JP3099801B2 - 成膜処理方法及び装置 - Google Patents
成膜処理方法及び装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板等の被処理物
上に所望の膜をプラズマＣＶＤ法で形成するための成膜
処理方法及び装置、特にプラズマ生成室とこれに連設さ
れ、被処理物を収容するプラズマ処理室とを用いる成膜
処理方法及び装置に関する。
上に所望の膜をプラズマＣＶＤ法で形成するための成膜
処理方法及び装置、特にプラズマ生成室とこれに連設さ
れ、被処理物を収容するプラズマ処理室とを用いる成膜
処理方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の成膜処理方法及び装置は、プラ
ズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処理室とを用
い、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置し、前記被
処理物にプラズマによる成膜処理を施すためのプラズマ
処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導入し、前記
プラズマ処理室に接続された排気装置にて真空排気しつ
つ前記プラズマ生成室においてプラズマを発生させると
ともに前記プラズマ生成室で発生させたプラズマを前記
プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプラズマによ
る成膜処理を施すものである。
ズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処理室とを用
い、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置し、前記被
処理物にプラズマによる成膜処理を施すためのプラズマ
処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導入し、前記
プラズマ処理室に接続された排気装置にて真空排気しつ
つ前記プラズマ生成室においてプラズマを発生させると
ともに前記プラズマ生成室で発生させたプラズマを前記
プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプラズマによ
る成膜処理を施すものである。
【０００３】その例を図７を参照して説明する。図７に
示す成膜処理装置は、シリンダ形のプラズマ生成室１０
及び同じくシリンダ形のプラズマ処理室２０を備えてい
る。両室１０、２０は中心軸線を同じくして上下に連設
してある。プラズマ生成室１０はその外周壁に沿ってア
ンテナの形態のＲＦコイル１１０が配置してあり、この
アンテナ１１０にはマッチングボックス１３を介して１
３．５６ＭＨｚの高周波電源（ＲＦ電源）１４を接続し
てある。
示す成膜処理装置は、シリンダ形のプラズマ生成室１０
及び同じくシリンダ形のプラズマ処理室２０を備えてい
る。両室１０、２０は中心軸線を同じくして上下に連設
してある。プラズマ生成室１０はその外周壁に沿ってア
ンテナの形態のＲＦコイル１１０が配置してあり、この
アンテナ１１０にはマッチングボックス１３を介して１
３．５６ＭＨｚの高周波電源（ＲＦ電源）１４を接続し
てある。
【０００４】プラズマ処理室２０は、その外周壁に沿っ
て配置したリング形状のソレノイド磁石２１及び室内下
部に配置した被処理物を支持するホルダ２２を備え、ホ
ルダ２２の下方に排気装置２３を付設してある。磁石２
１はプラズマをホルダ２２上の被処理物５へ収束させる
ためのものである。また、プラズマ生成室１０とプラズ
マ処理室２０との境目よりやや下がった位置にガス導入
管３が挿入設置されている。なお、このガス導入管は図
７に２点鎖線Ｐで示すように、プラズマ生成室１０に設
けられることもある。
て配置したリング形状のソレノイド磁石２１及び室内下
部に配置した被処理物を支持するホルダ２２を備え、ホ
ルダ２２の下方に排気装置２３を付設してある。磁石２
１はプラズマをホルダ２２上の被処理物５へ収束させる
ためのものである。また、プラズマ生成室１０とプラズ
マ処理室２０との境目よりやや下がった位置にガス導入
管３が挿入設置されている。なお、このガス導入管は図
７に２点鎖線Ｐで示すように、プラズマ生成室１０に設
けられることもある。
【０００５】被処理物支持ホルダ２２は、成膜処理のと
き、例えばホルダに内蔵したヒータＨにて、必要に応じ
成膜温度に加熱できる。なお、水冷用パイプ２２１を用
いて冷却水を循環させることで水冷できるようにもなっ
ている。ホルダ２２にはマッチングボックス４１を介し
て高周波電源（ＲＦ電源）４２が接続され、さらに、直
流電源４３又は４４が接続される。切替えスイッチＳは
電源４３と４４の切り替えを行う。成膜の場合、ホルダ
２２に設置される被処理物５及び成膜種が導電性のとき
には、直流電源４３、４４により入射プラズマをコント
ロールし、高速成膜が可能である。被処理物５及び成膜
種が絶縁性のときは、高周波電源４２を印加することで
高速成膜が可能である。
き、例えばホルダに内蔵したヒータＨにて、必要に応じ
成膜温度に加熱できる。なお、水冷用パイプ２２１を用
いて冷却水を循環させることで水冷できるようにもなっ
ている。ホルダ２２にはマッチングボックス４１を介し
て高周波電源（ＲＦ電源）４２が接続され、さらに、直
流電源４３又は４４が接続される。切替えスイッチＳは
電源４３と４４の切り替えを行う。成膜の場合、ホルダ
２２に設置される被処理物５及び成膜種が導電性のとき
には、直流電源４３、４４により入射プラズマをコント
ロールし、高速成膜が可能である。被処理物５及び成膜
種が絶縁性のときは、高周波電源４２を印加することで
高速成膜が可能である。
【０００６】この成膜処理装置によると、プラズマ生成
室１０でプラズマを発生させ、且つ、プラズマ処理室２
０で被処理物５にプラズマによる成膜処理を施すための
プラズマ処理用ガスＧがガス導入管３からプラズマ処理
室２０へ導入され、さらにその一部がプラズマ生成室１
０へ進入する。プラズマ生成室１０に導入されたガス
は、高周波電源１４からのアンテナ１１０への高周波電
力供給による高周波誘導電界の形成によりプラズマ化さ
れてプラズマ処理室２０へ供給される。
室１０でプラズマを発生させ、且つ、プラズマ処理室２
０で被処理物５にプラズマによる成膜処理を施すための
プラズマ処理用ガスＧがガス導入管３からプラズマ処理
室２０へ導入され、さらにその一部がプラズマ生成室１
