JP2000144422A - シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置 - Google Patents
シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置Info
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- JP2000144422A JP2000144422A JP11223904A JP22390499A JP2000144422A JP 2000144422 A JP2000144422 A JP 2000144422A JP 11223904 A JP11223904 A JP 11223904A JP 22390499 A JP22390499 A JP 22390499A JP 2000144422 A JP2000144422 A JP 2000144422A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分子性ガスを媒質とした場合でも、ヘリコン
波によって生成された高密度プラズマを利用したシリコ
ン製膜を実現する。 【解決手段】 ヘリコン波を励起するためのアンテナ１
５を設置するガラス管２０にＨ2 ガス１６を供給すると
共に、アンテナ１５と基板９の間にＳｉＨ4 ガス１７を
供給し、均一磁場中に基板９を設置してヘリコン波プラ
ズマＣＶＤによってシリコン製膜する方法において、ヘ
リコン波励起用のアンテナ１５を不均一磁場中に設置す
ることにより生ずるヘリコン波プラズマを用いて基板９
に製膜するようにし、分子性ガスを媒質とした場合で
も、より高い密度を生成できるように改良されたヘリコ
ン波プラズマ装置を適用し、ガス条件を特定することに
よって、ヘリコン波によって生成された高密度プラズマ
を利用したシリコン製膜を実現する。
波によって生成された高密度プラズマを利用したシリコ
ン製膜を実現する。 【解決手段】 ヘリコン波を励起するためのアンテナ１
５を設置するガラス管２０にＨ2 ガス１６を供給すると
共に、アンテナ１５と基板９の間にＳｉＨ4 ガス１７を
供給し、均一磁場中に基板９を設置してヘリコン波プラ
ズマＣＶＤによってシリコン製膜する方法において、ヘ
リコン波励起用のアンテナ１５を不均一磁場中に設置す
ることにより生ずるヘリコン波プラズマを用いて基板９
に製膜するようにし、分子性ガスを媒質とした場合で
も、より高い密度を生成できるように改良されたヘリコ
ン波プラズマ装置を適用し、ガス条件を特定することに
よって、ヘリコン波によって生成された高密度プラズマ
を利用したシリコン製膜を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤに
よるシリコン製膜方法及びシリコン製膜装置に関する。
よるシリコン製膜方法及びシリコン製膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、プラズマＣＶＤのコストを削減す
るために、プラズマ生成法を改良してプラズマ電子密度
をより高くし、製膜速度を上げることが試みられてい
る。電子密度が高くなると製膜速度が高くなる理由は次
のようである。製膜に寄与する製膜種の生成量は、母ガ
スの分子数、電子密度、解離速度の積に比例する。電子
温度がほぼ変化せず解離速度を一定とすれば、電子密度
の増減が製膜種密度を左右する。すなわち、電子密度が
高いと製膜に寄与する製膜種数が増え、製膜速度を高く
できると考えられる。
るために、プラズマ生成法を改良してプラズマ電子密度
をより高くし、製膜速度を上げることが試みられてい
る。電子密度が高くなると製膜速度が高くなる理由は次
のようである。製膜に寄与する製膜種の生成量は、母ガ
スの分子数、電子密度、解離速度の積に比例する。電子
温度がほぼ変化せず解離速度を一定とすれば、電子密度
の増減が製膜種密度を左右する。すなわち、電子密度が
高いと製膜に寄与する製膜種数が増え、製膜速度を高く
できると考えられる。
【０００３】プラズマＣＶＤ装置には、平行平板型、誘
導結合型、ＥＣＲ型（電子サイクロトロン共鳴法）、ヘ
リコン波型等、種々のプラズマ生成法の適用が研究開発
されている。この中で、ヘリコン波プラズマ生成法は、
現状最も高い電子密度を有するプラズマを生成できる方
法である。このプラズマ生成法は、R.W.Boswell によっ
て初めて示され（Phys.Lett.vol.33A,No.7(1970) 45
7）、F.F.Chenらによってその生成機構が解明されつつ
あり（例えば、Plasma Sources Science Technology.vo
l.5(1995)173）、プラズマ生成法としては公知のもので
ある。
導結合型、ＥＣＲ型（電子サイクロトロン共鳴法）、ヘ
リコン波型等、種々のプラズマ生成法の適用が研究開発
されている。この中で、ヘリコン波プラズマ生成法は、
現状最も高い電子密度を有するプラズマを生成できる方
法である。このプラズマ生成法は、R.W.Boswell によっ
て初めて示され（Phys.Lett.vol.33A,No.7(1970) 45
7）、F.F.Chenらによってその生成機構が解明されつつ
あり（例えば、Plasma Sources Science Technology.vo
l.5(1995)173）、プラズマ生成法としては公知のもので
ある。
【０００４】以下に、この装置の構成と動作を図１５に
基づいて説明する。図１５にはヘリコン波によるプラズ
マ生成を行ない、プラズマプロセスを行なうための典型
的な装置を示してある。
基づいて説明する。図１５にはヘリコン波によるプラズ
マ生成を行ない、プラズマプロセスを行なうための典型
的な装置を示してある。
【０００５】図に示すように、真空容器１と内空間を共
通とするガラス管２０の周囲に単数または複数のソレノ
イド状の磁場コイル１２が設置され、更にガラス管２０
の周囲にはアンテナ１５が例えばループ状に巻き付けて
設置されている。この磁場コイル１２によって磁場が誘
起され、磁力線方向（均一）１８が生じる。アンテナ１
５とＲＦ電源４が整合器５を介して接続される。真空容
器１の周囲には、マルチカスプ磁場発生用永久磁石が設
置されている。また、真空容器１中に基板９が磁力線方
向（均一）１８と垂直に設置されている。
通とするガラス管２０の周囲に単数または複数のソレノ
イド状の磁場コイル１２が設置され、更にガラス管２０
の周囲にはアンテナ１５が例えばループ状に巻き付けて
設置されている。この磁場コイル１２によって磁場が誘
起され、磁力線方向（均一）１８が生じる。アンテナ１
５とＲＦ電源４が整合器５を介して接続される。真空容
器１の周囲には、マルチカスプ磁場発生用永久磁石が設
置されている。また、真空容器１中に基板９が磁力線方
向（均一）１８と垂直に設置されている。
【０００６】この様な状態で、真空容器１内にガスシャ
ワーヘッド２４を介してプロセス用ガス２３を供給し、
更に希釈用ガス６をガラス管２０に供給し、かつ、排気
装置７へガス排気しながら、目的の圧力を設定する。次
に、磁場コイル１２に電流を流し磁場を誘起する。磁力
線方向１８は本図と逆方向でも構わない。磁場コイル１
２から外れた空間では、磁力線は発散し拡散磁場２２を
形成する。
ワーヘッド２４を介してプロセス用ガス２３を供給し、
更に希釈用ガス６をガラス管２０に供給し、かつ、排気
装置７へガス排気しながら、目的の圧力を設定する。次
に、磁場コイル１２に電流を流し磁場を誘起する。磁力
線方向１８は本図と逆方向でも構わない。磁場コイル１
２から外れた空間では、磁力線は発散し拡散磁場２２を
形成する。
【０００７】次に、ＲＦ電源４からアンテナ１５に高周
波電力を印加しヘリコン波を励起すると、磁力線方向１
８と平行にヘリコン波が伝搬する。ヘリコン波が伝搬す
る空間において高密度なプラズマ８が生成される。プラ
ズマ８はやがて拡散磁場２２に沿って真空容器内で拡が
る。通常、マルチカスプ磁場を発生させる永久磁石２１
を真空容器１外周に設置することで、拡散したプラズマ
が真空容器１壁に衝突し消滅することを防いでいる。拡
散磁場雰囲気に設置されている基板９に、気相反応で生
じた粒子が堆積し製膜される。
波電力を印加しヘリコン波を励起すると、磁力線方向１
８と平行にヘリコン波が伝搬する。ヘリコン波が伝搬す
る空間において高密度なプラズマ８が生成される。プラ
ズマ８はやがて拡散磁場２２に沿って真空容器内で拡が
る。通常、マルチカスプ磁場を発生させる永久磁石２１
を真空容器１外周に設置することで、拡散したプラズマ
が真空容器１壁に衝突し消滅することを防いでいる。拡
散磁場雰囲気に設置されている基板９に、気相反応で生
じた粒子が堆積し製膜される。
【０００８】次に、この製膜種がどのような径方向分布
となるかを解析した結果について示す。解析条件は以下
の通りである。 解析条件：製膜種 ＳｉＨ3 圧力 ５０ｍTorr（ＳｉＨ4 流量２０SCCM） ガス温度 ４５０Ｋ 拡散定数（Ｈ2 ガス中）ＤＳｉＨ3 ４．３×１０3 cm2/sec ＳｉＨ4 ガス滞留時間 （ガス供給孔から基板面までの距離５０mmに対して) τ≒０．７sec 拡散距離 ｌ＝（２・ＤＳｉＨ3 ・τ）1/2 ＝７７cm 系の代表長（容器径：３０cm）より拡散距離が大きいこ
とから、磁場の影響を受けない母ガス（ＳｉＨ4 ）や解
