且
所述空隙与所述顶部组件相邻并且没有遍布用于接收晶片的所述夹盘的区域。
5.如权利要求4所述的等离子体反应器，其中
所述环形空隙位于所述夹盘的上方。
6.如权利要求5所述的等离子体反应器，其中
配置所述环形空隙以便产生流入到所述容器中的薄气层。
7.如权利要求5所述的等离子体反应器，其中
当在所述夹盘上支撑一晶片时，所述环形空隙位于晶片的外围边缘。
8.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述环形空隙是连续的。
9.如权利要求1所述的等离子体反应器，还包括：
能在所述的夹盘周围产生真空环境的发生器，所述夹盘可从所述的等离子体反应容器上分离开，其中所述真空环境使所述夹盘绝热。
10.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述环形周边法兰是用来导引进行处理的气流的装置，以便使晶片周围的进行处理的气体浓度均衡分布。
11.如权利要求10所述的等离子体反应器，其中
所述环形周边法兰提供一种径向梯度的气流。
12.如权利要求10所述的等离子体反应器，其中
所述环形周边法兰提供一种减小晶片上局部压力差的气流。
13.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述等离子体反应器具有一由石英窗组成的顶部。
14.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述的环形空隙是连续的。
15.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述晶片具有平面表面，所述用来导入气体的装置以平行于所述晶片表面的方向导入气体。
16.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述等离子体反应容器具有与所述夹盘垂直的侧壁，并且其中所述用来导入气体的装置以垂直于所述侧壁的角度导入气体。
17.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
所述环形周边法兰与所述夹盘的部分平行，所述夹盘用于接收与之相邻的晶片。
18.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中
其中所述顶部组件是一窗口。
19.如权利要求1所述的反应器，其中
所述顶部组件是一石英窗。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100389639C (zh) * 2005-08-19 2008-05-21 友达光电股份有限公司 干蚀刻装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5985089A (en) * 1995-05-25 1999-11-16 Tegal Corporation Plasma etch system
US6461434B1 (en) * 1999-09-27 2002-10-08 Advanced Micro Devices, Inc. Quick-change flange
TW523557B (en) * 2000-02-21 2003-03-11 Nanya Technology Corp Exhausting method in a dry etching apparatus
JP2003524705A (ja) * 2000-02-22 2003-08-19 エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド 薄膜材料の堆積及び／又は表面改質用電子ビーム／マイクロ波ガス噴射ｐｅｃｖｄ方法並びに装置
US7270724B2 (en) 2000-12-13 2007-09-18 Uvtech Systems, Inc. Scanning plasma reactor
US6773683B2 (en) 2001-01-08 2004-08-10 Uvtech Systems, Inc. Photocatalytic reactor system for treating flue effluents
JP4540926B2 (ja) * 2002-07-05 2010-09-08 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP2004214336A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
CN102124820B (zh) * 2008-08-19 2014-09-10 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
US8241425B2 (en) * 2009-01-23 2012-08-14 Axcelis Technologies, Inc. Non-condensing thermos chuck
US8492736B2 (en) * 2010-06-09 2013-07-23 Lam Research Corporation Ozone plenum as UV shutter or tunable UV filter for cleaning semiconductor substrates
CN103163438A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 中国科学技术大学 一种微放电器性能测试装置及方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE295196C (zh) *
US4743570A (en) * 1979-12-21 1988-05-10 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4909314A (en) * 1979-12-21 1990-03-20 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4680061A (en) * 1979-12-21 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US4512283A (en) * 1982-02-01 1985-04-23 Texas Instruments Incorporated Plasma reactor sidewall shield
US4457359A (en) * 1982-05-25 1984-07-03 Varian Associates, Inc. Apparatus for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer
US4508161A (en) * 1982-05-25 1985-04-02 Varian Associates, Inc. Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer
US4542298A (en) * 1983-06-09 1985-09-17 Varian Associates, Inc. Methods and apparatus for gas-assisted thermal transfer with a semiconductor wafer
US4535834A (en) * 1984-05-02 1985-08-20 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system
JPS6139520A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS61116841A (ja) * 1984-11-12 1986-06-04 Fujitsu Ltd ドライエツチング装置
US4612077A (en) * 1985-07-29 1986-09-16 The Perkin-Elmer Corporation Electrode for plasma etching system
US5158644A (en) * 1986-12-19 1992-10-27 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
DE3882404T2 (de) * 1987-03-27 1993-12-23 Canon Kk Gerät zur Bearbeitung von Substraten.
US4790258A (en) * 1987-04-03 1988-12-13 Tegal Corporation Magnetically coupled wafer lift pins
US4780169A (en) * 1987-05-11 1988-10-25 Tegal Corporation Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus
US4875989A (en) * 1988-12-05 1989-10-24 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus
US5127988A (en) * 1989-12-27 1992-07-07 Yoshida Kogyo K.K. Process for the surface treatment of conductive material
US5211796A (en) * 1990-01-08 1993-05-18 Lst Logic Corporation Apparatus for performing in-situ etch of CVD chamber
US5447570A (en) * 1990-04-23 1995-09-05 Genus, Inc. Purge gas in wafer coating area selection
DD295196A5 (de) * 1990-06-15 1991-10-24 Veb Elektroamt Dresden,De Anordnung zur homogenisierung der ortsabhaengigkeit der schichtbildung oder des schichtabtrages
US5192849A (en) * 1990-08-10 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment
JPH0817171B2 (ja) * 1990-12-31 1996-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法
US5344525A (en) * 1991-01-29 1994-09-06 Micron Technology, Inc. Process for etching semiconductor devices
JPH05206069A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Fujitsu Ltd プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置
JP3079818B2 (ja) * 1992-12-25 2000-08-21 富士電機株式会社 プラズマ処理装置
US5800686A (en) * 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
US5372674A (en) * 1993-05-14 1994-12-13 Hughes Aircraft Company Electrode for use in a plasma assisted chemical etching process
US5466325A (en) * 1993-06-02 1995-11-14 Nitto Denko Corporation Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
US5556476A (en) * 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
US5985089A (en) * 1995-05-25 1999-11-16 Tegal Corporation Plasma etch system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100389639C (zh) * 2005-08-19 2008-05-21 友达光电股份有限公司 干蚀刻装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100453537B1 (ko) 2005-05-09
CN1239587A (zh) 1999-12-22
WO1996037910A1 (en) 1996-11-28
JP2005277442A (ja) 2005-10-06
CN1536626A (zh) 2004-10-13
US6120610A (en) 2000-09-19
CA2220546A1 (en) 1996-11-28
EP0888635A1 (en) 1999-01-07
US5958139A (en) 1999-09-28
EP0888635A4 (en) 2005-04-27
KR19990021890A (ko) 1999-03-25
JP2000509199A (ja) 2000-07-18
US5985089A (en) 1999-11-16

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