JPH05206069A - プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents

プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置

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JPH05206069A
JPH05206069A JP4013674A JP1367492A JPH05206069A JP H05206069 A JPH05206069 A JP H05206069A JP 4013674 A JP4013674 A JP 4013674A JP 1367492 A JP1367492 A JP 1367492A JP H05206069 A JPH05206069 A JP H05206069A
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etched
exhaust
etching
plasma
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靖 石丸
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 チャージフリーラジカル型プラズマエッチン
グ法とプラズマエッチング装置に関し、エッチング分布
の均一性を向上する。 【構成】 マイクロ波あるいは高周波電磁波によってエ
ッチングガスをプラズマ化し、このプラズマを遮蔽板６
によって遮断して活性種のみを被エッチングウェハ９に
供給するダウンフロー型のプラズマエッチング法におい
て、凹凸のない平面状のウェハステージ８に被エッチン
グウェハ９を保持し、かつ、被エッチングウェハ９より
も大きい直径をもつ円筒状の排気リング１０を被エッチ
ングウェハ９と同心円状に配置し、排気リング１０とウ
ェハステージ８の間に形成される排気間隙から全円周に
わたって排気し、被エッチングウェハ９の表面付近で活
性種の渦を発生させることによってエッチング分布の均
一性を向上する。この際、排気間隙の幅を調節して被エ
ッチングウェハ９の面内エッチング分布を調節すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波高周波等の
電磁波によってエッチングガスをプラズマ化して活性化
し、このプラズマを遮蔽板によって遮断して活性種（ラ
ジカル）のみを被エッチングウェハと反応させてエッチ
ングするチャージフリーラジカル型（ダウンフロー型）
のプラズマエッチング法とそれに用いるプラズマエッチ
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン等のウェハの表面をエッチング
するにあたって、要求されるエッチング条件の重要な項
目の一つに面内のエッチング分布特性がある。このエッ
チング分布特性は、ウェハの大口径化に伴ない、広い範
囲においてエッチング分布を均一化することが要求され
ている。そのため、ウェハ近傍の雰囲気のガス圧や、ガ
スの流れを精密に制御して、ウェハ全面にわたって活性
種が均一に行き渡るようにしなければならない。
【０００３】図５は、従来のプラズマエッチング装置の
模式的構成説明図である。この図において、５１はエッ
チングガス供給管、５２はプラズマ発生室、５３は石英
板またはセラミック板（以下μ波透過窓という）、５４
は導波管、５５はプラズマ流出口、５６は遮蔽板、５７
はエッチング室、５８はウェハステージ、５９は被エッ
チングウェハ、６０は排気口である。
【０００４】従来のプラズマエッチング装置は、この図
に模式的に示されるとおりであるが、この装置のウェハ
ステージ５８の上にシリコン等の被エッチングウェハ５
９を載置し、エッチングガス供給管５１を通して、ＣＦ
4 ＋Ｏ2 等のエッチングガスをプラズマ発生室５２に供
給し、このエッチングガスを、図示されていないマイク
ロ波発生装置から導波管５４中を伝搬し、μ波透過窓５
３を通してプラズマ発生室５２中に入射されるマイクロ
波によってプラズマ化し、プラズマ流出口５５からエッ
チング室５７に流出させる。
【０００５】このプラズマは、エッチング室５７に流出
する際遮蔽板５６の背面の間隙を通過するときに中和さ
れ、エッチング活性種（ラジカル）としてウェハステー
ジ５８上の被エッチングウェハ５９と反応しエッチング
した後に排気口６０から排気される。
【０００６】そして、従来はこの装置のウェハステージ
５８の高さを調節して被エッチングウェハをエッチング
し、試行錯誤によってエッチング分布の最もよい高さを
決定していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェハ
ステージ５８の高さを調節するだけでは、被エッチング
ウェハの表面に活性種を均一に当てることができないた
め、エッチング面内分布を３〜５％にするのが限界であ
り、これ以上均一なエッチングができないため、このウ
ェハを用いた半導体装置の製造歩留りの低下を生じてい
た。本発明は、上記の問題に鑑み、被エッチングウェハ
のエッチング分布の均一性を向上することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるプラズマ
エッチング法においては、マイクロ波あるいは高周波電
磁波によってエッチングガスをプラズマ化し、プラズマ
を遮蔽板により遮断して活性種のみを被エッチングウェ
ハ面に供給するダウンフロー型のプラズマエッチング法
において、凹凸のない平面状のウェハステージに被エッ
チングウェハを保持し、かつ、該被エッチングウェハよ
りも大きい直径をもつ円筒状の排気リングを該被エッチ
ングウェハと同心円状に配置して、該排気リングとウェ
ハステージの間に形成される排気間隙から全円周にわた
って排気する過程を採用した。