離生成された中性製膜種（ＳｉＨ3 ）は、拡散によって
真空容器内に均等に広がることがわかる。
となるかを解析した結果について示す。解析条件は以下
の通りである。 解析条件：製膜種 ＳｉＨ3 圧力 ５０ｍTorr（ＳｉＨ4 流量２０SCCM） ガス温度 ４５０Ｋ 拡散定数（Ｈ2 ガス中）ＤＳｉＨ3 ４．３×１０3 cm2/sec ＳｉＨ4 ガス滞留時間 （ガス供給孔から基板面までの距離５０mmに対して) τ≒０．７sec 拡散距離 ｌ＝（２・ＤＳｉＨ3 ・τ）1/2 ＝７７cm 系の代表長（容器径：３０cm）より拡散距離が大きいこ
とから、磁場の影響を受けない母ガス（ＳｉＨ4 ）や解
離生成された中性製膜種（ＳｉＨ3 ）は、拡散によって
真空容器内に均等に広がることがわかる。
【０００９】次に、製膜種生成項と境界条件を考慮した
１次拡散方程式（円筒座標系）を解くことによって製膜
種密度分布を推定する。拡散方程式は、例えば、「気体
放電」東北大学基礎電子工学入門講座、八田吉典著、近
代科学社発行、Ｓ４３．１．３１、第２版を参考にでき
る。 拡散方程式 ∂ｎ／∂ｔ＝Ｄ・｛（∂2 ｎ／∂ｒ2 ）＋（１／ｒ）・
（∂ｎ／∂ｒ）｝＋Ｓ ｎ：製膜密度 ｔ：時間 Ｄ：拡散定数（＝ＤＳｉＨ3 ） ｒ：径方向位置 Ｓ：製膜種生成項 境界条件 （∂ｎ／∂ｒ）r=0 ＝０ （ｎ）r=15＝ｎ0 ＝０
１次拡散方程式（円筒座標系）を解くことによって製膜
種密度分布を推定する。拡散方程式は、例えば、「気体
放電」東北大学基礎電子工学入門講座、八田吉典著、近
代科学社発行、Ｓ４３．１．３１、第２版を参考にでき
る。 拡散方程式 ∂ｎ／∂ｔ＝Ｄ・｛（∂2 ｎ／∂ｒ2 ）＋（１／ｒ）・
（∂ｎ／∂ｒ）｝＋Ｓ ｎ：製膜密度 ｔ：時間 Ｄ：拡散定数（＝ＤＳｉＨ3 ） ｒ：径方向位置 Ｓ：製膜種生成項 境界条件 （∂ｎ／∂ｒ）r=0 ＝０ （ｎ）r=15＝ｎ0 ＝０
【００１０】典型的な条件で生成項を計算すると以下の
ようになる。 反応速度 （平行平板型プラズマ気相反応から、ＳｉＨ4 ＋ｅ→ＳｉＨ3 ＋Ｈ＋ｅ） ： Ｒ＝１．３×１０-8cm3/sec 電子密度 ： ｎe ＝１×１０10cm-3 ＳｉＨ4 密度：ｎSiH4＝（３．５４×１０16）×（５０×１０-3）×０．０１ ＝１．７７×１０13cm-3 従って、Ｓ＝Ｒ・ｎe ・ｎSiH4 ＝２．３×１０15cm-3ｓ-1
ようになる。 反応速度 （平行平板型プラズマ気相反応から、ＳｉＨ4 ＋ｅ→ＳｉＨ3 ＋Ｈ＋ｅ） ： Ｒ＝１．３×１０-8cm3/sec 電子密度 ： ｎe ＝１×１０10cm-3 ＳｉＨ4 密度：ｎSiH4＝（３．５４×１０16）×（５０×１０-3）×０．０１ ＝１．７７×１０13cm-3 従って、Ｓ＝Ｒ・ｎe ・ｎSiH4 ＝２．３×１０15cm-3ｓ-1
【００１１】ここで、反応速度は一定、ＳｉＨ4 密度は
上記のように拡散支配のため真空容器内で均一と考えれ
ば、生成項の密度分布は電子密度分布に依存する。以上
の条件に基づき、電子密度分布（＝製膜種生成項の分
布）を中心部で高く設定（cosカーブ）した場合の解析
結果を図１６に示す。製膜種分布は生成項と同様の山型
となる。
上記のように拡散支配のため真空容器内で均一と考えれ
ば、生成項の密度分布は電子密度分布に依存する。以上
の条件に基づき、電子密度分布（＝製膜種生成項の分
布）を中心部で高く設定（cosカーブ）した場合の解析
結果を図１６に示す。製膜種分布は生成項と同様の山型
となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような装
置でＣＶＤを行なう場合、希ガスプラズマに比べて電子
密度が桁違いに減少してしまう、不均一な膜厚分布とな
りやすい、という不具合がある。このような問題点が発
生する理由は、プロセスの目的に沿った種々の分子性
ガスを媒質とするので、分子の解離にもプラスのエネル
ギーが消費され、電離に消費されるエネルギーが減るた
め、プラズマ電子密度が低下してしまうこと、ガス圧
が高いので、製膜種が真空容器径方向へ十分に広がらな
い、ガラス管部において生成されたプラズマが真空容
器壁へ拡散するにつれて分子性ガスを解離するので、生
成する製膜種の密度分布は径方向中心部で高い山型とな
ること、更に、製膜種は容器壁に到達すると付着し損
失する（密度０）と考えれば中心部との密着差によって
拡散が生じ、その結果、径方向中心部で高い山型となる
こと、が挙げられる。
置でＣＶＤを行なう場合、希ガスプラズマに比べて電子
密度が桁違いに減少してしまう、不均一な膜厚分布とな
りやすい、という不具合がある。このような問題点が発
生する理由は、プロセスの目的に沿った種々の分子性
ガスを媒質とするので、分子の解離にもプラスのエネル
ギーが消費され、電離に消費されるエネルギーが減るた
め、プラズマ電子密度が低下してしまうこと、ガス圧
が高いので、製膜種が真空容器径方向へ十分に広がらな
い、ガラス管部において生成されたプラズマが真空容
器壁へ拡散するにつれて分子性ガスを解離するので、生
成する製膜種の密度分布は径方向中心部で高い山型とな
ること、更に、製膜種は容器壁に到達すると付着し損
失する（密度０）と考えれば中心部との密着差によって
拡散が生じ、その結果、径方向中心部で高い山型となる
こと、が挙げられる。
【００１３】つまり、従来のヘリコン波プラズマＣＶＤ
装置を用いると、ヘリコン波プラズマを高速製膜、均一
製膜に有効に活かせないという不具合があった。
装置を用いると、ヘリコン波プラズマを高速製膜、均一
製膜に有効に活かせないという不具合があった。
【００１４】本発明は上記状況に鑑みてなされたもの
で、分子性ガスを媒質としても、従来のヘリコン波プラ
ズマ装置よりも高い密度のプラズマを生成できるヘリコ
ン波プラズマ装置を適用して、シリコン高速製膜を実現
するシリコン製膜方法及びシリコン製膜装置を提供する
ことを目的とする。
で、分子性ガスを媒質としても、従来のヘリコン波プラ
ズマ装置よりも高い密度のプラズマを生成できるヘリコ
ン波プラズマ装置を適用して、シリコン高速製膜を実現
するシリコン製膜方法及びシリコン製膜装置を提供する
ことを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のシリコン製膜方法は、ヘリコン波を励起する
ためのアンテナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給す
ると共に、アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給
し、均一磁場中に基板を設置してヘリコン波プラズマＣ
ＶＤによってシリコン製膜する方法において、ヘリコン
波励起用アンテナを不均一磁場中に設置することにより
生ずるヘリコン波プラズマを用いて基板に製膜すること
を特徴とする。
の本発明のシリコン製膜方法は、ヘリコン波を励起する
ためのアンテナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給す
ると共に、アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給
し、均一磁場中に基板を設置してヘリコン波プラズマＣ
ＶＤによってシリコン製膜する方法において、ヘリコン
波励起用アンテナを不均一磁場中に設置することにより
生ずるヘリコン波プラズマを用いて基板に製膜すること
を特徴とする。
【００１６】そして、ガス圧力を３０ｍTorr以上にする
ことを特徴とする。また、ガス流量組成比を、ＳｉＨ4
＝１０SCCMの場合、少くともＨ2 ＝２０SCCMとすること
を特徴とする。
ことを特徴とする。また、ガス流量組成比を、ＳｉＨ4
＝１０SCCMの場合、少くともＨ2 ＝２０SCCMとすること
を特徴とする。
【００１７】また、上記目的を達成するための本発明の
シリコン製膜装置は、ヘリコン波を励起するためのアン
テナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給する手段と、
アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給する手段と、
ヘリコン波励起用アンテナを不均一磁場中に設置するこ
とでヘリコン波プラズマを生じさせヘリコン波プラズマ
を用いて基板に製膜する手段とを備えたことを特徴とす
る。
シリコン製膜装置は、ヘリコン波を励起するためのアン
テナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給する手段と、
アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給する手段と、
ヘリコン波励起用アンテナを不均一磁場中に設置するこ
とでヘリコン波プラズマを生じさせヘリコン波プラズマ
を用いて基板に製膜する手段とを備えたことを特徴とす
る。
【００１８】また、上記目的を達成するための本発明の
シリコン製膜方法は、ヘリコン波を励起するためのアン
テナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給すると共に、
アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給し、ヘリコン
波励起用アンテナを不均一磁場中に設置し、基板を均一