０へ進入する。プラズマ生成室１０に導入されたガス
は、高周波電源１４からのアンテナ１１０への高周波電
力供給による高周波誘導電界の形成によりプラズマ化さ
れてプラズマ処理室２０へ供給される。
【０００７】プラズマ処理室２０へ供給されたプラズマ
は、磁石２１の磁界の作用でホルダ２２上の被処理物５
へ収束せしめられ、また、プラズマ処理室内のガスを分
解して被処理物への成膜に寄与させる。
は、磁石２１の磁界の作用でホルダ２２上の被処理物５
へ収束せしめられ、また、プラズマ処理室内のガスを分
解して被処理物への成膜に寄与させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の従来の成膜処理方法及び装置では、次の問題がある。
すなわち、被処理物に成膜するとき、プラズマ生成室内
空間やその側壁で発生したパーティクルが被処理物に降
り注ぎ、このパーティクルのために成膜に欠陥が生じ
る、またプラズマＣＶＤを実施するときはプラズマ生
成室が１０-1Ｔｏｒｒ、プラズマ処理室が１０-2Ｔｏｒ
ｒというように、プラズマ生成室が密閉されていて該室
内圧力が高くなるので、粒子の平均自由行程が短くな
り、それだけプラズマの寿命が短かく、高密度のプラズ
マを安定して維持しがたい。
の従来の成膜処理方法及び装置では、次の問題がある。
すなわち、被処理物に成膜するとき、プラズマ生成室内
空間やその側壁で発生したパーティクルが被処理物に降
り注ぎ、このパーティクルのために成膜に欠陥が生じ
る、またプラズマＣＶＤを実施するときはプラズマ生
成室が１０-1Ｔｏｒｒ、プラズマ処理室が１０-2Ｔｏｒ
ｒというように、プラズマ生成室が密閉されていて該室
内圧力が高くなるので、粒子の平均自由行程が短くな
り、それだけプラズマの寿命が短かく、高密度のプラズ
マを安定して維持しがたい。
【０００９】そこで本発明は、従来のプラズマによる成
膜処理方法及び装置より被処理物へのパーティクル付着
が抑制されるとともに高密度プラズマが維持され、それ
だけ被処理物に高速で欠陥の少ない膜形成を円滑に実施
できる成膜処理方法及び装置を提供することを課題とす
る。
膜処理方法及び装置より被処理物へのパーティクル付着
が抑制されるとともに高密度プラズマが維持され、それ
だけ被処理物に高速で欠陥の少ない膜形成を円滑に実施
できる成膜処理方法及び装置を提供することを課題とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するために研究を重ね、次の点に着目するに至った。
すなわち、従来の方法及び装置では、プラズマ生成室に
ガスが閉じ込められるため、プラズマ生成室内の圧力を
低く抑制することができず、そのためプラズマ粒子がガ
ス分子に衝突し易く、その平均自由行程が短くなり、よ
り高密度のプラズマを生成し難いこと、プラズマ生成室
で発生したパーティクルは逃げ場が無いので、プラズマ
処理室側へ移行して被処理物上へ降り注がざるを得ない
ことである。
決するために研究を重ね、次の点に着目するに至った。
すなわち、従来の方法及び装置では、プラズマ生成室に
ガスが閉じ込められるため、プラズマ生成室内の圧力を
低く抑制することができず、そのためプラズマ粒子がガ
ス分子に衝突し易く、その平均自由行程が短くなり、よ
り高密度のプラズマを生成し難いこと、プラズマ生成室
で発生したパーティクルは逃げ場が無いので、プラズマ
処理室側へ移行して被処理物上へ降り注がざるを得ない
ことである。
【００１１】本発明はかかる知見に基づきなされたもの
で、次の成膜処理方法及び装置を提供する。すなわち、
（１）プラズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処理
室とを用い、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置
し、前記被処理物にプラズマによる成膜処理を施すため
のプラズマ処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導
入し、前記プラズマ処理室に接続された排気装置にて真
空排気しつつ、前記プラズマ生成室においてプラズマを
発生させるとともに該プラズマ生成室で発生させたプラ
ズマを前記プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプ
ラズマによる成膜処理を施す成膜処理方法において、前
記プラズマ生成室でのプラズマ生成は該室に高周波誘導
電界を形成することで行い、成膜処理中、前記プラズマ
生成室内圧力を、該プラズマ生成室に付設した排気装置
で排気することで該排気装置による排気を行わない場合
よりも低く、しかし前記プラズマ処理室内圧力より若干
高い圧力に維持することを特徴とする成膜処理方法、及
び（２）プラズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処
理室とを備え、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置
し、前記被処理物にプラズマによる成膜処理を施すため
のプラズマ処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導
入し、前記プラズマ処理室に接続された排気装置にて真
空排気しつつ、前記プラズマ生成室においてプラズマを
発生させるとともに該プラズマ生成室で発生させたプラ
ズマを前記プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプ
ラズマによる成膜処理を施す成膜処理装置において、前
記プラズマ生成室に対し、該室内のガスからプラズマを
発生させるためのアンテナ及び該アンテナに高周波電力
を供給する高周波電源を含む高周波誘導電界形成装置
と、成膜処理中前記プラズマ生成室内圧力を該プラズマ
生成室に排気装置を付設して排気を行わない場合よりは
低く、しかし前記プラズマ処理室内圧力より若干高い圧
力に維持するための排気装置とが設けられていることを
特徴とする成膜処理装置である。
で、次の成膜処理方法及び装置を提供する。すなわち、
（１）プラズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処理
室とを用い、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置
し、前記被処理物にプラズマによる成膜処理を施すため
のプラズマ処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導
