KR19990021890A - 플라즈마 에칭 시스템 - Google Patents

플라즈마 에칭 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 향상된 에칭 균일성 및 작업 처리 량을 가지고 있는 플라즈마 반응 장치(1)에 관한 것이다. 더욱 높아진 에칭 균일성은 새로운 가스 공급 메커니즘(9a) 및 단열된 웨이퍼 물림 쇠(42)의 사용을 통해서 이루어진다. 또한, 진공 단열 물림 쇠(42)는 더 낮은 에너지 소비 및 더 높은 작업 처리 량을 가져온다.

Description

플라즈마 에칭 시스템
플라즈마 에칭은 집적 회로(集積 回路)들로 이루어진 반도체(半導體) 소자들의 제조 공정에서 중요한 공정이 되고 있다. 반도체 소자들의 제조 공정에 사용되는 플라즈마 공정의 주요 필요 조건은, 형성된 소자들이 웨이퍼를 가로질러서 균일하고 일정한 전기적 특성들을 가져야 한다는 것이다. 바꾸어 말하면, 플라즈마 에칭 공정은, 두께, 치수 및 횡단면 형상에 있어서 매우 균일한 소자 구조들을 생성할 수 있어야 한다. 그러나, 그러한 균일성은 웨이퍼들의 직경이 증가하고 소자의 치수가 적어짐에 따라서 점점 얻기가 어려워지고 있다. 생산 비용을 낮추고자 하는 요구를 충족시키면서, 플라즈마 에칭 반응기들은 향상된 균일성 및 작업 처리 량을 가질 수 있어야 한다.
웨이퍼를 가로지르는 소자 구조들의 균일성은, 가스가 챔버내로 유입되는 방식과 웨이퍼를 가로지르는 온도 변화율과 같은 인자들에 달려 있다. 웨이퍼를 가로질러서 균일한 에칭을 하기 위하여, 에칭 가스는 일정한 방식으로 플라즈마 반응기 내측으로 유입되어야만 한다. 일반적으로, 이는, 에칭 가스가 반응 챔버의 내측으로 흘러 들어가게 하는 복수 개의 작은 유입 홀의 사용을 통해서 이루어진다. 상기 유입 홀들은 기계로 만들기가 어려울 뿐만 아니라 웨이퍼 상에 균일성의 문제를 야기한다. 상기 유입 홀들은, 홀들에 인접하여 있는 부위 내에서 가스의 최대 밀도를 가지는 국부적인 방식으로 반응 챔버내로 가스를 유입시킨다. 따라서, 가스는 균일하게 유입되지 않으며, 웨이퍼를 가로지르는 에칭 균일성은 사용되는 유입 홀의 크기 및 개수에 매우 의존하여 변화한다.
가스 공급 시스템 이외에도, 웨이퍼 상의 온도 변화율의 정도 또한 에칭 균일성에 영향을 미친다. 플라즈마 공정 동안에, 특정 금속 에칭과 같은 특정 플라즈마 공정들은 웨이퍼가 가열되는 것이 필요하다. 웨이퍼를 가로질러서 온도를 일정하게 유지하기 위하여, 플라즈마 에칭 시스템은 웨이퍼가 놓여 있는 웨이퍼로부터의 열 손실량 또는 열 전달 량을 줄일 수 있어야 한다. 일반적으로, 플라즈마 공정 동안에, 플라즈마 반응기내에 있는 웨이퍼 물림쇠(wafer chuck)의 상부 표면만이 진공상태에 있고, 반면에, 상기 물림 쇠의 바닥 표면은 일반적으로 대기압 상태에 있다. 웨이퍼 물림 쇠의 바닥 표면이 대기압 상태에 있다는 사실은, 물림쇠 하부에서의 대류를 통한 열 손실을 가져온다. 대류 열 손실은 공정 동안에 웨이퍼를 가로지르는 온도 균일성을 줄일 뿐만 아니라, 가열기가 에칭 이전에 웨이퍼를 가열하기 위하여 더 오랫동안 가열하여야 하기 때문에 작업 처리 량을 감소시킨다. 그러므로, 에칭 균일성을 증가시키기 위하여 웨이퍼 물림 쇠의 바닥 표면으로부터의 열 손실을 줄이는 수단을 개발할 필요성이 있다.
