CN101939466B - 等离子体cvd装置、等离子体cvd方法 - Google Patents

等离子体cvd装置、等离子体cvd方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种通过使等离子体集中在微粒子的附近从而能够对微粒子的表面更有效地包覆薄膜或超微粒子的等离子体CVD装置及等离子体CVD方法。该装置具备：室(13)；配置于所述室内、用于收容微粒子(1)的容器且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形的容器；屏蔽除对微粒子(1)进行收容的收容面以外的所述容器的表面的接地屏蔽构件(27)；以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作的旋转机构；配置在所述容器内、被配置成与所述收容面对置的对置电极(21)；与所述容器电连接的等离子体电源(23)；向所述容器内导入原料气体的气体导入机构；和对所述室内进行真空排气的排气机构。

Description

等离子体CVD装置、等离子体CVD方法
技术领域
本发明涉及通过使等离子体集中在微粒子的附近，从而能够对微粒子或电子元件的表面更有效地包覆薄膜或超微粒子的等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)装置及等离子体CVD方法。另外，本发明涉及搅拌直径小的微粒子或电子元件的搅拌装置。 
背景技术
图9(A)是表示现有的等离子体CVD装置的概略的剖面图，图9(B)是沿着图9(A)所示的7B-7B线的剖面图。 
等离子体CVD装置具有圆筒形状的室3。通过室盖20关闭该室3的两端。室3的内部配置有容器129。该容器129如图9(B)所示，其剖面具有圆形状。并且，在容器129的内部收容有作为涂覆对象物的粉状体(微粒子)1。另外，容器129也作为电极起作用，与等离子体电源31或地电位(ground potential)连接，两者构成为可通过开关32进行切换。图9(B)所示的剖面是相对重力方向大致平行的剖面。 
容器129中设置有旋转机构(未图示)。通过该旋转机构使容器129如箭头所示旋转，从而使该容器129内的粉状体(微粒子)1搅拌或旋转的同时进行包覆处理。通过所述旋转机构使容器129旋转时的旋转轴是与水平方向(相对重力方向的垂直方向)大致平行的轴。另外，在容器129的旋转时也保持室3内的气密性。 
另外，等离子体CVD装置具备原料气体导入机构及真空排气机构。该原料气体导入机构具有筒状的淋气电极(gas shower electrode)24。另外，等离子体CVD装置具备等离子体能(plasma power)供给机构。该等离子体能供给机构具有经由开关33与淋气电极24连接的等离子体电源25或地电位，两者构成为可通过开关33进行切换(参照专利文献1)。 
[专利文献1] 
日本特开2006-16661号公报(第83～第92段、图7)
但是，在上述现有的等离子体CVD装置中，在容器129内收容的微粒子1的附近无法集中发生等离子体，即使在远离容器内的微粒子1的区域发生了等离子体，该等离子体也会整体广泛地分散。因此，存在相对得到涂覆的微粒子的量所投入的电量变多、能效变低的问题。 
另外，由于具有直径小的微粒子凝集的性质，所以充分搅拌这样的微粒子不是很容易。 
发明内容
本发明鉴于上述问题而作成的，其目的在于提供一种通过使等离子体集中在微粒子或电子元件的附近，从而能够对微粒子或电子元件的表面有效包覆薄膜或超微粒子的等离子体CVD装置及等离子体CVD方法。 
另外，本发明的其他目的在于提供一种能充分搅拌直径小的微粒子或电子元件的搅拌装置。 
为了解决上述课题，本发明所涉及的等离子体CVD装置，具备： 
室； 
容器，其配置在所述室内，是收容微粒子或电子元件的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为圆形； 
接地屏蔽构件，其屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面； 
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作； 
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述收容面对置； 
等离子体电源，其与所述容器电连接； 
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和 
排气机构，其对所述室内进行真空排气； 
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。 
其中，所谓超微粒子是指粒径比微粒子小的微粒子。作为在微粒子表面包覆有超微粒子的状态，而包括：在微粒子表面连续或不连续地包覆超微粒子的状态、在微粒子表面连续或不连续地包覆超微粒子的集合体的状态、超微粒子和超微粒子的集合体同时存在且连续或不连续地被包覆的状态。 
根据上述等离子体CVD装置，通过接地屏蔽构件屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的容器的表面。因此，能够在所述收容面和与其对置的对置电极之间发生等离子体，且能够在所述收容面集中等离子体电力，结果能够在位于所述收容面上的微粒子或电子元件集中供给等离子体电力。因而，通过使等离子体集中在微粒子或电子元件的附近，能够对微粒子或电子元件的表面有效包覆薄膜或超微粒子。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中优选，所述容器具有：所述剖面的内部形状为圆形状的第1容器构件、第1环状构件、和与所述第1环状构件对置配置的第2环状构件； 
所述第1及第2环状构件各自的外周与所述第1容器构件的内面相接； 
所述第1及第2环状构件各自的内周与所述第1容器构件的内面相比，位于所述对置电极侧； 
所述收容面是通过所述第1及第2环状构件相互对置的面和所述第1容器构件的内面形成的。 
根据上述等离子体CVD装置，通过所述第1及第2环状构件相互对置的面和所述第1容器构件的内面形成所述收容面，通过接地屏蔽构件屏蔽该收容面以外的容器的表面。因此，能够在所述收容面和与其对置的对置电极之间发生等离子体，且能够在所述收容面集中等离子体电力，结果能够在位于所述收容面上的微粒子或电子元件集中供给等离子体电力。 
本发明所涉及的等离子体CVD装置，具备： 
室； 
容器，其配置在所述室内，是收容微粒子或电子元件的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形； 