入し、前記プラズマ処理室に接続された排気装置にて真
空排気しつつ、前記プラズマ生成室においてプラズマを
発生させるとともに該プラズマ生成室で発生させたプラ
ズマを前記プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプ
ラズマによる成膜処理を施す成膜処理方法において、前
記プラズマ生成室でのプラズマ生成は該室に高周波誘導
電界を形成することで行い、成膜処理中、前記プラズマ
生成室内圧力を、該プラズマ生成室に付設した排気装置
で排気することで該排気装置による排気を行わない場合
よりも低く、しかし前記プラズマ処理室内圧力より若干
高い圧力に維持することを特徴とする成膜処理方法、及
び（２）プラズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処
理室とを備え、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置
し、前記被処理物にプラズマによる成膜処理を施すため
のプラズマ処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導
入し、前記プラズマ処理室に接続された排気装置にて真
空排気しつつ、前記プラズマ生成室においてプラズマを
発生させるとともに該プラズマ生成室で発生させたプラ
ズマを前記プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプ
ラズマによる成膜処理を施す成膜処理装置において、前
記プラズマ生成室に対し、該室内のガスからプラズマを
発生させるためのアンテナ及び該アンテナに高周波電力
を供給する高周波電源を含む高周波誘導電界形成装置
と、成膜処理中前記プラズマ生成室内圧力を該プラズマ
生成室に排気装置を付設して排気を行わない場合よりは
低く、しかし前記プラズマ処理室内圧力より若干高い圧
力に維持するための排気装置とが設けられていることを
特徴とする成膜処理装置である。
【００１２】本発明方法及び装置において、前記ガス導
入手段としては、次のものを推奨できる。 ａ．前記プラズマ処理室内に設置される被処理物の近傍
に配置され、該被処理物に向け前記プラズマ処理用ガス
を噴出させる多数のガス噴出孔を有するリング形状のガ
ス噴出管と、前記プラズマ処理室外から該室内へ延びて
該ガス噴出管に接続されたガス導入管とを含んでいるガ
ス導入手段、及び ｂ．前記プラズマ処理室内の前記プラズマ生成室に臨む
領域に配置され、該プラズマ生成室へ向けプラズマ生成
用ガスを噴出させる多数のガス噴出孔を有するリング形
状の第１のガス噴出管及び前記プラズマ処理室外から該
室内へ延びて該ガス噴出管に接続された第１のガス導入
管と、前記プラズマ処理室内に設置される被処理物の近
傍に配置され、該被処理物に向け処理用ガス（成膜処理
に専ら使用されるガス）を噴出させる多数のガス噴出孔
を有するリング形状の第２のガス噴出管及び前記プラズ
マ処理室外から該室内へ延びて該ガス噴出管に接続され
た第２のガス導入管とを含んでいるガス導入手段であ
る。
入手段としては、次のものを推奨できる。 ａ．前記プラズマ処理室内に設置される被処理物の近傍
に配置され、該被処理物に向け前記プラズマ処理用ガス
を噴出させる多数のガス噴出孔を有するリング形状のガ
ス噴出管と、前記プラズマ処理室外から該室内へ延びて
該ガス噴出管に接続されたガス導入管とを含んでいるガ
ス導入手段、及び ｂ．前記プラズマ処理室内の前記プラズマ生成室に臨む
領域に配置され、該プラズマ生成室へ向けプラズマ生成
用ガスを噴出させる多数のガス噴出孔を有するリング形
状の第１のガス噴出管及び前記プラズマ処理室外から該
室内へ延びて該ガス噴出管に接続された第１のガス導入
管と、前記プラズマ処理室内に設置される被処理物の近
傍に配置され、該被処理物に向け処理用ガス（成膜処理
に専ら使用されるガス）を噴出させる多数のガス噴出孔
を有するリング形状の第２のガス噴出管及び前記プラズ
マ処理室外から該室内へ延びて該ガス噴出管に接続され
た第２のガス導入管とを含んでいるガス導入手段であ
る。
【００１３】ガスをプラズマ処理用ガスとしてまとめて
導入するときは、プラズマ生成室内の圧力上昇を抑制す
るために、プラズマ生成室とプラズマ処理室との境目又
はその近傍領域へ、さらに好ましくは被処理物付近へ、
且つ、被処理物側へ向けて導入することが考えられ、ま
た、被処理物各部をできるだけ均一に、円滑に、目的に
沿って処理するうえで、ガスの導入はプラズマ処理室の
一か所に集中的に行うのではなく、広い範囲にできるだ
け均一に行うことが望ましい。上記ａのガス導入手段は
これに適っている。
導入するときは、プラズマ生成室内の圧力上昇を抑制す
るために、プラズマ生成室とプラズマ処理室との境目又
はその近傍領域へ、さらに好ましくは被処理物付近へ、
且つ、被処理物側へ向けて導入することが考えられ、ま
た、被処理物各部をできるだけ均一に、円滑に、目的に
沿って処理するうえで、ガスの導入はプラズマ処理室の
一か所に集中的に行うのではなく、広い範囲にできるだ
け均一に行うことが望ましい。上記ａのガス導入手段は
これに適っている。
【００１４】また、プラズマ生成室におけるパーティク
ルの発生を抑制するうえで、プラズマ処理用ガスをプラ
ズマ生成用ガス（処理反応に直接関与しない、例えば水
素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等の励起専用のガ
ス）と専ら被処理物への成膜のための処理用ガスとに分
けて採用し、プラズマ生成用ガスについては専らプラズ
マ生成室へ向け供給し、処理用ガスについては専ら被処
理物に向け供給することが考えられ、且つ、その場合、
被処理物各部をできるだけ均一に、円滑に、目的に沿っ
て処理するうえで、プラズマ生成用ガスはプラズマ生成
室内のできるだけ広い範囲に均一に供給し、処理用ガス
については被処理物に対応させて広い範囲にできるだけ
均一に供給することが望ましく、上記ｂのガス導入手段
はこれに適っている。また、本発明方法及び装置におい
て、プラズマ生成室に付設される排気装置としては、該
プラズマ生成室内圧力を各部均一化するうえで、前記プ
ラズマ生成室上部に囲繞され、多数の通気孔を介して該
プラズマ生成室内に連通するリング管と、該リング管に
接続された排気ポンプとを含んでいるものを推奨でき
る。
ルの発生を抑制するうえで、プラズマ処理用ガスをプラ
ズマ生成用ガス（処理反応に直接関与しない、例えば水
素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等の励起専用のガ
