JPS6139520A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS6139520A JPS6139520A JP15872584A JP15872584A JPS6139520A JP S6139520 A JPS6139520 A JP S6139520A JP 15872584 A JP15872584 A JP 15872584A JP 15872584 A JP15872584 A JP 15872584A JP S6139520 A JPS6139520 A JP S6139520A
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- JP
- Japan
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- gas
- wafer
- inert gas
- sample
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処Ｍ装置に係り、持重こ試料をガス
プラズマにより所定処理するのに好適なプラズマ処理装
置に関するものである。
プラズマにより所定処理するのに好適なプラズマ処理装
置に関するものである。
真空容器内で電極に載置又は設置された試料をガスプラ
ズマにより所定処理するプラズマ処理装置の１つに、試
料を所定のパターンにエツチングするプラズマエツチン
グ装置がある。二の装置では試料の精密で、かつ均一な
エツチングを行うことが生産効率向上のため重要でゐる
。試料の精密エツチングにはマスクパターンの形状が大
きく影響し、均一エツチングには種々の因子が影響し、
これらの因子の中で特にガスの流れ、濃度の均一性は重
要な影響因子である。以下、従来のブラダ。
ズマにより所定処理するプラズマ処理装置の１つに、試
料を所定のパターンにエツチングするプラズマエツチン
グ装置がある。二の装置では試料の精密で、かつ均一な
エツチングを行うことが生産効率向上のため重要でゐる
。試料の精密エツチングにはマスクパターンの形状が大
きく影響し、均一エツチングには種々の因子が影響し、
これらの因子の中で特にガスの流れ、濃度の均一性は重
要な影響因子である。以下、従来のブラダ。
マエッチング装置を例にとり、第８図により説明する。
第８図において、真空容器１１内に互いに対向する２つ
の電極２０．３０を有し上部の電極２０の下面から反応
ガス２１を導入し、下部の電極３０（一般に下部の１！
極に高周波電力５０が印加され、また、二の 。
の電極２０．３０を有し上部の電極２０の下面から反応
ガス２１を導入し、下部の電極３０（一般に下部の１！
極に高周波電力５０が印加され、また、二の 。
電極を冷却するため冷却水通路１２．１３に冷却水が供
給さｎろ。）上表面に試料が載置又は設置されるように
構成される。上部の電ｆ！２０から導入されたガス２１
は下部７１１ 極３０上を半径方向へ流れ、下部電極３
０外周側面と真空容器１１の側壁との間隙４１を通って
排気ノズル１０より排気さｎる。
給さｎろ。）上表面に試料が載置又は設置されるように
構成される。上部の電ｆ！２０から導入されたガス２１
は下部７１１ 極３０上を半径方向へ流れ、下部電極３
０外周側面と真空容器１１の側壁との間隙４１を通って
排気ノズル１０より排気さｎる。
このような装置１１を用いて、例えば、Ｍ膜のエツチン
グを行った場合、試料の中心部でエツチング速度が低く
、試料の外周辺部でエツチング速度が高い傾向を示す、
これは、試料の外周辺部を境に、つまり被エツチング物
が反応ガス下に存在するか否かによって試料近傍での反
応ガスのラジカル濃度が変化し試料の外周辺部では、よ
り外側からのガス拡散によりラジカル濃度が高くなるた
めである。なお、この種の装ｒとしては均一性に関連す
るものとして例えば特開昭５５−８２４３８号公報、特
開昭５６−４３７２５号公報、特開昭５６−１００４１
９号公報、特開昭５７−１１４２３１号公報等があり、
