JPS61116841A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61116841A JPS61116841A JP23797284A JP23797284A JPS61116841A JP S61116841 A JPS61116841 A JP S61116841A JP 23797284 A JP23797284 A JP 23797284A JP 23797284 A JP23797284 A JP 23797284A JP S61116841 A JPS61116841 A JP S61116841A
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- JP
- Japan
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- substrate
- diffusion plate
- gas
- etching
- plate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置、特にドライエツチング装置の
エツチングレートの基板（ウェハ）内分布を良くする構
造に関する。
エツチングレートの基板（ウェハ）内分布を良くする構
造に関する。
近年大規模集積回路（ＬＳＩ）の大規模化、高集積化に
伴い、回路パターンは微細化され、その形成には精度上
、あるいはプロセス上の理由からウェットエツチングに
代わってドライエツチング−が多用されるようになった
。
伴い、回路パターンは微細化され、その形成には精度上
、あるいはプロセス上の理由からウェットエツチングに
代わってドライエツチング−が多用されるようになった
。
ドライエツチングには基板に対して垂直方向のみエツチ
ングされる異方性エツチングと、あらゆる方向にエツチ
ングされる等方性エツチングとがある。
ングされる異方性エツチングと、あらゆる方向にエツチ
ングされる等方性エツチングとがある。
異方性エツチングには例えば、リアクティブイオンエツ
チング（ＲＩ Ｂ）法があり、これは反応ガスを高周波
（ＲＦ）電力により電離して基板と反応させてエツチン
グを行うもので、微細なパターンを切る場合に適してい
るため極めて多くの工程で用いられている。
チング（ＲＩ Ｂ）法があり、これは反応ガスを高周波
（ＲＦ）電力により電離して基板と反応させてエツチン
グを行うもので、微細なパターンを切る場合に適してい
るため極めて多くの工程で用いられている。
等方性エツチングには、例えばダウンフロー型のプラス
マエッチング法があり、これはマイクロ −波電力によ
りプラスマ発生室で反応ガスのプラスマをつくり、この
プラスマガスをエツチングしようとする基板が置かれた
反応室に導いてエツチングを行うもので、アンダカット
のエツチングや、パターン開口部の肩をなだらかにする
被覆改良のためのエツチングには欠かせないものである
。
マエッチング法があり、これはマイクロ −波電力によ
りプラスマ発生室で反応ガスのプラスマをつくり、この
プラスマガスをエツチングしようとする基板が置かれた
反応室に導いてエツチングを行うもので、アンダカット
のエツチングや、パターン開口部の肩をなだらかにする
被覆改良のためのエツチングには欠かせないものである
。
さらに等方性エツチングは、異方性エツチングより下地
との選択比を高くとれる。最近特にパターンの微細化に
伴い下地の二酸化珪素（Ｓｉ（ｈ）層等の厚さが極めて
薄くなってきたため、下地との高選択比が必要になって
きた。
との選択比を高くとれる。最近特にパターンの微細化に
伴い下地の二酸化珪素（Ｓｉ（ｈ）層等の厚さが極めて
薄くなってきたため、下地との高選択比が必要になって
きた。
ダウンフロー型のプラスマエッチング装置においては、
エツチングレートは反応ガスの流れ方に大きく依存し、
さらにＬＳＩの大規模化に伴い、使用する基板は大口径
化され、エツチングレートの基板内の分布を良くするこ
とは困難になってきたため、装置に種々の改良が行われ
ている。
エツチングレートは反応ガスの流れ方に大きく依存し、
さらにＬＳＩの大規模化に伴い、使用する基板は大口径
化され、エツチングレートの基板内の分布を良くするこ
とは困難になってきたため、装置に種々の改良が行われ
ている。
〔従来の技術〕
； 第３図は従来例によるダウンフロー型
のプラスマエソチング装置の模式的な断面図である。
のプラスマエソチング装置の模式的な断面図である。
図において、１はブラスマ発生室、２は反応ガスの入口
、３はマイクロ波電源、４はプラスマガスを反応室５に
導く吹き出し孔である。反応室５の中には基板６を載せ
たサセプタ７が設けられ、吹き出し孔４より導入された
ブラスマガスは基板６をエツチングして排気口８より排
気される。
、３はマイクロ波電源、４はプラスマガスを反応室５に
導く吹き出し孔である。反応室５の中には基板６を載せ
たサセプタ７が設けられ、吹き出し孔４より導入された
ブラスマガスは基板６をエツチングして排気口８より排
気される。
この構造では基板中央のエツチングレートが大きくなる
。
。
第４図は改良された従来例によるダウンフロー型のブラ
スマエッチング装置の模式的な断面図である。
スマエッチング装置の模式的な断面図である。
図において、プラスマガス吹き出し孔４の下に略円板状
の拡散板９を設け、反応室５内に導入されたプラスマガ
スは拡散板９の回りより基板７に向かって落ちる。
の拡散板９を設け、反応室５内に導入されたプラスマガ
スは拡散板９の回りより基板７に向かって落ちる。
この場合はプラスマガスは基板６の中心部への回り込み
が多少悪く、やはり基板内のエツチングレートは不均一
になり、基板の大口径化に対処しきれなくなった。
が多少悪く、やはり基板内のエツチングレートは不均一
になり、基板の大口径化に対処しきれなくなった。