磁場中に設置し、ヘリコン波プラズマＣＶＤによってシ
リコン製膜する方法において、ＳｉＨ4 ガス供給位置と
基板位置の間にカスプ磁場のカスプ面位置を設定するこ
とを特徴とする。
シリコン製膜方法は、ヘリコン波を励起するためのアン
テナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給すると共に、
アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給し、ヘリコン
波励起用アンテナを不均一磁場中に設置し、基板を均一
磁場中に設置し、ヘリコン波プラズマＣＶＤによってシ
リコン製膜する方法において、ＳｉＨ4 ガス供給位置と
基板位置の間にカスプ磁場のカスプ面位置を設定するこ
とを特徴とする。
【００１９】そして、ガス圧力を５０ｍTorr以下にする
ことを特徴とする。また、ガラス管部のプラズマ密度
を、中心線上で低くガラス管壁部で高い２山型の径方向
分布とすることを特徴とする。
ことを特徴とする。また、ガラス管部のプラズマ密度
を、中心線上で低くガラス管壁部で高い２山型の径方向
分布とすることを特徴とする。
【００２０】また、上記目的を達成するための本発明の
シリコン製膜装置は、ヘリコン波を励起するためのアン
テナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給する手段と、
アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給する手段と、
ＳｉＨ4 ガスの供給位置を変更する手段と、基板の設置
位置を変更する手段と、カスプ磁場のカスプ面位置を変
更する手段と、ヘリコン波励起用アンテナを不均一磁場
中に設置することでヘリコン波プラズマを生じさせヘリ
コン波プラズマを用いて基板に製膜する手段とを備えた
ことを特徴とする。
シリコン製膜装置は、ヘリコン波を励起するためのアン
テナを設置するガラス管にＨ2 ガスを供給する手段と、
アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給する手段と、
ＳｉＨ4 ガスの供給位置を変更する手段と、基板の設置
位置を変更する手段と、カスプ磁場のカスプ面位置を変
更する手段と、ヘリコン波励起用アンテナを不均一磁場
中に設置することでヘリコン波プラズマを生じさせヘリ
コン波プラズマを用いて基板に製膜する手段とを備えた
ことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】上記のように、従来の典型的なヘ
リコン波プラズマＣＶＤ装置でシリコン製膜しているこ
と、シリコン堆積作用がガラス管内壁でも発生している
こと、が不具合の原因と考えられた。そこで、本発明で
は、分子性ガスを媒質とした場合でもより高い密度を生
成できるように改良されたヘリコン波プラズマ装置を適
用し、ガス条件を特定することによって課題解決の手段
と考えた。
リコン波プラズマＣＶＤ装置でシリコン製膜しているこ
と、シリコン堆積作用がガラス管内壁でも発生している
こと、が不具合の原因と考えられた。そこで、本発明で
は、分子性ガスを媒質とした場合でもより高い密度を生
成できるように改良されたヘリコン波プラズマ装置を適
用し、ガス条件を特定することによって課題解決の手段
と考えた。
【００２２】即ち、本発明のシリコン製膜方法は、
（Ａ）ヘリコン波を励起するためのアンテナを設置する
ガラス管にＨ2 ガスを供給し、（Ｂ）アンテナと基板の
間にＳｉＨ4 ガスを供給し、（Ｃ）均一磁場中に基板を
設置して、ヘリコン波プラズマＣＶＤによってシリコン
製膜する方法において、ヘリコン波励起用アンテナを不
均一磁場中に設置してヘリコン波プラズマを生成する方
法を適用することを特徴とする。また、本発明は以下の
要件も含む。即ち、カスプ磁場中に基板を設置する、ガ
ス圧力を３０ｍTorr以上にする、ガス流量組成比をＳｉ
Ｈ4 ＝１０SCCMの場合、Ｈ2 ＝２０SCCM以上とする。
（Ａ）ヘリコン波を励起するためのアンテナを設置する
ガラス管にＨ2 ガスを供給し、（Ｂ）アンテナと基板の
間にＳｉＨ4 ガスを供給し、（Ｃ）均一磁場中に基板を
設置して、ヘリコン波プラズマＣＶＤによってシリコン
製膜する方法において、ヘリコン波励起用アンテナを不
均一磁場中に設置してヘリコン波プラズマを生成する方
法を適用することを特徴とする。また、本発明は以下の
要件も含む。即ち、カスプ磁場中に基板を設置する、ガ
ス圧力を３０ｍTorr以上にする、ガス流量組成比をＳｉ
Ｈ4 ＝１０SCCMの場合、Ｈ2 ＝２０SCCM以上とする。
【００２３】この結果、本発明によれば、分子性ガスを
媒質とした場合でも、より高い密度を生成できるように
改良されたヘリコン波プラズマ装置を適用し、ガス条件
を特定することによって、ヘリコン波によって生成され
た高密度プラズマを利用したシリコン製膜を実現するシ
リコン製膜装置を提供することができる。
媒質とした場合でも、より高い密度を生成できるように
改良されたヘリコン波プラズマ装置を適用し、ガス条件
を特定することによって、ヘリコン波によって生成され
た高密度プラズマを利用したシリコン製膜を実現するシ
リコン製膜装置を提供することができる。
【００２４】また、上記のように、従来の典型的なヘリ
コン波プラズマＣＶＤ装置でシリコン製膜しているこ
と、ガス圧が高いこと、プラズマ電子密度の径方向分布
が中心部で高い山型をしていること、が不具合の原因と
考えられた。そこで、本発明では、分子性ガスを媒質と
した場合でもより高い密度を生成できるように改良され
たヘリコン波プラズマ装置を適用し、磁場カスプ面位置
をＳｉＨ4 ガス供給位置と基板位置の間に設定し、ガス
条件を特定し、プラズマ電子密度分布をリング状にする
こと、によって課題解決の手段と考えた。
コン波プラズマＣＶＤ装置でシリコン製膜しているこ
と、ガス圧が高いこと、プラズマ電子密度の径方向分布
が中心部で高い山型をしていること、が不具合の原因と
考えられた。そこで、本発明では、分子性ガスを媒質と
した場合でもより高い密度を生成できるように改良され
たヘリコン波プラズマ装置を適用し、磁場カスプ面位置
をＳｉＨ4 ガス供給位置と基板位置の間に設定し、ガス
条件を特定し、プラズマ電子密度分布をリング状にする
こと、によって課題解決の手段と考えた。
【００２５】即ち、本発明のシリコン製膜方法は、
（Ａ）ヘリコン波を励起するためのアンテナを設置する
ガラス管にＨ2 ガスを供給し、（Ｂ）アンテナと基板の
間にＳｉＨ4 ガスを供給し、（Ｃ）ヘリコン波励起用ア
ンテナを不均一磁場中に設置し、（Ｄ）カスプ磁場中に
基板を設置し、ヘリコン波プラズマＣＶＤによってシリ
コン製膜する方法において、ＳｉＨ4 ガス供給位置と基
板位置の間にカスプ磁場のカスプ面位置を設定する方法
を適用することを特徴とする。また、本発明は以下の要
件も含む。即ち、ガス圧力を５０ｍTorr以下にする、ガ
ラス管部のプラズマ密度を、中心軸上で低くガラス管壁
部で高い２山型（断面方向でみると密度の高い部分がリ
ング状）の径方向分布とする。
（Ａ）ヘリコン波を励起するためのアンテナを設置する
ガラス管にＨ2 ガスを供給し、（Ｂ）アンテナと基板の
間にＳｉＨ4 ガスを供給し、（Ｃ）ヘリコン波励起用ア
ンテナを不均一磁場中に設置し、（Ｄ）カスプ磁場中に
基板を設置し、ヘリコン波プラズマＣＶＤによってシリ
コン製膜する方法において、ＳｉＨ4 ガス供給位置と基
板位置の間にカスプ磁場のカスプ面位置を設定する方法
を適用することを特徴とする。また、本発明は以下の要
件も含む。即ち、ガス圧力を５０ｍTorr以下にする、ガ
ラス管部のプラズマ密度を、中心軸上で低くガラス管壁
部で高い２山型（断面方向でみると密度の高い部分がリ
ング状）の径方向分布とする。
【００２６】この結果、本発明によれば、ヘリコン波に
よって生成された高密度プラズマを利用したシリコン製
膜を実現するシリコン製膜装置を提供することができ
る。
よって生成された高密度プラズマを利用したシリコン製
膜を実現するシリコン製膜装置を提供することができ
る。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１乃至図３に
基づき説明する。図１には本発明の第１実施例に係るシ
リコン製膜装置の概略側面、図２にはガス圧力と製膜速
度、Ｈ2 イオン飽和電流（電子密度に比例）の関係を表
すグラフ、図３にはプラズマ生成Dutyと製膜速度の関係
を表すグラフを示してある。尚、従来例と同一機能を有
する構成部品には同一の符号を付して重複する説明は省
略してある。
基づき説明する。図１には本発明の第１実施例に係るシ
リコン製膜装置の概略側面、図２にはガス圧力と製膜速
度、Ｈ2 イオン飽和電流（電子密度に比例）の関係を表
すグラフ、図３にはプラズマ生成Dutyと製膜速度の関係
を表すグラフを示してある。尚、従来例と同一機能を有
する構成部品には同一の符号を付して重複する説明は省
略してある。
【００２８】図１において、ガラス管２０を内空間を共
通とするように真空容器１に接続する。更に、ガラス管
２０の周囲にヘリコン波励起用のアンテナ１５を配置
し、磁場コイル１２はアンテナ１５から真空容器１側に
ガラス管２０と真空容器１の周囲に配置する。この例で
はアンテナ１５として棒状の導体をガラス管２０にルー
プ状に２回巻き付ける。磁力線方向（均一）１８は、基
