JP6696991B2 - 金属部片の表面を熱化学処理するためのプラズマプロセスおよびリアクタ - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 119
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title claims description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 147
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 105
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 95
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 91
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 83
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 47
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 44
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims description 35
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 31
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 claims 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 4
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- QDZRBIRIPNZRSG-UHFFFAOYSA-N titanium nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Ti](O[N+]([O-])=O)(O[N+]([O-])=O)O[N+]([O-])=O QDZRBIRIPNZRSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017313 Mo—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 238000005256 carbonitriding Methods 0.000 description 1
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010622 cold drawing Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/26—Deposition of carbon only
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
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Description
所望の合金元素が固相前駆体においてのみ利用可能である場合には、所望の合金元素の放出と、その後の被処理部片への誘導を達成するために、プラズマリアクタの内部におけるスパッタリングが一般的に使用される。
所望の化合物を形成するために必要とされる合金元素または化学元素が、液相または気相の、長鎖を有する前駆体においてのみ利用可能である場合には、所望の合金元素の放出と、その後の合金元素の被処理部片上への堆積を達成するために、プラズマリアクタの内部におけるクラッキングが一般的に使用される。合金元素のキャリアとして液体前駆体を使用する研究に関しては、Aumailleらの研究(Aumaille K.、Valleae C.、Granier A.、Goullet A.、Gaboriau F.、Turban G.、「A comparative study of oxygen/organosilicon plasmas and thin SiOxCyHz lms deposited in a helicon reactor」Thin Solid Films、v.359、p.188−196、2000年)に言及することができる。
a)アノード2を、第1の電極2aと接地2bとに接続するとともに、カソード3を、アノード2aとカソード3のシステムのその他の電極3aとして動作する支持体Sと、高電圧脈動DC電源10の負電位とに接続するステップと、
b)反応チャンバRCの内部においてカソード3に関連付けられた支持体S−S1の上に、金属部片1を静的に配置するステップと、
c)入口4を介して反応チャンバRCに送給される、イオン化可能な気体負荷で、支持体Sと金属部片1とを包囲するステップと、
d)反応チャンバRCの内部を所与の作動温度まで加熱するステップと、
e)金属部片1と支持体Sとを包囲する、高運動エネルギーを有するイオンガスプラズマの形成を誘発するために、支持体Sと金属部片1とに関連付けられたカソード3に、放電を起こさせるステップと、
f)好ましくは、リアクタRの反応チャンバRCの内側の作動温度に晒される、管状クラッキングチャンバ20内に、液体前駆体(例えば、ヘキサメチルジシロキサン(C6H18OSi2))または気体前駆体の流れを受け入れるステップであって、前記管状クラッキングチャンバ20は、少なくとも一端21が反応チャンバRCの内部に開口するとともに、高電圧エネルギー源30に関連付けられている、受け入れるステップと、
g)前駆体の分子を解離させて、それによって反応チャンバRCの内部へ、脈動DC電源10によって負に極性化されている金属部片1の表面に対してイオン衝突させられる合金元素を放出するために、管状クラッキングチャンバ20と、アノード2とカソード3のシステムのアノード2との間に電位差を印加するステップと、
h)反応チャンバRCの内部から気体負荷の排出を行うステップとを含む。
a’)先に実施されていない場合には、アノード2を、第1の電極2aと接地2bとに接続するとともに、カソード3を、アノード2aとカソード3のシステムの他方の電極3aとして動作する支持体Sと、脈動DC電源10の負電位とに接続するステップと、
