CN117373889A - 基片处理装置、基片处理方法和气体供给组件 - Google Patents

Abstract

本发明提供提高与等离子体处理的均匀性有关的控制性的基片处理装置、基片处理方法和气体供给组件。基片处理装置包括：处理容器，在该处理容器的内部，在载置台与金属窗之间形成处理空间；和用于在上述处理空间生成上述等离子体的电感耦合天线，上述金属窗具有多个分割窗和分别配置于彼此相邻的各上述分割窗之间的绝缘部，各上述分割窗具有第一气体喷淋结构，该第一气体喷淋结构具有向上述处理空间供给上述处理气体的气孔，各上述绝缘部具有第二气体喷淋结构，该第二气体喷淋结构具有向上述处理空间供给上述处理气体的气孔，用于对上述第二气体喷淋结构导入上述处理气体的第二气体流路，在第一气体流路的比与上述第一气体喷淋结构连接的部分靠上游的部分，从用于对上述第一气体喷淋结构导入上述处理气体的第一气体流路独立。

Description

基片处理装置、基片处理方法和气体供给组件

技术领域

本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和气体供给组件。

背景技术

已知有如下的电感耦合型的基片处理装置：经由设置于处理容器的上部的金属窗，向电感耦合天线供给高频电功率而通过电感耦合将处理气体等离子体化，对载置于处理容器内的载置台的基片实施等离子体处理。在这样的基片处理装置中，在金属窗设置多个气孔，从多个气孔向处理容器内供给处理气体。

在基片处理装置中被实施等离子体处理的基片随着更新换代而大型化，与基片相对的金属窗也大型化，但难以用一个部件构成这样的金属窗。因此，通常由多个金属窗构成金属窗。在由多个分割窗构成金属窗的情况下，为了使在各分割窗被引起的电流不跨过相邻的分割窗地流动，需要在相邻的分割窗之间用绝缘体进行分隔。

而且，为了提高等离子体处理的均匀性，提出了一种基片处理装置，其不仅在各分割窗设置多个气孔，还在从基片侧覆盖绝缘体的覆盖部件设置气体扩散室和从该气体扩散室供给处理气体的多个气孔(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6804392号说明书

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的技术提高与等离子体处理的均匀性有关的控制性。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的技术的一个方式是一种基片处理装置，其利用处理气体的等离子体对基片实施等离子体处理，该基片处理装置包括：处理容器，在该处理容器的内部中，在下部配置载置上述基片的载置台，在上部配置与上述载置台相对的金属窗，在上述载置台与上述金属窗之间形成处理空间；和电感耦合天线，其隔着上述金属窗与上述载置台相对，用于在上述处理空间生成上述等离子体，上述金属窗具有多个分割窗和分别配置于彼此相邻的各上述分割窗之间的绝缘部，各上述分割窗具有第一气体喷淋结构，该第一气体喷淋结构具有向上述处理空间供给上述处理气体的气孔，各上述绝缘部具有第二气体喷淋结构，该第二气体喷淋结构具有向上述处理空间供给上述处理气体的气孔，在上述基片处理装置配置用于对上述第一气体喷淋结构导入上述处理气体的第一气体流路和用于对上述第二气体喷淋结构导入上述处理气体的第二气体流路，在上述第一气体流路的比与上述第一气体喷淋结构连接的部分靠上游的部分，上述第二气体流路从上述第一气体流路独立。