板９近傍でほぼ均一になるように設定し、アンテナ１５
部分では拡散している。但し、磁力線方向（均一）１８
は図示のものと正反対でも構わない。真空容器１の中
に、基板９を乗せた基板ホルダー１３を配置する。基板
ホルダー１３の位置は、本図に示す位置に限らず、磁力
線方向１８に沿って任意の位置に設定して構わない。
通とするように真空容器１に接続する。更に、ガラス管
２０の周囲にヘリコン波励起用のアンテナ１５を配置
し、磁場コイル１２はアンテナ１５から真空容器１側に
ガラス管２０と真空容器１の周囲に配置する。この例で
はアンテナ１５として棒状の導体をガラス管２０にルー
プ状に２回巻き付ける。磁力線方向（均一）１８は、基
板９近傍でほぼ均一になるように設定し、アンテナ１５
部分では拡散している。但し、磁力線方向（均一）１８
は図示のものと正反対でも構わない。真空容器１の中
に、基板９を乗せた基板ホルダー１３を配置する。基板
ホルダー１３の位置は、本図に示す位置に限らず、磁力
線方向１８に沿って任意の位置に設定して構わない。
【００２９】次に、以上のように構成した第１実施例の
シリコン製膜装置によるシリコン製膜方法を説明する。
シリコン製膜装置によるシリコン製膜方法を説明する。
【００３０】まず、ガラス管２０と真空容器１内のガス
を排気装置７へ排気後、Ｈ2 ガス供給１６とＳｉＨ4 ガ
ス供給１７を開始し、この供給と排気のバランスをとっ
て目的の圧力を設定する。磁場コイル１２に電流を流し
（コイル用電源は不図示）、磁力線方向（均一）１８に
磁場を発生させる。次に、ＲＦ電源４から整合器５を介
してアンテナ１５にＲＦ電力を供給することで、ヘリコ
ン波を励起する。ヘリコン波は磁力線方向（均一）１８
に平行に伝搬し、ガラス管２０内と真空容器１内にプラ
ズマ８を生成する。プラズマ中の気相反応によって生成
した製膜に寄与する製膜種が基板９に入射し、シリコン
が製膜される。
を排気装置７へ排気後、Ｈ2 ガス供給１６とＳｉＨ4 ガ
ス供給１７を開始し、この供給と排気のバランスをとっ
て目的の圧力を設定する。磁場コイル１２に電流を流し
（コイル用電源は不図示）、磁力線方向（均一）１８に
磁場を発生させる。次に、ＲＦ電源４から整合器５を介
してアンテナ１５にＲＦ電力を供給することで、ヘリコ
ン波を励起する。ヘリコン波は磁力線方向（均一）１８
に平行に伝搬し、ガラス管２０内と真空容器１内にプラ
ズマ８を生成する。プラズマ中の気相反応によって生成
した製膜に寄与する製膜種が基板９に入射し、シリコン
が製膜される。
【００３１】上述した実施例によって以下の条件で製膜
した結果を、ガス圧力と製膜速度、Ｈ2 イオン飽和電流
（電子密度に比例）の関係として図２に示す。尚、ここ
で示す製膜速度は、膜厚と製膜時間で除した値である
が、製膜時間にはＲＦ電力をパルス的に印加する場合の
ＯＦＦ時間を含む。
した結果を、ガス圧力と製膜速度、Ｈ2 イオン飽和電流
（電子密度に比例）の関係として図２に示す。尚、ここ
で示す製膜速度は、膜厚と製膜時間で除した値である
が、製膜時間にはＲＦ電力をパルス的に印加する場合の
ＯＦＦ時間を含む。
【００３２】ガラス管２０の内径：５０mm アンテナ１５から真空容器１までの距離：１５０mm アンテナ１５からＳｉＨ4 ガス１７の供給位置までの距
離：２５０mm アンテナ１５から基板９までの距離：３００mm ガス組成：ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＝１０／５０［SCCM］ ＲＦ：周波数２７MHz 、ピーク電力２kW ＲＦ電力印加：パルス幅５msec、繰返し周波数１０Hz、
Duty５％ 磁束密度：均一部分４００Ｇ 基板表面温度：２００〜２４０℃
離：２５０mm アンテナ１５から基板９までの距離：３００mm ガス組成：ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＝１０／５０［SCCM］ ＲＦ：周波数２７MHz 、ピーク電力２kW ＲＦ電力印加：パルス幅５msec、繰返し周波数１０Hz、
Duty５％ 磁束密度：均一部分４００Ｇ 基板表面温度：２００〜２４０℃
【００３３】図２に示すように、圧力が低くなるにつれ
てイオン飽和電流（■）が上昇し、つまり電子密度が高
くなり、製膜速度（○）も高くなった。このように、ア
ンテナ１５部において高密度のＨ2 プラズマが生成さ
れ、高速でシリコン製膜できる。
てイオン飽和電流（■）が上昇し、つまり電子密度が高
くなり、製膜速度（○）も高くなった。このように、ア
ンテナ１５部において高密度のＨ2 プラズマが生成さ
れ、高速でシリコン製膜できる。
【００３４】尚、本実施例でのＲＦ電力印加はパルス的
に行なったが、連続的（Duty１００％）に印加しても構
わない。その場合、上述のようにＯＦＦ時間がなくなっ
た分、製膜速度は高くなる。その例を、Dutyと製膜速度
の関係として図３に示す。製膜速度はDutyにほぼ比例し
て高くなった。
に行なったが、連続的（Duty１００％）に印加しても構
わない。その場合、上述のようにＯＦＦ時間がなくなっ
た分、製膜速度は高くなる。その例を、Dutyと製膜速度
の関係として図３に示す。製膜速度はDutyにほぼ比例し
て高くなった。
【００３５】更に、上記の条件の中で、ガス圧力：３０
ｍTorr以上、または、ガス流量組成比：ＳｉＨ4 ＝１０
［SCCM］の場合、Ｈ2 ＝２０［SCCM］以上の要件を満た
してシリコン製膜を実施すると、アンテナ１５から真空
容器１にかけてのガラス管２０の内壁にシリコン膜が付
着せず、安定した放電が得られた。
ｍTorr以上、または、ガス流量組成比：ＳｉＨ4 ＝１０
［SCCM］の場合、Ｈ2 ＝２０［SCCM］以上の要件を満た
してシリコン製膜を実施すると、アンテナ１５から真空
容器１にかけてのガラス管２０の内壁にシリコン膜が付
着せず、安定した放電が得られた。
【００３６】図４に基づいて本発明の第２実施例に係る
シリコン製膜方法を説明する。図４には本発明の第２実
施例に係るシリコン製膜方法を実施している状態のシリ
コン製膜装置の概略側面を示してある。尚、装置構成は
図１に示したものと同一である。
シリコン製膜方法を説明する。図４には本発明の第２実
施例に係るシリコン製膜方法を実施している状態のシリ
コン製膜装置の概略側面を示してある。尚、装置構成は
図１に示したものと同一である。
【００３７】第１実施例と異なる動作は、磁場コイル１
２と磁場コイル２５に逆向きの電流を流し、基板位置に
おける磁力線方向１９をカスプとした点である。その他
の動作は変わらない。このような実施例によって以下の
条件で製膜した結果を示す。これ以外の条件は第１実施
例と同様である。ガス圧力：５０ｍTorr以上磁束密度：
均一磁束密度４００Ｇが得られる磁場コイル電流と同じ
電流を、磁場コイル１２と磁場コイル２５に逆方向に流
した。
２と磁場コイル２５に逆向きの電流を流し、基板位置に
おける磁力線方向１９をカスプとした点である。その他
の動作は変わらない。このような実施例によって以下の
条件で製膜した結果を示す。これ以外の条件は第１実施
例と同様である。ガス圧力：５０ｍTorr以上磁束密度：
均一磁束密度４００Ｇが得られる磁場コイル電流と同じ
電流を、磁場コイル１２と磁場コイル２５に逆方向に流
した。
【００３８】この場合、製膜速度１４Å／sec が得ら
れ、プラズマをカスプ磁場に沿って拡散させても、第１
実施例の圧力５０ｍTorrの場合の製膜速度１８Å／sec
（図２参照）と同等の結果が得られた。つまり、カスプ
磁場の適用が、大面積製膜方法の一つになり得ることが
確認できた。
れ、プラズマをカスプ磁場に沿って拡散させても、第１
実施例の圧力５０ｍTorrの場合の製膜速度１８Å／sec
（図２参照）と同等の結果が得られた。つまり、カスプ
磁場の適用が、大面積製膜方法の一つになり得ることが
確認できた。
【００３９】図５に基づいて本発明の第３実施例に係る
シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置を説明する。図
５には本発明の第３実施例に係るシリコン製膜方法を実
施するシリコン製膜装置の概略上面を示してある。尚、
図１に示したものと同一部材には同一符号を付して重複
する説明は省略してある。
シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置を説明する。図
５には本発明の第３実施例に係るシリコン製膜方法を実
施するシリコン製膜装置の概略上面を示してある。尚、
図１に示したものと同一部材には同一符号を付して重複
する説明は省略してある。
【００４０】本例の装置構成は、第１実施例とは、基板
９の向きを変えるために基板ホルダー１３の設置位置が
異なる。基板９の面が磁力線方向１８（均一）と平行に
なるように設置している。その他の構成は変わらない。
以上のように構成した第３実施例のシリコン製膜装置に
よるシリコン製膜方法は、第１実施例と全く同じであ
る。
９の向きを変えるために基板ホルダー１３の設置位置が
異なる。基板９の面が磁力線方向１８（均一）と平行に
なるように設置している。その他の構成は変わらない。
以上のように構成した第３実施例のシリコン製膜装置に
よるシリコン製膜方法は、第１実施例と全く同じであ
る。
【００４１】上記構成のシリコン製膜装置により、ガス
圧力：５０ｍTorr以上、基板９の径方向位置：真空容器