본 발명은 개선된 플라즈마 반응기에 관한 것으로서, 특히, 에칭 균일성을 향상시키고 작업 처리 량을 증가시킬 수 있도록 설계되어 있는 반응기에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 장치의 일 실시 예를 도시한 횡단면도.
도 2는 본 발명에 의한 가스 공급 장치의 일 실시 예를 도시한 횡단면도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼 물림 쇠 어셈블리의 일 실시 예를 도시한 횡단면도.
광의의 의미로서, 본 발명은 향상된 에칭 균일성 및 증가된 작업 처리 량을 얻을 수 있는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 에칭 가스를 플라즈마 에칭 시스템 내로 유입시킬 수 있는 새롭게 개선된 장치를 개시하고 있다. 쭉 늘어선 작은 유입 구들을 통해서 가스를 챔버내측으로 유입시키는 대신에, 가스는 연속적인 원형 갭을 통하여 챔버 내측으로 유입되는데, 이는, 챔버 내측으로 흘러 들어가는 가스의 일정하고 연속적인 퍼짐 상태를 가져온다. 이는, 에칭 균일성에 불리하게 작용하는 국부적인 압력 차이를 제거한다. 상기 연속적인 원형 갭은, 웨이퍼 둘레의 가스의 밀도를 균일하게 분포되게 하여 높은 에칭 균일성을 가져오게 하는 반경 방향으로 완만한 가스 흐름의 변화율을 제공한다.
본 발명은 또한, 더 높은 에칭 균일성 및 웨이퍼 작업 처리 량에 기여하는 열 적으로 단열 되어 있는 가열된 물림 쇠를 개시하고 있다. 본 발명에 사용되는 웨이퍼 물림 쇠의 후방 표면에 제공되어 있는 진공 단열은, 더 양호한 온도 균일성을 가져와서, 웨이퍼를 가로지르는 더 양호한 에칭 균일성을 가져온다. 대기압 상태에 있는 것을 제외하고, 본 플라즈마 에칭 장치는 웨이퍼 물림 쇠의 후방에 진공 단열 상태를 제공하는데, 이는, 더 양호한 온도 및 웨이퍼를 가로지르는 에칭 균일성을 가져온다. 대기압 상태는 열 전달에 대해서는 불충분한 매체이기 때문에 진공 상태가 양호한 단열 상태를 제공하는 것은 잘 알려져 있는 사실이다. 물림 쇠 아래에 부분 진공 상태를 가져옴으로서, 대류를 통해서 물림 쇠의 바닥 표면으로부터의 열 소실을 제공한다. 대신, 열은 물림 쇠 아래의 진공 하우징의 얇은 벽을 따르는 전도에 의해서 전달되어야 한다. 이 같은 열 전달의 감소는 또한, 웨이퍼 공정 동안의 물림 쇠의 온도를 유지하기 위하여 필요로 하는 열량을 줄여서, 에너지 비용을 절약할 수 있고, 허용 오차 내에서의 물림 쇠의 온도 변동을 유지하는 시간을 줄일 수 있다. 또한 감소된 열 전달은 에칭 이전에 웨이퍼를 가열하는데 필요한 시간을 줄일 수 있어서, 웨이퍼의 작업 처리 량을 증가시킨다.