従来のダウンフロー型のプラスマエソチング装置におい
ては、基板が大口径化されると基板内のエツチングレー
トのバラツキが太き（なった。
ては、基板が大口径化されると基板内のエツチングレー
トのバラツキが太き（なった。
上記問題点の解決は、反応ガスの吹き出し孔と、該吹き
出し孔の下側に拡散板を具備し、反応ガスが複数の略同
心円周上の複数の点より流出して譲れる。
出し孔の下側に拡散板を具備し、反応ガスが複数の略同
心円周上の複数の点より流出して譲れる。
前記反応ガスの吹き出し孔と拡散板との組合せについて
は、 前記反応ガスの吹き出し孔は略円周上に複数個設
けられ、前記拡散板は略リング状である場合、あるいは
前記拡散板は略リング状の第１の拡散板と、該第１の拡
散板の下側に略円板状の第２の拡散板とよりなる場合等
がある。
は、 前記反応ガスの吹き出し孔は略円周上に複数個設
けられ、前記拡散板は略リング状である場合、あるいは
前記拡散板は略リング状の第１の拡散板と、該第１の拡
散板の下側に略円板状の第２の拡散板とよりなる場合等
がある。
本発明によれば、反応ガスは複数の同心円周上より基板
上に落ちるため、基板内のエツチングレートを均一にす
ることができる。
上に落ちるため、基板内のエツチングレートを均一にす
ることができる。
第１図（ａｌ、 （ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を
示すダウンフロー型のプラスマエッチング装置の模式的
な断面図と平面図である。
示すダウンフロー型のプラスマエッチング装置の模式的
な断面図と平面図である。
図において、１〜８は従来例と同様であるが、ブラスマ
ガスの吹き出し孔４Ａ、４Ｂ、４Ｇ、４０等は円周上に
配置される。
ガスの吹き出し孔４Ａ、４Ｂ、４Ｇ、４０等は円周上に
配置される。
また拡散板１０は同心円の大円と小円間の領域を有する
リング状のアルミニウム（Ａｔ）板である。
リング状のアルミニウム（Ａｔ）板である。
この場合はブラスマガスは吹き出し孔４Ａ、４Ｂ、・・
・より出て、拡散板１０上に落ち、１部は拡散板１０の
外周より、１部は拡散板１０の内周より基板上に落ちる
。
・より出て、拡散板１０上に落ち、１部は拡散板１０の
外周より、１部は拡散板１０の内周より基板上に落ちる
。
第２図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例
を示すダウンフロー型のプラスマエッチング装置の模式
的な断面図と平面図である。
を示すダウンフロー型のプラスマエッチング装置の模式
的な断面図と平面図である。
図において、１１は第１の拡散板で、同心円の大円と小
円間の領域を有するリング状のＡｔ板で、小円の直径は
プラスマガスの吹き出し孔４より小さめにする。
円間の領域を有するリング状のＡｔ板で、小円の直径は
プラスマガスの吹き出し孔４より小さめにする。
１２は第２の拡散板で、円板状のＡｔ板で、その直径は
第１の拡散板１■の大円と小円の中間の値にする。
第１の拡散板１■の大円と小円の中間の値にする。
この場合はプラスマガスは吹き出し孔４より出て、第１
の拡散板１１上に落ち、１部は第１の拡散板１１の外周
より基板上に落ち、１部は第１の拡散板１１の内周より
第２の拡散板１２上に落ち、第２の拡散板１２の外周よ
り基板上に落ちる。
の拡散板１１上に落ち、１部は第１の拡散板１１の外周
より基板上に落ち、１部は第１の拡散板１１の内周より
第２の拡散板１２上に落ち、第２の拡散板１２の外周よ
り基板上に落ちる。
このようにガスを流すと、基板内により均一にガスが落
ちるため、基板内のエツチングレートは均一になる。
ちるため、基板内のエツチングレートは均一になる。
以上詳細に説明したようにダウンフロー型のブラスマエ
ッチング装置において、基板が大口径化されても本発明
によれば基板内のエツチングレートは均一になる。
ッチング装置において、基板が大口径化されても本発明
によれば基板内のエツチングレートは均一になる。
第１図（ａｌ、 （ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を
示） すダウンフロー型のプラスマエッチング装
置の模式的な断面図と平面図、 第２図（ａ）、 （ｂｌはそれぞれ本発明の他の実施例
を示すダウンフロー型のプラスマエッチング装置の模式
的な断面図と平面図、 第３図は従来例によるダウンフロー型のプラスマエッチ
ング装置の模式的な断面図、 第４図は改良された従来例によるダウンフロー型のプラ
スマエソチング装置の模式的な断面図である。 図において、 １はプラスマ発生室、 ２は反応ガスの入口、３はマ
イクロ波電源、 ４．４Ａ、４Ｂ、 ・・・はガス吹き出し孔、５は反
応室、 ６は基板、 ７はサセプタ、 ８は排気口、９．１０．１１
．１２は拡散板 を示す。 °亮１図 第２１２１ （ａ） （α）（″
。）（ｂ） ｙ６３図 晃４図
示） すダウンフロー型のプラスマエッチング装
置の模式的な断面図と平面図、 第２図（ａ）、 （ｂｌはそれぞれ本発明の他の実施例
を示すダウンフロー型のプラスマエッチング装置の模式
的な断面図と平面図、 第３図は従来例によるダウンフロー型のプラスマエッチ
ング装置の模式的な断面図、 第４図は改良された従来例によるダウンフロー型のプラ
スマエソチング装置の模式的な断面図である。 図において、 １はプラスマ発生室、 ２は反応ガスの入口、３はマ
イクロ波電源、 ４．４Ａ、４Ｂ、 ・・・はガス吹き出し孔、５は反
応室、 ６は基板、 ７はサセプタ、 ８は排気口、９．１０．１１
．１２は拡散板 を示す。 °亮１図 第２１２１ （ａ） （α）（″
。）（ｂ） ｙ６３図 晃４図
Claims (2)
- （１）略円周上に複数個の反応ガスの吹き出し孔と、該
吹き出し孔の下側に略リング状の拡散板を設け、該反応
ガスが該拡散板の内側と外側より流出して該拡散板の下
に置かれた基板に到達して該基板を処理することを特徴