中心、の条件で製膜した結果を以下に示す。これ以外の
条件は第１実施例と同様である。この場合、製膜速度１
０．９Å／sec が得られた。
圧力：５０ｍTorr以上、基板９の径方向位置：真空容器
中心、の条件で製膜した結果を以下に示す。これ以外の
条件は第１実施例と同様である。この場合、製膜速度１
０．９Å／sec が得られた。
【００４２】次に、本発明の第４実施例を図６乃至図８
に基づき説明する。図６には本発明の第４実施例に係る
シリコン製膜装置の概略側面、図７にはカスプ位置をパ
ラメータとした場合の膜厚分布を表すグラフ、図８には
これを中心膜厚で規格化した結果を表すグラフを示して
ある。尚、従来例及び第１乃至第３実施例と同一機能を
有する構成部品には同一の符号を付してある。
に基づき説明する。図６には本発明の第４実施例に係る
シリコン製膜装置の概略側面、図７にはカスプ位置をパ
ラメータとした場合の膜厚分布を表すグラフ、図８には
これを中心膜厚で規格化した結果を表すグラフを示して
ある。尚、従来例及び第１乃至第３実施例と同一機能を
有する構成部品には同一の符号を付してある。
【００４３】図６において、ガラス管２０を内空間を共
通とするように真空容器１に接続する。更に、ガラス管
２０の周囲にアンテナ１５を配置し、磁場コイル１２、
２５はアンテナ１５から真空容器１側にガラス管２０と
真空容器１の周囲に配置する。ガラス管２０の材料はプ
ラズマによる加熱損傷を防ぐために耐熱性の高い石英と
する。加熱損傷の危険性がなければ石英に限定されな
い。アンテナ１５として径１／４インチの銅チューブを
ガラス管２０に螺旋状に３回巻き付ける。アンテナ１５
にはＰＦ電源４から整合器５を介してＰＦ電流が流れる
ので、アンテナ１５の加熱によるガラス管２０の損傷を
防ぐために銅チューブ内に冷却水を流す。ただし、アン
テナ１５の材料は銅には限定されず、形状もチューブ状
に限定されない。また、巻き付ける回数も３回に限定さ
れず、損傷の危険性がなければ冷却水を流さなくてもよ
い。
通とするように真空容器１に接続する。更に、ガラス管
２０の周囲にアンテナ１５を配置し、磁場コイル１２、
２５はアンテナ１５から真空容器１側にガラス管２０と
真空容器１の周囲に配置する。ガラス管２０の材料はプ
ラズマによる加熱損傷を防ぐために耐熱性の高い石英と
する。加熱損傷の危険性がなければ石英に限定されな
い。アンテナ１５として径１／４インチの銅チューブを
ガラス管２０に螺旋状に３回巻き付ける。アンテナ１５
にはＰＦ電源４から整合器５を介してＰＦ電流が流れる
ので、アンテナ１５の加熱によるガラス管２０の損傷を
防ぐために銅チューブ内に冷却水を流す。ただし、アン
テナ１５の材料は銅には限定されず、形状もチューブ状
に限定されない。また、巻き付ける回数も３回に限定さ
れず、損傷の危険性がなければ冷却水を流さなくてもよ
い。
【００４４】磁力線方向（カスプ）１９は、磁場コイル
１２、２５の間でカスプ面（位置）２６を生成するよう
に、各磁場コイルに逆向きの電流を流すことによって設
定する。また、アンテナ１５部分では拡散するように設
定する。ただし、磁力線方向（カスプ）１９は図示のも
のと反対でもよい。カスプ面（位置）２６を変更する手
段は、例えば、磁場コイル１２、２５を磁場コイル移動
用レール３０に載せ、基板９の製膜面の法線方向に手で
移動させる。または、磁場コイル１２、２５に流す電流
値を任意に設定する。ここで、磁場コイル１２、２５の
間隔は任意である。
１２、２５の間でカスプ面（位置）２６を生成するよう
に、各磁場コイルに逆向きの電流を流すことによって設
定する。また、アンテナ１５部分では拡散するように設
定する。ただし、磁力線方向（カスプ）１９は図示のも
のと反対でもよい。カスプ面（位置）２６を変更する手
段は、例えば、磁場コイル１２、２５を磁場コイル移動
用レール３０に載せ、基板９の製膜面の法線方向に手で
移動させる。または、磁場コイル１２、２５に流す電流
値を任意に設定する。ここで、磁場コイル１２、２５の
間隔は任意である。
【００４５】ＳｉＨ4 ガス１７を真空容器１に導入する
ために、ガスシャワーヘッド２４をアンテナ１５と基板
９の間に設置する。ガスシャワーヘッド２４は、径１／
４インチのステンレスチューブをφ200mm の円形に加工
し、この周上に細孔（φ0.5mm ）を３６個設けたもので
ある。ただし、ガスシャワーヘッド２４の材質及び加工
径及び加工形状は実施例の１／４インチのステンレス、
φ200mm の円形に限定されるものではない。また、細孔
もφ0.5mm で３６個に限定されるものではない。更に、
シリコン製膜用プロセスガスとして、ＳｉＨ4 ガス以外
で例えばＳｉ2Ｈ6 やＳｉＦ4 であってもよく、ガラス
管２０に流す希釈ガスとして、Ｈ2 ガス以外で例えばＡ
ｒであってもよい。
ために、ガスシャワーヘッド２４をアンテナ１５と基板
９の間に設置する。ガスシャワーヘッド２４は、径１／
４インチのステンレスチューブをφ200mm の円形に加工
し、この周上に細孔（φ0.5mm ）を３６個設けたもので
ある。ただし、ガスシャワーヘッド２４の材質及び加工
径及び加工形状は実施例の１／４インチのステンレス、
φ200mm の円形に限定されるものではない。また、細孔
もφ0.5mm で３６個に限定されるものではない。更に、
シリコン製膜用プロセスガスとして、ＳｉＨ4 ガス以外
で例えばＳｉ2Ｈ6 やＳｉＦ4 であってもよく、ガラス
管２０に流す希釈ガスとして、Ｈ2 ガス以外で例えばＡ
ｒであってもよい。
【００４６】ガスシャワーヘッド２４を移動させる手段
は、例えば以下の通りである。ガスシャワーヘッド２４
に、内部をＳｉＨ4 ガス１７が流れるようにしたガスシ
ャワーヘッド支持管２７を接続し、これをゲージポート
２８に通して支持する。ゲージポート２８でガスシャワ
ーヘッド支持管２７を支持する位置を変更することによ
って、ガスシャワーヘッド２４の位置を変更する。ガス
シャワーヘッド支持管２７は一般的なステンレス管でよ
い。また、市販品の直線導入管にガスシャワーヘッド２
４を取付け移動させてもよい。この場合、直線導入管の
内部にはガスを流せないので、ＳｉＨ4 ガス１７の供給
は、ステンレス製フレキシブルチューブの一端をガスシ
ャワーヘッド２４に接続し、他端を真空容器１の任意の
ガス導入口に接続して行う。
は、例えば以下の通りである。ガスシャワーヘッド２４
に、内部をＳｉＨ4 ガス１７が流れるようにしたガスシ
ャワーヘッド支持管２７を接続し、これをゲージポート
２８に通して支持する。ゲージポート２８でガスシャワ
ーヘッド支持管２７を支持する位置を変更することによ
って、ガスシャワーヘッド２４の位置を変更する。ガス
シャワーヘッド支持管２７は一般的なステンレス管でよ
い。また、市販品の直線導入管にガスシャワーヘッド２
４を取付け移動させてもよい。この場合、直線導入管の
内部にはガスを流せないので、ＳｉＨ4 ガス１７の供給
は、ステンレス製フレキシブルチューブの一端をガスシ
ャワーヘッド２４に接続し、他端を真空容器１の任意の
ガス導入口に接続して行う。
【００４７】真空容器１の中に、基板９を載せた基板ホ
ルダー１３を配置する。基板９はφ８インチのガラス製
である。ただし、基板９の材料と寸法はこれに限らな
い。基板ホルダー１３を移動する手段は、例えば以下の
通りである。真空容器１内に基板ホルダー移動用レール
３０を設け、基板ホルダー１３をその上に設置して真空
容器軸方向に移動する。基板ホルダー１３自体はゲージ
ポートを通した棒状治具３１、または直線導入器で動か
す。各構成要素の位置関係は、アンテナ１５から基板９
に向かって、ガスシャワーヘッド２４、カスプ面（位
置）２６、基板９の順とし、この順番を維持する限り、
各構成要素の間の距離は任意とする。
ルダー１３を配置する。基板９はφ８インチのガラス製
である。ただし、基板９の材料と寸法はこれに限らな
い。基板ホルダー１３を移動する手段は、例えば以下の
通りである。真空容器１内に基板ホルダー移動用レール
３０を設け、基板ホルダー１３をその上に設置して真空
容器軸方向に移動する。基板ホルダー１３自体はゲージ
ポートを通した棒状治具３１、または直線導入器で動か
す。各構成要素の位置関係は、アンテナ１５から基板９
に向かって、ガスシャワーヘッド２４、カスプ面（位
置）２６、基板９の順とし、この順番を維持する限り、
各構成要素の間の距離は任意とする。
【００４８】次に、以上のように構成した第４実施例の
シリコン製膜装置によるシリコン製膜方法を説明する。
シリコン製膜装置によるシリコン製膜方法を説明する。
【００４９】まず、ガラス管２０と真空容器１内のガス
を排気装置７へ排気後、Ｈ2 ガス供給１６とＳｉＨ4 ガ
ス供給１７を開始し、この供給と排気のバランスをとっ
て目的の圧力を設定する。磁場コイル１２、２５に反対
方向に電流を流し（コイル用電源は不図示）、磁力線方
向（カスプ）１９に磁場を発生させる。次に、ＲＦ電源
４から整合器５を介してアンテナ１５にＲＦ電力を供給
することで、ヘリコン波を励起する。ヘリコン波は磁力
線方向（カスプ）１９に沿って伝搬し、それにしたがっ
てガラス管２０内と真空容器１内にプラズマ８が生成さ
れる。真空容器１内の気相反応によって生成した製膜種
が基板９に入射し、シリコンが製膜される。
を排気装置７へ排気後、Ｈ2 ガス供給１６とＳｉＨ4 ガ
ス供給１７を開始し、この供給と排気のバランスをとっ
