JPS6129125A - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

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Publication number
JPS6129125A
JPS6129125A JP14949384A JP14949384A JPS6129125A JP S6129125 A JPS6129125 A JP S6129125A JP 14949384 A JP14949384 A JP 14949384A JP 14949384 A JP14949384 A JP 14949384A JP S6129125 A JPS6129125 A JP S6129125A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
photoresist
coating
cup
solution
Prior art date
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Pending
Application number
JP14949384A
Other languages
English (en)
Inventor
Shogo Kiyota
清田 省吾
Tetsujiro Kotani
小谷 哲二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP14949384A priority Critical patent/JPS6129125A/ja
Publication of JPS6129125A publication Critical patent/JPS6129125A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、塗布技術、特に半導体装置の製造過程におい
て、ウェハにフォトレジスト膜を形成する工程に用いて
効果のあ・る技術に関する。
〔背景技術〕
ウェハにフォトレジスト膜を形成する方法としては、大
気雰囲気中に開放された容器内にウェハを水平に保持し
て回転させ、フォトレジスト溶液をウェハの中央部に滴
下させ、遠心力によってウニノア、・平面上に全面にわ
たって分散させ、ウェハ表面にフォトレジスト膜を形成
させるものがある(たとえば、特開昭57−13042
2号公報)。
し、か、しながら、上記のようにしてウェハ表面にフォ
トレジスト膜を形成する場合、フォトレジスト溶、液が
ウェイ1表面に分散する途中で、フォトレジスト溶液沖
のたとえばシンカ等の溶媒がウェハの各部において不均
一に蒸発し、フォトレジスト溶液の粘性が部分的に変化
するため、ウェハの半径方向にしわ状の膜厚の不均一な
部分が生じる。
さらに、塗布作業中の周囲の温度変化によっても7オ:
トレジスト溶液の粘性が変化するため、1枚のウェハの
各部においても、また逐次処理される複数のウェハ間に
おいても、その表面に形成されるフォトレジスト膜の膜
厚が不均一となる。
また遠心力によってワエハ周辺部から飛散されるフォト
レジスト溶液の飛沫が容器の内壁面に衝突してはね返り
、ふたたびウェハ表面に被潰し、点状の膜厚の不均一な
部分が生じる。
上記のようなフォトレジスト膜の不均一さは、たとえば
ウェハ上に形成される回路パターンの幅が微細な場合に
は、パターンの完成寸法のバラツキに重大な悪影響があ
ることを本発明者は見い出した。
[発明の目的〕 本発明の目的は、被塗布物の表面に形成される塗布膜厚
の均一性が良好な塗布技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願にお℃・て開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、塗布作業を所定の温度に保持された溶媒の蒸
気を含む雰囲気中で行なうことによって、溶媒の蒸発を
抑制し、さらに排気を行1ぷりことによって雰囲気中の
溶液の飛沫をすみやかに排除し、塗布膜厚の不均一化を
防止することにより前記目的を達成するものである。
〔実施例1〕 第1図は本発明の一実施例であるフォトレジスト塗布装
置の略断面図である。
塗布カップ1(塗布部)の中央にはスピナチャック2が
設けられ、ウェハ3(被塗布物)がたとえば真空吸着の
方法で保持される。
スピナチャック2の一端は塗布カップ1の底部を貫通し
てモータ(図示せず)VC接続され、スピナチャック2
に保持されたウェハ3が適時に所定の回転数で回転され
る構造となっている。
塗布カップ1の底部には排気ポンプ5Aおよび5B(排
気手段)が設けられ、塗布カップ1内の排気が行なわれ
る構造となって(・る。
塗布カップ1は送気管6(管体)の一端と0リング7を
介して着脱自在に構成され、開閉機構(図示せず)によ
り下方に移動されることによって開放され、ウェハ3の
入れ替えが行なわれる構造とされている。
スピナチャック2に保持されるウェハ3の中央上部には
塗布ノズル8が位置され、適時にフォトレジスト(図示
せず)(溶液)が滴下される構造とされている。
送気管6の他端には、Oリング9を介してエバポレータ
10(蒸気発生部)が着脱自在に接続されている。
エバポレータ10の内部には、前記塗布ノズル8から滴
下されるフォトレジストの溶媒である、たとえばシンカ
11が貯留されている。
さらにエバポレータ10の底部には、前記シンカ11の
液面下に位置するようにバブラ12か設けられている。
バブラ12の上面には多数の孔12Aが設けられ、ノズ
ル12Bを通ってバブラ12の内部に供給される、たと
えば窒素ガス等の搬送ガスは、無数の気泡状態とされて
シンカ11の内部を上昇し、シンカ11の蒸気(以下シ
ンカ蒸気と呼ぶ)を含んだ状態とされ、送気管6を通っ
て塗布カップIK導かれる構造とされている。
次に本実施例の作用について説明する。
塗布カップ1内のスピナチャック2に保持されたウェハ
3は、千−夕によって所定の回転数で回転される。
このとき排気ポンプ5Aおよび5Bが作動され、塗布カ
ップ1内の排気が行なわれるとともにバブラ12のノズ
ル12Bから搬送ガス供給される。
シンカ11を通過した搬送ガスはシンカ蒸気を含み送気
管6を通過して塗布カップ1内に導かれる。
この結果、所定時間後には、スピナチャック2゜に保持
されたウェハ3の周囲はシンカ蒸気の雰囲気とされる。
次に塗布ノズル8の先端部から所定量のフォトレジスト