본 발명에 의한 장치의 일 실시 예가 도 1에 횡단면으로 도시되어 있다. 상기 장치는, 상부 수정 창(4)에 의해 형성되어 있는 반응 챔버(1), 원통형 챔버 측벽(40) 및 웨이퍼 물림 쇠와 바닥 판 어셈블리(42)를 포함하고 있다. 가스 공급 시스템(41)은 상부 수정 창(4)의 경계 아래 또는 경계를 따라서 장착되어 있다. 가스 입구(14)는 챔버로의 반응물 입구를 제공한다. 반응물이 가스 입구(14)를 통해서 장치 내로 들어간 후, 반응물은, 도 2에 도시된 가스 공급 장치의 일부인, 원형의 가스 공동(空洞)(2a)으로 U 자 형상의 가스 통로(44)를 통하여 흐른다. 도 2에서, 원형의 가스 공동(2a)로부터의 가스는 복수 개의 슬롯(2b)을 통과하여 원형의 가스 충전실(充塡室)(9b) 내측으로 들어간다. 가스 공동(2a) 및 가스 충전실(9b)은 적당한 압력 차이를 유지하기 위하여 도입되었다. 원형의 가스 충전실(9b)로부터, 가스는 상부 수정 창(4)과 가스 플랜지(9)사이에 있는, 연속적인 원형 갭(9a)을 통하여 챔버(1)내로 유입한다. 결과적으로, 가스는, 연속적인 가스 벽을 만드는 가스 플랜지(9)와 상부 수정 창(4)사이의 연속적인 개구를 통하여 챔버내로 유입된다.
도 3은, 웨이퍼 물림 쇠 어셈블리(42)를 상세하게 도시하고 있다. 상기 웨이퍼 물림 쇠 및 바닥 판 어셈블리(42)는 웨이퍼 물림 쇠(6), 가열 요소(7) 및 후방 판(8)을 포함하고 있다. 상기 가열 요소(7)는 웨이퍼 물림 쇠(6)와 후방 판(8)사이에 억지 끼움 되어 있다. 용적부(48)는, 진공 발생기(21)에 의해서 가스 끼워 맞춤부(19)를 통해서 비워진다. 용적부(48)가 진공 상태에 있기 때문에, 열 전달은, 웨이퍼 물림 쇠(6)의 측 벽(46)을 따라서 전도를 통해서 대부분 일어난다.

Claims (25)

  1. 플라즈마 반응 챔버;
    처리되는 웨이퍼를 지지하기 위한 물림 쇠; 및
    환형의 연속적인 갭을 통하여 상기 챔버의 내측으로 가스를 유입시키기 위한 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 플라즈마 반응기.
  2. 상기 제 1 항에 있어서,
    상기 갭은 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 플라즈마 반응기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스를 유입시키기 위한 수단은
    적절한 압력 차이가 유지될 수 있도록 복수 개의 가스 충전 실을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 플라즈마 반응기.
  4. 플라즈마 반응 챔버;
    처리되는 웨이퍼를 지지하기 위한 물림 쇠; 및
    환형 연속 갭을 통하여 상기 챔버의 내측으로 가스를 유입시키기 위한 가스 공급 시스템을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 플라즈마 반응기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 갭은 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 플라즈마 반응기.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 가스 공급 시스템은
    적절한 압력 차이가 유지될 수 있도록 복수 개의 가스 충전 실을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 플라즈마 반응기.