发明效果

依照本发明的技术，能够提高与等离子体处理的均匀性有关的控制性。

附图说明

图1是概略地表示作为本发明的技术的一实施方式的基片处理装置的结构的剖视图。

图2是表示从处理空间侧观察图1的基片处理装置所具有的金属窗的情况的图。

图3是概略地表示图1的基片处理装置所具有的金属窗的结构的放大剖视图。

图4是表示图3的金属窗所具有的分隔部件的附近的详细结构的放大剖视图。

图5是概略地表示图3的金属窗的第一变形例的结构的放大剖视图。

图6是概略地表示图3的金属窗的第二变形例的结构的放大剖视图。

图7是表示图4所示的分隔部件的变形例的附近的详细结构的放大剖视图。

附图标记说明

G基片

U处理空间

10基片处理装置

11处理容器

12金属窗

13载置台

21电感耦合天线

22分割窗

23分隔部件

25覆盖部件

26、30气孔

28、32气体供给管

45绝缘部气体流路

48、49气体流路

60、61气体供给通路。

具体实施方式

在上述的专利文献1的技术中，通过用覆盖部件覆盖金属窗的分割窗的一部分，从分割窗的各气孔向覆盖部件的气体扩散室导入处理气体。因此，从覆盖部件的各气孔向处理容器内供给的处理气体的流量与从分割窗的各气孔向处理容器内供给的处理气体的流量成比例。而且，蚀刻速率受到处理气体的流量的影响，因此在基片中，与绝缘部相对的区域的蚀刻速率表现出与跟分割窗相对的区域的蚀刻速率至少平缓的比例关系。

然而，在这样的专利文献1的技术中，例如难以进行降低与绝缘部相对的区域的蚀刻速率、另一方面提高与分割窗相对的区域的蚀刻速率这样的控制，与等离子体处理的均匀性有关的控制性并不那么高。

与此对应地，本发明的技术消除从分割窗的各气孔向处理容器内供给的处理气体的流量与从覆盖部件的各气孔向处理容器内供给的处理气体的流量的比例关系，提高与等离子体处理的均匀性有关的控制性。

在下文中，参照附图，对本发明的技术的一实施方式进行说明。图1是概略地表示作为本实施方式的基片处理装置的结构的剖视图，图2是表示从处理空间侧观察图1的基片处理装置所具有的金属窗的情况的图。另外，图3是概略地表示图1的基片处理装置所具有的金属窗的结构的放大剖视图。

图1的基片处理装置10是电感耦合型的等离子体处理装置。基片处理装置10使用从处理气体生成的等离子体对矩形的基片、例如FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基片G(以下，称为“基片G”)实施各种等离子体处理。作为各种等离子体处理，有在基片G上形成金属膜、ITO膜或氧化膜等的成膜处理、对形成于基片G上的这些膜进行蚀刻的蚀刻处理或者去除覆盖金属膜、氧化膜的光致抗蚀剂膜的灰化处理等。

基片处理装置10具有由导电性材料、例如在内壁面实施了阳极氧化处理的铝或含铝的合金构成的方筒形状的处理容器11，处理容器11电接地。处理容器11的上部被金属窗12气密地封闭。在处理容器11的内部，在下部配置有载置基片G的载置台13，载置台13与金属窗12相对。另外，在处理容器11中，在载置台13与金属窗12之间形成有处理空间U。在处理空间U中，如后所述，由处理气体生成等离子体。

载置台13由导电性材料、例如在表面实施了阳极氧化处理的铝、含铝的合金或不锈钢等构成。在载置台13的上表面设置有未图示的静电吸盘，载置于载置台13的基片G由静电吸盘吸附保持于载置台13。另外，载置台13经由绝缘体框24设置在处理容器11的底面。

在处理容器11的侧壁的上端设置有金属框14，在金属框14的上表面设置有侧壁部15。侧壁部15支承顶板16并且电接地，顶板16从上方覆盖金属窗12。另外，在处理容器11的侧壁与金属框14之间设置有O形环等密封部件17，将处理空间U保持为气密。另外，在处理容器11的侧壁设置有用于将基片G向处理空间U送入送出的送入送出口18和对送入送出口18进行开闭的闸门19。

如图2所示，金属窗12呈矩形形状，被分割为多个分割窗22。在本实施方式中，金属窗12被分割为24个分割窗22，但分割窗22的数量不限于24个，能够根据金属窗12的大小而变更。各分割窗22例如由为非磁性体且具有导电性的金属、铝或含铝的合金构成。在金属窗12中，在彼此相邻的各分割窗22之间分别配置有由绝缘体构成的分隔部件23(绝缘部)。分隔部件23将相邻的各分割窗22彼此电绝缘。

