JP4750436B2 - 表面処理物の製造方法、表面処理方法及び表面処理装置 - Google Patents
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Description
(1)溶融めっき法
溶融めっき法は、めっきする製品を洗浄した後に、450〜650℃の溶融亜鉛浴に浸すことによりめっきする方法である。但し、ボルトやナットを溶融めっき法でめっきすると、ねじの溝部に亜鉛がたまり、噛み合わせが悪くなる。そのため、めっき専用のボルトやナットを作製する必要がある。また、めっき法は毒性の強い廃液を処理する必要があり、環境に対する負荷が非常に大きい。更に、高温での作業が危険である。また、めっき浴は定期的なメンテナンスが必要であり、これに多大な費用がかかる。このような欠点が溶融めっき法にはある。
電解めっき法は、室温下での電解プロセスによる亜鉛めっき法である。しかし、電解めっき法では、めっきを施すための前処理に時間がかかること、処理工程で不純物の混入が避けられないこと、めっき処理後のめっき液の処理に大きな環境負荷がかかること、めっき膜を薄膜化することが困難であること、といった欠点がある。
熱拡散式亜鉛めっき技術は、被めっき物(ボルト、ナット等)をディステック社が開発した特殊な亜鉛粉と一緒にドラムまたはコンテナー内に入れ、混入しながら加熱することで表面層へ亜鉛分を満遍なく拡散、被覆する方法である。
しかし、上記技術では、粉末を使用して表面処理を施すため、表面には粒子径程度のむら、膜厚のむらとピンホールの存在が残ること、また完全に薄膜として修飾することが難しいこと、といった欠点がある。
尚、前記被処理体としては、種々の材質及び形状からなるものを用いることが可能であり、例えばボルトやナット等の部品を用いることも可能である。また、耐食性物質とは、耐食性を有する物質、即ち腐食しない物質のことである。また、犠牲物質とは、犠牲剤となる物質のことである。
また、本発明に係る表面処理物において、前記スパッタリング法は、内部の断面形状が略円形又は多角形を有する真空容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うものであることも可能である。
本発明に係る表面処理物は、CVD法によって被処理体の表面に薄膜が被覆され、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層が形成されたことを特徴とする。
また、本発明に係る表面処理物において、前記CVD法は、内部の断面形状が略円形又は多角形を有する容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらCVDを行うものであることも可能である。
本発明に係る表面処理物は、蒸着法によって被処理体の表面に薄膜が被覆され、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層が形成されたことを特徴とする。
また、本発明に係る表面処理物において、前記反応層がFe−Zn合金層であることも可能である。
また、本発明に係る表面処理物において、前記被処理体が鉄系合金からなり、前記薄膜が亜鉛からなることも可能である。
スパッタリング法、CVD法及び蒸着法のいずれかによって、前記被処理体の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜を被覆することを特徴とする。
スパッタリング法、CVD法及び蒸着法のいずれかによって、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリング又はCVDを行うことで、前記被処理体の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリング又はCVDを行うことで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
被処理体を収容する容器と、
前記容器を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたスパッタリングターゲットと、
を具備することを特徴とする。
前記容器を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたスパッタリングターゲットと、
を具備し、
スパッタリングを行うことにより、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置されたスパッタリングターゲットと、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、前記被処理体の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置されたスパッタリングターゲットと、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
被処理体を収容する容器と、
前記容器を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置され、前記容器に対向するように配置された電極と、
を具備することを特徴とする。
前記容器を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内に配置され、前記容器に対向するように配置された電極と、
を具備し、
プラズマCVD法を用いることにより、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置された電極と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらプラズマCVD法を用いることで、前記被処理体の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置された電極と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらプラズマCVD法を用いることで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
被処理体を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に配置された蒸発源と、
を具備することを特徴とする。
前記チャンバー内に配置された蒸発源と、
を具備し、
蒸着法により前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
被処理体を収容する容器と、
前記容器を収容するチャンバーと、
前記容器に収容された被処理体を加熱する加熱機構と、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備することを特徴とする。
前記容器を収容するチャンバーと、
前記容器に収容された被処理体を加熱する加熱機構と、
前記チャンバー内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