て目的の圧力を設定する。磁場コイル１２、２５に反対
方向に電流を流し（コイル用電源は不図示）、磁力線方
向（カスプ）１９に磁場を発生させる。次に、ＲＦ電源
４から整合器５を介してアンテナ１５にＲＦ電力を供給
することで、ヘリコン波を励起する。ヘリコン波は磁力
線方向（カスプ）１９に沿って伝搬し、それにしたがっ
てガラス管２０内と真空容器１内にプラズマ８が生成さ
れる。真空容器１内の気相反応によって生成した製膜種
が基板９に入射し、シリコンが製膜される。
【００５０】上述した実施例によって以下の条件で製膜
した結果を、カスプ面（位置）２６をパラメータとした
場合の、膜厚分布として図７に示す。図８にはこれを中
心膜厚で規格化した結果を示してある。
した結果を、カスプ面（位置）２６をパラメータとした
場合の、膜厚分布として図７に示す。図８にはこれを中
心膜厚で規格化した結果を示してある。
【００５１】ガラス管２０の内径：５０mm アンテナ１５からＳｉＨ4 ガス１７の供給位置までの距
離：１９５mm アンテナ１５からカスプ面（位置）２６までの距離：条
件１ ２７５mm 条件２ ２１５mm アンテナ１５から基板９までの距離：２７５mm ガス組成：ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＝２０／１００［SCCM］ ガス圧力：５０ｍTorr ＲＦ：周波数１３MHz 、ピーク電力２kW ＲＦ電力印加：パルス幅１５msec、繰返し周波数１０H
z、Duty１５％ 磁束密度：数１０Ｇ 於アンテナ部 基板ホルダー温度：２００℃
離：１９５mm アンテナ１５からカスプ面（位置）２６までの距離：条
件１ ２７５mm 条件２ ２１５mm アンテナ１５から基板９までの距離：２７５mm ガス組成：ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＝２０／１００［SCCM］ ガス圧力：５０ｍTorr ＲＦ：周波数１３MHz 、ピーク電力２kW ＲＦ電力印加：パルス幅１５msec、繰返し周波数１０H
z、Duty１５％ 磁束密度：数１０Ｇ 於アンテナ部 基板ホルダー温度：２００℃
【００５２】図７、図８に示すように、カスプ面（位
置）２６を基板面と一致させた場合より（条件１）離す
ことによって（条件２）、膜厚均一性が向上している。
置）２６を基板面と一致させた場合より（条件１）離す
ことによって（条件２）、膜厚均一性が向上している。
【００５３】また、同様の装置構成において、ガス厚を
パラメータとした以下の条件での膜厚分布の結果を図９
に示し、中心膜厚で規格化した分布を図１０に示してあ
る。
パラメータとした以下の条件での膜厚分布の結果を図９
に示し、中心膜厚で規格化した分布を図１０に示してあ
る。
【００５４】アンテナ１５からＳｉＨ4 ガス１７の供給
位置までの距離：１９５mm アンテナ１５からカスプ面（位置）２６までの距離：２
１５mm アンテナ１５から基板９までの距離：２４５mm ガス圧力：５０ｍTorr、１００ｍTorr、２３０ｍTorr
位置までの距離：１９５mm アンテナ１５からカスプ面（位置）２６までの距離：２
１５mm アンテナ１５から基板９までの距離：２４５mm ガス圧力：５０ｍTorr、１００ｍTorr、２３０ｍTorr
【００５５】図９、図１０に示すように、圧力を低くす
ることにより膜厚均一性が向上している。
ることにより膜厚均一性が向上している。
【００５６】また、同様の装置構成において、基板ホル
ダー１３の設定温度をパラメータとした以下の条件での
温度と製膜速度及びレーザラマン分光法に基づくラマン
スペクトル強度比の関係を図１１に示してある。レーザ
ラマン分光法は薄膜の構造評価方法の一つとして一般的
に用いられている（例えば、Y.Hishikawa,Jasco Report
Vol.34,No.2,15(1992))。シリコン薄膜を対象とした場
合、非晶質シリコンのスペクトルピークはラマンシフト
480cm -1近傍に、結晶シリコンのそれは520cm -1近傍に
現われるため、薄膜構造を容易に識別できる。ここで
は、それぞれのピーク高さの比（約520cm -1/ 約480cm
-1）を取ることによって温度に対する構造の変化を観察
した。
ダー１３の設定温度をパラメータとした以下の条件での
温度と製膜速度及びレーザラマン分光法に基づくラマン
スペクトル強度比の関係を図１１に示してある。レーザ
ラマン分光法は薄膜の構造評価方法の一つとして一般的
に用いられている（例えば、Y.Hishikawa,Jasco Report
Vol.34,No.2,15(1992))。シリコン薄膜を対象とした場
合、非晶質シリコンのスペクトルピークはラマンシフト
480cm -1近傍に、結晶シリコンのそれは520cm -1近傍に
現われるため、薄膜構造を容易に識別できる。ここで
は、それぞれのピーク高さの比（約520cm -1/ 約480cm
-1）を取ることによって温度に対する構造の変化を観察
した。
【００５７】ガラス管２０の内径：５０mm アンテナ１５からＳｉＨ4 ガス１７の供給位置までの距
離：１９５mm アンテナ１５からカスプ面（位置）２６までの距離：２
１５mm アンテナ１５から基板９までの距離：２４５mm ガス組成：ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＝２０／１００［SCCM］ ガス圧力：５０ｍTorr ＲＦ：周波数１３MHz 、ピーク電力４kW ＲＦ電力印加：パルス幅１５msec、繰返し周波数１０H
z、Duty１５％ 磁束密度：数１０Ｇ 於アンテナ部
離：１９５mm アンテナ１５からカスプ面（位置）２６までの距離：２
１５mm アンテナ１５から基板９までの距離：２４５mm ガス組成：ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＝２０／１００［SCCM］ ガス圧力：５０ｍTorr ＲＦ：周波数１３MHz 、ピーク電力４kW ＲＦ電力印加：パルス幅１５msec、繰返し周波数１０H
z、Duty１５％ 磁束密度：数１０Ｇ 於アンテナ部
【００５８】図１１に示すように、基板ホルダー設定温
度を高くすることによって、製膜速度を維持しつつレー
ザラマンスペクトル強度比は増加し、結晶性を有するシ
リコン膜を製膜できた。
度を高くすることによって、製膜速度を維持しつつレー
ザラマンスペクトル強度比は増加し、結晶性を有するシ
リコン膜を製膜できた。
【００５９】また、同様の装置構成において、ガス組成
（ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ）をパラメータとした以下の条件での
総ガス流量に対するSiH4流量の割合と製膜速度及びラマ
ンスペクトル強度比の関係を図１２に示してある。下記
以外の条件は前述と同様である。
（ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ）をパラメータとした以下の条件での
総ガス流量に対するSiH4流量の割合と製膜速度及びラマ
ンスペクトル強度比の関係を図１２に示してある。下記
以外の条件は前述と同様である。
【００６０】基板ホルダー設定温度：６００℃ Ｈ2 流量：１００SCCM ＳｉＨ4 ガス流量：１０SCCM、２０SCCM、５０SCCM
【００６１】図１２に示すように、ＳｉＨ4 流量の割合
を低くすることによって、ラマンスペクトル強度比は増
加し、結晶性を有するシリコン膜を製膜できた。
を低くすることによって、ラマンスペクトル強度比は増
加し、結晶性を有するシリコン膜を製膜できた。
【００６２】また、同様の装置構成において、ＲＦ電力
印加のDutyをパラメータとした以下の条件でのDutyと製
膜速度及びラマンスペクトル強度比の関係を図１３に示
してある。下記以外の条件は前述と同様である。
印加のDutyをパラメータとした以下の条件でのDutyと製
膜速度及びラマンスペクトル強度比の関係を図１３に示
してある。下記以外の条件は前述と同様である。
【００６３】基板ホルダー設定温度：６００℃ ガス組成：ＳｉＨ4 ／Ｈ2 ＝２０／１００［SCCM］ ＲＦ電力印加：Duty１５％、３０％、４５％
【００６４】図１３に示すように、ＲＦ電力印加のDuty
を高くすることによって、製膜速度及びラマンスペクト
ル強度比ともに増加し、結晶性を有するシリコン膜をよ
り早く製膜できた。
を高くすることによって、製膜速度及びラマンスペクト
ル強度比ともに増加し、結晶性を有するシリコン膜をよ
り早く製膜できた。
【００６５】尚、上記実施例でのＲＦ電力印加はパルス
的に行なったが、連続的（Duty１００％）に印加するこ
とも可能である。
的に行なったが、連続的（Duty１００％）に印加するこ
とも可能である。
【００６６】図１４に基づいて本発明の第５実施例を説
明する。図１４には本発明の第５実施例に係る計算結果
のグラフを示してある。図１４は、電子密度分布（＝製
膜種生成項の分布）を中心部を低く周辺部で高く設定
（cos+sin カーブ）した場合の解析結果を示してある。
製膜種分布は生成項の分布と異なり、中心部で均一とな
ることが判る。したがって、電子密度分布を調整するこ
とによって製膜種の分布を制御することができる。
明する。図１４には本発明の第５実施例に係る計算結果
のグラフを示してある。図１４は、電子密度分布（＝製