とするドライエッチング装置。 - （２）反応ガスの吹き出し孔と、該吹き出し孔の下側に
略リング状の第１の拡散板と、該第１の拡散板の下側に
略円板状の第２の拡散板を設け、反応ガスが該第１の拡
散板と該第２の拡散板の外側より流出して該第２の拡散
板の下に置かれた基板に到達して該基板を処理すること
を特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23797284A JPS61116841A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23797284A JPS61116841A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116841A true JPS61116841A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17023196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23797284A Pending JPS61116841A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116841A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996037910A1 (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-28 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
| US6048435A (en) * | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6354240B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-03-12 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor having a plurality of magnets |
| JP2017085130A (ja) * | 2010-11-30 | 2017-05-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びバッフル構造 |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP23797284A patent/JPS61116841A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996037910A1 (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-28 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
| US5958139A (en) * | 1995-05-25 | 1999-09-28 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
| US5985089A (en) * | 1995-05-25 | 1999-11-16 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
| US6120610A (en) * | 1995-05-25 | 2000-09-19 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
| US6048435A (en) * | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6190496B1 (en) | 1996-07-03 | 2001-02-20 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6354240B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-03-12 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor having a plurality of magnets |
| US6410448B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-06-25 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6500314B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-12-31 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6620335B1 (en) | 1996-07-03 | 2003-09-16 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6905969B2 (en) | 1996-07-03 | 2005-06-14 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| JP2017085130A (ja) * | 2010-11-30 | 2017-05-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びバッフル構造 |
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