另外，各分隔部件23的与处理空间U相对的面被绝缘体的覆盖部件25(绝缘部)覆盖以防止由等离子体造成的消耗。覆盖部件25例如由细长的平板状的氧化铝等陶瓷部件构成，由具有后述的气孔30的第一覆盖部件25a和不具有气孔30的第二覆盖部件25b构成。另外，在本实施方式中，各分隔部件23的与处理空间U相对的面的一部分被第一覆盖部件25a覆盖，各分隔部件23的与处理空间U相对的面的其他部分被第二覆盖部件25b覆盖，但各第一覆盖部件25a覆盖的各分隔部件23的范围能够根据基片处理装置10的规格、要执行的等离子体处理的内容而变更。

返回图1，在基片处理装置10中，由金属窗12、侧壁部15和顶板16包围的空间构成天线室20。在天线室20以隔着金属窗12与载置台13相对的方式配置电感耦合天线21。电感耦合天线21例如隔着由未图示的绝缘体构成的间隔件与金属窗12隔开间隔地配置。另外，电感耦合天线21以跨与各分割窗22相对的区域的方式配置，且以沿着金属窗12的周向环绕的方式形成为漩涡状。另外，电感耦合天线21也可以是由一个或多个天线导线构成的环状天线。另外，电感耦合天线21也可以同心状地设置多个。并且，电感耦合天线21也可以在金属窗12的周向上排列多个天线单元，作为整体构成环状的天线。此时，各天线单元可以根据处理内容而跨各分割窗22地配置，也可以不跨各分割窗22地配置。

如图1、图3所示，在各分割窗22形成有朝向处理空间U开口的大量气孔26。另外，在图3中，省略了电感耦合天线21、后述的温度调节流路37的图示。各分割窗22与具有气体供给通路60的气体供给管28连接，气体供给管28与气体供给源29连接。另外，气体供给通路60构成第一气体流路。另外，在各分割窗22的内部形成有气体扩散室27，气体供给源29经由气体供给管28向气体扩散室27导入处理气体。被导入的处理气体例如是成膜处理、蚀刻处理或灰化处理所需要的气体。被导入到气体扩散室27的处理气体从各气孔26向处理空间U供给。因此，各分割窗22具有由各气孔26和气体扩散室27构成的分割窗气体喷淋结构(第一气体喷淋结构)。

在各第一覆盖部件25a也形成有朝向处理空间U开口的大量气孔30，在各第一覆盖部件25a的内部形成有气体扩散室31。另外，气体供给源29间接或直接地与具有气体供给通路61的气体供给管32连接，气体供给源29经由气体供给管32向气体扩散室31导入处理气体。另外，气体供给通路61构成第二气体流路的一部分。被导入到气体扩散室31的处理气体从各气孔30向处理空间U供给。因此，各第一覆盖部件25a也具有由各气孔30和气体扩散室31构成的覆盖部件气体喷淋结构(第二气体喷淋结构)。

因此，在基片处理装置10中，在处理空间U中，不仅向与各分割窗22相对的区域供给处理气体，还向与各第一覆盖部件25a相对的区域供给处理气体。由此，在处理空间U中，能够防止处理气体仅偏向(更多地存在于)与各分割窗22相对的区域。

另外，在基片处理装置10中，高频电源34经由匹配器33与电感耦合天线21连接。高频电源34例如将13.56MHz的等离子体生成用的高频电功率供给到电感耦合天线21。由此，在构成金属窗12的各分割窗22的每一者中，引起从上表面(电感耦合天线21侧)至下表面(处理空间U侧)环绕的涡电流，利用该涡电流在处理空间U形成感应电场。并且，该感应电场对供给至处理空间U的处理气体进行激发而生成等离子体。

而且，高频电源36经由匹配器35与载置台13连接。高频电源36例如向载置台13供给3.2MHz的偏置用的高频电功率。由此，能够将处理空间U的等离子体中的离子吸引到基片G。

在基片处理装置10中，各分割窗22利用分隔部件23而与其他分割窗22电绝缘，因此在金属窗12的各分割窗22中单独地引起涡电流，在与各分割窗22相对的区域中分别产生感应电场。因此，通过变更各分割窗22的大小、配置，能够控制在处理空间U中产生的感应电场的分布，由此，能够局部地控制对基片G实施的等离子体处理的程度。例如，能够控制基片G中的蚀刻速率的分布，或者，能够控制由形成于基片G的氧化膜的蚀刻而产生的残留膜厚分布。