【０００９】この場合、排気間隙の幅を調節することに
よって被エッチングウェハの面内エッチング分布を調節
することができる。
【００１０】また、本発明にかかるプラズマエッチング
装置においては、エッチングガス供給ポートと、該エッ
チングガス供給ポートから供給されたエッチングガスを
マイクロ波あるいは高周波電磁波によってプラズマ化す
るプラズマ発生室と、該プラズマを遮断して活性種のみ
を流出する遮蔽板と、凹凸のない平面を有するウェハス
テージと、被エッチングウェハよりも大きい直径をも
ち、該被エッチングウェハと同心状に配置された円筒状
の排気リングとを有し、該排気リングの上端とウェハス
テージの間に形成される排気間隙から全円周にわたって
排気される構成を採用した。
【００１１】この場合、排気間隙の幅を調節する機能を
もさせ、被エッチングウェハの面内エッチング分布が調
節されるようにすることができる。
【００１２】
【作用】本発明者らは数多くの実験により、凹凸がなく
被エッチングウェハよりも大きい平面を有するウェハス
テージに被エッチングウェハを保持し、かつ、この被エ
ッチングウェハよりも大径の円筒状の排気リングを被エ
ッチングウェハと同心状に配置し、プラズマ発生室のガ
ス圧ＰP と中空リング内のガス圧ＰR と中空リングの外
部のガス圧ＰO の圧力関係が、ＰP ＞ＰR ＞ＰO となる
ようにウェハステージと排気リングの間に形成される間
隙を調節することによってエッチング分布特性を改善で
きることを発見した。
【００１３】図１は、本発明のプラズマエッチング装置
の原理説明図である。この図において、１はエッチング
ガス供給口、２はプラズマ発生室、３はμ波透過窓、４
は導波管、５はプラズマ流出口、６は遮蔽板、７はエッ
チング室、８はウェハステージ、９は被エッチングウェ
ハ、１０は排気リング、１１は排気間隙、１２は排気口
である。
【００１４】本発明のプラズマエッチングで使用される
プラズマエッチング装置は、この原理説明図に示される
とおり、平坦なウェハステージ８の上に被エッチングウ
ェハ９を保持し、被エッチングウェハ９だけがウェハス
テージ８の表面から突出しそれ以外は平面状になるよう
にした状態で、エッチングガス供給口１を通して、ＣＦ
4 ＋Ｏ2 等のエッチングガスをプラズマ発生室２に供給
し、このエッチングガスを、マイクロ波発生装置から導
波管４中を伝搬し、μ波透過窓３を通してプラズマ発生
室２中に入射されるマイクロ波によってプラズマ化して
活性化し、このプラズマをプラズマ流出口５からエッチ
ング室７に供給する。
【００１５】そして、このプラズマは、プラズマ流出口
５を通り、遮蔽板６の背面の間隙を通ってエッチング室
７に流出される際に中和され、エッチング活性種（ラジ
カル）としてウェハステージ８上の被エッチングウェハ
９をエッチングする。
【００１６】そしてまた、被エッチングウェハ９をエッ
チングした後のエッチング活性種（ラジカル）は、排気
リング１０とウェハステージ８の間に形成された排気間
隙１１を通って排気口１２から排出される。
【００１７】本発明者らは、種々の高さの排気リング１
０を用いて排気間隙１１の幅を変化することによってエ
ッチング室７から排気口１２を通して排気する際のガス
のコンダクタンスを変化させて、それぞれの状態で排気
リング１０の内側の圧力ＰR、排気リング１０の外側の
圧力ＰO 、プラズマ発生室２の圧力ＰP の関係をＰP＞
ＰR ＞ＰO となるようにし、被エッチングウェハ９の面
内エッチング分布を測定した。
【００１８】図２は、本発明のプラズマエッチング装置
の排気間隙と面内エッチング分布の関係図である。この
図の横軸は排気リング１０の高さ、すなわち、排気間隙
の幅、縦軸が熱酸化膜を全面に付けたウェハの面内エッ
チング分布を示している。
【００１９】この図に示されるように、排気リング１０
の高さ、したがって排気間隙１１の幅を調節し、前記の
ように、排気リング１０の内側の圧力ＰR 、排気リング
１０の外側の圧力ＰO 、プラズマ発生室２の圧力ＰP の
関係をＰP ＞ＰR ＞ＰO として、エッチング室７の中に
供給される活性種の量を、エッチング室７の外へ排気さ
れる活性種の量よりも若干多くなるようにし、被エッチ
ングウェハ９の表面付近で活性種の渦を発生させること
によって、被エッチングウェハ９の表面を均一にエッチ
ングすることができ、図にみられるとおり、排気間隙１
１の幅を５ｍｍとしたときには面内エッチング分布を
０．８％まで改善されることが判った。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図３は、
本発明の一実施例のプラズマエッチング装置の構成説明
図である。この図において、２１はエッチングガス導入
ポート、２２はプラズマ発生室、２３は遮蔽板、２４は
導波管、２５はセラミック板、２６はウェハステージ、
２７は被エッチングウェハ、２８は排気リング、２９は
真空排気ポート、３０、３１は冷却液循環装置である。
【００２１】この実施例においては、エッチングガス導
入ポート２１を経て、プラズマ発生室２２に導入された
ＣＦ4 ＋Ｏ2 等のエッチングガス（プロセスガス）は、
導波管２４中を伝送され、セラミック板２５を通過した
マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）によってプラズマ化さ
れ、このプラズマは遮蔽板２３の背面の間隙を通過する
ときに中和されて、活性種（ラジカル）だけがウェハス
テージ２６に静電吸着により保持されている被エッチン
グウェハ２７の表面上に到達して被エッチングウェハ２
７の上に被覆されている酸化膜をエッチングする。
【００２２】そして、このエッチングガスは、排気リン
グ２８とウェハステージ２６の間の間隙を通過して、全
円周から均一に真空排気ポート２９を通って排気され
る。なお、３０、３１はプラズマ発生室２２を冷却する
ための冷却液循環装置を示したものである。
【００２３】この本実施例のプラズマエッチング装置の