これらは均一性の向上に効果を求めようとするものであ
る。これらの試みにより均一性の向上は図られるが、一
方、真空容器内での高周波電力印加による発生熱がある
値以上になるとマスクパターン材料の熱損傷を招き、こ
のことがパターンに忠実な精密なエツチングを困難なも
のとしていた。なお、マスクパターンの熱損傷を抑制し
精密なエツチングを試みるものとして、例えば特開昭５
６−４８１３２号公報がある。この試みはウェハな温度
制御することによりマスクパターンの熱損傷を抑制でき
る効果を持つが、均一性についての１７６題を認識して
いない。
グを行った場合、試料の中心部でエツチング速度が低く
、試料の外周辺部でエツチング速度が高い傾向を示す、
これは、試料の外周辺部を境に、つまり被エツチング物
が反応ガス下に存在するか否かによって試料近傍での反
応ガスのラジカル濃度が変化し試料の外周辺部では、よ
り外側からのガス拡散によりラジカル濃度が高くなるた
めである。なお、この種の装ｒとしては均一性に関連す
るものとして例えば特開昭５５−８２４３８号公報、特
開昭５６−４３７２５号公報、特開昭５６−１００４１
９号公報、特開昭５７−１１４２３１号公報等があり、
これらは均一性の向上に効果を求めようとするものであ
る。これらの試みにより均一性の向上は図られるが、一
方、真空容器内での高周波電力印加による発生熱がある
値以上になるとマスクパターン材料の熱損傷を招き、こ
のことがパターンに忠実な精密なエツチングを困難なも
のとしていた。なお、マスクパターンの熱損傷を抑制し
精密なエツチングを試みるものとして、例えば特開昭５
６−４８１３２号公報がある。この試みはウェハな温度
制御することによりマスクパターンの熱損傷を抑制でき
る効果を持つが、均一性についての１７６題を認識して
いない。
以上、上述したように従来装匠ではそれぞれ一長一短が
あるが、欠点としてはマスクパターンの熱損傷によるパ
ターン精度の低下や試料内でのエツチングの不均一さに
よる製品の歩留りが低いことにある。
あるが、欠点としてはマスクパターンの熱損傷によるパ
ターン精度の低下や試料内でのエツチングの不均一さに
よる製品の歩留りが低いことにある。
本発明の目的は、試料の被処理面に対する反応ガス濃度
の均一化と試料温度の適正化とを同時に図ることで、試
料の均一な処理を行うことができ製品の歩留りを向上で
きるプラズマ処理装置を提供することにるる。
の均一化と試料温度の適正化とを同時に図ることで、試
料の均一な処理を行うことができ製品の歩留りを向上で
きるプラズマ処理装置を提供することにるる。
本発明は、電極と試料の裏面との間並びに該試料の被処
理面の外周辺に不活性ガスを供給可能に不活性ガス供給
系を設けたことを特徴とするもので、試料の被処理面に
対する反応ガス濃度の均一化と試料温度の適正化とを同
時に図るようにしたものである。
理面の外周辺に不活性ガスを供給可能に不活性ガス供給
系を設けたことを特徴とするもので、試料の被処理面に
対する反応ガス濃度の均一化と試料温度の適正化とを同
時に図るようにしたものである。
本発明の一実施例を第１図、第２図により説明する。
第１図、第２図で、真空容器ｌｌ内の電極、この場合は
、下部電極３０と、下部電極３０に載置又は設ぼされた
試料、例えば、ウェハ６０の裏面との間並びにウェハ６
０の液処理面の外周辺に不活性ガスを供給可能に不活性
ガス供給系７０が設けられている。
、下部電極３０と、下部電極３０に載置又は設ぼされた
試料、例えば、ウェハ６０の裏面との間並びにウェハ６
０の液処理面の外周辺に不活性ガスを供給可能に不活性
ガス供給系７０が設けられている。
不活性ガス供給系７０は、この場合、下部１！極３０の
中央部に形成された凹７１と、凹７１と連通し下部電極
３０内に放射状に形成されたガス流通路７２と、ガス流
通路７２と連通しウェハ６０の外側で開口して下部′０
！極３０に形成さｎたガス供給ロア３と、凹７１と連通
して下部型１ｆ！３０に形成されたガス供給路７４と、
ガス供ｋ回路７４と不活性ガス源７５とを連結するガス
供給管７６とで構成されている。又、ガス供給管７６に