b’)先に実施されていない場合には、反応チャンバRCの内側でカソード3に関連付けられた支持体S上に金属部片1を静的に配置するステップと、
c’)入口4を介して反応チャンバRCに送給される、イオン化可能な気体負荷で、支持体Sと金属部片1とを包囲するステップと、
d’)反応チャンバRCの内部を所与の作動温度まで加熱するステップと、
e’)金属部片1と支持体Sとを包囲して、高運動エネルギーを有するイオンガスプラズマを形成させるために、支持体Sと金属部片1とに関連付けられたカソード3に、放電を起こさせるステップと、
f’)好ましくは、リアクタRの反応チャンバRC内部の作動温度に晒される、管状スパッタリングチャンバ40の内部を画定する、固体前駆体PS2を提供するステップであって、前記管状スパッタリングチャンバ40は、少なくとも一端41が反応チャンバRCの内部に開口して、電力源50に関連付けられている、提供するステップと、
g’)固体前駆体PS2のスパッタリングを行って、固体前駆体から反応チャンバRCの内部に、脈動DC電源10によって負に極性化された金属部片1の表面に対してイオン衝突させる合金元素を放出させるために、管状スパッタリングチャンバ40と、アノード2とカソード3のシステムのアノード2との間に電位差を印加するステップと、
h’)反応チャンバRCの内部から気体負荷の排出を行うステップと、をさらに含む処理方法をさらに含むことができる。
管状クラッキングチャンバ20が設けられたリアクタRにおいて実施してもよい1つの処理は、金属部片1の表面上への酸化ケイ素堆積の処理である。この処理において、反応チャンバRCの内側の圧力は、0.1から5torrまでの値に低減されるとともに、液体前駆体が使用され、これは、管状クラッキングチャンバ20内に導入されるシリコーンを含有する、ヘキサメチルジシロキサン、シラン、またはその他としてもよい。反応チャンバRCのイオン化可能な気体の入口4を介して、気体アルゴンおよび酸素を供給してもよい。すなわち、カソード3に接続された脈動DC電源10によってイオン化されて、負に極性化された金属部片1に向かって引き付けられる、気体の形態での酸化シリコーンが形成される。この例のこのタイプの表面処理に使用される温度は、100℃から500℃まで変化し、これに対して、管状クラッキングチャンバ20の内側の温度は700℃から1200℃まで変化する。
表面処理によって、仕上げ加工された構成要素の表面層に、とりわけCr、Ni、Moなどの関心のある合金元素の富化を促進することに加えて、表面層に、DLCおよびドーピングされたDLCと同様に、新規の相:例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化クロム、窒化ボロン、金属間化合物(FeAlまたはNiAl)およびAl2O3、を生成させることができる。
Claims (33)
- 金属部片(1)を担持する支持体(S)と;その電極(2a、3a)の一方が脈動DC電源(10)に接続された、アノード(2)とカソード(3)のシステムと;イオン化可能な気体負荷の入口(4)と;液体前駆体または気体前駆体の入口(5)と;気体負荷の排出用の出口(6)とが設けられた反応チャンバ(RC)を有するプラズマリアクタ(R)内で、金属部片の表面を熱化学処理する方法であって、
a)アノード(2)を、第1の電極(2a)と接地(2b)と脈動DC電源(10)の正電位とに接続するとともに、カソード(3)を、アノード(2)とカソード(3)のシステムの他方の電極(3a)として動作する支持体(S)と、脈動DC電源(10)の負電位とに接続するステップと、
b)反応チャンバ(RC)の内部においてカソード(3)に接続された支持体(S)上に、金属部片(1)を静的に配置するステップと、
c)入口(4)を介して反応チャンバ(RC)に供給される、イオン化可能な気体負荷で、支持体(S)と金属部片(1)とを包囲するステップと、
d)反応チャンバ(RC)の内部を作動温度まで加熱するステップと、
e)金属部片(1)と支持体(S)とを包囲する、高運動エネルギーを有するイオンのガスプラズマを形成させるために、支持体(S)と金属部片(1)とに接続されたカソード(3)に、放電を起こさせるステップと、
f)少なくとも一端(21)が反応チャンバ(RC)の内部に開口するとともに、高電圧エネルギー源(30)に接続された、少なくとも1つの管状クラッキングチャンバ(20)内に、液体前駆体または気体前駆体の流れを、受け入れるステップと、
g)前記管状クラッキングチャンバ(20)中に受け入れられた前駆体の分子を解離させて、反応チャンバ(RC)の内部へ、脈動DC電源(10)によって負に極性化されている金属部片(1)の表面に対してイオン衝突させる合金元素の原子を放出するために、少なくとも1つの管状クラッキングチャンバ(20)と、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)との間に電位差を印加するステップと、
h)反応チャンバ(RC)の内部から気体負荷の排出を行うステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 管状クラッキングチャンバ(20)が、反応チャンバ(RC)の内部における作動温度に晒されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 管状クラッキングチャンバ(20)が、リアクタ(R)の反応チャンバ(RC)の、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)に関連して動作する、中空カソードを画定することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 液体前駆体は、ヘキサメチルジシロキサン(C6H18OSi2)とシランの間で選択されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- イオン化可能気体負荷が、液体前駆体のクラッキングによって得られる原子または分子と反応させるために、酸素、水素、窒素およびアルゴンから選択される気体の追加をさらに含み、それによって、アノード(2)とカソード(3)のシステムに印加された電位差によって生じる加速度の結果として生じる運動エネルギーで、金属部片(1)に向けられる化合物を形成することを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 