ス）と専ら被処理物への成膜のための処理用ガスとに分
けて採用し、プラズマ生成用ガスについては専らプラズ
マ生成室へ向け供給し、処理用ガスについては専ら被処
理物に向け供給することが考えられ、且つ、その場合、
被処理物各部をできるだけ均一に、円滑に、目的に沿っ
て処理するうえで、プラズマ生成用ガスはプラズマ生成
室内のできるだけ広い範囲に均一に供給し、処理用ガス
については被処理物に対応させて広い範囲にできるだけ
均一に供給することが望ましく、上記ｂのガス導入手段
はこれに適っている。また、本発明方法及び装置におい
て、プラズマ生成室に付設される排気装置としては、該
プラズマ生成室内圧力を各部均一化するうえで、前記プ
ラズマ生成室上部に囲繞され、多数の通気孔を介して該
プラズマ生成室内に連通するリング管と、該リング管に
接続された排気ポンプとを含んでいるものを推奨でき
る。
【００１５】
【作用】本発明の成膜処理方法及び装置によると、プラ
ズマ処理室内に被処理物が設置される。この被処理物
は、例えば被処理物の支持手段に設けた加熱手段にて必
要に応じ加熱される。
ズマ処理室内に被処理物が設置される。この被処理物
は、例えば被処理物の支持手段に設けた加熱手段にて必
要に応じ加熱される。
【００１６】また、プラズマ生成室がそれに付設された
排気装置にて所定圧に排気されるとともにプラズマ処理
室もそれに付設された排気装置にて所定圧に排気されつ
つ、ガス導入手段にて、プラズマを生成させ、被処理物
を処理するためのガスが導入される。かくして、プラズ
マ生成室へ進入したプラズマ生成用のガス、すなわち、
成膜処理用のガスの一部又は該処理用ガスを含むガスの
一部、或いはプラズマ生成用ガスとして導入されたガス
が高周波誘導電界のもとでプラズマ化されてプラズマ処
理室へ供給される。
排気装置にて所定圧に排気されるとともにプラズマ処理
室もそれに付設された排気装置にて所定圧に排気されつ
つ、ガス導入手段にて、プラズマを生成させ、被処理物
を処理するためのガスが導入される。かくして、プラズ
マ生成室へ進入したプラズマ生成用のガス、すなわち、
成膜処理用のガスの一部又は該処理用ガスを含むガスの
一部、或いはプラズマ生成用ガスとして導入されたガス
が高周波誘導電界のもとでプラズマ化されてプラズマ処
理室へ供給される。
【００１７】プラズマ処理室ではその中の成膜処理用ガ
スが該プラズマにて分解され、成膜に寄与せしめられ
る。かくして被処理物は成膜処理される。かかる処理の
間、プラズマ処理室だけでなくプラズマ生成室も排気処
理され、プラズマ処理室が差動排気状態にあるため、プ
ラズマ生成室を何等排気処理しない従来方法及び装置の
場合よりも該プラズマ生成室が低圧に維持され、従って
ここで生成されるプラズマは寿命が長く、高密度に維持
され、それだけ被処理物は高速で成膜処理される。ま
た、プラズマ生成室内に発生するパーティクルは、プラ
ズマ生成室内が排気処理されてプラズマ処理室内との圧
力差が従来装置よりも小さく抑制されていることと、排
気処理されていること自体とによって、プラズマ処理室
への移行が抑制され、被処理物に付着することが抑制さ
れる。従って、パーティクルによる欠陥の抑制された成
膜が可能となっている。また、成膜処理中、プラズマ生
成室内圧力は該室に付設された排気装置の運転にてその
ような排気装置がない従来装置より低く設定されるが、
プラズマ処理室内圧力よりは若干高く維持されるので、
プラズマ生成室からプラズマ処理室へのプラズマの拡散
に何ら支障はなく、それだけ円滑な成膜処理を行える。
スが該プラズマにて分解され、成膜に寄与せしめられ
る。かくして被処理物は成膜処理される。かかる処理の
間、プラズマ処理室だけでなくプラズマ生成室も排気処
理され、プラズマ処理室が差動排気状態にあるため、プ
ラズマ生成室を何等排気処理しない従来方法及び装置の
場合よりも該プラズマ生成室が低圧に維持され、従って
ここで生成されるプラズマは寿命が長く、高密度に維持
され、それだけ被処理物は高速で成膜処理される。ま
た、プラズマ生成室内に発生するパーティクルは、プラ
ズマ生成室内が排気処理されてプラズマ処理室内との圧
力差が従来装置よりも小さく抑制されていることと、排
気処理されていること自体とによって、プラズマ処理室
への移行が抑制され、被処理物に付着することが抑制さ
れる。従って、パーティクルによる欠陥の抑制された成
膜が可能となっている。また、成膜処理中、プラズマ生
成室内圧力は該室に付設された排気装置の運転にてその
ような排気装置がない従来装置より低く設定されるが、
プラズマ処理室内圧力よりは若干高く維持されるので、
プラズマ生成室からプラズマ処理室へのプラズマの拡散
に何ら支障はなく、それだけ円滑な成膜処理を行える。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１及び図３から図６のそれぞれは本発明に係る
成膜処理を実施するための成膜処理装置例を示してお
り、これらは図７に示す従来装置を改良したものであ
る。各実施例装置において、図７に示す従来装置と同
じ、幾つかの部分については、同じ参照符号を付してあ
る。
する。図１及び図３から図６のそれぞれは本発明に係る
成膜処理を実施するための成膜処理装置例を示してお
り、これらは図７に示す従来装置を改良したものであ
る。各実施例装置において、図７に示す従来装置と同
じ、幾つかの部分については、同じ参照符号を付してあ
る。
【００１９】いずれの実施例装置においても、プラズマ
生成室として石英ベルジャーからなるプラズマ生成室１
が採用され、この室１の天井に排気装置としてＴＭＰ
（ターボモレキュラーポンプ）１５を付設してある。プ
ラズマ生成室１には、図２に示すように、プラズマ生成
室１内のガス圧を各部均一化し、ひいてはそれだけ被処
理物各部に均一に、円滑に、成膜処理することができる
ようにするために、該室の上部にリング管１５０を囲繞
し、この管を多数の通気孔１５１を介して室１内に連通
させるとともに、該管を介してポンプ１５を配管接続し
てもよい。なお、図２では後述するアンテナ１１の図示
を省略している。
生成室として石英ベルジャーからなるプラズマ生成室１
が採用され、この室１の天井に排気装置としてＴＭＰ
（ターボモレキュラーポンプ）１５を付設してある。プ
ラズマ生成室１には、図２に示すように、プラズマ生成
室１内のガス圧を各部均一化し、ひいてはそれだけ被処
理物各部に均一に、円滑に、成膜処理することができる
ようにするために、該室の上部にリング管１５０を囲繞
し、この管を多数の通気孔１５１を介して室１内に連通