は、流量制御装ｇＬ７７が設けられている。尚、第１図
で、その他第８図と同一装置１部品等は同一符号で示し
説明を省略する。
中央部に形成された凹７１と、凹７１と連通し下部電極
３０内に放射状に形成されたガス流通路７２と、ガス流
通路７２と連通しウェハ６０の外側で開口して下部′０
！極３０に形成さｎたガス供給ロア３と、凹７１と連通
して下部型１ｆ！３０に形成されたガス供給路７４と、
ガス供ｋ回路７４と不活性ガス源７５とを連結するガス
供給管７６とで構成されている。又、ガス供給管７６に
は、流量制御装ｇＬ７７が設けられている。尚、第１図
で、その他第８図と同一装置１部品等は同一符号で示し
説明を省略する。
第１図、第２図で、従来と同様にして下部電極３０への
ウェハ６０の載置又は設置ならびに真空容器１１内の所
定圧力までの減圧排気が完了した後、反応ガス供給ボン
ベ２１から反応ガスが流量制御装置２２により流量制御
され、ガス流？Ｂ絡２３を通り、ガス供給口２４から供
給される。一方、ヘリウム等の不活性ガスは不活ｔｊｋ
ガス供給１１１Ｘ７５から流（＋を制御装゛ｆｉ！７７
により流量制御され、ガス供給路７４を通り、凹７１と
ウェハ６０の裏面とで形成される空間に入る。
ウェハ６０の載置又は設置ならびに真空容器１１内の所
定圧力までの減圧排気が完了した後、反応ガス供給ボン
ベ２１から反応ガスが流量制御装置２２により流量制御
され、ガス流？Ｂ絡２３を通り、ガス供給口２４から供
給される。一方、ヘリウム等の不活性ガスは不活ｔｊｋ
ガス供給１１１Ｘ７５から流（＋を制御装゛ｆｉ！７７
により流量制御され、ガス供給路７４を通り、凹７１と
ウェハ６０の裏面とで形成される空間に入る。
この空間に供給された不活性ガスはウニへ６０ＪＸ′、
面と接触したのち、ガス流通路７２を通って下部電極３
０の円環状のガス供給ロア３より真空＄８１１内へ供給
される。このように供給された反応ガスは上部電極２０
および下部型（ｉ３０間で放１ａによりプラズマ化され
、このガスプラズマによりウェハ６０ （７） Ｖｔ
Ｍ裏面は所定のパターンにエツチングさｎる。その後、
このガスは隙間４１を通り排気ノズル１０を経て排気！
ｊｔＲｃ図示せず）によ各）排気される。なお。
面と接触したのち、ガス流通路７２を通って下部電極３
０の円環状のガス供給ロア３より真空＄８１１内へ供給
される。このように供給された反応ガスは上部電極２０
および下部型（ｉ３０間で放１ａによりプラズマ化され
、このガスプラズマによりウェハ６０ （７） Ｖｔ
Ｍ裏面は所定のパターンにエツチングさｎる。その後、
このガスは隙間４１を通り排気ノズル１０を経て排気！
ｊｔＲｃ図示せず）によ各）排気される。なお。
真空容器１１内は排気装置；、７、および調整バルブ（
図示せず）により最適な圧力にＮ、１整される構成とな
っている。
図示せず）により最適な圧力にＮ、１整される構成とな
っている。
本実施例の装置では反応ガスと不活性ガスの流量を制御
して供給することが可能であるので次に示す作用を行う
二とができる。すなわち、不活性ガスをウェハ６０の裏
面と凹７１とで形成した空間に供給しウェハ６０と下部
電極３０間との熱伝導を良好とすることによってマスク
パターンの熱的損傷を抑制でき、パターンに忠実なエツ
チングが可能となる。一方、不均一なエツチング速度分
布を持つようなラジカル主体のエツチングの場合には、
ガス供給ロア３より不活性ガスを真空容器１１内へ供給
しウニへ６０の被処理面の外周部付近の反応ガスのラジ
カル＃［を希釈してウェハ６０の被処理面の外周部での
化学反応を抑制する。したがって、ウェハ内のエツチン
グ速度はウェハ外周部で従来に較べ抑制され、エツチン
グの均一性は反応ガスと不活性ガスの量を適度にバラン
スさせることにより、従来に較べ向上することができる
。
して供給することが可能であるので次に示す作用を行う
二とができる。すなわち、不活性ガスをウェハ６０の裏
面と凹７１とで形成した空間に供給しウェハ６０と下部
電極３０間との熱伝導を良好とすることによってマスク
パターンの熱的損傷を抑制でき、パターンに忠実なエツ