另外，等离子体处理的程度也受温度影响，因此在基片处理装置10中，在各分割窗22的内部形成有温度调节流路37。在温度调节流路37中导入冷却介质或加热介质，将各分割窗22调节为所希望的温度，控制等离子体处理的程度。另外，为了发挥同样的功能，也可以在载置台13的内部设置用于控制基片G的温度的冷却器等温度调节机构、传热气体供给机构。

而且，在基片处理装置10中，在处理容器11的底面形成有排气口38。该排气口38与涡轮分子泵、干式泵等排气装置39连接。在执行等离子体处理时，排气装置39将处理空间U维持为比大气压低的规定的压力。另外，在基片处理装置10中设置有控制部40。控制部40由至少具有CPU和存储器的计算机构成，在存储器中记录有用于执行规定的等离子体处理的方案(程序)。

图4是表示图3的金属窗12所具有的分隔部件23的附近的详细结构的放大剖视图。如图4所示，分隔部件23具有配置于处理空间U侧的下部分隔部件41和配置于电感耦合天线21侧的上部分隔部件42(第二绝缘部)。下部分隔部件41由氧化铝等的陶瓷材料构成，上部分隔部件42由PTFE(Polytetrafluoroethylene：聚四氟乙烯)等氟树脂材料构成。另外，在分割窗22与上部分隔部件42之间配置有密封部件43。由此，处理空间U从大气压的天线室20等的外部被密封。构成分隔部件23的一部分的上部分隔部件42不由陶瓷材料构成，而由氟树脂材料构成，由此不仅能够使分隔部件23整体轻量化，而且能够追随由金属构成的分割窗22的热膨胀。其结果是，能够抑制密封部件43的弯曲等变形，能够良好地维持处理空间U的密封。

在第一覆盖部件25a与下部分隔部件41之间配置有气体扩散室形成部件44。气体扩散室形成部件44由氧化铝等陶瓷材料构成，在内部具有空间，通过与第一覆盖部件25a合拢，形成气体扩散室31。另外，气体扩散室形成部件44的上部成形为凸形形状，该上部被插嵌在形成于下部分隔部件41的下部的凹部，能够实现气体扩散室形成部件44相对于下部分隔部件41的定位。另外，下部分隔部件41、气体扩散室形成部件44和第一覆盖部件25a构成第一绝缘部。

下部分隔部件41具有形成于内部的绝缘部气体流路45。另外，绝缘部气体流路45构成第二气体流路的一部分。绝缘部气体流路45在下部分隔部件41的侧面开口，在内部朝向气体扩散室31向下方弯曲。另外，绝缘部气体流路45仅形成于下部分隔部件41，不与上部分隔部件42接触。即，上部分隔部件42不露出到绝缘部气体流路45内。由此，能够防止由氟树脂材料构成的上部分隔部件42因在绝缘部气体流路45中流动的处理气体而劣化。

在分割窗22中，在气体供给管32与下部分隔部件41之间配置有连结部件46、47。连结部件46、47均在内部具有气体流路48、49，经由气体流路48、49使气体供给通路61与绝缘部气体流路45连通。另外，气体流路48、49构成第二气体流路的一部分。因此，从气体供给源29供给的处理气体经由气体供给通路61、气体流路48、49和绝缘部气体流路45被导入气体扩散室31。在此，气体供给通路61、气体流路48、气体流路49和绝缘部气体流路45构成第二气体流路。另外，连结部件46、47均由不锈钢材料构成。由此，能够防止连结部件46、47被在气体流路48、49中流动的处理气体腐蚀。另外，连结部件46、47被插嵌在通过机械加工设置于分割窗22的插入孔。在此，考虑机械加工的容易性，供连结部件46插嵌的插入孔沿着基片处理装置10的上下方向设置，供连结部件47插嵌的插入孔沿着基片处理装置10的左右方向设置。另外，在图4中，描绘了从下方将连结部件46插入上下地贯通分割窗22的插入孔中，进而用插入孔盖55封堵塞插入孔的结构，但也可以不设置插入孔盖55，而从上侧将连结部件46插入下侧封闭的插入孔中。