気体負荷と液体前駆体とのイオン化は、低圧力雰囲気下でDC放電によって、プラズマを発生させて、金属部片(1)の表面処理のための合金元素を生成して実施されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 管状クラッキングチャンバ(20)から放出され、所望の合金元素の原子を金属部片(1)の表面にイオン衝突させる、クラッキングされた前駆体が、管状クラッキングチャンバ(20)の前記開口端(21)の直ぐ下流に位置する、フィルタリング装置(90)内に、最終的な不所望の原子を保持させることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- クラッキングされた前駆体の不所望の原子を保持することが、前記原子とフィルタリング装置(90)の間の化学反応によって達成されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 液体前駆体または気体前駆体のクラッキングによる表面熱化学処理のステップの前、その間、またはその後に、
a’)先に実施されていない場合には、アノード(2)を、第1の電極(2a)と接地(2b)と脈動DC電源(10)の正電位とに接続するとともに、カソード(3)を、アノード(2)とカソード(3)のシステムの他方の電極(3a)として動作する支持体(S)と、脈動DC電源(10)の負電位とに接続するステップと、
b’)先に実施されていない場合には、反応チャンバRCの内側でカソード(3)に接続された支持体S上に、金属部片(1)を静的に配置するステップと、
c’)先に実施されていない場合には、入口(4)を介して反応チャンバ(RC)に送給される、イオン化可能な気体負荷で、支持体(S)と金属部片(1)とを包囲するステップと、
d’)先に実施されていない場合には、反応チャンバ(RC)の内部を作動温度まで加熱するステップと、
e’)金属部片(1)と支持体(S)とを包囲する、高運動エネルギーを有するイオンガスプラズマを形成させるために、支持体(S)と金属部片(1)とに接続されたカソード(3)に、放電を起こさせるステップと、
f’)一端が反応チャンバ(RC)の内部に開口するとともに、電力源(50)に接続されている、少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)の内部構造に組み込まれている固体前駆体を提供するステップと、
g’)固体前駆体のスパッタリングを行い、固体前駆体から反応チャンバ(RC)の内部に、脈動DC電源(10)によって負に極性化された金属部片(1)の表面に対して、イオン衝突させる合金元素を放出するために、少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)と、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)との間に電位差を印加するステップと、
h’)反応チャンバRCの内部から、気体負荷の排出を行うステップと
をさらに含むことを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。 - 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)が、反応チャンバ(RC)の内部における作動温度に晒されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)が、リアクタ(R)の反応チャンバ(RC)の、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)に関連して動作する、中空カソードを画定することを特徴とする、請求項9または10に記載の方法。
- 気体負荷と固体前駆体とのイオン化は、低圧力雰囲気下でDC放電によって、プラズマを発生させて、金属部片(1)の表面処理のための合金元素を生成して実施されることを特徴とする、請求項9から11のいずれか一項に記載の方法。
- 金属部片(1)を担持する支持体(S)と;その電極の一方(2a)が高電圧脈動DC電源(10)に接続された、アノード(2)とカソード(3)のシステムと;イオン化可能な気体負荷の入口(4)と;気体負荷の排出用の出口(6)とが設けられた反応チャンバ(RC)を有するプラズマリアクタ(R)内で、金属部片の表面を熱化学処理する方法であって、
a)アノード(2)を、第1の電極(2a)と接地(2b)と脈動DC電源(10)の正電位とに接続するとともに、カソード(3)を、アノード(2)とカソード(3)のシステムの他方の電極(3a)として動作する支持体(S)と、脈動DC電源(10)の負電位とに接続するステップと、
b)反応チャンバ(RC)の内部においてカソード(3)に接続された支持体(S)内に、金属部片(1)を静的に配置するステップと、
c)入口(4)を介して反応チャンバ(RC)に供給される、イオン化可能な気体負荷で、支持体(S)と金属部片(1)とを包囲するステップと、
d)反応チャンバ(RC)の内部を作動温度まで加熱するステップと、
e)金属部片(1)と支持体(S)とを包囲する高運動エネルギーを有するイオンのガスプラズマを形成させるために、支持体(S)と金属部片(1)とに接続されたカソード(3)に、放電を起こさせるステップと、
f)一端(41)が反応チャンバ(RC)の内部に開口するとともに、電力源(50)に接続された、管状スパッタリングチャンバ(40)の内側に画定された、固体前駆体を提供するステップと、
g)固体前駆体のスパッタリングを行い、固体前駆体から反応チャンバ(RC)の中に、脈動DC電源(10)によって負に極性化されている金属部片(1)の表面に対してイオン衝突させる合金元素を放出するために、少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)と、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)との間に電位差を印加するステップと、
h)反応チャンバ(RC)の内部から、気体負荷の排出を行うステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)が、反応チャンバ(RC)の内部における作動温度に晒されることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)が、リアクタの反応チャンバ(RC)の、アノード―カソードのシステムのアノードに関連して動作する、中空カソードを画定することを特徴とする、請求項13または14に記載の方法。