チングが可能となる。一方、不均一なエツチング速度分
布を持つようなラジカル主体のエツチングの場合には、
ガス供給ロア３より不活性ガスを真空容器１１内へ供給
しウニへ６０の被処理面の外周部付近の反応ガスのラジ
カル＃［を希釈してウェハ６０の被処理面の外周部での
化学反応を抑制する。したがって、ウェハ内のエツチン
グ速度はウェハ外周部で従来に較べ抑制され、エツチン
グの均一性は反応ガスと不活性ガスの量を適度にバラン
スさせることにより、従来に較べ向上することができる
。
以上、本実施例では、精密で均一なエツチングが同時に
可能となり、従来に較べ製品の歩留りを向上でき、しか
も、不活性ガスをウニへｌ＆西とウェハ外周辺部の両者
間に直列的に供給する（不活性ガスを冷却性能の向上と
ウェハ外周部のエツチング抑制に共用する）ため、不活
性ガスが従来に較べ有効に利用できる。なお、ウェハ６
０は機械的手段、電気的手段あるいは磁気的手段により
下部電極に密着される。
可能となり、従来に較べ製品の歩留りを向上でき、しか
も、不活性ガスをウニへｌ＆西とウェハ外周辺部の両者
間に直列的に供給する（不活性ガスを冷却性能の向上と
ウェハ外周部のエツチング抑制に共用する）ため、不活
性ガスが従来に較べ有効に利用できる。なお、ウェハ６
０は機械的手段、電気的手段あるいは磁気的手段により
下部電極に密着される。
本発明の第２の実施例を第３図、第４図により説明する
。
。
第３図、第４図で、上記した本発明の一実施例を示す第
１図、第２図と異なる点は、不活性ガス供給系７０に、
例えば、電気絶縁材で形成された不活性ガスｉ１導具７
８を追加した点である。不活性ガス誘導具７８の形状は
円環状であり、又、その断面がウェハ６０の被処理面の
外周辺部から中心部方向へ向かって流れるような形状に
なっている。不活性ガス誘導具７８は、ウェハ６０の外
側で、かつ、ガス供給ロア３を閉塞しないような一位置
で下部電極３０に設けられる。尚、第３図、ｉＴ４図で
、その他第１図、第２図と同一部品等は同一符号で示し
説明を省略する。
１図、第２図と異なる点は、不活性ガス供給系７０に、
例えば、電気絶縁材で形成された不活性ガスｉ１導具７
８を追加した点である。不活性ガス誘導具７８の形状は
円環状であり、又、その断面がウェハ６０の被処理面の
外周辺部から中心部方向へ向かって流れるような形状に
なっている。不活性ガス誘導具７８は、ウェハ６０の外
側で、かつ、ガス供給ロア３を閉塞しないような一位置
で下部電極３０に設けられる。尚、第３図、ｉＴ４図で
、その他第１図、第２図と同一部品等は同一符号で示し
説明を省略する。
二の場合は、ガス供給ロア３から供給される不活性ガス
は不活性ガスｔｌ導具７８によりてウエノ）６０の被処
理面の外周辺部から中心部方向に向かりてウェハ６０の
被処理面の外周辺部を重点にして供給される。このため
本実施例では、ウェハの被処理面の外周部付近の反応ガ
スのラジカル濃度はウエノ）の被処理面の外周辺部から
中心部方向に向かって希釈され、ウニへの被処理面の外
周辺部でのエツチング抑制効果はさらに向上し、均一性
が更に向上する。
は不活性ガスｔｌ導具７８によりてウエノ）６０の被処
理面の外周辺部から中心部方向に向かりてウェハ６０の
被処理面の外周辺部を重点にして供給される。このため
本実施例では、ウェハの被処理面の外周部付近の反応ガ
スのラジカル濃度はウエノ）の被処理面の外周辺部から
中心部方向に向かって希釈され、ウニへの被処理面の外
周辺部でのエツチング抑制効果はさらに向上し、均一性
が更に向上する。
本発明の第３の実施例を第５図により説明する。
第５図で、不活性ガス誘導具７８′の厚みはウェハ６０
の厚みより大きくなりている。
の厚みより大きくなりている。
このように不活性ガス誘導Ａ７８／の厚みをウェハ６０
の厚みより大きくした場合は、反応ガスのガスの流れが
不活性ガス誘導具７８’によって抑制され、ウェハ６０
の被処理面の外周辺部付近にガスのよどみを生じさせる
。このガスよどみを生じている付近に不活性ガスを重点
的に供給することｌこよって、この付近のラジカルａ変