膜種生成項の分布）を中心部を低く周辺部で高く設定
（cos+sin カーブ）した場合の解析結果を示してある。
製膜種分布は生成項の分布と異なり、中心部で均一とな
ることが判る。したがって、電子密度分布を調整するこ
とによって製膜種の分布を制御することができる。
【００６７】電子密度分布の調整は、例えば次のように
実施する。 (a) アンテナ１５部の磁場配置を適宜変更する。このた
めに、アンテナ１５と磁場コイル１２に流す電流値を変
更する。この結果の一例は、特願平8-143822号公報に記
載されている。または、アンテナ１５を境に反対側にも
磁場コイルを設置し（図６の場合はアンテナ１５の左
側）、それらの間隔や各々に流す電流値を調整する。 (b) 誘導結合プラズマと波動結合プラズマを混合させ
る。このために、アンテナ１５に印加する高周波電力を
増減する。または、アンテナ１５とガラス管２０の径を
大きくもしくは小さくする。
実施する。 (a) アンテナ１５部の磁場配置を適宜変更する。このた
めに、アンテナ１５と磁場コイル１２に流す電流値を変
更する。この結果の一例は、特願平8-143822号公報に記
載されている。または、アンテナ１５を境に反対側にも
磁場コイルを設置し（図６の場合はアンテナ１５の左
側）、それらの間隔や各々に流す電流値を調整する。 (b) 誘導結合プラズマと波動結合プラズマを混合させ
る。このために、アンテナ１５に印加する高周波電力を
増減する。または、アンテナ１５とガラス管２０の径を
大きくもしくは小さくする。
【００６８】また、容器壁での製膜種の損失は避けられ
ないと考えた場合、容器壁の位置を基板９から適宜離す
ことにより、基板９の位置の範囲では製膜種分布を見か
け上均一とすることもできる。
ないと考えた場合、容器壁の位置を基板９から適宜離す
ことにより、基板９の位置の範囲では製膜種分布を見か
け上均一とすることもできる。
【００６９】
【発明の効果】本発明のシリコン製膜方法は、ヘリコン
波を励起するためのアンテナを設置するガラス管にＨ2
ガスを供給すると共に、アンテナと基板の間にＳｉＨ4
ガスを供給し、均一磁場中に基板を設置してヘリコン波
プラズマＣＶＤによってシリコン製膜する方法におい
て、ヘリコン波励起用アンテナを不均一磁場中に設置す
ることにより生ずるヘリコン波プラズマを用いて基板に
製膜するようにしたので、分子性ガスを媒質とした場合
でも、より高い密度を生成できるように改良されたヘリ
コン波プラズマ装置を適用し、ガス条件を特定すること
によって、ヘリコン波によって生成された高密度プラズ
マを利用したシリコン製膜を実現することができる。
波を励起するためのアンテナを設置するガラス管にＨ2
ガスを供給すると共に、アンテナと基板の間にＳｉＨ4
ガスを供給し、均一磁場中に基板を設置してヘリコン波
プラズマＣＶＤによってシリコン製膜する方法におい
て、ヘリコン波励起用アンテナを不均一磁場中に設置す
ることにより生ずるヘリコン波プラズマを用いて基板に
製膜するようにしたので、分子性ガスを媒質とした場合
でも、より高い密度を生成できるように改良されたヘリ
コン波プラズマ装置を適用し、ガス条件を特定すること
によって、ヘリコン波によって生成された高密度プラズ
マを利用したシリコン製膜を実現することができる。
【００７０】また、ガス圧力を３０ｍTorr以上にするよ
うにしたので、ガラス管の内壁にシリコン膜が付着せ
ず、安定した放電が得られる。また、ガス流量組成比
を、ＳｉＨ4 ＝１０SCCMの場合、少くともＨ2 ＝２０SC
CMとするようにしたので、ガラス管の内壁にシリコン膜
が付着せず、安定した放電が得られる。
うにしたので、ガラス管の内壁にシリコン膜が付着せ
ず、安定した放電が得られる。また、ガス流量組成比
を、ＳｉＨ4 ＝１０SCCMの場合、少くともＨ2 ＝２０SC
CMとするようにしたので、ガラス管の内壁にシリコン膜
が付着せず、安定した放電が得られる。
【００７１】本発明のシリコン製膜装置は、ヘリコン波
を励起するためのアンテナを設置するガラス管にＨ2 ガ
スを供給する手段と、アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガ
スを供給する手段と、ヘリコン波励起用アンテナを不均
一磁場中に設置することでヘリコン波プラズマを生じさ
せヘリコン波プラズマを用いて基板に製膜する手段とを
備えたので、分子性ガスを媒質とした場合でも、より高
い密度を生成できるように改良されたヘリコン波プラズ
マ装置を適用し、ガス条件を特定することによって、ヘ
リコン波によって生成された高密度プラズマを利用した
シリコン製膜を実現することができる。
を励起するためのアンテナを設置するガラス管にＨ2 ガ
スを供給する手段と、アンテナと基板の間にＳｉＨ4 ガ
スを供給する手段と、ヘリコン波励起用アンテナを不均
一磁場中に設置することでヘリコン波プラズマを生じさ
せヘリコン波プラズマを用いて基板に製膜する手段とを
備えたので、分子性ガスを媒質とした場合でも、より高
い密度を生成できるように改良されたヘリコン波プラズ
マ装置を適用し、ガス条件を特定することによって、ヘ
リコン波によって生成された高密度プラズマを利用した
シリコン製膜を実現することができる。
【００７２】この結果、分子性ガスを媒質としても高密
度プラズマを生成できる方法をシリコン製膜に適用し、
シリコン製膜に寄与する製膜ラジカルを大量に生成で
き、且つ、ガラス管へのシリコン製膜をなくすことがで
き、シリコン高速製膜を実現するシリコン製膜方法及び
シリコン製膜装置を提供することが可能となる。
度プラズマを生成できる方法をシリコン製膜に適用し、
シリコン製膜に寄与する製膜ラジカルを大量に生成で
き、且つ、ガラス管へのシリコン製膜をなくすことがで
き、シリコン高速製膜を実現するシリコン製膜方法及び
シリコン製膜装置を提供することが可能となる。
【００７３】また、本発明のシリコン製膜方法は、ヘリ
コン波を励起するためのアンテナを設置するガラス管に
Ｈ2 ガスを供給すると共に、アンテナと基板の間にＳｉ
Ｈ4ガスを供給し、ヘリコン波励起用アンテナを不均一
磁場中に設置し、基板を均一磁場中に設置し、ヘリコン
波プラズマＣＶＤによってシリコン製膜する方法におい
て、ＳｉＨ4 ガス供給位置と基板位置の間にカスプ磁場
のカスプ面位置を設定するようにしたので、シリコン製
膜種を大量にかつ均一に生成することが可能になる。こ
の結果、シリコン高速・均一製膜を実現するシリコン製
膜方法の提供が可能なる。
コン波を励起するためのアンテナを設置するガラス管に
Ｈ2 ガスを供給すると共に、アンテナと基板の間にＳｉ
Ｈ4ガスを供給し、ヘリコン波励起用アンテナを不均一
磁場中に設置し、基板を均一磁場中に設置し、ヘリコン
波プラズマＣＶＤによってシリコン製膜する方法におい
て、ＳｉＨ4 ガス供給位置と基板位置の間にカスプ磁場
のカスプ面位置を設定するようにしたので、シリコン製
膜種を大量にかつ均一に生成することが可能になる。こ
の結果、シリコン高速・均一製膜を実現するシリコン製
膜方法の提供が可能なる。
【００７４】また、ガス圧力を５０ｍTorr以下にするよ
うにしたので、膜厚の均一性を向上させることが可能に
なる。また、ガラス管部のプラズマ密度を、中心線上で
低くガラス管壁部で高い２山型の径方向分布とするよう
にしたので、電子密度を調整することで製膜種の分布を
制御することがでできる。
うにしたので、膜厚の均一性を向上させることが可能に
なる。また、ガラス管部のプラズマ密度を、中心線上で
低くガラス管壁部で高い２山型の径方向分布とするよう
にしたので、電子密度を調整することで製膜種の分布を
制御することがでできる。
【００７５】また、本発明のシリコン製膜装置は、ヘリ
コン波を励起するためのアンテナを設置するガラス管に
Ｈ2 ガスを供給する手段と、アンテナと基板の間にＳｉ
Ｈ4ガスを供給する手段と、ＳｉＨ4 ガスの供給位置を
変更する手段と、基板の設置位置を変更する手段と、カ
スプ磁場のカスプ面位置を変更する手段と、ヘリコン波
励起用アンテナを不均一磁場中に設置することでヘリコ
ン波プラズマを生じさせヘリコン波プラズマを用いて基
板に製膜する手段とを備えたので、シリコン製膜種を大
量にかつ均一に生成することが可能になる。この結果、
シリコン高速・均一製膜を実現するシリコン製膜装置の
提供が可能なる。
コン波を励起するためのアンテナを設置するガラス管に
Ｈ2 ガスを供給する手段と、アンテナと基板の間にＳｉ
Ｈ4ガスを供給する手段と、ＳｉＨ4 ガスの供給位置を
変更する手段と、基板の設置位置を変更する手段と、カ
スプ磁場のカスプ面位置を変更する手段と、ヘリコン波
励起用アンテナを不均一磁場中に設置することでヘリコ
ン波プラズマを生じさせヘリコン波プラズマを用いて基
板に製膜する手段とを備えたので、シリコン製膜種を大
量にかつ均一に生成することが可能になる。この結果、
シリコン高速・均一製膜を実現するシリコン製膜装置の
提供が可能なる。
【図１】本発明の第１実施例の概略構成を表す側面図。
【図２】第１実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図３】第１実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図４】本発明の第２実施例の概略構成を表す側面図。
【図５】本発明の第３実施例の概略構成を表す上面図。