  7. 플라즈마 반응 챔버;
    처리되는 웨이퍼를 지지하기 위한 물림 쇠;
    상기 물림 쇠를 가열하기 위한 수단; 및
    상기 물림 쇠 둘레에 진공 상태를 발생시키기 위한 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  8. 플라즈마 반응 챔버;
    처리되는 웨이퍼를 지지하기 위한 물림 쇠;
    상기 물림 쇠를 가열하기 위한 가열기; 및
    상기 물림 쇠 둘레에 진공 상태를 만들기 위한 둘러싼 벽을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  9. 반응 챔버; 및
    상기 챔버의 내측으로 가스를 유입시킬 수 있도록 적응되어 있는 환형 갭을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 환형의 외주 벽을 구비하고 있고; 상기 환형 갭은 상기 환형 외주 벽에 인접하여 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  11. 제 9 항에 있어서,
    처리되는 웨이퍼를 지지하기 위하여 적응되어 있는 장치를 포함하고 있고; 상기 환형 갭은 상기 장치 위에 위치하고 있는 것을 특징으로 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 환형 갭은
    상기 챔버의 내측으로 유입되는 가스의 연속적인 퍼짐 상태를 생성할 수 있도록 형성되어 있는 것을 특징으로 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 반응 챔버는 환형 외주 벽을 구비하고 있고;
    상기 환형 갭은 상기 환형 외주 벽에 인접하여 위치되어 있으며;
    처리되는 웨이퍼를 지지할 수 있도록 적응되어 있는 장치를 포함하고 있고;
    상기 환형 갭은 상기 장치 위에 위치되어 있고;
    상기 환형 갭은 상기 장치를 가로질러서 흐를 수 있는 가스의 퍼짐 상태를 생성할 수 있도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  14. 제 9 항에 있어서,
    외주 벽을 구비하고 있는 웨이퍼를 지지하기 위하여 적응되어 있는 장치를 포함하고 있고;
    웨이퍼가 상기 장치 상에 지지되어 있을 때 웨이퍼의 외주 벽 주변에 위치되어 있는 상기 환형 갭을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 반응기는 상기 상부에 인접하여 위치되어 있는 상부 및 외주 플랜지를 구비하고 있고;
    상기 환형 갭은 상기 상부 및 상기 외주 플랜지사이에 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 환형 갭은 연속적인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 장치는 물림 쇠인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  18. 반응 챔버;
    웨이퍼가 처리되는 위치로 적응되어 있는 물림 쇠; 및
    상기 반응 챔버로부터 분리된 상기 물림 쇠 둘레에 진공 상태를 생성할 수 있는 발생기를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반응기.
  19. 반응 챔버;
    웨이퍼가 처리되는 위치로 적응되어 있는 물림 쇠; 및
    상기 물림 쇠에 인접하여 진공 상태를 유지하기 위하여 제작되어 있고, 상기 물림 쇠 둘레에 위치되어 있는 둘러싼 벽을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반응기.
  20. 반응 챔버;
    후방 부를 구비하고 있고, 웨이퍼가 처리되는 위치로 적응되어 있는 장치; 및
    진공 상태를 유지할 수 있고, 상기 장치의 후방 부에 인접하여 위치되어 있는 후방 챔버를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반응기.
  21. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치는 물림 쇠인 것을 특징으로 하는 반응기.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 물림 쇠는
    물림 쇠 가열기를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반응기.
