JPS5842226A - プラズマ半導体製造装置 - Google Patents
プラズマ半導体製造装置Info
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- JPS5842226A JPS5842226A JP14048381A JP14048381A JPS5842226A JP S5842226 A JPS5842226 A JP S5842226A JP 14048381 A JP14048381 A JP 14048381A JP 14048381 A JP14048381 A JP 14048381A JP S5842226 A JPS5842226 A JP S5842226A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 4
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は互いに対向した二枚の円板を電極として、ガス
をプラズマ化し、半導体生産における薄膜の形成、及び
形成層のエツチングを行うプラズマ半導体製造装置ｌＩ
Ｃ１ＩＩするものである。
をプラズマ化し、半導体生産における薄膜の形成、及び
形成層のエツチングを行うプラズマ半導体製造装置ｌＩ
Ｃ１ＩＩするものである。
従来、この種の半導体製造装置は第１図のよう ゛な構
造を有してｂる。プラズマ状態をつくり出す反応室６Ｆ
ｉ排気ロアよシ排気されてｂる。内部にはａ−ａ’を中
心とし、互すに対向した円板である上部電極２と下部電
極５が平行に設置されてｂる。上部電極２にはケーブル
１＆Ｃより高周波電力が印加されている。下部電極５Ｆ
ｉ接地されて訃り、その表面に″は基板４を装着するよ
うになってｈる。
造を有してｂる。プラズマ状態をつくり出す反応室６Ｆ
ｉ排気ロアよシ排気されてｂる。内部にはａ−ａ’を中
心とし、互すに対向した円板である上部電極２と下部電
極５が平行に設置されてｂる。上部電極２にはケーブル
１＆Ｃより高周波電力が印加されている。下部電極５Ｆ
ｉ接地されて訃り、その表面に″は基板４を装着するよ
うになってｈる。
下部電極の中心に設置されたガスノズル３から導入され
た反応ガスは、基板４が装着されている下部電極５０中
心から周囲に向って流れ出し、電極下にある排気ロアか
ら排出される。下部電極２表面を流れている反応ガスは
、上部電極５と下部電極２の間に印加された高周波電力
によって励起し、プラズマ化して基板４と反応すること
になる。
た反応ガスは、基板４が装着されている下部電極５０中
心から周囲に向って流れ出し、電極下にある排気ロアか
ら排出される。下部電極２表面を流れている反応ガスは
、上部電極５と下部電極２の間に印加された高周波電力
によって励起し、プラズマ化して基板４と反応すること
になる。
しかし、従来のこの半導体製造装置では、電極円板の中
心から縁に向って生ずる電界強度の減少と、ガスノズル
付近の基板が先に反応することによって生ずるガス流路
長さにおける反応ガス濃度とによって、下部電極の中心
から周囲に向って反応速度の差ができ、反応均一分布領
域が半径方向に、ある幅を待つリング状部分に限定され
ることになる。したがって、処理能力を上げようとすれ
ば、そのリング状部分の直径を広げる為に電極径金大き
くせざるを得なくなる。
心から縁に向って生ずる電界強度の減少と、ガスノズル
付近の基板が先に反応することによって生ずるガス流路
長さにおける反応ガス濃度とによって、下部電極の中心
から周囲に向って反応速度の差ができ、反応均一分布領
域が半径方向に、ある幅を待つリング状部分に限定され
ることになる。したがって、処理能力を上げようとすれ
ば、そのリング状部分の直径を広げる為に電極径金大き
くせざるを得なくなる。
本発明の目的は、この上記のような欠点のないプラズマ
半導体製造装置を提供することにある。
半導体製造装置を提供することにある。
本発明の特徴は、互いに対向した円形の電極を持ったプ
ラズマ半導体製造装置において、この電極の直径方向に
おける電界強度分布を変化させる手段を有するプラズマ
半導体製造装置にある０例えば、下部電極との間隙調整
と、高周波電力の増減調整が千れぞれ単独に可能な、同
一中心を持つ複数のリングを具備することを特徴とする
プラズマ半導体製造装置である。
ラズマ半導体製造装置において、この電極の直径方向に
おける電界強度分布を変化させる手段を有するプラズマ
半導体製造装置にある０例えば、下部電極との間隙調整
と、高周波電力の増減調整が千れぞれ単独に可能な、同
一中心を持つ複数のリングを具備することを特徴とする
プラズマ半導体製造装置である。
本発明によれば、下部電極全面に反応均一領域を持つこ
とにより小型で生産生の高いプラズマ半導体製造装置が
実現できる。
とにより小型で生産生の高いプラズマ半導体製造装置が
実現できる。
次に本発明を第２図（ａ）、 （ｂ）に示す実施例で説
明する。
明する。
２−１．２−２．２−３は１−ａ′を中心とするリング
状の電極である０反応室６は排気ロアより排気されてい
る０反応室内ＮＫは３個のリング状電極２−１．２−２
．２−ｉｔ有する上部電極電極５は互いに対向し、平行
Ｋｔかれている。下部電極はインナーリング電極ｚ−１
．センターリング電極２−２．アウターリング電極２−
３．とその間を絶縁するガイシ１０．高周波電力を印加
する為の導入端子１１、及びケーブル１、下部電極との
間［ｔ−調整する間隙調整器にょ９構成されている。下
部電極５は接地されており、その表面＃ｃＦｉ基板４を
装着するようになりている。ガスノズル３から導入され
た反応ガスは、下部電極５の周辺に行くにしたがって反
応ガス濃度が下がり、反応速度が減少してｈ〈、そこで
、インナーリング電極２−１．センターリング電［２−
２，７ウターリング２−３．の高周波電力、下部電極間
隙を調整することによって反応ガス濃度とは逆の方向に
プラズマ強度の傾斜を与える。
状の電極である０反応室６は排気ロアより排気されてい
る０反応室内ＮＫは３個のリング状電極２−１．２−２
．２−ｉｔ有する上部電極電極５は互いに対向し、平行
Ｋｔかれている。下部電極はインナーリング電極ｚ−１
．センターリング電極２−２．アウターリング電極２−
３．とその間を絶縁するガイシ１０．高周波電力を印加
する為の導入端子１１、及びケーブル１、下部電極との
間［ｔ−調整する間隙調整器にょ９構成されている。下
部電極５は接地されており、その表面＃ｃＦｉ基板４を
装着するようになりている。ガスノズル３から導入され
た反応ガスは、下部電極５の周辺に行くにしたがって反
応ガス濃度が下がり、反応速度が減少してｈ〈、そこで
、インナーリング電極２−１．センターリング電［２−
２，７ウターリング２−３．の高周波電力、下部電極間
隙を調整することによって反応ガス濃度とは逆の方向に
プラズマ強度の傾斜を与える。
以上の構造及び方法によって反応、均一分布領域を下部
電極全面に広げることが可能になり、下部電極を有効に
利用し、小型で生産性の高いプラズマ半導体製造装置を
供給することができる。
電極全面に広げることが可能になり、下部電極を有効に