接地屏蔽构件，其屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收 容面以外的所述容器的表面； 
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作； 
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述收容面对置； 
等离子体电源，其与所述容器电连接； 
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和 
排气机构，其对所述室内进行真空排气； 
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中优选，所述容器，具有：所述剖面的内部形状为圆形状的第1容器构件；第2容器构件，其配置在所述第1容器构件内，所述剖面的内部形状为所述多边形；第1环状构件，其配置在所述第1容器构件内，且配置在所述第2容器构件的一侧；和第2环状构件，其配置在所述第1容器构件内，且配置在所述第2容器构件的另一侧； 
所述第1及第2环状构件各自的外周与所述第1容器构件的内面相接； 
所述第1及第2环状构件各自的内周与所述第2容器构件的内面相比，位于所述对置电极侧； 
所述收容面是通过所述第1及第2环状构件相互对置的面和所述第2容器构件的内面形成的。 
另外，在等离子体CVD装置中，还具备接地屏蔽构件，该接地屏蔽构件在通过所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作时，屏蔽除与所述容器内收容的所述微粒子或所述电子元件对置的对置面以外的所述对置电极的表面。 
另外，在等离子体CVD装置中，还可具备第2等离子体电源，该第2等离子体电源与所述对置电极电连接。 
另外，在等离子体CVD装置中，还具备击打构件，该击打构件击打 所述接地屏蔽构件，对所述容器内收容的微粒子或电子元件施加振动。 
另外，在等离子体CVD装置中优选，该等离子体CVD装置还具备多个接地板，该接地板配置在所述第1容器构件的一端与所述对置电极之间。由此，接地板成为对置电极，能够在接地板与所述收容面之间发生等离子体。另外，优选所述多个接地板的相互间隔在5mm以下，更优选为3mm以下。 
本发明所涉及的等离子体CVD装置，具备： 
室； 
容器，其配置在所述室内，是收容微粒子或电子元件的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为圆形； 
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作； 
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述容器的内面对置； 
接地屏蔽构件，其在通过所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作时，屏蔽除与所述容器内收容的所述微粒子或所述电子元件对置的对置面以外的所述对置电极的表面； 
等离子体电源，其与所述对置电极电连接； 
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和 
排气机构，其对所述室内进行真空排气； 
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。 
根据上述等离子体CVD装置，通过接地屏蔽构件屏蔽在由所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作时，与所述容器内收容的所述微粒子或所述电子元件对置的对置面以外的所述对置电极的表面。因此，能够在所述对置面和与其对置的所述容器的内面之间发生等离子体，且能够在所述对置面集中等离子体电力，结果能够向所述容器内收容的微粒子或电子元件集中供给等离子体电力。因而，通过使等离子体集中在微粒子或电子元件的附近，能够对微粒子或电子元件的表面有效包覆薄膜或超微粒子。 
另外，本发明所涉及的等离子体CVD装置中优选，通过所述排气机构从所述容器内向所述室外排出气体的路径中的最小直径或余隙在5mm以下，更优选为3mm以下。由此，能够抑制等离子体的分散，也能抑制異常放电。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中，还具备：磁性体粒子，其收容在所述容器内；电磁铁，其向所述磁性体粒子供给电磁力；和电源，其向所述电磁铁脉冲状地供给电流；通过向所述磁性体粒子脉冲状地供给电磁力来搅拌所述磁性体粒子。 
本发明所涉及的等离子体CVD装置，具备： 
室； 
容器，其配置在所述室内，是收容微粒子的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形； 
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作； 
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述收容面的内面对置； 
接地屏蔽构件，其在由所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作时，屏蔽与所述容器内收容的所述微粒子对置的对置面以外的所述对置电极的表面； 
等离子体电源，其与所述对置电极电连接； 
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和 
排气机构，其对所述室内进行真空排气； 
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子的同时利用等离子体CVD法，对该微粒子的表面包覆直径比该微粒子还小的超微粒子或薄膜。 
本发明所涉及的等离子体CVD装置，具备： 
室； 
容器，其配置在所述室内，是收容电子元件的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形； 
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作； 
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述收容面的内面对置； 
接地屏蔽构件，其在由所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作时，屏蔽与所述容器内收容的所述电子元件对置的对置面以外的所述对置电极的表面； 