が、回転するウェハ3の中央部に滴下され、遠心力によ
ってウェハ3の表面に分散され、フォトレジストの塗膜
が形成される。
この場合ウェハ3がシンナ蒸気の雰囲気中にあるため、
ウェハ3の表面に分散されるフォトレジストからのシン
ナの蒸発が抑制され、フォトレジストの塗膜が皺状にな
ることが防止される。
この結果、ウェハ3の表面に形成されるフォトレジスト
の塗膜が均一となる。
さらにウェハ3の表面に滴下されたフォトレジストの一
部は遠心力によってウエノ13の周辺部から飛散される
が、塗布カップ1の下部で排気が行なわれているため、
ウェハ3の周辺部では下向きの気流が生じており、この
気流によってすみやかに塗布カップlの外部に排除され
る。
この結果ウェハ3の周辺部から飛散されるフォトレジス
トの飛沫が塗布カップlの内壁に衝突してはね返り、ふ
たたびウェハ3の表面に点状に付着することが防止され
る。
次にウェハ3を保持するスピナチャック20回転が停止
され、バブラ12のノズル12Bからの搬送ガスの供給
が停止されるとともに排気ポンプ5Aおよび5Bも停止
される。
塗布カップ1は開閉機構によってT1に移動され開放さ
れて、表面にフォトレジストの塗膜が形成されたウェハ
3が取り出される。
上記の一連の動作が繰り返されることによって、多数の
ウェハ3に均一な膜厚のフォトレジストの塗膜が形成さ
れる。
〔実施例2〕 第2図は本発明の他の実施例であるフォトレジスト塗布
装置の略断面図である。
本実施例ではエバポレータIOKジャケット13(温度
保持手段)が設けられているところが実施例1と異なり
、他の構造および作用は同様である。
エバポレータ10の周囲忙殺げられたジャケット13に
は温度調節液供給ノズル13Aおよび温度調節液排出ノ
ズル13Bが設けられている。
ジャケット13の内部には温度調節液供給ノズ〃13A
から、所定の温度の、たとえばオイル14が常時供給さ
れ、温度調節液排出ノズル13Bを通じて排出される構
造とされている。
この結果、エバポレータ10の内部は、ジャケット13
の内部を循環するオイル14によって所定の温度に保持
され、このエバポレータioをi過する、シンナ蒸気を
含む搬送ガスは、常に所定の温度で塗布カップ1に供給
される。
このため塗布カップ1の内部は外気温の変動等の影響を
受けることなく所定の温度に保持され、ウェハ3の表面
に分散されるフォトレジストの温度変化に起因する粘度
の変化が防止される。
この結果ウェハ3の表面にはフォトレジストが一様に分
散され一枚のウエノ1の内部においても、また逐次処理
される複数のウニノー間についても、ウェハ表面には、
均一な膜厚のフォトレジストが形成される。
〔効果〕
(1)溶液を構成する溶媒の蒸気雰囲気中において溶液
の塗布が行なわれるため、溶液からの溶媒の蒸発が抑制
され、被塗布物の表面に形成される溶液の塗膜が皺状に
なることが防止される。
(2)所定の温度忙保持される溶媒の蒸気雰囲気中にお
いて溶媒の塗布が行なわれるため、外気温の変動による
溶液の粘度の変化が防止され、被塗布物の表面に溶液が
均一に分散される。
(3)溶液の塗布が行なわれる塗布部の排気が行なわれ
るため、塗布部内に飛散される溶液の飛沫が被塗布物に
付着することが防止される。
(4)  上記(1)〜(3)の結果、被塗布物の表面
に形成される溶液の膜厚が均一となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基つき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもないO たとえば、温度保持手段としては、電熱線等を用いるこ
とも可能である。
〔利用分野〕
以上の説明では王として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるフォトレジスト塗布
装置に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、均一な膜厚を形成することが要求さ
れる溶液の塗布工程に広(適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるフォトレジスト塗布装
置の略断面図、 第2図は本発明の他の実施例であるフォトレジスト塗布
装置の略断面図である。 1・・・塗布カップ(塗布部)、2・・・スピナチャッ
ク、3・・・ウェハ(被塗布物)、5A、5B・・・排
気ポンプ(排気手段)、6・・・送気管(管体)、7・
・・0リング、8・・・塗布ノズル、9・・・0リング
、10・・・エバポレータ(蒸気発生部)、11・・・
シンナ(溶媒)、12・・・バブラ、12A・・・孔、
12B・・・ノズル、13・・・ジャケット、13A・
・・温度調節液供給ノズル、13B・・・温度調節液排
出ノズル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被塗布物に溶液の塗布が行なわれる塗布部と、前記
    溶液を構成する溶媒の蒸気を発生させる蒸気発生部と、
    前記溶媒の蒸気を前記塗布部に導く管体と、前記塗布部
    の排気を行なう排気手段とを有することを特徴とする、
    塗布装置。 2、塗布部、蒸気発生部、管体、および排気手段の少な
    くとも1つを所定の温度に保持することを特徴とする、
    特許請求の範囲第1項記載の塗布装置。 3、被塗布物がウェハであることを特徴とする、特許請
    求の範囲第1項記載の塗布装置。 4、溶液がフォトレジストであることを特徴とする、特
    許請求の範囲第1項記載の塗布装置。
JP14949384A 1984-07-20 1984-07-20 塗布装置 Pending JPS6129125A (ja)

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JP (1) JPS6129125A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5095848A (en) * 1989-05-02 1992-03-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spin coating apparatus using a tilting chuck
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