させるとともに、該管を介してポンプ１５を配管接続し
てもよい。なお、図２では後述するアンテナ１１の図示
を省略している。
【００２０】また、プラズマ処理室として、シリンダ形
のアルミニゥムチャンバからなるプラズマ処理室２を用
いている。図１及び図３から図６に示す各成膜処理装置
においては、高周波電力（ＲＦ電力）供給用のアンテナ
として、冷却水を循環させることができるステンレスス
チール製パイプからなるアンテナ１１が採用され、これ
はプラズマ生成室１の外周壁に沿って配置してある。図
３の装置では、さらに、ヘリコン波プラズマ生成のため
にプラズマ生成室１の外周にリング状のソレノイド磁石
１２が配置されている。アンテナ１１には高周波電源１
４からマッチングボックス１３を介して高周波電力を供
給できる。アンテナ１１、高周波電源（ＲＦ電源）１４
等は高周波誘導電界形成装置を構成している。
のアルミニゥムチャンバからなるプラズマ処理室２を用
いている。図１及び図３から図６に示す各成膜処理装置
においては、高周波電力（ＲＦ電力）供給用のアンテナ
として、冷却水を循環させることができるステンレスス
チール製パイプからなるアンテナ１１が採用され、これ
はプラズマ生成室１の外周壁に沿って配置してある。図
３の装置では、さらに、ヘリコン波プラズマ生成のため
にプラズマ生成室１の外周にリング状のソレノイド磁石
１２が配置されている。アンテナ１１には高周波電源１
４からマッチングボックス１３を介して高周波電力を供
給できる。アンテナ１１、高周波電源（ＲＦ電源）１４
等は高周波誘導電界形成装置を構成している。
【００２１】プラズマ処理室２については、いずれの装
置においても、図７の従来装置と同様に、プラズマを被
処理物へ向け収束させるためのソレノイド磁石２１、被
処理物のホルダ２２、排気装置２３、ホルダに接続され
たマッチングボックス４１及び高周波電源（ＲＦ電源）
４２、直流電源４３、４４並びに直流電源切替えスイッ
チＳ等を設けてある。
置においても、図７の従来装置と同様に、プラズマを被
処理物へ向け収束させるためのソレノイド磁石２１、被
処理物のホルダ２２、排気装置２３、ホルダに接続され
たマッチングボックス４１及び高周波電源（ＲＦ電源）
４２、直流電源４３、４４並びに直流電源切替えスイッ
チＳ等を設けてある。
【００２２】ガス導入手段は次のとおりである。図１及
び図３の各装置では、図７の従来装置と同様のガス導入
管３が従来装置と同じく、プラズマ生成室１とプラズマ
処理室２の境目近傍領域に配置してある。図４の装置で
は、二本のガス導入管３４及び３６が採用され、一方の
管３４はプラズマ処理室２内のプラズマ生成室１に臨む
領域へ挿入され、その先端には、多数のガス噴出孔を有
するリング形状のガス噴出管３５を接続してあり、他方
の管３６はホルダ２２の近くまで挿入され、その先端に
は、多数のガス噴出孔を有するリング形状のガス噴出管
３７を接続してある。
び図３の各装置では、図７の従来装置と同様のガス導入
管３が従来装置と同じく、プラズマ生成室１とプラズマ
処理室２の境目近傍領域に配置してある。図４の装置で
は、二本のガス導入管３４及び３６が採用され、一方の
管３４はプラズマ処理室２内のプラズマ生成室１に臨む
領域へ挿入され、その先端には、多数のガス噴出孔を有
するリング形状のガス噴出管３５を接続してあり、他方
の管３６はホルダ２２の近くまで挿入され、その先端に
は、多数のガス噴出孔を有するリング形状のガス噴出管
３７を接続してある。
【００２３】一方のガス導入管３４からはプラズマ生成
用の励起ガスが導入され、このガスはリング形状管３５
からプラズマ生成室１へ向けシャワー状に噴出する。ま
た、他方のガス導入管３６からは成膜処理用ガスが導入
され、このガスはリング形状管３７からホルダ２２上の
被処理物５へ向けシャワー状に噴出する。
用の励起ガスが導入され、このガスはリング形状管３５
からプラズマ生成室１へ向けシャワー状に噴出する。ま
た、他方のガス導入管３６からは成膜処理用ガスが導入
され、このガスはリング形状管３７からホルダ２２上の
被処理物５へ向けシャワー状に噴出する。
【００２４】図５及び図６の装置では、図１のガス導入
管３に代え、ホルダ２２の近くまで挿入されたガス導入
管３２と、その先端に接続した、多数のガス噴出孔を有
するリング形状のガス噴出管３３とからなり、ガスはこ
のリング形状管３３から被処理物５へ向けシャワー状に
噴出する。以上説明した各成膜処理装置によると、次の
ようにプラズマによる成膜処理が実施される。すなわ
ち、プラズマ処理室２内のホルダ２２に被処理物、例え
ば半導体基板５が支持される。この被処理物５はホルダ
２２のヒータＨにて必要に応じ加熱される。水冷パイプ
２２１に冷却水を循環させることで必要に応じ被処理物
を冷却することも可能である。なお、各装置は使用する
ガスを選択することでエッチング処理も実施でき、エッ
チング処理では、例えば水冷パイプ２２１に冷却水を循
環させることで必要に応じ被処理物を冷却できる。
管３に代え、ホルダ２２の近くまで挿入されたガス導入
管３２と、その先端に接続した、多数のガス噴出孔を有
するリング形状のガス噴出管３３とからなり、ガスはこ
のリング形状管３３から被処理物５へ向けシャワー状に
噴出する。以上説明した各成膜処理装置によると、次の
ようにプラズマによる成膜処理が実施される。すなわ
ち、プラズマ処理室２内のホルダ２２に被処理物、例え
ば半導体基板５が支持される。この被処理物５はホルダ
２２のヒータＨにて必要に応じ加熱される。水冷パイプ
２２１に冷却水を循環させることで必要に応じ被処理物
を冷却することも可能である。なお、各装置は使用する
ガスを選択することでエッチング処理も実施でき、エッ
チング処理では、例えば水冷パイプ２２１に冷却水を循
環させることで必要に応じ被処理物を冷却できる。
【００２５】また、プラズマ生成室１がそれに付設され
た排気ポンプ１５にて所定圧に排気されるとともにプラ
ズマ処理室２もそれに付設された排気装置２３にて所定
圧に排気されつつ、ガス導入手段にて、プラズマを生成
させ且つ被処理物に成膜するためのガスが導入される。
なお、排気ポンプ１５によるプラズマ生成室１からの排
気は、プラズマ処理中、かかるポンプ排気が無い場合よ
りもプラズマ生成室１内圧力を低く維持し、それにより
被処理物へのパーティクルの付着を抑制するとともに高
密度プラズマを維持するために行うのであるが、あまり
低くしすぎると、プラズマ生成室１からプラズマ処理室
２へのプラズマの拡散が円滑に行われないため、後記す
る実験例に示すように、排気装置２３によるプラズマ処
理室２からの排気との兼ね合いで、プラズマ生成室１内