数値はつぎのとおりである。 排気間隙・・・・・・・・・・・・・・・５ｍｍ 排気リングの内径・・・・・・・・・２５０ｍｍ 排気リングの高さ・・・・・・・・・・６０ｍｍ プラズマ発生室の高さ・・・・・・・・・１ｍｍ 遮蔽板の直径・・・・・・・・・・・２００ｍｍ 遮蔽板とプラズマ発生室の間隙・・・・・３ｍｍ
【００２４】図４（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施例
の排気リングの変形態様の概略構成説明図である。この
図において、４１は固定排気リング、４２は可動排気リ
ング、４３は排気リング、４４は微調整ウェハステージ
である。
【００２５】図４（Ａ）の排気リングは、固定排気リン
グ４１とこれに内接する可動排気リング４２からなり、
可動排気リング４２を軸方向に移動することによって高
さを調節できる可調整排気リングを示している。
【００２６】また、図４（Ｂ）は排気リング４３の上の
微調整ウェハステージ４４の高さを調節して、排気リン
グ４３の上端と微調整ウェハステージ４４の間の排気間
隙を調節できるようにした例を示している。このように
排気間隙を微調整することによって、被エッチングウェ
ハのエッチング分布を均一にする最適条件を設定するこ
とができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
被エッチングウェハのエッチングの面内分布を均一化す
ることができ、半導体装置の特性の改善と歩留りの向上
に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマエッチング装置の原理説明図
である。
【図２】本発明のプラズマエッチング装置の排気間隙と
面内エッチング分布の関係図である。
【図３】本発明の一実施例のプラズマエッチング装置の
構成説明図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施例の排気リ
ングの変形態様の概略構成説明図である。
【図５】従来のプラズマエッチング装置の模式的構成説
明図である。
【符号の説明】
１ エッチングガス供給口 ２ プラズマ発生室 ３ 石英板またはセラミック板（μ波透過窓） ４ 導波管 ５ プラズマ流出口 ６ 遮蔽板 ７ エッチング室 ８ ウェハステージ ９ 被エッチングウェハ １０ 排気リング １１ 排気間隙 １２ 排気口

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロ波あるいは高周波電磁波によっ
    てエッチングガスをプラズマ化し、該プラズマを遮蔽板
    によって遮断して活性種のみを被エッチングウェハに供
    給するダウンフロー型のプラズマエッチング法におい
    て、凹凸のない平面状のウェハステージに被エッチング
    ウェハを保持し、かつ、該被エッチングウェハよりも大
    きい直径をもつ円筒状の排気リングを該被エッチングウ
    ェハと同心円状に配置し、該排気リングとウェハステー
    ジの間に形成される排気間隙から全円周にわたって排気
    することを特徴とするプラズマエッチング法。
  2. 【請求項２】 排気間隙の幅を調節することによって被
    エッチングウェハの面内エッチング分布を調節すること
    を特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング法。
  3. 【請求項３】 エッチングガス供給ポートと、該エッチ
    ングガス供給ポートから供給されたエッチングガスをマ
    イクロ波あるいは高周波電磁波によってプラズマ化する
    プラズマ発生室と、該プラズマを遮断して活性種のみを
    流出する遮蔽板と、凹凸のない平面を有するウェハステ
    ージと、被エッチングウェハよりも大きい直径をもち、
    該被エッチングウェハと同心状に配置された円筒状の排
    気リングとを有し、該排気リングの上端とウェハステー
    ジの間に形成される排気間隙から全円周にわたって排気
    されることを特徴とするプラズマエッチング装置。
  4. 【請求項４】 排気間隙の幅を調節する機能をもち、被
    エッチングウェハの面内エッチング分布が調節されるこ
    とを特徴とする請求項３記載のプラズマエッチング装
    置。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556475A (en) * 1993-06-04 1996-09-17 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma reactor
JP3438109B2 (ja) * 1994-08-12 2003-08-18 富士通株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5985089A (en) * 1995-05-25 1999-11-16 Tegal Corporation Plasma etch system
US6342135B1 (en) * 1995-11-02 2002-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Sputter etching chamber with improved uniformity
US5908319A (en) * 1996-04-24 1999-06-01 Ulvac Technologies, Inc. Cleaning and stripping of photoresist from surfaces of semiconductor wafers
US5885353A (en) * 1996-06-21 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Thermal conditioning apparatus