【図６】本発明の第４実施例の概略構成を表す側面図。
【図７】第４実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図８】第４実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図９】第４実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図１０】第４実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図１１】第４実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図１２】第４実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図１３】第４実施例における製膜試験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図１４】本発明の第５実施例の計算験結果を表すグラ
フ。
フ。
【図１５】従来のヘリコン波プラズマ装置を表す概略構
成図。
成図。
【図１６】従来のヘリコン波プラズマ装置における製膜
種拡散状況の計算結果を表すグラフ。
種拡散状況の計算結果を表すグラフ。
１ 真空容器 ４ ＲＦ電源 ５ 整合器 ６ 希釈用ガス供給 ７ 排気装置 ８ プラズマ ９ 基板 １０ 導波管 １２ 磁場コイル １３ 基板ホルダー １５ アンテナ １６ Ｈ2 ガス １７ ＳｉＨ4 ガス １８ 磁力線方向（均一） １９ 磁力線方向（カスプ） ２０ ガラス管 ２１ マルチカスプ磁場発生用永久磁石 ２２ 拡散磁場 ２３ プロセス用ガス供給 ２４ ガスシャワーヘッド ２５ 磁場コイル ２６ カスプ面（位置） ２７ ガスシャワーヘッド支持管 ２８ ゲージポート ２９ 基板ホルダー移動用レール ３０ 磁場コイル移動用レール ３１ 棒状治具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水井 順一 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１ 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内 (72)発明者 山口 賢剛 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目８番地１ 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 ヘリコン波を励起するためのアンテナを
設置するガラス管にＨ2 ガスを供給すると共に、アンテ
ナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給し、均一磁場中に基
板を設置してヘリコン波プラズマＣＶＤによってシリコ
ン製膜する方法において、ヘリコン波励起用アンテナを
不均一磁場中に設置することにより生ずるヘリコン波プ
ラズマを用いて基板に製膜することを特徴とするシリコ
ン製膜方法。 - 【請求項２】 請求項１において、ガス圧力を３０ｍTo
rr以上にすることを特徴とするシリコン製膜方法。 - 【請求項３】 請求項１もしくは請求項２において、ガ
ス流量組成比を、ＳｉＨ4 ＝１０SCCMの場合、少くとも
Ｈ2 ＝２０SCCMとすることを特徴とするシリコン製膜方
法。 - 【請求項４】 ヘリコン波を励起するためのアンテナを
設置するガラス管にＨ2 ガスを供給する手段と、アンテ
ナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給する手段と、ヘリコ
ン波励起用アンテナを不均一磁場中に設置することでヘ
リコン波プラズマを生じさせヘリコン波プラズマを用い
て基板に製膜する手段とを備えたことを特徴とするシリ
コン製膜装置。 - 【請求項５】 ヘリコン波を励起するためのアンテナを
設置するガラス管にＨ2 ガスを供給すると共に、アンテ
ナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給し、ヘリコン波励起
用アンテナを不均一磁場中に設置し、基板を均一磁場中
に設置し、ヘリコン波プラズマＣＶＤによってシリコン
製膜する方法において、ＳｉＨ4 ガス供給位置と基板位
置の間にカスプ磁場のカスプ面位置を設定することを特
徴とするシリコン製膜方法。 - 【請求項６】 請求項５において、ガス圧力を５０ｍTo
rr以下にすることを特徴とするシリコン製膜方法。 - 【請求項７】 請求項５もしくは請求項６において、ガ
ラス管部のプラズマ密度を、中心線上で低くガラス管壁
部で高い２山型の径方向分布とすることを特徴とするシ
リコン製膜方法。 - 【請求項８】 ヘリコン波を励起するためのアンテナを
設置するガラス管にＨ2 ガスを供給する手段と、アンテ
ナと基板の間にＳｉＨ4 ガスを供給する手段と、ＳｉＨ
4 ガスの供給位置を変更する手段と、基板の設置位置を
変更する手段と、カスプ磁場のカスプ面位置を変更する
手段と、ヘリコン波励起用アンテナを不均一磁場中に設
置することでヘリコン波プラズマを生じさせヘリコン波
プラズマを用いて基板に製膜する手段とを備えたことを
特徴とするシリコン製膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11223904A JP2000144422A (ja) | 1998-09-08 | 1999-08-06 | シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-253419 | 1998-09-08 | ||
| JP25341998 | 1998-09-08 | ||
| JP11223904A JP2000144422A (ja) | 1998-09-08 | 1999-08-06 | シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000144422A true JP2000144422A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=26525751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11223904A Withdrawn JP2000144422A (ja) | 1998-09-08 | 1999-08-06 | シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000144422A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101864561A (zh) * | 2010-06-04 | 2010-10-20 | 山东力诺新材料有限公司 | 罩玻璃管内壁减反射涂层的成形工艺 |
| CN113133174A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-07-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种螺旋波-离子回旋共振耦合放电系统 |
| JP2021190309A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社三友製作所 | マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 |
| CN114205985A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | 苏州大学 | 一种小束径螺旋波等离子体产生装置及产生方法 |
-
1999
- 1999-08-06 JP JP11223904A patent/JP2000144422A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101864561A (zh) * | 2010-06-04 | 2010-10-20 | 山东力诺新材料有限公司 | 罩玻璃管内壁减反射涂层的成形工艺 |
| JP2021190309A (ja) * | 2020-05-29 | 2021-12-13 | 株式会社三友製作所 | マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 |
| CN113133174A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-07-16 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种螺旋波-离子回旋共振耦合放电系统 |
| CN114205985A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-18 | 苏州大学 | 一种小束径螺旋波等离子体产生装置及产生方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060727 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070604 |