等离子体电源，其与所述对置电极电连接； 
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和 
排气机构，其对所述室内进行真空排气； 
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的电子元件的同时利用等离子体CVD法，对该电子元件的表面包覆直径比该电子元件还小的微粒子或薄膜。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中，还具备：磁性体粒子，其收容在所述容器内；电磁铁，其向所述磁性体粒子供给电磁力；和电源，其使所述电磁铁反转极性的同时供给电流；通过使所述磁性体粒子反转极性的同时供给电磁力，来搅拌所述磁性体粒子。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中，还具备：磁性体粒子，其收容在所述容器内；电磁铁，其向所述磁性体粒子供给电磁力；和摇动机构，其使所述电磁铁摇动；通过使所述电磁铁摇动的同时向所述磁性体粒子供给电磁力，来搅拌所述磁性体粒子。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中，该等离子体CVD装置还可具备电源，该电源对所述电磁铁施加超声波振动。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中优选，所述磁性体粒子的表面包覆有DLC微粒子或DLC膜。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中优选，所述对置电极具有如下形状：相对所述重力方向相反侧的表面向所述相反侧凸出的形状。 
另外，在本发明所涉及的等离子体CVD装置中优选，所述等离子体电源是50～500kHz的高频电源。 
本发明所涉及的等离子体CVD方法，其特征在于， 
将微粒子或电子元件收容在相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为圆形的容器内； 
用接地屏蔽构件屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面； 
将与所述收容面对置的对置电极配置在所述容器内； 
对所述容器内进行真空排气； 
以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作； 
向所述容器内导入原料气体； 
通过向所述容器供给等离子体能来搅拌或旋转所述容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。 
本发明所涉及的等离子体CVD方法，其特征在于， 
将微粒子或电子元件收容在相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形的容器内； 
用接地屏蔽构件屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面； 
将与所述收容面对置的对置电极配置在所述容器内； 
对所述容器内进行真空排气； 
以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作； 
向所述容器内导入原料气体； 
通过向所述容器供给等离子体能来搅拌或旋转所述容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。 
本发明所涉及的搅拌装置，具备： 
容器，其收容微粒子或电子元件； 
磁性体粒子，其收容在所述容器内； 
电磁铁，其配置在所述容器外，向所述磁性体粒子供给电磁力；和 
电源，其向所述电磁铁脉冲状地供给电流； 
通过向所述磁性体粒子脉冲状地供给电磁力来搅拌所述磁性体粒子。 
本发明所涉及的搅拌装置，具备： 
容器，其收容微粒子或电子元件； 
磁性体粒子，其收容在所述容器内； 
电磁铁，其配置在所述容器外，向所述磁性体粒子供给电磁力；和 
电源，其使所述电磁铁反转极性的同时供给电流； 
通过使所述磁性体粒子反转极性的同时供给电磁力，来搅拌所述磁性体粒子。 
本发明所涉及的搅拌装置，具备： 
容器，其收容微粒子或电子元件； 
磁性体粒子，其收容在所述容器内； 
电磁铁，其配置在所述容器外，向所述磁性体粒子供给电磁力；和 
摇动机构，其使所述电磁铁摇动； 
通过使所述电磁铁摇动的同时向所述磁性体粒子供给电磁力，来搅拌所述磁性体粒子。 
根据以上说明的本发明，能够提供一种通过使等离子体集中在微粒子的附近而能对微粒子或电子元件的表面有效包覆薄膜或超微粒子的等离子体CVD装置及等离子体CVD方法。 
另外，根据其他发明，能够提供一种能充分搅拌直径小的微粒子或电子元件的搅拌装置。 
附图说明
图1是表示本发明所涉及的实施方式的等离子体CVD装置的剖面图。 
图2是沿着图1所示的2-2线的剖面图。 
图3是表示本发明的实施方式的电磁铁搅拌机构的第1变形例的剖面图。 
图4是表示本发明的实施方式的电磁铁搅拌机构的第2变形例的剖面图。 
图5是表示本发明的实施方式的电磁铁搅拌机构的第3变形例的剖面图。 
图6是表示通过拉曼光谱分析法对典型的DLC膜进行分析后的结果的曲线图。 
图7是表示通过拉曼光谱分析法对包覆于PMMA的微粒子的表面的DLC进行分析后的结果的曲线图。
图8是通过光学显微镜对在图7的成膜条件下制作出的、在表面包覆有DLC的PMMA微粒子进行拍摄所得到的照片。 
图9(A)是表示现有的等离子体CVD装置的概略的剖面图，图9(B)是沿着图9(A)所示的7B-7B线的剖面图。 
[符号说明] 
1-粉状体(微粒子)；1a-磁性体粒子；3，13-室；11-重力方向；12-电磁铁；12a-可脉冲控制的电源；12b-可超声波振动控制的电极；12c-可极性反转控制的电源；12d-摇动机构；14-接地棒；15-接地防护(earth shield)构件；16～18-接地板；19-排气口；20，21a、21b-室盖；20a-原料气体发生源；21、24-淋气电极；22-质量流控制器(MFC)；23、25、31-等离子体电源；26-真空阀；27、27a-接地屏蔽构件；28-接地屏蔽体；29-第1容器构件；29a-第2容器构件；29b-第1环状构件；29c-第2环状构件；29d-延出部；30-容器；31-金属构件；32、33-开关；129-容器；129a-第2容器构件中的构成多边形的内面；129b-第1环状构件的面；129c-第2环状构件的面。 