圧力をプラズマ処理室２内圧力より若干高く維持するよ
うに行う。前記のように導入されるガスは、図１、図
３、図５及び図６の各装置では、成膜処理用ガス又は該
ガスを含むガスであり、その一部はプラズマ生成用ガス
としてプラズマ生成室１へ進入する。
た排気ポンプ１５にて所定圧に排気されるとともにプラ
ズマ処理室２もそれに付設された排気装置２３にて所定
圧に排気されつつ、ガス導入手段にて、プラズマを生成
させ且つ被処理物に成膜するためのガスが導入される。
なお、排気ポンプ１５によるプラズマ生成室１からの排
気は、プラズマ処理中、かかるポンプ排気が無い場合よ
りもプラズマ生成室１内圧力を低く維持し、それにより
被処理物へのパーティクルの付着を抑制するとともに高
密度プラズマを維持するために行うのであるが、あまり
低くしすぎると、プラズマ生成室１からプラズマ処理室
２へのプラズマの拡散が円滑に行われないため、後記す
る実験例に示すように、排気装置２３によるプラズマ処
理室２からの排気との兼ね合いで、プラズマ生成室１内
圧力をプラズマ処理室２内圧力より若干高く維持するよ
うに行う。前記のように導入されるガスは、図１、図
３、図５及び図６の各装置では、成膜処理用ガス又は該
ガスを含むガスであり、その一部はプラズマ生成用ガス
としてプラズマ生成室１へ進入する。
【００２６】図４の装置では、管３４、３５にてプラズ
マ生成用のガス、例えばＨｅ、Ａｒ等の励起ガスが導入
され、このガスは主としてプラズマ生成室１へ進入す
る。一方、管３６、３７にて成膜処理用ガスが主として
被処理物付近へ導入される。いずれにしても、プラズマ
生成室１へのプラズマ生成用のガスの進入は、プラズマ
生成室１が排気処理されていることで容易に行われる。
マ生成用のガス、例えばＨｅ、Ａｒ等の励起ガスが導入
され、このガスは主としてプラズマ生成室１へ進入す
る。一方、管３６、３７にて成膜処理用ガスが主として
被処理物付近へ導入される。いずれにしても、プラズマ
生成室１へのプラズマ生成用のガスの進入は、プラズマ
生成室１が排気処理されていることで容易に行われる。
【００２７】かくしてプラズマ生成室１へ進入したプラ
ズマ生成用のガスが、ＲＦ電源１４からのアンテナ１１
への高周波電力供給による高周波誘導電界により、図３
の装置ではさらにソレノイド磁石１２による磁界の作用
によりプラズマ化されてプラズマ処理室２へ供給され
る。特に、図３の装置ではヘリコン波プラズマが生成さ
れ、室２へ供給される。
ズマ生成用のガスが、ＲＦ電源１４からのアンテナ１１
への高周波電力供給による高周波誘導電界により、図３
の装置ではさらにソレノイド磁石１２による磁界の作用
によりプラズマ化されてプラズマ処理室２へ供給され
る。特に、図３の装置ではヘリコン波プラズマが生成さ
れ、室２へ供給される。
【００２８】プラズマ処理室２では供給された該プラズ
マがソレノイド磁石２１による磁界のもとに被処理物５
へ収束せしめられ、また、プラズマ処理室２内の成膜処
理用ガスが該プラズマにて分解され、成膜に寄与せしめ
られる。
マがソレノイド磁石２１による磁界のもとに被処理物５
へ収束せしめられ、また、プラズマ処理室２内の成膜処
理用ガスが該プラズマにて分解され、成膜に寄与せしめ
られる。
【００２９】ホルダ２２に設置される被処理物５及び成
膜種が導電性のときには、直流電源４３、４４により入
射プラズマをコントロールし、高速成膜できるようにす
る。被処理物５及び成膜種が絶縁性のときは、高周波電
源４２を印加することで高速成膜できるようにコントロ
ールする。
膜種が導電性のときには、直流電源４３、４４により入
射プラズマをコントロールし、高速成膜できるようにす
る。被処理物５及び成膜種が絶縁性のときは、高周波電
源４２を印加することで高速成膜できるようにコントロ
ールする。
【００３０】かくして被処理物５に膜形成される。かか
る処理の間、プラズマ処理室２だけでなくプラズマ生成
室１もポンプ１５にて排気処理され、プラズマ生成室１
を何等排気処理しない従来装置の場合よりも該プラズマ
生成室１が低圧に維持されるため、しかしまた、プラズ
マ生成室１からプラズマ処理室２へのプラズマの拡散が
円滑に行われるように、プラズマ処理室２の圧力より若
干高く維持されるため、ここで生成されるプラズマは寿
命が長く、高密度に維持され、被処理物は高速で処理さ
れる。すなわち、成膜速度が向上する。
る処理の間、プラズマ処理室２だけでなくプラズマ生成
室１もポンプ１５にて排気処理され、プラズマ生成室１
を何等排気処理しない従来装置の場合よりも該プラズマ
生成室１が低圧に維持されるため、しかしまた、プラズ
マ生成室１からプラズマ処理室２へのプラズマの拡散が
円滑に行われるように、プラズマ処理室２の圧力より若
干高く維持されるため、ここで生成されるプラズマは寿
命が長く、高密度に維持され、被処理物は高速で処理さ
れる。すなわち、成膜速度が向上する。
【００３１】また、プラズマ生成室１内に発生するパー
ティクルは、プラズマ生成室１内が排気処理されてプラ
ズマ処理室２内との圧力差が従来装置よりも小さく設定
されていることと、排気処理されていること自体とによ
って、プラズマ処理室２への移行が抑制され、被処理物
５に付着することが抑制される。従って、欠陥の少ない
成膜が可能となっている。
ティクルは、プラズマ生成室１内が排気処理されてプラ
ズマ処理室２内との圧力差が従来装置よりも小さく設定
されていることと、排気処理されていること自体とによ
って、プラズマ処理室２への移行が抑制され、被処理物
５に付着することが抑制される。従って、欠陥の少ない
成膜が可能となっている。
【００３２】特に図４の装置では、プラズマ生成用の励
起ガスと成膜処理用ガスとが分離して導入されるので、
プラズマ生成室１内の汚染が少なく済み、パーティクル
の発生及びプラズマ処理室２への移行がそれだけ抑制さ
れる。次に図５に示す装置をプラズマＣＶＤ成膜装置と
して用いて成膜実験を行った例を示す。 成膜条件 電源１４のＲＦ電力 １３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ プラズマ処理室磁場 ７０Ｇａｕｓｓ プラズマ生成室圧力 ２０ｍＴｏｒｒ プラズマ処理室圧力 １０ｍＴｏｒｒ プラズマ生成室サイズ 直径１５０ｍｍ×高さ２５０ｍｍ プラズマ処理室サイズ 直径３００ｍｍ×高さ３００ｍｍ 使用ガス ＳｉＨ4 ２０ｓｃｃｍ Ｎ2 １５０ｓｃｃｍ 被処理物（半導体基板） 直径１００ｍｍのＳｉウェハ 被処理物ホルダ 直径１５０ｍｍのカーボン製 基板処理温度 ヒータ加熱 ２００℃ 結果 従来例 実施例 成膜速度 １０００Å／ｍｉｎ １５００Å／ｍｉｎ 膜厚均一性 ±５％ ±５％ パーティクル密度 ５０個 １０個 （０．３μｍ以上） なお、以上の実験結果において示す従来例とは、プラズ