在第一绝缘部中，如上所述，下部分隔部件41、气体扩散室形成部件44和第一覆盖部件25a均由陶瓷材料构成。由此，能够确保等离子体耐性，即使万一等离子体从处理空间U侵入气体扩散室31、绝缘部气体流路45，也能够防止下部分隔部件41、气体扩散室形成部件44和第一覆盖部件25a因等离子体而消耗。

另外，在第一绝缘部中，在绝缘部气体流路45的与气体扩散室31连接的末端部配置有流量调节块50(流量调节部)。在流量调节块50形成有使绝缘部气体流路45与气体扩散室31连通的节流孔51。流量调节块50构成为能够嵌入于在下部分隔部件41的下部形成于绝缘部气体流路45的末端的凹部。节流孔51的截面积(与节流孔51的轴向正交的截面的截面积)比气体供给通路61的截面积、气体流路48、49的截面积、绝缘部气体流路45的截面积中的任一者都小。因此，流量调节块50作为节流孔发挥功能，向气体扩散室31导入的处理气体的流量被流量调节块50的节流孔51的截面积所左右。

在本实施方式中，准备节流孔51的截面积不同的几个种类的流量调节块50，通过更换嵌入在绝缘部气体流路45的末端的凹部的流量调节块50，能够变更向气体扩散室31导入的处理气体的流量。另外，在流量调节块50被嵌入绝缘部气体流路45的末端的凹部时，流量调节块50位于气体扩散室31的中央，节流孔51在气体扩散室31的中央开口。由此，第二气体流路在气体扩散室31的中央与气体扩散室31连接。另外，当将气体扩散室形成部件44和第一覆盖部件25a拆下时，能够从下方容易地更换流量调节块50。因此，利用与为了控制流量而使用流量控制设备(例如质量流量控制器等)的结构相比极其简单的结构，能够容易地调节向气体扩散室31导入的处理气体的流量。另外，在本实施方式中，“气体扩散室31的中央”也可以包括气体扩散室31的中央附近。以下相同。

如以上所说明的那样，在基片处理装置10中，金属窗12的各分割窗22具有分割窗气体喷淋结构，金属窗12的各分隔部件23具有覆盖部件气体喷淋结构，各分割窗22、各分隔部件23与气体供给管28、32协作地向处理空间U供给处理气体。因此，各分割窗22和各分隔部件23构成气体供给组件。此外，图4中的白底圆表示密封部件的截面，各密封部件将分隔部件23附近的各构成部件的微小间隙密封。

返回图1，气体供给管32在气体供给源29与分割窗22之间从气体供给管28分支。因此，在气体供给管28的比与具有由各气孔26和气体扩散室27构成的气体喷淋结构的分割窗22连接的部分靠上游侧(气体供给源29侧)的部分，气体供给管32从气体供给管28独立。而且，如上所述，向与气体供给管32连通的气体扩散室31导入的处理气体的流量，能够通过更换配置于比气体供给管32从气体供给管28独立的部分靠下游的第二气体流路的流量调节块50来变更。即，能够通过更换流量调节块50，来变更经由气体供给管28向气体扩散室27导入的处理气体的流量和经由气体供给管32向气体扩散室31导入的处理气体的流量的分配比率。由此，能够消除从分割窗22的各气孔26向处理空间U供给的处理气体的流量与从第一覆盖部件25a的各气孔30向处理空间U供给的处理气体的流量的比例关系。

例如，通过将节流孔51的截面积小的流量调节块50嵌入到绝缘部气体流路45的末端的凹部，能够减少向气体扩散室31导入的处理气体的流量，并且增加向气体扩散室27导入的处理气体的流量。由此，在处理空间U中，能够使与各分割窗22相对的区域中的处理气体的浓度比与各第一覆盖部件25a相对的区域中的处理气体的浓度高。其结果是，在基片G中，能够减少与各第一覆盖部件25a相对的区域的蚀刻速率、成膜量，另一方面，能够增加与各分割窗22相对的区域的蚀刻速率、成膜量。