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。 
图1是表示本发明所涉及的实施方式的等离子体CVD装置的剖面图。图2是沿着图1所示的2-2线的剖面图。该等离子体CVD装置是用于在微粒子(或粉状体)的表面包覆粒径比该微粒子小的超微粒子或薄膜的装置。 
此外，在本实施方式中，虽然对在微粒子包覆超微粒子或薄膜的等离子体CVD装置进行了说明，但是本实施方式的等离子体CVD装置也可用作取代微粒子而在直径在1mm以下的电子元件的表面包覆直径比该电子元件小的微粒子或薄膜的装置。 
另外，在本实施方式中，虽然对在内部剖面形状为多边形的容器收容 微粒子、对该微粒子包覆超微粒子或薄膜的等离子体CVD装置进行了说明，但是容器的内部剖面形状不限定为多边形，也可将容器的内部剖面形状设为圆形或椭圆形。内部剖面形状为多边形的容器与内部剖面形状为圆形或椭圆形的容器的不同之处在于，与圆形或椭圆形的容器相比，多边形的容器更能在粒径小的微粒子包覆超微粒子或薄膜。 
如图1及图2所示，等离子体CVD装置具有圆筒形状的室(chamber)13。通过室盖21a关闭该室13的一端，通过室盖21关闭室13的另一端。室13及室盖21a，21b分别接地(地电位)。 
在室13的内部配置有圆筒形状的接地屏蔽体28。该接地屏蔽体28的一端被关闭，接地屏蔽体28的另一端被开口。接地屏蔽体28与地电位连接。 
在接地屏蔽体28的内部配置有用于收容微粒子1的导电性的容器。该容器具有：第1容器构件29、第2容器构件29a、第1环状构件29b、第2环状构件29c。第1容器构件29、第2容器构件29a、第1及第2环状构件29b、29c分别具有导电性。 
在接地屏蔽体28的内部配置有圆筒形状的第1容器构件29。第1容器构件29的一端关闭，并且在第1容器构件29的一端侧形成有延出部29d，该延出部29d向接地屏蔽体28及室13的外侧延出。第1容器构件29的另一端被开口。所述延出部29d与等离子体电源23电连接。等离子体电源23只要是供给高频电力(RF输出)的高频电源、微波用电源、DC放电用电源、及分别被脉冲调制后的高频电源、微波用电源、DC放电用电源中的其中一个即可。
在第1容器构件29的内部配置有第2容器构件29a，第2容器构件29a如图2所示具有剖面为六边形的滚筒形状，图2所示的剖面是与重力方向11大致平行的剖面。此外，在本实施方式中，虽然利用了六边形的滚筒形状的第2容器构件29a，但是并不限定于此，也可以利用除六边形以外多边形的滚筒形状的第2容器构件。 
第2容器构件29a的一端通过第1环状构件29b被安装在第1容器构件29的内部，第2容器构件29a的另一端通过第2环状构件29c被安装在第1容器构件29的内部。换言之，第1环状构件29b位于第2容器构 件29a的一侧，第2环状构件29c位于第2容器构件29a的另一侧。第1及第2环状构件各自的外周与第1容器构件29的内面相接，第1及第2环状构件各自的内周位于比第2容器构件29a的内面还靠近淋气电极(对置电极)21侧。另外，由第1容器构件29、第2容器构件29a、第1及第2环状构件29b、29c包围的区域，被金属构件31掩埋。 
第1环状构件29b和第2环状构件29c之间的距离(即第2容器构件29a的一端和另一端之间的距离)，比第1容器构件29的一端和另一端之间的距离小。另外，第1及第2环状构件29b、29c分别配置于第1容器构件29的内侧。并且，在由第2容器构件29a的内面和第1及第2环状构件29b、29c包围的空间(space)，收容有作为涂覆对象物的粉状体(微粒子)1。换言之，通过第2容器构件29a中的构成多边形的内面129a和包围该内面129a的第1及第2环状构件各自的面129b、129c(第1及第2环状构件相互对置的面)构成了收容面，且微粒子1位于该收容面上。 
另外，通过等离子体电源23经由第1容器构件29、金属构件31及第1、第2环状构件29b、29c向第2容器构件29a供给高频电力。由此，第2容器构件29a作为电极起作用，且能够向所述容器内面收容的粉状体1供给高频电力。 
除由第2容器构件29a中的构成多边形的内面129a和包围该内面129a的第1及第2环状构件各自的面129b、129c构成的收容面以外的容器的表面，被接地屏蔽构件27覆盖。第1容器构件29、第1及第2环状构件29b、29c的每一个与接地屏蔽构件27有5mm以下(优选3mm以下)的间隔。接地屏蔽构件27与地电位连接。由此通过接地屏蔽构件27覆盖供给高频电力的第1容器构件29，从而能够使高频输出集中于第2容器构件29a的内侧，结果能够向容器内收容的粉状体1集中供给高频电力。换言之，在本实施方式中，由于能够使如所述收容面那样发生等离子体的等离子体源的面积比现有的等离子体CVD装置减少到1/3左右，所以能够使高频电量比现有的等离子体CVD装置减少到1/3左右。 
另外，等离子体CVD装置具备将原料气体导入室13内的原料气体导入机构。该原料气体导入机构具有筒状的淋气电极(对置电极)21。该淋气电极21被配置在第2容器构件29a内。即、在第2容器构件29a的另 一侧形成有开口，并从该开口插入淋气电极21。淋气电极21与地连接。 
与所述容器内收容的微粒子1对置的对置面以外的淋气电极(对置电极)21的表面，被接地屏蔽构件27a屏蔽。该接地屏蔽构件27a和淋气电极21具有5mm以下(优选3mm以下)的间隔。 
在淋气电极21的一侧的所述对置面形成有多个吹气口，该吹气口淋浴状地吹出单种或多种原料气体。该吹气口配置在淋气电极21的底部(所述对置面)，被配置成与第2容器构件29a收容的粉状体1对置。即、吹气口配置成与第2容器构件29a的内面对置。另外，如图2所示，淋气电极21具有如下形状，即：相对重力方向11相反侧的表面向所述相反侧凸出的形状。换言之，淋气电极21的剖面形状，除底部以外为圆形或椭圆形。由此，即使在使第2容器构件29a旋转时，粉状体1附着在圆形或椭圆形的部分(凸形状的部分)，也能够使该粉状体1从淋气电极21落下。 
淋气电极21的另一侧，经由真空阀26与质量流控制器(MFC)22的一侧连接。质量流控制器22的另一侧，经由未图示的真空阀及过滤器等与原料气体发生源20a连接。该原料气体发生源20a，由包覆于粉状体1的薄膜的不同，发生的原料气体的种类不同，例如在成膜SiO2膜的情况下，发生SiH4气体等。 
另外，淋气电极21的另一侧经由真空阀(未图示)与未图示的质量流控制器(MFC)的一侧连接。该质量流控制器的另一侧与氩气储气瓶(未图示)连接。 