- 気体負荷と固体前駆体とのイオン化は、低圧力雰囲気下でDC放電によって、プラズマを発生させて、金属部片(1)の表面処理のための合金元素を生成して実施されることを特徴とする、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。
- イオン化可能気体負荷が、リアクタ(R)の上部によって、反応チャンバ(RC)と、支持体(S)上の金属部片(1)の配設との垂直対称軸に従って、反応チャンバ(RC)の内部に受け入れられることを特徴とする、請求項1から16のいずれか一項に記載の方法。
- 金属部片の表面を熱化学処理するためのリアクタであって、前記プラズマリアクタ(R)は、
金属部片(1)を担持する支持体(S)と;脈動DC電源(10)に接続された、アノード(2)とカソード(3)のシステムと;イオン化可能な気体負荷の入口(4)と;液体前駆体または気体前駆体の入口(5)と;真空システム(7)に接続された、気体負荷の排出の出口(6)と;反応チャンバ(RC)の内部を作動温度まで加熱するために金属製ハウジング(8)に装着された加熱手段(60)とを備える反応チャンバ(RC)を内部的に画定する、金属製ハウジング(8)を有し、
第1の電極(2a)と接地(2b)と脈動DC電源(10)の正電位とに接続されたアノード(2)、およびアノード(2)とカソード(3)のシステムの他方の電極(3a)として動作する支持体(S)と、脈動DC電源(10)のそれぞれの負の電位とに接続されたカソード(3)と、
金属部片(1)を静的に担持し、反応チャンバ(RC)の内部におけるカソード(3)に接続された、支持体(S)と、
液体前駆体または気体前駆体のそれぞれの流れがそこに受け入れられる、少なくとも1つの管状クラッキングチャンバ(20)であって、前駆体の分子を解離させること、およびそれらの反応チャンバ(RC)の内部への放出のために、少なくとも一端(21)が反応チャンバ(RC)の内部に開口するとともに、高電圧エネルギー源(30)に接続されている、少なくとも1つの管状クラッキングチャンバ(20)と
を備えることを特徴とするリアクタ。 - 少なくとも1つの管状クラッキングチャンバ(20)が、反応チャンバ(RC)の内部で支持体(S)の上方に配置され、反応チャンバ(RC)の内部の作動温度に晒されて、リアクタの外部の、液体前駆体または気体前駆体の源(PS1)から来る、供給管(25)を用いて、液体前駆体または気体前駆体の流れを受け入れることを特徴とする、請求項18に記載のリアクタ。
- 少なくとも1つの管状クラッキングチャンバ(20)が、リアクタ(R)の反応チャンバ(RC)の、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)に関連して動作する、中空カソードを画定することを特徴とする、請求項19に記載のリアクタ。
- 少なくとも1つの管状クラッキングチャンバ(20)へのエネルギー供給が、液体前駆体または気体前駆体の供給管(25)自体によって実施されることを特徴とする、請求項19または20に記載のリアクタ。
- 管状クラッキングチャンバ(20)のそれぞれの少なくとも一方の開口端(21)の直ぐ下流に位置する、フィルタリング装置(90)であって、
金属部片(1)の表面に対してイオン衝突させられる所望の合金元素の原子と一緒に、管状クラッキングチャンバ(20)によって放出される、最終的な不所望の原子と化学的に反応することが可能であって、前記最終的な不所望の原子がその中に保持される、フィルタリング装置(90)をさらに備えることを特徴とする、請求項18から21のいずれか一項に記載のリアクタ。 - フィルタリング装置(90)が、前記不所望の原子と反応することのできる材料で構築されるか、またはそれで裏張りされた管(91)で画定されるとともに、管状クラッキングチャンバ(20)の前記開放端(21)に隣接し、かつ軸方向に整列して配置、固定されていることを特徴とする、請求項22に記載のリアクタ。
- フィルタリング装置(90)は、管状クラッキングチャンバ(20)自体の管上延長体によって画定されることを特徴とする、請求項23に記載のリアクタ。
- 固体前駆体のスパッタリングと、脈動DC電源(10)によって負に極性化された金属部片(1)に対してイオン衝突させられる、その合金元素の放出とを行うために、一端(41)を反応チャンバ(RC)の内部に開口するとともに、電力源(50)に接続された、固体前駆体を担持する少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)をさらに備えることを特徴とする、請求項18から24のいずれか一項に記載のリアクタ。
- 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)が、反応チャンバ(RC)の内部で支持体(S)の上方に配置されて、反応チャンバ(RC)の内部の作動温度に晒されることを特徴とする、請求項25に記載のリアクタ。
- 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)が、リアクタ(R)の反応チャンバ(RC)の、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)に関連して動作する、中空カソードを画定することを特徴とする、請求項26に記載のリアクタ。
- 固体前駆体が、それぞれの管状スパッタリングチャンバ(40)の内部構造に組み込まれていることを特徴とする、請求項27に記載のリアクタ。
- 金属部片の表面を熱化学処理するためのリアクタであって、前記プラズマリアクタ(R)は、
金属部片(1)を担持する支持体(S)と;高電圧脈動DC電源(10)に接続された、アノード(2)とカソード(3)のシステムと;イオン化可能な気体負荷の入口(4)と;反応チャンバ(RC)の内部と動作可能に接続された固体前駆体と;真空システム(7)に接続された、気体負荷の排出の出口(6)と;反応チャンバ(RC)の内部を作動温度まで加熱するために金属製ハウジング(8)に装着された加熱手段(60)を備える反応チャンバ(RC)を内部的に画定する、金属製ハウジング(8)を有し、