を更に希釈することが可能となり、したがってウェハの
被処理面の外周辺部のエツチング速度は抑制され、均一
性が更に向上する。
の厚みより大きくした場合は、反応ガスのガスの流れが
不活性ガス誘導具７８’によって抑制され、ウェハ６０
の被処理面の外周辺部付近にガスのよどみを生じさせる
。このガスよどみを生じている付近に不活性ガスを重点
的に供給することｌこよって、この付近のラジカルａ変
を更に希釈することが可能となり、したがってウェハの
被処理面の外周辺部のエツチング速度は抑制され、均一
性が更に向上する。
本発明の第４の実施例を第６図により説明する。
第６図で、この場合、ガス供給ロア３／は多孔質材で形
成されている。＋１＞７６図で、ウェハ６０の被処理面
の外周辺部への不活性ガスの供給はガス供給ロア３’に
より均一に供給される。したがって、本実施例では、ウ
ェハの被処理面の外周辺部でのエツチングは更に均一番
こ抑制され、製品の均一性もより向上する。
成されている。＋１＞７６図で、ウェハ６０の被処理面
の外周辺部への不活性ガスの供給はガス供給ロア３’に
より均一に供給される。したがって、本実施例では、ウ
ェハの被処理面の外周辺部でのエツチングは更に均一番
こ抑制され、製品の均一性もより向上する。
本発明の第５の実施例を第７図により説明する。
第７図で、不活性ガス供給系７０′は、凹７１と、凹
。
。
７１と連通して下部電極３０に形成されたガス供給路７
４′とガス排出路７９と、ガス供ｌａ路７４′と不活性
ガス源７５とを連結するガス供給管７６’と、凹７１と
不迎通で下部電極３０内に放射状に形成されたガス流通
路７２′と、ガス流通ｊ８７２’と連通ずるガス供給路
７３／と、ガス流通路７２／と連通して下部電極３０に
形成されたガス供給路７４″と、ガス供給路７４″と、
例えば、ガス供給管７６／とを連結するガス供給管７Ｖ
と、不活性ガス誘導具７８／とで溝成されている。又、
ガス供給管７６′が連結されたケ所の後流側のガス供給
管７６／には、流量制御装置！ ７７’が設けられ、ガ
ス供給管７６＃には、流量制御装置７７＃が設けられて
いる。
４′とガス排出路７９と、ガス供ｌａ路７４′と不活性
ガス源７５とを連結するガス供給管７６’と、凹７１と
不迎通で下部電極３０内に放射状に形成されたガス流通
路７２′と、ガス流通ｊ８７２’と連通ずるガス供給路
７３／と、ガス流通路７２／と連通して下部電極３０に
形成されたガス供給路７４″と、ガス供給路７４″と、
例えば、ガス供給管７６／とを連結するガス供給管７Ｖ
と、不活性ガス誘導具７８／とで溝成されている。又、
ガス供給管７６′が連結されたケ所の後流側のガス供給
管７６／には、流量制御装置！ ７７’が設けられ、ガ
ス供給管７６＃には、流量制御装置７７＃が設けられて
いる。
１１７図で、ウェハ６０の裏面への不活性ガスの供給は
流量制御ｇｔｉｉ！７７′により流量制御され、ガス流
通路７４／、凹７１を通すウエハ６０の裏面と接触した
後、ガス排出路７９を通り排気装置（図示せず）により
排気される。ウェハ６０の被処理面の外周辺部への不活
性ガスの供給は流量制御装Ｍ７Ｂ’４こより流量制御さ
れ、ガス流通路７４＃、ガス供給ロア３／を通り不活性
ガスｔｌ導具７８’により流れを制御されてウェハ６０
の被処理面の外周部に供給さｎる。本実施例では、供給
する不活性ガス量をそれぞれ独立に制御もき、最適なウ
ェハ冷却条件および最適なウェハ外局部・のエツチング
抑制条件を得ることができる。したがって、より精密で
均一なエツチングが可能となり製品の歩留りはさらに向
上する。なお、本実施例では流量制御装置７７′、７７
’ｊこ流す不活性ガスは同一ガスの例を示′しているが
、異なるガスを使用して−もよい。
流量制御ｇｔｉｉ！７７′により流量制御され、ガス流
通路７４／、凹７１を通すウエハ６０の裏面と接触した
後、ガス排出路７９を通り排気装置（図示せず）により
排気される。ウェハ６０の被処理面の外周辺部への不活
性ガスの供給は流量制御装Ｍ７Ｂ’４こより流量制御さ
れ、ガス流通路７４＃、ガス供給ロア３／を通り不活性