在第1容器构件29设置有旋转机构(未图示)，通过该旋转机构使第1容器构件29及第2容器构件29a以淋气电极21为旋转中心如图2所示的箭头方向旋转或进行钟摆动作，从而能够搅拌或者旋转第2容器构件29a内的粉状体(微粒子)1的同时进行包覆处理。由所述旋转机构使第1容器构件29及第2容器构件29a旋转时的旋转轴是与水平方向(相对重力方向11垂直的方向)大致平行的轴。另外，即使在第1容器构件29旋转时，也保持室13内的气密性。 
另外，等离子体CVD装置具备对室13内进行真空排气的真空排气机构。例如，在室13设置有多个排气口19，且排气口19与真空泵(未图示)连接。 
在接地屏蔽体28的另一端与室13之间，设置有接地防护构件15。接地防护构件15被安装在室13的内面，并且其与接地屏蔽体28的另一端的间隙被设在5mm以下(优选3mm以下)。换言之，通过真空排气机构从第1容器构件29内向室13外排出气体的路径中的最小直径或余隙被设在5mm以下(优选3mm以下)。从淋气电极21导入第2容器构件29a内的原料气体，通过所述间隙从排气口19排气。此时，通过将所述间隙、所述最小直径或余隙设在5mm以下，从而不会妨碍等离子体停留在第2容器构件29a内收容的粉状体1的附近。也就是说，当使所述间隙、所述最小直径或余隙增大得比5mm还大时，等离子体会分散，或者会引起異常放电。换言之，通过将所述间隙、所述最小直径或余隙设在5mm以下，从而能够抑制在排气口19侧会成膜CVD膜。 
另外，淋气电极21具有加热器(heater)(未图示)。在淋气电极21与第1容器构件29的一端之间，配置有3枚接地板16～18。由此，能够在第2容器构件29a内面与接地板16～18之间放电。也就是说，因使本装置长时间运转，而在淋气电极21的表面会成膜绝缘体的CVD膜，结果在淋气电极21与第2容器构件29a之间没有引起放电的情况下，取代淋气电极21，使接地板16～18成为对置电极，能够在接地板16～18与第2容器构件29a内面之间引起放电。因此，通过设置接地板16～18，从而能够使本装置长时间连续地运转。 
另外，优选接地板16～18的相互间隔在5mm以下(更优选在3mm以下)。由此，能够抑制在接地板16～18的相互之间的余隙成膜CVD膜。其结果，能够使本装置更长时间连续地运转。 
另外，等离子体CVD装置具有接地棒14，该接地棒14作为用于对第2容器构件29a的内面收容的粉状体1施加振动的击打构件。也就是说，接地棒14在驱动机构(未图示)的作用下，能够使其前端通过分别被设置于室13及接地屏蔽体28的开口，击打接地屏蔽构件27。通过将接地棒14向与第1容器构件29一起旋转的接地屏蔽构件27连续击打，从而能够对第2容器构件29a内收容的粉状体1施加振动。由此，能够防止粉状体1的凝集，能够促进粉状体1的搅拌及混合。此外，接地屏蔽构件27和第1容器构件29通过未图示的绝缘构件相接，且来自接地屏蔽构件 27的振动通过所述绝缘构件被送至第1容器构件29。 
另外，优选等离子体电源23使用50～500kHz的高频电源，更优选使用100～300kHz的高频电源。通过使用这样的频率低的电源，与使用了比500kHz高的频率的电源的情况相比，能够抑制等离子体分散到比淋气电极21与第2容器构件29a之间、或接地板16～18与第2容器构件29a之间还靠外的外侧。换言之，能够使等离子体停留于淋气电极21与第2容器构件29a之间、或接地板16～18与第2容器构件29a之间。当使用50～500kHz的RF等离子体时，因为在这样关闭的等离子体空间内、即在滚筒(第2容器构件29a)内难以引起感应加热，且成膜时充分的V DC施加于基板，所以如后述的实施例的成膜条件及成膜结果所示，容易形成硬质DLC膜。相反地，当使用13.56MHz的RF等离子体时，因为在被关闭的等离子体空间，如相对于后述实施例的比较例的成膜条件及成膜结果所示，难以对基板施加VDC，所以难以形成硬质DLC膜。 
另外，等离子体CVD装置具有电磁铁搅拌机构，该电磁铁搅拌机构通过电磁铁12对粉状体1进行搅拌或混合。该电磁铁搅拌机构具有：容器内收容的磁性体粒子1a、向该磁性体粒子1a供给电磁力的电磁铁12和、向该电磁铁12脉冲状地供给电流的可脉冲控制的电源12a。并且，通过向磁性体粒子1a脉冲状地供给电磁力，从而能够搅拌磁性体粒子1a。也就是说，通过反复进行向电磁铁12的电力供给的接通和断开、即通过脉冲输入，从而能够使被混合在粉状体1的磁性体粒子1a摇动或振动，由此能够对粉状体1进行搅拌或混合。另外，磁性体粒子1a也可以是在其表面包覆DLC(Diamond Like Carbon)的粒子。在这种情况下，所包覆的DLC膜的厚度，优选为磁性体粒子的粒径的10％左右。通过包覆DLC，认为能够使磁性体粒子表面的摩擦系数减少在0.2以下、能够提高搅拌效率。由于DLC具有接触角为80°左右且良好的润湿性，所以认为不会吸附于微粒子1而能混合微粒子1。另外，磁性体粒子也可以是在不是磁性体的微粒子的表面包覆磁性体薄膜的粒子。其中，只要作为涂覆对象的粉状体自身具有磁性体，则即使除了涂覆对象的粉状体以外不混合磁性体粒子，也能够通过电磁铁搅拌机构对粉状体进行搅拌或混合。另外，磁性体粒子与涂覆对象的微粒子1相比，既可以增大粒径也可减小粒径。 
此外，在本实施方式中，虽然使用具有容器内收容的磁性体粒子1a、向该磁性体粒子1a供给电磁力的电磁铁12和向该电磁铁12脉冲状地供给电流的可脉冲控制的电源12a的电磁铁搅拌机构，但也并不限定于此，可如下变更并加以实施。 
图3是表示本发明的实施方式的电磁铁搅拌机构的第1变形例的剖面图，对与图2相同的部分附加相同的符号，这里仅对不同的部分进行说明。 
如图3所示，电磁铁12除了连接可脉冲控制的电源12a之外，还连接可超声波振动控制的电极12b。由此，可对电磁铁12施加超声波振动，与图2所示的电磁铁搅拌机构相比，能够提高搅拌性能。 
在上述第1变形例中，也能够得到与上述实施方式同样的效果。 
图4是表示本发明的实施方式的电磁铁搅拌机构的第2变形例的剖面图，对与图2相同的部分附加相同的符号，这里仅对不同的部分进行说明。 
如图4所示，电磁铁12连接有可极性反转控制的电源12c，且该电源12c是使电磁铁12反转极性的同时供给电流的电源。由此，能够使磁性体粒子1a反转极性的同时供给电磁力。 
在上述第2变形例中，也能够得到与上述实施方式同样的效果。 
此外，在上述第2变形例中，还可使可超声波振动控制的电极进一步与电磁铁12连接。 
图5是表示本发明的实施方式的电磁铁搅拌机构的第3变形例的剖面图，对与图1相同的部分附加相同的符号，这里仅对不同的部分进行说明。 
如图5所示，在电磁铁12安装有使该电磁铁12摇动的摇动机构12d。由此，能够使电磁铁12摇动的同时向磁性体粒子1a供给电磁力，结果能够搅拌磁性体粒子1a。 
在上述第3变形例中，也能够得到与上述实施方式同样的效果。 
此外，在上述第3变形例中，还可使可超声波振动控制的电极进一步与电磁铁12连接。 