第1の電極(2a)と接地(2b)と脈動DC電源(10)の正電位とに接続されたアノード(2)、およびアノード(2)とカソード(3)のシステムの他方の電極(3a)として動作する支持体(S)と、脈動DC電源(10)の負の電位とに接続されたカソード(3)、
金属部片(1)を静的に担持するとともに、反応チャンバ(RC)の内部においてカソード(3)に接続された、支持体(S)、
固体前駆体を担持する、少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)であって、固体前駆体のスパッタリングと、脈動DC電源(10)によって負に極性化された金属部片(1)に対してイオン衝突させられる、合金元素の、固体前駆体からの放出とを行うために、一端(41)が反応チャンバ(RC)の内部に開口するとともに、電力源(50)に接続されている、少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)
を備えることを特徴とする、リアクタ。 - 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)は、反応チャンバ(RC)の内部で、支持体(S)の上方に配置され、反応チャンバ(RC)の内部の作動温度に晒されることを特徴とする、請求項29に記載のリアクタ。
- 少なくとも1つの管状スパッタリングチャンバ(40)が、リアクタ(R)の反応チャンバ(RC)の、アノード(2)とカソード(3)のシステムのアノード(2)に関連して動作する、中空カソードを画定することを特徴とする、請求項30に記載のリアクタ。
- 固体前駆体が、それぞれの管状スパッタリングチャンバ(40)の内部構造に組み込まれていることを特徴とする、請求項31に記載のリアクタ。
- イオン化可能な気体負荷の入口(4)が、リアクタ(R)の上部に、反応チャンバ(RC)と、支持体(S)上の金属部片(1)の配設との対称垂直軸に従って、設けられていることを特徴とする、請求項18から32のいずれか一項に記載のリアクタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BR102014026134-6A BR102014026134B1 (pt) | 2014-10-20 | 2014-10-20 | Processo e reator de plasma para tratamento termoquímico de superfície de peças metálicas |
BRBR1020140261346 | 2014-10-20 | ||
PCT/BR2015/050185 WO2016061652A1 (en) | 2014-10-20 | 2015-10-19 | Plasma process and reactor for the thermochemical treatment of the surface of metallic pieces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017534000A JP2017534000A (ja) | 2017-11-16 |
JP6696991B2 true JP6696991B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=54476621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017539477A Expired - Fee Related JP6696991B2 (ja) | 2014-10-20 | 2015-10-19 | 金属部片の表面を熱化学処理するためのプラズマプロセスおよびリアクタ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20180023185A1 (ja) |
EP (2) | EP3210233B1 (ja) |
JP (1) | JP6696991B2 (ja) |
CN (2) | CN110129746A (ja) |
BR (1) | BR102014026134B1 (ja) |
ES (1) | ES2791923T3 (ja) |
WO (1) | WO2016061652A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10648075B2 (en) | 2015-03-23 | 2020-05-12 | Goodrich Corporation | Systems and methods for chemical vapor infiltration and densification of porous substrates |
US11313040B2 (en) * | 2017-03-24 | 2022-04-26 | Embraco Indústria De Compressores E Soluçôes Em Refrigeraçâo Ltda. | Plasma-assisted process of ceramization of polymer precursor on surface, surface comprising ceramic polymer |
CN111893455B (zh) * | 2020-09-08 | 2023-10-03 | 河北美普兰地环保科技有限公司 | 金属基材碳纳米膜材料制造设备及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2501727A1 (fr) * | 1981-03-13 | 1982-09-17 | Vide Traitement | Procede de traitements thermochimiques de metaux par bombardement ionique |
US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
US5997642A (en) * | 1996-05-21 | 1999-12-07 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for misted deposition of integrated circuit quality thin films |