另外，通过将节流孔51的截面积大的流量调节块50嵌入绝缘部气体流路45的末端的凹部，能够增加向气体扩散室31导入的处理气体的流量，并且减少向气体扩散室27导入的处理气体的流量。由此，在处理空间U中，能够使与各分割窗22相对的区域中的处理气体的浓度比与各第一覆盖部件25a相对的区域中的处理气体的浓度降低。其结果是，在基片G中，能够增加与各第一覆盖部件25a相对的区域的蚀刻速率、成膜量，另一方面，能够减少与各分割窗22相对的区域的蚀刻速率、成膜量。

即，在本实施方式的基片处理装置10中，能够提高与对基片G实施的等离子体处理的均匀性有关的控制性。

另外，在基片处理装置10中，如上所述，流量调节块50的节流孔51在气体扩散室31的中央开口。由此，在气体扩散室31中处理气体大致均等地扩散，因此从各气孔30向处理空间U均等地供给处理气体。其结果是，能够抑制与各第一覆盖部件25a相对的区域中的等离子体处理的程度产生不均。

以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，能够在其主旨的范围内进行各种变形和变更。

例如，分隔部件23由下部分隔部件41和上部分隔部件42这两个部件构成，但也可以由一个部件构成。

另外，流量调节块50配置于在分隔部件23的下部分隔部件41形成的绝缘部气体流路45的末端，但只要配置于从气体供给管32至气体扩散室31的第二气体流路即可，例如，也可以如图5所示，配置于气体供给管32的气体供给通路61。但是，在该情况下，需要确保用于流量调节块50的更换的作业性。

而且，从气体供给管32至气体扩散室31的气体流路的一部分经由分隔部件23(下部分隔部件41)，但也可以如图6所示，在分割窗22形成从气体供给管32到气体扩散室31的气体流路52。在该情况下，流量调节块50以节流孔51与气体流路52的上游部连通的方式嵌入在形成于分割窗22的下部的气体流路52的末端的凹部，但在分割窗22的下部，气体流路52的末端的凹部以所嵌入的流量调节块50位于气体扩散室31的中央的方式形成。在该情况下，在分隔部件23不形成气体流路。

另外，气体供给管32在气体供给源29与分割窗22之间从气体供给管28分支，但也可以不使气体供给管32从气体供给管28分支，而直接与气体供给源29连接。在该情况下，当气体供给源29能够调节分别在气体供给管28和气体供给管32中流动的处理气体的流量时，可无需配置流量调节块50。而且，在气体供给管32与气体供给源29连接的情况下，气体供给管28也可以在气体供给源29与分割窗22之间从气体供给管32分支。在该情况下，流量调节块50也配置于比气体供给管28和气体供给管32的分支位置靠下游的第二气体流路。

而且，在基片处理装置10中，在气体供给管32与下部分隔部件41之间配置有作为2个连结部件的连结部件46、47。但是，例如，也可以如图7所示，在分割窗22设置从气体供给管32到下部分隔部件41的倾斜的插入孔，在该插入孔中插嵌一个连结部件53。该连结部件53具有使气体供给管32与绝缘部气体流路45连通的气体流路54。由此，能够减少连结部件的数量。

另外，由基片处理装置10实施等离子体处理的基片G是液晶显示器、电致发光(Electro Luminescence)显示器、等离子显示面板等。但是，在基片处理装置10中被实施等离子体处理的基片不限于FPD用的玻璃基片。例如，该基片也可以是太阳能电池面板用的基片、半导体器件用的硅晶片。

Claims (9)

1.一种基片处理装置，其特征在于：

所述基片处理装置利用处理气体的等离子体对基片实施等离子体处理，包括：

处理容器，在该处理容器的内部中，在下部配置载置所述基片的载置台，在上部配置与所述载置台相对的金属窗，在所述载置台与所述金属窗之间形成处理空间；和

电感耦合天线，其隔着所述金属窗与所述载置台相对，用于在所述处理空间生成所述等离子体，

所述金属窗具有多个分割窗和分别配置于彼此相邻的各所述分割窗之间的绝缘部，

各所述分割窗具有第一气体喷淋结构，该第一气体喷淋结构具有向所述处理空间供给所述处理气体的气孔，

各所述绝缘部具有第二气体喷淋结构，该第二气体喷淋结构具有向所述处理空间供给所述处理气体的气孔，

在所述基片处理装置配置第一气体流路和第二气体流路，其中，所述第一气体流路用于对所述第一气体喷淋结构导入所述处理气体，所述第二气体流路用于对所述第二气体喷淋结构导入所述处理气体，

在所述第一气体流路的比与所述第一气体喷淋结构连接的部分靠上游的部分，所述第二气体流路从所述第一气体流路独立。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二气体流路在比从所述第一气体流路独立的部分靠下游的部分具有流量调节部，该流量调节部调节在所述第二气体流路中流动的所述处理气体的流量。

3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二气体流路在所述处理气体的供给源与所述分割窗之间从所述第一气体流路分支。

4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述绝缘部具有配置于所述处理空间侧的第一绝缘部和配置于所述电感耦合天线侧的第二绝缘部，

所述第一绝缘部具有所述第二气体喷淋结构，

所述第二气体流路的至少一部分形成于所述第一绝缘部。

5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述第一绝缘部中，所述第二气体流路的至少一部分朝向所述第二气体喷淋结构弯曲，不与所述第二绝缘部接触。

6.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一绝缘部具有与所述第二气体喷淋结构的各所述气孔连通的气体扩散室，

所述第二气体流路在所述气体扩散室的中央与所述气体扩散室连接。

7.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一绝缘部由与构成所述第二绝缘部的材料不同的材料构成。

8.一种基片处理方法，其特征在于：

所述基片处理方法在基片处理装置中利用处理气体的等离子体对基片实施等离子体处理，

所述基片处理装置包括：

处理容器，在该处理容器的内部中，在下部配置载置所述基片的载置台，在上部配置与所述载置台相对的金属窗，在所述载置台与所述金属窗之间形成处理空间；和

电感耦合天线，其隔着所述金属窗与所述载置台相对，用于在所述处理空间生成所述等离子体，

所述金属窗具有多个分割窗和分别配置于彼此相邻的各所述分割窗之间的绝缘部，

各所述分割窗具有第一气体喷淋结构，该第一气体喷淋结构具有向所述处理空间供给所述处理气体的气孔，

各所述绝缘部具有第二气体喷淋结构，该第二气体喷淋结构具有向所述处理空间供给所述处理气体的气孔，

在所述基片处理装置配置第一气体流路和第二气体流路，其中，所述第一气体流路用于对所述第一气体喷淋结构导入所述处理气体，所述第二气体流路用于对所述第二气体喷淋结构导入所述处理气体，

在所述第一气体流路的比与所述第一气体喷淋结构连接的部分靠上游的部分，所述第二气体流路与所述第一气体流路独立，

所述基片处理方法包括：

向所述处理容器送入所述基片，并载置在所述载置台的步骤；

从所述第一气体喷淋结构和所述第二气体喷淋结构分别向所述处理空间供给所述处理气体的步骤；

利用所述电感耦合天线从所述处理气体生成所述等离子体的步骤；以及

利用所述等离子体对所述基片实施等离子体处理的步骤。

9.一种气体供给组件，其特征在于：

所述气体供给组件配置在电感耦合天线和被实施等离子体处理的基片之间，

所述气体供给组件包括金属窗，所述金属窗具有多个分割窗和分别配置于彼此相邻的各所述分割窗之间的绝缘部，

各所述分割窗具有第一气体喷淋结构，该第一气体喷淋结构具有朝向所述基片与所述金属窗之间的处理空间供给所述处理气体的气孔，

各所述绝缘部具有第二气体喷淋结构，该第二气体喷淋结构具有朝向所述处理空间供给所述处理气体的气孔，

在第一气体流路的比与所述第一气体喷淋结构连接的部分靠上游的部分，第二气体流路从所述第一气体流路独立，其中，所述第一气体流路用于对所述第一气体喷淋结构导入所述处理气体，所述第二气体流路用于对所述第二气体喷淋结构导入所述处理气体。