另外，上述的电磁铁搅拌机构也能够作为搅拌装置掌握。也就是说，搅拌装置具备：收容微粒子的容器、所述容器内收容的磁性体粒子、被配置于所述容器外且向所述磁性体粒子供给电磁力的电磁铁、以及向所述电磁铁供给电流的电源。在该搅拌装置中也可采用上述的第1～第3变形例。 
接着，对利用上述等离子体CVD装置对粉状体包覆超微粒子或薄膜的等离子体CVD方法进行说明。这里，作为涂覆对象的微粒子1而使用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，以对其PMMA的微粒子包覆DLC的例子进行说明。 
首先，将由多个微粒子构成的粉状体(PMMA)1收容在第2容器构件29a内。粉状体1的平均粒径为50μm左右。此外，这里，作为粉状体1虽然使用PMMA的微粒子，但也可以使用其他粉状体。另外，该粉状体1中混合有磁性体粒子1a，且该磁性体粒子的表面包覆有DLC膜。使用磁性体粒子1a时优选微粒子1的粒径在1μm以下。也就是说，在微粒子1的粒径为1μm以下的情况下，由于难以防止微粒子凝集的同时进行搅拌，故优选通过磁性体粒子1a进行搅拌。换言之，在粒径比1μm大的微粒子1的情况下，可以使用磁性体粒子1a，也可以不使用磁性体粒子1a。 
其后，通过使真空泵运转，从而能够使室13内减压到规定的压力(例如5×10-5Torr左右)。与此同时，因通过旋转机构使第1容器构件29及第2容器构件29a旋转，从而第2容器构件29a的内部收容的粉末(微粒子)1在容器内面被搅拌或旋转。此外，这里，虽然使第1容器构件29及第2容器构件29a旋转，但也可通过旋转机构使第1容器构件29及第2容器构件29a进行钟摆动作。 
其次，在原料气体发生源20a中，作为原料气体例如发生甲苯(C7H8)，通过质量流控制器22将甲苯控制在7cc/分的流量，将从氩气储气瓶供给的氩气控制在5cc/分的流量，将这些被流量控制过的甲苯及氩气导入至淋气电极21的内侧。然后，从淋气电极21的吹气口吹出甲苯及氩气。由此，甲苯及氩气被吹附在第2容器构件29a内搅拌或旋转的同时而运动的微粒子1，通过被控制过的气体流量和排气能力的平衡，被保持在适合用CVD法成膜的压力。 
另外，通过驱动机构将接地棒14连续击打在与第1容器构件29一起旋转的接地屏蔽构件27。由此，能够对第2容器构件29a内收容的粉状体1施加振动、防止粉状体1的凝集，能够促进粉状体1的搅拌及混合。 
另外，通过脉冲输入，向电磁铁12供给电力，从而能够使被混合在 粉状体1中的磁性体粒子1a摇动或振动，由此促进粉状体1的搅拌及混合。 
其后，从作为等离子体电源23的一例的高频电源(RF电源)向第1容器构件29以150W供给250kHz的RF输出。由此，通过第1容器构件29及第1、第2环状构件29b、29c向第2容器构件29a和粉状体1供给RF输出。此时，淋气电极21与地电位连接。由此，在淋气电极21与第2容器构件29a之间引发等离子体，在第2容器构件29a内产生等离子体，由DLC构成的超微粒子或薄膜被包覆在PMMA的微粒子1的表面。也就是说，由于通过使第2容器构件29a旋转来搅拌、旋转微粒子1，所以能够容易将薄膜均匀包覆在微粒子1的整个表面。 
图6是比较例的曲线图、即通过拉曼光谱分析对由平行平板型的等离子体装置成膜于Si晶片上的DLC膜进行分析后的曲线图。图6所示的曲线图的作为分析对象的DLC膜，在如下成膜条件下被成膜。 
(成膜条件) 
等离子体装置：平行平板型 
输出：900W 
RF频率：13.56MHz 
原料气体：甲苯 
原料气体流量：10cc/分 
DLC膜的膜厚：100nm 
图7是表示通过拉曼光谱分析法对由在本实施方式的粒径50μm的PMMA的微粒子的表面包覆的DLC构成的超微粒子或薄膜进行分析后的结果的曲线图。图7是表示通过拉曼光谱分析法对典型的DLC膜进行分析后的结果的曲线图。 
(成膜条件) 
等离子体装置：图1的多边滚筒型装置 
输出：150W 
RF频率：250kHz 
原料气体：甲苯 
甲苯流量：7cc/分 
Ar流量：5cc/分 
图6示出DLC膜的典型的波形。当比较该图6所示的波形、和对由本实施方式包覆于PMMA的微粒子1的超微粒子或薄膜的图7所示的波形时，由于几乎为相同的波形，所以可知由本实施方式包覆的超微粒子或薄膜是DLC。因而确认了在本实施方式的等离子体CVD方法中，也能够将膜质良好的DLC包覆于微粒子。 
另外，图8是通过光学显微镜对在图7的成膜条件下制作出的、在表面包覆有DLC的PMMA微粒子进行拍摄所得到的照片。 
PMMA微粒子为白色，但在图8的照片中没有一个白色的微粒子，所以可知在所有PMMA微粒子的表面都包覆有DLC。 
另外，在图8的照片中，所有微粒子的中央都带白色，且从微粒子的中央朝向外周茶色逐渐变浓。这表示在所有微粒子中都均匀反射光。如果光的反射是均匀的，则DLC是透明的，所以认为在所有PMMA微粒子的表面极均匀地包覆有DLC。 
根据上述实施方式，通过旋转六边形的滚筒形状的第2容器构件29a自身，来旋转并搅拌粉状体1自身，进而将滚筒设为六边形，从而能够使粉状体1因重力定期落下。因此，能飞跃式地提高搅拌效率，能够防止因处理粉状体时屡次成为问题的水分或静电力引起的粉状体的凝集。也就是说，通过旋转能够同时且有效地进行搅拌及凝集的粉状体1的粉碎。因而，可对粒径的非常小的微粒子1包覆粒径比该微粒子更小的超微粒子或薄膜。具体而言，可对粒径在50μm以下的微粒子(尤其在5μm以下的微粒子)包覆超微粒子或薄膜。 
另外，在本实施方式中，通过接地屏蔽构件27覆盖第1容器构件29的内侧即配置有第2容器构件29a和第1、第2环状构件29b、29c的部分以外的部分、第1容器构件29的外侧、环状构件中的收容有粉状体1的空间的相反侧(即、收容微粒子1的收容面以外的容器的表面)。也就是说，通过接地屏蔽构件27覆盖由第2容器构件29a中的构成多边形的内面129a和包围该内面129a的第1及第2环状构件各自的面129b、129c构成的收容有微粒子的收容面以外的容器的表面。因此，能够在第2容器 构件29a的内面和与其对置的淋气电极21之间发生等离子体。也就是说，能够在第2容器构件29a的内侧集中高频输出，结果能够向第2容器构件29a的内面收容的粉状体1(即位于所述收容面上的粉状体1)集中地供给高频电力，且能够有效地向粉状体1供给高频电力。因而，能够抑制DLC膜附着在由第2容器构件29a的内面和第1、第2环状构件29b、29c包围而成的收容粉状体1的空间以外的部分(所述收容面以外的容器的表面)。另外，与现有的等离子体CVD装置相比能够减小高频电量。 