マ生成室１をポンプ１５を用いて排気処理しなかったも
のであり、従って、プラズマ生成室１内圧力はなり行き
まかせの圧力であり、本発明の場合より高いものであ
る。従来例のその他の処理条件は各実験条件と同様であ
る。
起ガスと成膜処理用ガスとが分離して導入されるので、
プラズマ生成室１内の汚染が少なく済み、パーティクル
の発生及びプラズマ処理室２への移行がそれだけ抑制さ
れる。次に図５に示す装置をプラズマＣＶＤ成膜装置と
して用いて成膜実験を行った例を示す。 成膜条件 電源１４のＲＦ電力 １３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ プラズマ処理室磁場 ７０Ｇａｕｓｓ プラズマ生成室圧力 ２０ｍＴｏｒｒ プラズマ処理室圧力 １０ｍＴｏｒｒ プラズマ生成室サイズ 直径１５０ｍｍ×高さ２５０ｍｍ プラズマ処理室サイズ 直径３００ｍｍ×高さ３００ｍｍ 使用ガス ＳｉＨ4 ２０ｓｃｃｍ Ｎ2 １５０ｓｃｃｍ 被処理物（半導体基板） 直径１００ｍｍのＳｉウェハ 被処理物ホルダ 直径１５０ｍｍのカーボン製 基板処理温度 ヒータ加熱 ２００℃ 結果 従来例 実施例 成膜速度 １０００Å／ｍｉｎ １５００Å／ｍｉｎ 膜厚均一性 ±５％ ±５％ パーティクル密度 ５０個 １０個 （０．３μｍ以上） なお、以上の実験結果において示す従来例とは、プラズ
マ生成室１をポンプ１５を用いて排気処理しなかったも
のであり、従って、プラズマ生成室１内圧力はなり行き
まかせの圧力であり、本発明の場合より高いものであ
る。従来例のその他の処理条件は各実験条件と同様であ
る。
【００３３】この実験からも分かるように、本発明に係
る成膜処理方法及び成膜処理装置によると、成膜速度が
向上し、基板へのパーティクル付着が抑制されている。
る成膜処理方法及び成膜処理装置によると、成膜速度が
向上し、基板へのパーティクル付着が抑制されている。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、プ
ラズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処理室とを用
い、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置し、前記被
処理物にプラズマによる成膜処理を施すためのプラズマ
処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導入し、前記
プラズマ処理室に接続された排気装置にて真空排気しつ
つ前記プラズマ生成室においてプラズマを発生させると
ともに前記プラズマ生成室で発生させたプラズマを前記
プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプラズマによ
る成膜処理を施す成膜処理方法及び装置であって、同タ
イプの従来方法及び装置よりも被処理物へのパーティク
ル付着が抑制されるとともに高密度プラズマが維持さ
れ、それだけ被処理物に高速で欠陥の少ない膜形成を円
滑に実施できる成膜処理方法及び装置を提供することが
できる。
ラズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処理室とを用
い、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置し、前記被
処理物にプラズマによる成膜処理を施すためのプラズマ
処理用ガスをガス導入手段にてこれら室へ導入し、前記
プラズマ処理室に接続された排気装置にて真空排気しつ
つ前記プラズマ生成室においてプラズマを発生させると
ともに前記プラズマ生成室で発生させたプラズマを前記
プラズマ処理室へ導入して前記被処理物にプラズマによ
る成膜処理を施す成膜処理方法及び装置であって、同タ
イプの従来方法及び装置よりも被処理物へのパーティク
ル付着が抑制されるとともに高密度プラズマが維持さ
れ、それだけ被処理物に高速で欠陥の少ない膜形成を円
滑に実施できる成膜処理方法及び装置を提供することが
できる。
【図１】本発明方法を実施するための成膜処理装置の１
例の概略断面図である。
例の概略断面図である。
【図２】プラズマ生成室への排気装置付設の他の例を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明方法を実施するための成膜処理装置の他
の例の概略断面図である。
の例の概略断面図である。
【図４】本発明方法を実施するための成膜処理装置のさ
らに他の例の概略断面図である。
らに他の例の概略断面図である。
【図５】本発明方法を実施するための成膜処理装置のさ
らに他の例の概略断面図である。
らに他の例の概略断面図である。
【図６】本発明方法を実施するための成膜処理装置のさ
らに他の例の概略断面図である。
らに他の例の概略断面図である。
【図７】従来装置例の概略断面図である。
１ プラズマ生成室 １１ アンテナ １２ ソレノイド磁石 １３ マッチングボックス １４ ＲＦ電源 １５ 排気ポンプ １５０ リング管 １５１ 通気孔 ２ プラズマ処理室 ２１ ソレノイド磁石 ２２ 被処理物支持ホルダ ２２１ 水冷用パイプ Ｈ ヒータ ２３ 排気装置 Ｓ 切替えスイッチ ４１ マッチングボックス ４２ 高周波電源 ４３、４４ 直流電源 ５ 被処理物 ３、３２、３４、３６ ガス導入管 ３３、３５、３７ ガス噴出管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロッド ダブル ボーズウェル オーストラリア国 オーストラリア首都 特別区 キャンベラ市 私書箱４ (56)参考文献 特開 平２−112232（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−154971（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/31
Claims (8)
- 【請求項１】 プラズマ生成室とこれに連設されたプラ
ズマ処理室とを用い、前記プラズマ処理室内に被処理物
を設置し、前記被処理物にプラズマによる成膜処理を施
すためのプラズマ処理用ガスをガス導入手段にてこれら
室へ導入し、前記プラズマ処理室に接続された排気装置
にて真空排気しつつ、前記プラズマ生成室においてプラ
ズマを発生させるとともに該プラズマ生成室で発生させ