ガスｔｌ導具７８’により流れを制御されてウェハ６０
の被処理面の外周部に供給さｎる。本実施例では、供給
する不活性ガス量をそれぞれ独立に制御もき、最適なウ
ェハ冷却条件および最適なウェハ外局部・のエツチング
抑制条件を得ることができる。したがって、より精密で
均一なエツチングが可能となり製品の歩留りはさらに向
上する。なお、本実施例では流量制御装置７７′、７７
’ｊこ流す不活性ガスは同一ガスの例を示′しているが
、異なるガスを使用して−もよい。
本１明は、以上説明したように、電極と試料の裏面との
間並びに該試料の被処理面の外周辺Ｊ、Ｉ不活性ガスを
供給可能に不活性ガス供給系を設けたことで、試料の被
処理面に対する反応ガス濃度の均一化と試料温度の適正
化とを同時に図ることができるので、試料の均一な処理
を行うことができ製品の歩留りを向上できるという効果
がある。
間並びに該試料の被処理面の外周辺Ｊ、Ｉ不活性ガスを
供給可能に不活性ガス供給系を設けたことで、試料の被
処理面に対する反応ガス濃度の均一化と試料温度の適正
化とを同時に図ることができるので、試料の均一な処理
を行うことができ製品の歩留りを向上できるという効果
がある。
第１図は、本発明によるプラズマ処理装置の一電極の平
面図、第３図は、本発明によるプラズマ処理装置の第２
の実施例を示す下部電極の部分縦断面図、第４図は、第
３図の下部電極の平面図、第５図は、本発明によるブラ
ズ、マ処理！ＩＩの第３の実施例を示す下部電極の部分
縦断面図、第６図は、本発明によるプラズマ処理装置の
第４の実施例を示す下部電極の部分縦断面図、第７図は
、本発明によるプラズマ処理装置の第５の実施例を示す
下部電極の縦断面図、第８図は、従来のプラズマエツチ
ング装置例を示す縦断面図である。 １１・・・・・・真空容器、３０・・・・・・下部電極
、６０・・・・・・ウェ′ｌ−２図 −ｔ３ｔｊＪ 才５ｍ 才６図 オフ図
面図、第３図は、本発明によるプラズマ処理装置の第２
の実施例を示す下部電極の部分縦断面図、第４図は、第
３図の下部電極の平面図、第５図は、本発明によるブラ
ズ、マ処理！ＩＩの第３の実施例を示す下部電極の部分
縦断面図、第６図は、本発明によるプラズマ処理装置の
第４の実施例を示す下部電極の部分縦断面図、第７図は
、本発明によるプラズマ処理装置の第５の実施例を示す
下部電極の縦断面図、第８図は、従来のプラズマエツチ
ング装置例を示す縦断面図である。 １１・・・・・・真空容器、３０・・・・・・下部電極
、６０・・・・・・ウェ′ｌ−２図 −ｔ３ｔｊＪ 才５ｍ 才６図 オフ図
Claims (1)
- １、真空容器内で電極に載置又は設置された試料をガス
プラズマにより所定処理する装置において、前記電極と
前記試料の裏面との間並びに該試料の被処理面の外周辺
に不活性ガスを供給可能に不活性ガス供給系を設けたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15872584A JPS6139520A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15872584A JPS6139520A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139520A true JPS6139520A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15677970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15872584A Pending JPS6139520A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139520A (ja) |
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1984
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