サーマルCVD法を用いることにより、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に収容された被処理体を加熱する加熱機構と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらサーマルCVD法を用いることで、該被処理体の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜を被覆することを特徴とする。
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に収容された被処理体を加熱する加熱機構と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらサーマルCVD法を用いることで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1による表面処理装置の概略を示す構成図である。この表面処理装置は、鋼鉄、ステンレスなどの鉄系合金からなる被処理体(例えばボルトやナット等の部品)の表面にスパッタリング法により薄膜を被覆するという表面処理を行う装置である。
まず、六角型バレル1b内に複数の被処理体3を導入する。この被処理体3としては例えばボルト、ナットを用いた。また、ターゲット2にはZnを用いた。なお、本表面処理方法を用いれば、幅広い材料からなる被処理体に薄膜を被覆することが可能である。
また、本実施の形態では、被処理体に被覆する薄膜の膜厚が均一になるように制御することが可能である。また、被処理体に被覆した薄膜にピンホールが生じるのを極めて少なくできるか、又は無くすことができる。
また、本実施の形態は、従来の方法に比べて修飾工程が非常に短いこと、不純物の混入がほとんど無いことといった利点を有している。また、本実施の形態による表面処理装置の場合、めっき浴のメンテナンスを考慮すると初期設備投資は決して高くない。
まず、六角型バレル1b内に複数の被処理体3としてはボルトとナット(図6(A)に示す)を導入する。また、ターゲット2にはAu(4N)を用いた。次いで、ターボ分子ポンプ10を用いて六角型バレル1b内に1×10−3Paの高真空状態を作り、ヒータ17で六角型バレルを300℃まで加熱する。その後、アルゴンガス供給機構16によりスパッタリングガスとしてArガスを六角型バレル1b内に導入する。この際のArガスの圧力は2PaでArガスの流量が20sccmである。そして、回転機構により六角型バレル1bを200Wで30分間、3.5rpmで回転させることで、六角型バレル1b内の被処理体3を回転させ、攪拌させる。その際、ターゲットは被処理体の位置する方向に向けられる。その後、高周波印加機構によりターゲット2と六角型バレル1bとの間に高周波を印加することで、被処理体3の表面にAu薄膜をRFマグネトロンスパッタリングによって被覆する。
図6(B)は、上述したように被処理体であるボルトとナットの表面にAu薄膜が被覆された様子を示す図である。図7(B)は、図6(B)に示すナットの表面を拡大した図である。図8(B)は、図6(B)に示すボルトのねじ山を拡大した図である。
図7(A)は、図6(A)に示すナットの表面を拡大した図である。図8(A)は、図6(A)に示すボルトのねじ山を拡大した図である。
図6乃至図8に示すように、上記表面処理方法を用いることにより被処理体にピンホールのないAu薄膜を被覆することができる。つまり、被処理体の表面を腐食しない物質であるAuの薄膜で被覆し、このAu薄膜にはピンホールがないため、被処理体に防食作用を持たせることができる。
図3(A)は、本発明の実施の形態2による表面処理装置の概略を示す断面図であり、図3(B)は、図3(A)に示す4B−4B線に沿った断面図である。この表面処理装置は、被処理体の表面に薄膜をサーマルCVD法により被覆するという表面処理を行う装置である。
まず、容器22内に複数のボルトとナット等の被処理体3を収容する。尚、被処理体3としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態1と同様に鉄鋼製のものを用いる。
また、本実施の形態では、被処理体に被覆する薄膜の膜厚が均一になるように制御することが可能である。また、被処理体に被覆した薄膜にピンホールが生じるのを極めて少なくできるか、又は無くすことができる。
また、本実施の形態は、従来の方法に比べて修飾工程が非常に短いこと、不純物の混入がほとんど無いことといった利点を有している。また、本実施の形態による表面処理装置の場合、めっき浴のメンテナンスを考慮すると初期設備投資は決して高くない。
図4(A)は、本発明の実施の形態3による表面処理装置の概略を示す断面図であり、図4(B)は、図4(A)に示す8B−8B線に沿った断面図である。この表面処理装置は、被処理体の表面に薄膜をプラズマCVD法により被覆するという表面処理を行う装置である。
まず、複数の被処理体3を容器30内に収容する。尚、被処理体3としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態1と同様に鉄系合金の被処理体を用いる。この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー23内を所定の圧力(例えば10−2〜10−4Torr程度)まで減圧する。これと共に、回転機構により容器30を回転させることで、その内部に収容された被処理体3が容器内面において攪拌又は回転される。
図5(A)は、本発明の実施の形態4による表面処理装置の概略を示す構成図である。図5(B)〜(D)は、図5(A)に示す表面処理装置を用いて表面処理を行う様子を模式的に示す図である。この表面処理装置は、被処理体の表面に薄膜を蒸着法により被覆するという表面処理を行う装置である。
まず、図5(B)に示すように、容器28内に複数のボルトとナット等の被処理体3を収容又は載置する。尚、被処理体3としては種々の材質を用いることが可能であるが、本実施の形態では実施の形態1と同様に鉄系合金製のものを用いる。
次いで、Zn薄膜が被覆された被処理体3をヒータ29によって100〜700℃の温度に加熱する。これにより、Zn薄膜と被処理体3を反応させ、被処理体3の表面にFe−Zn合金からなる反応層を形成する。尚、ここではZn薄膜が被覆された被処理体3を加熱することによりZn薄膜と被処理体を反応させて反応層を形成しているが、被処理体の加熱は必須ではなく、被処理体の加熱を行わないことも可能であるし、また十分な反応層が形成されない程度で且つ被処理体とZn薄膜との密着性を向上させる程度の加熱を行うことも可能である。
また、本実施の形態では、被処理体に被覆する薄膜の膜厚が均一になるように制御することが可能である。また、被処理体に被覆した薄膜にピンホールが生じるのを極めて少なくできるか、又は無くすことができる。
また、本実施の形態は、従来の方法に比べて修飾工程が非常に短いこと、不純物の混入がほとんど無いことといった利点を有している。また、本実施の形態による表面処理装置の場合、めっき浴のメンテナンスを考慮すると初期設備投資は決して高くない。
1a…円筒部
1b…六角型バレル
2…ターゲット
3…被処理体
3a…反応層
4〜9…配管
10…ターボ分子ポンプ(TMP)
11…ポンプ(RP)
12〜14…第1〜第3バルブ
15…窒素ガス導入機構
16…アルゴンガス導入機構
17a,17b,21,29,34…ヒータ
18…バイブレータ
19…圧力計
20…ガス導入機構
22,28,30…容器
23,27…チャンバー
24…チャンバー蓋
25,31…プラズマ電源
26…ガスシャワー電極
32,33…スイッチ
35…原料
35a…蒸発ガス
Claims (21)
- 内部の断面形状が略円形又は多角形を有する真空容器内に被処理体を収容し、前記真空容器を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことによって、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記真空容器内で前記被処理体を加熱することにより前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする表面処理物の製造方法。
- 内部の断面形状が略円形又は多角形を有する容器内に被処理体を収容し、前記容器を前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらCVDを行うことによって、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記容器内で前記被処理体を加熱することにより前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする表面処理物の製造方法。
- 請求項1又は2において、前記被処理体の表面に薄膜を被覆しながら前記被処理体を加熱することにより前記被処理体の表面に前記反応層を形成することを特徴とする表面処理物の製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記反応層がFe−Zn合金層であることを特徴とする表面処理物の製造方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記被処理体が鉄系合金からなり、前記薄膜が亜鉛からなることを特徴とする表面処理物の製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記薄膜が耐食性物質又は犠牲物質からなることを特徴とする表面処理物の製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記被処理体の外径が50μm以下であることを特徴とする表面処理物の製造方法。
- 重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形又は多角形である容器内に被処理体を収容し、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリング又はCVDを行うことで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記容器内で前記被処理体を加熱することにより前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする表面処理方法。 - 請求項8において、前記被処理体の表面に薄膜を被覆しながら前記被処理体を加熱することにより前記被処理体の表面に前記反応層を形成することを特徴とする表面処理方法。
- 請求項8又は9において、前記反応層がFe−Zn合金層であることを特徴とする表面処理方法。
- 請求項8乃至10のいずれか一項において、前記被処理体が鉄系合金からなり、前記薄膜が亜鉛からなることを特徴とする表面処理方法。
- 請求項8又は9において、前記薄膜が耐食性物質又は犠牲物質からなることを特徴とする表面処理方法。
- 請求項8乃至12のいずれか一項において、前記被処理体の外径が50μm以下であることを特徴とする表面処理方法。
- 被処理体を収容する容器であって重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形又は多角形である容器と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置されたスパッタリングターゲットと、
前記容器に収容された前記被処理体を加熱する加熱機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記容器内で前記被処理体を加熱することにより前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする表面処理装置。 - 被処理体を収容する容器であって、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形又は多角形である容器と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に配置された電極と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記容器に収容された前記被処理体を加熱する加熱機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらプラズマCVD法を用いることで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記容器内で前記被処理体を加熱することにより前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする表面処理装置。 - 被処理体を収容する容器であって、重力方向に対して略平行な断面の内部形状が略円形又は多角形である容器と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記容器を回転させる回転機構と、
前記容器内に収容された被処理体を加熱する加熱機構と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより該容器内の被処理体を攪拌あるいは回転させながらサーマルCVD法を用いることで、前記被処理体の表面に薄膜を被覆し、前記容器内で前記被処理体を加熱することにより前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層を形成することを特徴とする表面処理装置。 - 請求項14乃至16のいずれか一項において、前記被処理体の表面に薄膜を被覆しながら前記被処理体を加熱することにより前記被処理体の表面に前記反応層を形成することを特徴とする表面処理装置。
- 請求項14乃至17のいずれか一項において、前記反応層がFe−Zn合金層であることを特徴とする表面処理装置。
- 請求項14乃至18のいずれか一項において、前記被処理体が鉄系合金からなり、前記薄膜が亜鉛からなることを特徴とする表面処理装置。
- 請求項14乃至17のいずれか一項において、前記薄膜が耐食性物質又は犠牲物質からなることを特徴とする表面処理装置。
- 請求項14乃至20のいずれか一項において、前記被処理体の外径が50μm以下であることを特徴とする表面処理装置。
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