另外，在本实施方式中，通过将接地棒14连续地击打接地屏蔽构件27，从而能够促进第2容器构件29a内收容的粉状体1的搅拌及混合。另外，通过电磁铁12能够促进粉状体1的搅拌及混合。因而，即使相对具有更小粒径的微粒子1，也可均匀性好地包覆由DLC构成的超微粒子或薄膜。 
此外，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围内可进行各种变更并加以实施。例如，可适当变更对微粒子成膜薄膜的成膜条件。 
另外，在上述实施方式中，虽然对作为涂覆对象的微粒子1而使用PMMA、并对PMMA的微粒子1包覆DLC的等离子体CVD方法进行了说明，但是关于对PMMA以外的微粒子包覆由DLC以外的材料构成的超微粒子或薄膜，也可使用本实施方式的等离子体CVD方法。 
另外，在上述实施方式中，在将容器的内部剖面形状设为圆形的情况下，例如，通过从图1及图2所示的等离子体CVD装置变更为没有第2容器构件29a和金属构件31的装置，也能实施。 
另外，在上述实施方式中，在将容器的内部剖面形状设为椭圆形的情况下，例如，通过从图1及图2所示的等离子体CVD装置变更为没有第2容器构件29a和金属构件31进而将第1容器构件29的内部剖面形状设为椭圆形的装置，也能实施。 
另外，在上述实施方式中，虽然采用了在第1容器构件29连接等离子体电源23、在淋气电极21连接地电位的构成，但并不限定于此，可如下进行变更并实施。例如，也可采用在第1容器构件29连接等离子体电源23、在淋气电极21连接第2等离子体电源的构成。另外，也可采用在 第1容器构件29连接地电位、在淋气电极21连接等离子体电源的构成，此时也可采用不具有接地屏蔽构件27的等离子体CVD装置。此时，由于通过接地屏蔽构件27a屏蔽与容器内收容的微粒子1对置的对置面以外的淋气电极(对置电极)21的表面，所以能够向所述对置面集中高频输出，结果能够向第2容器构件29a的内面收容的粉状体1(即位于所述收容面上的粉状体1)集中供给高频电力，能够有效地向粉状体1供给高频电力。 
6.实施例 
[比较例] 
(成膜条件) 
图1的等离子体CVD装置 
RF电源的频率：13.56MHz 
玻璃试料：25×75×1mm 
C7H8流量：7cc/min 
Ar流量：3cc/min 
反应压力：9.8Pa 
RF输出：150W 
膜时间(无旋转)：30min 
(成膜结果) 
膜厚：1.325μm 
努氏硬度(5g)：603 
[实施例] 
(成膜条件) 
图1的等离子体CVD装置 
RF电源的频率：250kHz 
玻璃试料：25×75×1mm 
C7H8流量：7cc/min 
Ar流量：3cc/min 
反应压力：9.5Pa 
RF输出：150W 
膜时间(无旋转)：30min 
(成膜结果) 
膜厚：1.153μm 
努氏硬度(5g)：2072 
在实施例中，成膜了非常硬的DLC膜。这样硬的DLC膜其耐磨性良好。 

Claims (18)

1.一种等离子体CVD装置，具备：
室；
容器，其配置在所述室内，是收容微粒子或电子元件的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为圆形；
接地屏蔽构件，其配置在所述室内，屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面；
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作；
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述收容面对置；
多个接地板，其配置在所述容器内，配置在所述接地屏蔽构件的内侧，配置在所述容器的一端与所述对置电极之间；
等离子体电源，其与所述容器电连接；
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和
排气机构，其对所述室内进行真空排气；
所述多个接地板的相互间隔在5mm以下；
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。
2.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
所述容器具有：所述剖面的内部形状为圆形状的第1容器构件、第1环状构件、和与所述第1环状构件对置配置的第2环状构件；
所述第1及第2环状构件各自的外周与所述第1容器构件的内面相接；
所述第1及第2环状构件各自的内周与所述第1容器构件的内面相比，位于所述对置电极侧；
所述收容面是通过所述第1及第2环状构件相互对置的面和所述第1容器构件的内面形成的。
3.一种等离子体CVD装置，具备：
室；
容器，其配置在所述室内，是收容微粒子或电子元件的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形；
接地屏蔽构件，其配置在所述室内，屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面；
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作；
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述收容面对置；
多个接地板，其配置在所述容器内，配置在所述接地屏蔽构件的内侧，配置在所述容器的一端与所述对置电极之间；
等离子体电源，其与所述容器电连接；
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和
排气机构，其对所述室内进行真空排气；
所述多个接地板的相互间隔在5mm以下；
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。
4.根据权利要求3所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
所述容器，具有：
所述剖面的内部形状为圆形状的第1容器构件；
第2容器构件，其配置在所述第1容器构件内，所述剖面的内部形状为所述多边形；
第1环状构件，其配置在所述第1容器构件内，且配置在所述第2容器构件的一侧；和
第2环状构件，其配置在所述第1容器构件内，且配置在所述第2容器构件的另一侧；
所述第1及第2环状构件各自的外周与所述第1容器构件的内面相接；
所述第1及第2环状构件各自的内周与所述第2容器构件的内面相比，位于所述对置电极侧；
所述收容面是通过所述第1及第2环状构件相互对置的面和所述第2容器构件的内面形成的。
5.根据权利要求1或3所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