EP0821395A3 (en) * 1996-07-19 1998-03-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US6379575B1 (en) * 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US6797188B1 (en) 1997-11-12 2004-09-28 Meihua Shen Self-cleaning process for etching silicon-containing material
JP2001284340A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6450117B1 (en) 2000-08-07 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Directing a flow of gas in a substrate processing chamber
KR100422446B1 (ko) * 2001-07-12 2004-03-12 삼성전자주식회사 건식식각장치의 이그저스트링
US6676760B2 (en) 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
US6829056B1 (en) 2003-08-21 2004-12-07 Michael Barnes Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates
JP4705816B2 (ja) 2005-07-27 2011-06-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR101501426B1 (ko) * 2006-06-02 2015-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 차압 측정들에 의한 가스 유동 제어
JP5358436B2 (ja) * 2007-07-11 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US8118946B2 (en) * 2007-11-30 2012-02-21 Wesley George Lau Cleaning process residues from substrate processing chamber components
CN101939466B (zh) * 2008-02-06 2012-07-18 友技科株式会社 等离子体cvd装置、等离子体cvd方法
KR102164678B1 (ko) 2009-08-31 2020-10-12 램 리써치 코포레이션 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들
WO2021084561A1 (en) * 2019-10-31 2021-05-06 Indian Institute Of Science Microwave-assisted apparatus, system and method for deposition of films on substrates

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5623745A (en) * 1979-08-01 1981-03-06 Hitachi Ltd Plasma etching device
JPS6188528A (ja) * 1984-10-08 1986-05-06 Fujitsu Ltd エツチング装置
US4836902A (en) * 1987-10-09 1989-06-06 Northern Telecom Limited Method and apparatus for removing coating from substrate
JPH0642462B2 (ja) * 1988-09-07 1994-06-01 日電アネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JPH07116611B2 (ja) * 1988-12-07 1995-12-13 日電アネルバ株式会社 バイアスｅｃｒ装置
DE69017271T2 (de) * 1989-06-15 1995-06-22 Semiconductor Energy Lab Gerät zur Bearbeitung mittels Mikrowellen in einem magnetischen Feld.
JPH0361377A (ja) * 1989-07-28 1991-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波プラズマ膜堆積装置
JP2581255B2 (ja) * 1990-04-02 1997-02-12 富士電機株式会社 プラズマ処理方法
JPH0775226B2 (ja) * 1990-04-10 1995-08-09 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン プラズマ処理方法及び装置
US5217559A (en) * 1990-12-10 1993-06-08 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for in-situ deep ultraviolet photon-assisted semiconductor wafer processing

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