たプラズマを前記プラズマ処理室へ導入して前記被処理
物にプラズマによる成膜処理を施す成膜処理方法におい
て、前記プラズマ生成室でのプラズマ生成は該室に高周
波誘導電界を形成することで行い、成膜処理中、前記プ
ラズマ生成室内圧力を、該プラズマ生成室に付設した排
気装置で排気することで該排気装置による排気を行わな
い場合よりも低く、しかし前記プラズマ処理室内圧力よ
り若干高い圧力に維持することを特徴とする成膜処理方
法。 - 【請求項２】 前記ガス導入手段として、前記プラズマ
処理室内に設置される被処理物の近傍に配置され、多数
のガス噴出孔を有するリング形状のガス噴出管と、前記
プラズマ処理室外から該室内へ延びて該ガス噴出管に接
続されたガス導入管とを含むものを採用し、前記プラズ
マ処理用ガスを該ガス噴出管から被処理物へ向けて噴出
させる請求項１記載の成膜処理方法。 - 【請求項３】 前記プラズマ処理用ガスとして、プラズ
マ生成用ガスと、被処理物に成膜するための処理用ガス
とを分けて採用し、前記ガス導入手段として、前記プラ
ズマ処理室内の前記プラズマ生成室に臨む領域に配置さ
れ、多数のガス噴出孔を有するリング形状の第１のガス
噴出管及び前記プラズマ処理室外から該室内へ延びて該
ガス噴出管に接続された第１のガス導入管と、前記プラ
ズマ処理室内に設置される被処理物の近傍に配置され、
多数のガス噴出孔を有するリング形状の第２のガス噴出
管及び前記プラズマ処理室外から該室内へ延びて該ガス
噴出管に接続された第２のガス導入管とを含むものを採
用し、前記第１のガス噴出管から前記プラズマ生成用ガ
スを前記プラズマ生成室へ向け噴出させるとともに前記
第２のガス噴出管から前記処理用ガスを前記被処理物へ
向け噴出させる請求項１記載の成膜処理方法。 - 【請求項４】 前記プラズマ生成室に付設する排気装置
として、前記プラズマ生成室上部に囲繞され、多数の通
気孔を介して該プラズマ生成室内に連通するリング管
と、該リング管に接続された排気ポンプとを含むものを
採用する請求項１、２又は３記載の成膜処理方法。 - 【請求項５】 プラズマ生成室とこれに連設されたプラ
ズマ処理室とを備え、前記プラズマ処理室内に被処理物
を設置し、前記被処理物にプラズマによる成膜処理を施
すためのプラズマ処理用ガスをガス導入手段にてこれら
室へ導入し、前記プラズマ処理室に接続された排気装置
にて真空排気しつつ、前記プラズマ生成室においてプラ
ズマを発生させるとともに該プラズマ生成室で発生させ
たプラズマを前記プラズマ処理室へ導入して前記被処理
物にプラズマによる成膜処理を施す成膜処理装置におい
て、前記プラズマ生成室に対し、該室内のガスからプラ
ズマを発生させるためのアンテナ及び該アンテナに高周
波電力を供給する高周波電源を含む高周波誘導電界形成
装置と、成膜処理中前記プラズマ生成室内圧力を該プラ
ズマ生成室に排気装置を付設して排気することを行わな
い場合よりは低く、しかし前記プラズマ処理室内圧力よ
り若干高い圧力に維持するための排気装置とが設けられ
ていることを特徴とする成膜処理装置。 - 【請求項６】 前記ガス導入手段は、前記プラズマ処理
室内に設置される被処理物の近傍に配置され、該被処理
物に向け前記プラズマ処理用ガスを噴出させる多数のガ
ス噴出孔を有するリング形状のガス噴出管と、前記プラ
ズマ処理室外から該室内へ延びて該ガス噴出管に接続さ
れたガス導入管とを含んでいる請求項５記載の成膜処理
装置。 - 【請求項７】 前記ガス導入手段は、前記プラズマ処理
室内の前記プラズマ生成室に臨む領域に配置され、該プ
ラズマ生成室へ向けプラズマ生成用ガスを噴出させる多
数のガス噴出孔を有するリング形状の第１のガス噴出管
及び前記プラズマ処理室外から該室内へ延びて該ガス噴
出管に接続された第１のガス導入管と、前記プラズマ処
理室内に設置される被処理物の近傍に配置され、該被処
理物に向け処理用ガスを噴出させる多数のガス噴出孔を
有するリング形状の第２のガス噴出管及び前記プラズマ
処理室外から該室内へ延びて該ガス噴出管に接続された
第２のガス導入管とを含んでいる請求項５記載の成膜処
理装置。 - 【請求項８】 前記プラズマ生成室に対し設けられた排
気装置は、前記プラズマ生成室上部に囲繞され、多数の
通気孔を介して該プラズマ生成室内に連通するリング管
と、該リング管に接続された排気ポンプとを含んでいる
請求項５、６又は７記載の成膜処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081275A JP3099801B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 成膜処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081275A JP3099801B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 成膜処理方法及び装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5045561A Division JP3047340B2 (ja) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10324975A JPH10324975A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3099801B2 true JP3099801B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=13741828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081275A Expired - Fee Related JP3099801B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 成膜処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3099801B2 (ja) |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10081275A patent/JP3099801B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10324975A (ja) | 1998-12-08 |
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