该等离子体CVD装置还具备接地屏蔽构件，该接地屏蔽构件在通过所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作时，屏蔽除与所述容器内收容的所述微粒子或所述电子元件对置的对置面以外的所述对置电极的表面。
6.根据权利要求5所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
该等离子体CVD装置还具备第2等离子体电源，该第2等离子体电源与所述对置电极电连接。
7.根据权利要求1或3所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
该等离子体CVD装置还具备击打构件，该击打构件击打所述接地屏蔽构件，对所述容器内收容的微粒子或电子元件施加振动。
8.一种等离子体CVD装置，具备：
室；
容器，其配置在所述室内，是收容微粒子或电子元件的容器，且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为圆形；
旋转机构，其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作；
对置电极，其配置在所述容器内，被配置成与所述容器的内面对置；
接地屏蔽构件，其配置在所述室内，在通过所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作时，屏蔽除与所述容器内收容的所述微粒子或所述电子元件对置的对置面以外的所述对置电极的表面；
多个接地板，其配置在所述容器内，配置在对所述对置电极的一端侧的表面进行屏蔽的所述接地屏蔽构件与所述容器的一端之间；
等离子体电源，其与所述对置电极电连接；
气体导入机构，其向所述容器内导入原料气体；和
排气机构，其对所述室内进行真空排气；
所述多个接地板的相互间隔在5mm以下；
通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。
9.根据权利要求1、3及8中任意一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
通过所述排气机构从所述容器内向所述室外排出气体的路径中的最小直径或余隙在5mm以下。
10.根据权利要求1、3及8中任意一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
该等离子体CVD装置还具备：
磁性体粒子，其收容在所述容器内；
电磁铁，其向所述磁性体粒子供给电磁力；和
电源，其向所述电磁铁脉冲状地供给电流；
通过向所述磁性体粒子脉冲状地供给电磁力来搅拌所述磁性体粒子。
11.根据权利要求1、3及8中任意一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
该等离子体CVD装置还具备：
磁性体粒子，其收容在所述容器内；
电磁铁，其向所述磁性体粒子供给电磁力；和
电源，其使所述电磁铁反转极性的同时供给电流；
通过使所述磁性体粒子反转极性的同时供给电磁力，来搅拌所述磁性体粒子。
12.根据权利要求1、3及8中任意一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
该等离子体CVD装置还具备：
磁性体粒子，其收容在所述容器内；
电磁铁，其向所述磁性体粒子供给电磁力；和
摇动机构，其使所述电磁铁摇动；
通过使所述电磁铁摇动的同时向所述磁性体粒子供给电磁力，来搅拌所述磁性体粒子。
13.根据权利要求10所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
该等离子体CVD装置还具备电源，该电源对所述电磁铁施加超声波振动。
14.根据权利要求10所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
所述磁性体粒子的表面包覆有DLC微粒子或DLC膜。
15.根据权利要求1、3及8中任意一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
所述对置电极具有如下形状：相对所述重力方向相反侧的表面向所述相反侧凸出的形状。
16.根据权利要求1、3及8中任意一项所述的等离子体CVD装置，其特征在于，
所述等离子体电源是50～500kHz的高频电源。
17.一种等离子体CVD方法，其特征在于，
将微粒子或电子元件收容在相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为圆形、且配置在室内的容器内；
用配置在所述室内的接地屏蔽构件屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面；
将与所述收容面对置的对置电极配置在所述容器内；
在所述容器内、在所述接地屏蔽构件的内侧、在所述容器的一端与所述对置电极之间，配置多个接地板；
将所述多个接地板的相互间隔设在5mm以下；
对所述容器内进行真空排气；
以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作；
向所述容器内导入原料气体；
通过向所述容器供给等离子体能来搅拌或旋转所述容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。
18.一种等离子体CVD方法，其特征在于，
将微粒子或电子元件收容在相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形、且配置在室内的容器内；
用配置在所述室内的接地屏蔽构件屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面；
将与所述收容面对置的对置电极配置在所述容器内；
在所述容器内、在所述接地屏蔽构件的内侧、在所述容器的一端与所述对置电极之间，配置多个接地板；
将所述多个接地板的相互间隔设在5mm以下；
对所述容器内进行真空排气；
以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作；
向所述容器内导入原料气体；
通过向所述容器供给等离子体能来搅拌或旋转所述容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法，对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。
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