利用し、小型で生産性の高いプラズマ半導体製造装置を
供給することができる。
第１図は従来のプラズマ半導体製造装置を示す断面図、
第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明によるプラズｉ半導体
装置を示す断面図および平面図である。 なお図において、 ｌ・・・・・・ケーブル、２・・・・・・上部電極、２
−１・・・・・・センターリング電極、２−２・・・・
・・センターリング電極、２−３・・・・・・アウター
リング電極、４・・・・・・基板、５・・・・・・下部
電極、６・・・・・・反応室、７・・・・・・排気口、
８・・・・・・回転軸、９・・・・・・間隙調整器、１
０・・・・・・ガイシ、１１・・・・・・高周波電力導
入端子、である。 第１ 図 第 Ｚ 閃 （θ）
第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明によるプラズｉ半導体
装置を示す断面図および平面図である。 なお図において、 ｌ・・・・・・ケーブル、２・・・・・・上部電極、２
−１・・・・・・センターリング電極、２−２・・・・
・・センターリング電極、２−３・・・・・・アウター
リング電極、４・・・・・・基板、５・・・・・・下部
電極、６・・・・・・反応室、７・・・・・・排気口、
８・・・・・・回転軸、９・・・・・・間隙調整器、１
０・・・・・・ガイシ、１１・・・・・・高周波電力導
入端子、である。 第１ 図 第 Ｚ 閃 （θ）
Claims (1)
- 互いに対向した円形の電極を持ったプラズマ半導体製造
装置において、該電極の直径方向における電界強度分布
を変化させる手段を有することを特徴とするプラズマ半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14048381A JPS5842226A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | プラズマ半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14048381A JPS5842226A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | プラズマ半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842226A true JPS5842226A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15269650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14048381A Pending JPS5842226A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | プラズマ半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842226A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037119A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置 |
| JPS6037118A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| JPS6173331A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS61116826A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS63274126A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高周波印加電極構成体 |
| JPS6489316A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | Device for manufacturing thin film |
| JPH06140347A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応方法 |
| US5609690A (en) * | 1994-02-15 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vacuum plasma processing apparatus and method |
| US5656123A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-12 | Varian Associates, Inc. | Dual-frequency capacitively-coupled plasma reactor for materials processing |
| US6042686A (en) * | 1995-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
| US6719875B1 (en) * | 1998-07-24 | 2004-04-13 | Tadahiro Ohmi | Plasma process apparatus |
| KR20140039535A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP14048381A patent/JPS5842226A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620976A (ja) * | 1983-08-08 | 1994-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ気相反応装置およびプラズマ気相反応方法 |
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| US6239403B1 (en) | 1995-06-30 | 2001-05-29 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
| EP0871975B1 (en) * | 1995-06-30 | 2003-08-20 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
| US6719875B1 (en) * | 1998-07-24 | 2004-04-13 | Tadahiro Ohmi | Plasma process apparatus |
| KR20140039535A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
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