  23. 반응 챔버;
    웨이퍼를 위치시키기 위해 적응되어 있는 장치; 및
    웨이퍼 둘레의 공정 가스의 밀도가 균일하게 분포될 수 있도록 공정 가스의 흐름을 통제하기 위한 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 통제 수단은
    가스 흐름의 반경 방향의 변화율을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 통제 수단은
    웨이퍼에 대한 국부 압력 차이를 제거하는 가스 흐름을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 반응기.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5985089A (en) * 1995-05-25 1999-11-16 Tegal Corporation Plasma etch system
US6461434B1 (en) * 1999-09-27 2002-10-08 Advanced Micro Devices, Inc. Quick-change flange
TW523557B (en) * 2000-02-21 2003-03-11 Nanya Technology Corp Exhausting method in a dry etching apparatus
EP1275129B1 (en) * 2000-02-22 2008-09-24 Energy Conversion Devices, Inc. E-beam/microwave gas jet pecvd method and apparatus for depositing and/or surface modification of thin film materials
US7270724B2 (en) 2000-12-13 2007-09-18 Uvtech Systems, Inc. Scanning plasma reactor
US6773683B2 (en) 2001-01-08 2004-08-10 Uvtech Systems, Inc. Photocatalytic reactor system for treating flue effluents
JP4540926B2 (ja) * 2002-07-05 2010-09-08 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP2004214336A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
CN100389639C (zh) * 2005-08-19 2008-05-21 友达光电股份有限公司 干蚀刻装置
CN102124820B (zh) * 2008-08-19 2014-09-10 朗姆研究公司 用于静电卡盘的边缘环
US8241425B2 (en) * 2009-01-23 2012-08-14 Axcelis Technologies, Inc. Non-condensing thermos chuck
US8492736B2 (en) * 2010-06-09 2013-07-23 Lam Research Corporation Ozone plenum as UV shutter or tunable UV filter for cleaning semiconductor substrates
CN103163438A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 中国科学技术大学 一种微放电器性能测试装置及方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE295196C (ko) *
US4909314A (en) * 1979-12-21 1990-03-20 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4743570A (en) * 1979-12-21 1988-05-10 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4680061A (en) * 1979-12-21 1987-07-14 Varian Associates, Inc. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment
US4512391A (en) * 1982-01-29 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet
US4512283A (en) * 1982-02-01 1985-04-23 Texas Instruments Incorporated Plasma reactor sidewall shield
US4457359A (en) * 1982-05-25 1984-07-03 Varian Associates, Inc. Apparatus for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer
US4508161A (en) * 1982-05-25 1985-04-02 Varian Associates, Inc. Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer
US4542298A (en) * 1983-06-09 1985-09-17 Varian Associates, Inc. Methods and apparatus for gas-assisted thermal transfer with a semiconductor wafer
US4535834A (en) * 1984-05-02 1985-08-20 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system
JPS6139520A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS61116841A (ja) * 1984-11-12 1986-06-04 Fujitsu Ltd ドライエツチング装置
US4612077A (en) * 1985-07-29 1986-09-16 The Perkin-Elmer Corporation Electrode for plasma etching system
US5158644A (en) * 1986-12-19 1992-10-27 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
DE3882404T2 (de) * 1987-03-27 1993-12-23 Canon Kk Gerät zur Bearbeitung von Substraten.
US4790258A (en) * 1987-04-03 1988-12-13 Tegal Corporation Magnetically coupled wafer lift pins
US4780169A (en) * 1987-05-11 1988-10-25 Tegal Corporation Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus
US4875989A (en) * 1988-12-05 1989-10-24 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus
US5127988A (en) * 1989-12-27 1992-07-07 Yoshida Kogyo K.K. Process for the surface treatment of conductive material
US5211796A (en) * 1990-01-08 1993-05-18 Lst Logic Corporation Apparatus for performing in-situ etch of CVD chamber
US5447570A (en) * 1990-04-23 1995-09-05 Genus, Inc. Purge gas in wafer coating area selection
DD295196A5 (de) * 1990-06-15 1991-10-24 Veb Elektroamt Dresden,De Anordnung zur homogenisierung der ortsabhaengigkeit der schichtbildung oder des schichtabtrages
US5192849A (en) * 1990-08-10 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment
JPH0817171B2 (ja) * 1990-12-31 1996-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法
US5344525A (en) * 1991-01-29 1994-09-06 Micron Technology, Inc. Process for etching semiconductor devices
JPH05206069A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Fujitsu Ltd プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置
JP3079818B2 (ja) * 1992-12-25 2000-08-21 富士電機株式会社 プラズマ処理装置
US5800686A (en) * 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
US5372674A (en) * 1993-05-14 1994-12-13 Hughes Aircraft Company Electrode for use in a plasma assisted chemical etching process
US5466325A (en) * 1993-06-02 1995-11-14 Nitto Denko Corporation Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
US5556476A (en) * 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
US5985089A (en) * 1995-05-25 1999-11-16 Tegal Corporation Plasma etch system

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