US6086679A (en) * | 1997-10-24 | 2000-07-11 | Quester Technology, Inc. | Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition |
US6268288B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treated thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors |
SE516722C2 (sv) * | 1999-04-28 | 2002-02-19 | Hana Barankova | Förfarande och apparat för plasmabehandling av gas |
US20020033233A1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-03-21 | Stephen E. Savas | Icp reactor having a conically-shaped plasma-generating section |
GB0518390D0 (en) * | 2005-09-09 | 2005-10-19 | Angeletti P Ist Richerche Bio | Therapeutic compounds |
US7896950B2 (en) * | 2006-02-21 | 2011-03-01 | Yashen Xia | Plasma-aided method and apparatus for hydrogen storage and adsorption of gases into porous powder |
EP2178109A4 (en) * | 2007-08-08 | 2012-12-19 | Ulvac Inc | PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS |
BRPI0803774B1 (pt) | 2008-06-11 | 2018-09-11 | Univ Federal De Santa Catarina Ufsc | processo e reator de plasma para tratamento de peças metálicas |
DE102008064134B4 (de) * | 2008-12-19 | 2016-07-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Beschichtung von Gegenständen mittels eines Niederdruckplasmas |
ITMI20092107A1 (it) * | 2009-11-30 | 2011-06-01 | Milano Politecnico | Metodo e apparato per la deposizione di strati sottili nanostrutturati con morfologia e nanostruttura controllata |
US20150376772A1 (en) * | 2013-02-01 | 2015-12-31 | Regents Of The University Of Minnesota | Multi-surface nanoparticle sources and deposition systems |
-
2014
- 2014-10-20 BR BR102014026134-6A patent/BR102014026134B1/pt active IP Right Grant
-
2015
- 2015-10-19 US US15/520,154 patent/US20180023185A1/en not_active Abandoned
- 2015-10-19 EP EP15790820.3A patent/EP3210233B1/en active Active
- 2015-10-19 ES ES15790820T patent/ES2791923T3/es active Active
- 2015-10-19 CN CN201910503517.5A patent/CN110129746A/zh active Pending
- 2015-10-19 JP JP2017539477A patent/JP6696991B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-19 WO PCT/BR2015/050185 patent/WO2016061652A1/en active Application Filing
- 2015-10-19 EP EP18170399.2A patent/EP3382737B1/en active Active
- 2015-10-19 CN CN201580063209.5A patent/CN107002228B/zh active Active
-
2019
- 2019-12-17 US US16/717,209 patent/US20200123645A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR102014026134A2 (pt) | 2016-05-24 |
CN110129746A (zh) | 2019-08-16 |
CN107002228B (zh) | 2019-12-13 |
JP2017534000A (ja) | 2017-11-16 |
CN107002228A (zh) | 2017-08-01 |
EP3210233A1 (en) | 2017-08-30 |
BR102014026134B1 (pt) | 2022-09-27 |
WO2016061652A1 (en) | 2016-04-28 |
ES2791923T3 (es) | 2020-11-06 |
EP3382737B1 (en) | 2019-11-20 |
US20200123645A1 (en) | 2020-04-23 |
US20180023185A1 (en) | 2018-01-25 |
EP3210233B1 (en) | 2020-02-19 |
EP3382737A1 (en) | 2018-10-03 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |