JPH02106037A - 処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は処理方法に関する。

（従来の技術） 一般に、被処理基板例えば半導体ウェハのエツチング装
置やイオン注入装置等の処理装置では、上記ウェハを減
圧下にて処理を行なうため、その減圧処理室の出入口に
はロードロック室が設けられている。このロードロック
室に上記ウェハを搬入し、所定の圧力まで減圧した後、
上記ウェハを処理室内に搬入して所定の反応ガスにより
処理し、ロードロック室を介して搬出している。このよ
うなロードロック室を介して処理室内に上記被処理基板
を搬入比する技術は、例えば特開昭６１−２３６１２２
号、特開昭６１−２６３１２７号、特開昭６１−２７１
８３６号。

６２−２０３２１号、特開昭６２−１６３３２５号公報
に開示されている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記従来の技術では、ウェハを処理室に搬
出入させるが、この処理室内は減圧され。

しかも反応ガスを使用するため、この処理室内における
上記ウェハの有無を検知するセンサーを設けることがで
きない問題があった。そのため、上記ウェハの処理を開
始する際には、ウェハが処理室内に存在しているか認識
することができず、そのまま上記処理室内ヘウエハを搬
入させることとなり、この処理室内にウェハが存在して
いた場合。

この存在しているウェハと搬入されたウェハが衝突し、
破損させてしまう問題があった。この破損が発生すると
、上記処理室内が汚染されてしまう他、装置稼働率が低
下してしまう問題があった。

本発明は上記点に対処してなされたもので、処理室内に
被処理基板が存在し−ていないことを認識した後に、処
理の開始を可能とした処理方法を提供しようとするもの
である。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、処理内で被処理基板の処理を行なう処理方法
において、上記処理室内で上記被処理基板の処理を行な
う以前の初期段階に、上記処理室から被処理基板を搬出
する動作を実行し、この後に上記処理室内に被処理基板
を搬入して処理を開始することを特徴とする処理方法を
得るものである。

（作用効果） 即ち、本発明は、処理室内で被処理基板の処理を行なう
処理方法において、上記処理室内で上記被処理基板の処
理を行なう以前の初期段階に、上記処理室から被処理基
板を搬出する動作を実行し、この後に上記処理室内に被
処理基板を搬入して処理を開始することにより、上記処
理室内に被処理基板が存在しないことを認識した後に処
理を開始させることができ、上記処理室内に残留してい
た被処理基板と搬入した被処理基板が衝突して破損する
ことはなく、被処理基板の歩留まりの低下を抑止するこ
とができる。

また、被処理基板の破損による処理室内の汚染及び装置
稼働率の低下を防止することができる。

（実施例） 以下、本発明方法を半導体ウェハのエツチング工程に使
用されるエツチング装置に適用した実施例につき、図面
を参照して説明する。

まず、エツチング装置の構成を説明する。

被処理基板例えば半導体ウェハ■をエツチング処理する
装置例えばプラズマエツチング装置は。

第１図及び第２図に示すように、上記未処理ウェハ（ｌ
ａ）を収納する収納部（２ａ）と、この収納部から上記
ウェハ（１ａ）を搬出するための搬送部（３ａ）と、こ
の搬送部（３ａ）により搬送されたウェハ（１ａ）を位
置合わせするアライメント部に）と、この位置合わせさ
れたウェハ（１ａ）を搬入する搬送機構（５ａ）及び処
理済みウェハ（１ｂ）を搬出する搬送機構（５ｂ）を備
えた気密な処理部０と、この処理部■から搬出されたウ
ェハ（１ｂ）を搬送する搬送部（３ｂ）と、この搬送さ
れたウェハ（ｉｂ）を収納する収納部（２ｂ）から構成
されている。

上記収納部（２ａ）　（２ｂ）には、上記ウェハ（ｌａ
）（ｌｂ）を板厚方向に所定の間隔を設けて複数枚例え
ば２５枚を積載収納可能なウェハカセット（７ａ）　（
７ｂ）が各々１側設けられている。このウェハカセット
（７ａ）（７ｂ）は、図示しない昇降可能な載置台によ
り昇降可能とされている。

そして、上記搬送部（３ａ）　（３ｂ）は、並設された
２本のベルトにより上記ウェハ（ｌａ）　（ｌｂ）をウ
ェハカセット（７ａ）から搬出或いはウェハカセット（
７ｂ）へ搬入可能としている。

また、上記アライメント部に）は、上記ウェハ（１ａ）
の周縁部に対応する如く配置された図示しないピンによ
り上記ウェハ■の中心位置合わせを可能としている。こ
の際、上記ウェハωに形成されているオリエンテーショ
ン・フラットの位置合わせの必要がある場合には、上記
ウェハ（１ａ）を傾斜させて周縁部に配置されたローラ
ー（図示せず）で回転させることにより位置合わせする
機構を設けてもよい。

また、上記アライメント部に）で位置合わせされたウェ
ハ（１ａ）を処理する如く処理部０が構成されている。

この処理部０は、エツチング処理する気密容器即ち処理
室（ハ）に気密を保ちなからウェハ（１ａ）を搬送可能
なイン側ロードロック室０及び処理済みのウェハ（１ｂ
）を搬出可能なアウト側ロードロツタ室（１０）が設け
られている。このイン側ロードロック室■）の上記アラ
イメント部（イ）側には、上記ウェハ（１ａ）が搬入さ
れるための開口が設けられており、この開口には、上記
イン側ロードロック室■内の気密を保持するために開閉
可能な蓋（ｌｌａ）が設けられている。更に、このイン
側ロードロック室■の上記処理室（ハ）側には、上記ウ
ェハ（ｌａ）を処理室■内に搬入するための開口が設け
られておリ、この開口にも上記処理室０内を気密に保つ
ための開閉可能な蓋（ｌｌｂ）が設けられている。また
、上記アウト側ロードロック室（１０）の処理室（ハ）
側には、処理済みのウェハ（１ｂ）を搬出するための開
口が設けられており、この開口に上記処理室０を気密に
保つための開閉可能な蓋（１２ａ）が設けられている。

更に、このアウト側ロードロック室（１０）の上記搬送
部（３ｂ）側には、ウェハ（１ｂ）を処理部０から搬出
するための開口が設けられており、この開口には、上記
アウト側ロードロック室（１０）の気密を保つための開
閉可能な蓋（１２ｂ）が設けられている。このようなロ
ードロック室ａ）（１０）の上壁（１３ａ）（１３ｂ）
は、夫々透明な材質例えばポリカーボネイトにより構成
されており、内部を目視可能としている。また、上記ロ
ードロツタ室＠（１０）内には、夫々搬送機構（５ａ）
　（５ｂ）例えば多関節アームが設けられており、この
アームの先端部に上記ウェハ（ｌａ）　（ｌｂ）を載置
する如く平板状に形成されている。

このようなロードロック室ａ）（１０）内は、夫々減圧
が可能な如く図示しない真空機構が接続し、更に。

不活性ガス例えばＮ、ガスを導入することにより内部に
ガス・パージを可能としている。

また、上記エツチング処理室■内には、上記ウェハ■を
設置する設置台を兼ねた電極（１６）と、この電極に対
向配置され、反応ガス例えばエツチングガスを上記ウェ
ハ■に供給する複数の開孔を備えた対向電極（１７）が
設けられている。この電極（１６）　（１７）間に高周
波電力を印加する図示しない電源が接続されている。こ
れにより上記電極（１６）（１７）間に放電の発生を可
能としている。このようにしてエツチング装置が構成さ
れている。

次に、上述したエツチング装置による半導体ウェハの処
理方法を説明する。

まず、収納部（２ａ）に載置されたウェハカセット（７
ａ）内に収納されている未処理ウェハ（ｌａ）を、搬送
部（３ａ）によりアライメント部に）へ搬送する。この
アライメント部０）で上記ウェハ（１ａ）の中心位置合
わせや、必要に応じてオリエンテーション・フラットの
位置合わせを行なう。一方、搬出側の搬送機構（５ｂ）
即ちアウト側ロードロック室（１０）内に設けられてい
る搬送機構（５ｂ）を動作させる。これは、蓋（１２ａ
）を開けて処理室（ハ）内に上記搬送機構（５ｂ）を挿
入して、上記処理室（ハ）内からウェハ■を搬出する動
作を行なう。このことにより、上記処理室■内にウェハ
ωが残留していても、この動作により搬出してしまうこ
とができ、また、この動作により、上記処理室（ハ）内
にはウェハωがない状態となったことをＬ２識すること
ができる。この後。

上記位置合わせされたウェハ（ｌａ）を、イン側ロード
ロック室０内に配置されている搬送機構（５ａ）により
上記イン側ロードロツタ室■内に配置されている搬送機
構（５ａ）により上記イン側ロードロック室■内に搬入
し、蓋（ｌｌａ）を閉じる。そして、このイン側ロード
ロック室■に接続した真空機構（図示せず）により、上
記イン側ロードロック室０内を所定の減圧状態に設定す
る。更に、蓋（ｌｌｂ）を開け、所定の減圧状態に設定
された処理室（ハ）内に、搬送機構（５ａ）により搬入
し、設置用電極（１６）に上記ウェハ（１ａ）を設置す
る。そして、上記処理室■内に設置されたウェハ（１ａ
）は、蓋（ｌｌｂ）が閉じられた後に、所定の反応ガス
例えばエツチングガスの供給及び電極（１６）　（１７
）間の放電によりプラズマエツチングされる。この間、
上記イン側ロードロック室■内には、次の未処理ウェハ
（１ａ）が搬入され、ウェハ（１ａ）の存在が上記セン
サー（１４ａ）により認識される。そして、上記処理室
■内のウェハ（υのエツチング処理が終了すると、この
処理済ウェハ（ｌｂ）を、減圧状態となっているアウト
側ロードロック室（１０）内に、蓋（１２ａ）が開くこ
とにより搬送される。このアウト側ロードロック室（１
０）で不活性ガス例えばＮよガスを供給することにより
常圧に設定し、蓋（１２ｂ）　炙開けて上記ウェハ（ｌ
ｂ）を搬出してウェハカセット（７ｂ）内に収納する。

上記実施例では、被処理基板としてウェハを用いた例に
ついて説明したが、これに限定するものではなく、例え
ばＬＣＤ基板についても同様な効果が得られる。

また、上記実施例ではエツチング装置による処理方法に
ついて説明したが、これに限定するものではなく、処理
室内にセンサーを設けられないものであれば１例えばイ
オン注入装置等でも同様な効果が得られる。

以上述べたようにこの実施例によれば、処理室内で被処
理基板の処理を行なう処理方法において、上記処理室内
で上記被処理基板の処理を行なう以前の初期段階に、上
記処理室から被処理基板を搬出する動作を実行し、この
後に、上記処理室内に被処理基板を搬入して処理を開始
することにより。

上記処理室内に被処理基板が存在しないことを認識した
後に処理を開始させることができ、上記処理室内に残留
していた被処理基板と搬入した被処理基板が衝突して破
損することはなく、被処理基板の歩留まりの低下を抑止
することができる。

また、被処理基板の破損による処理室内の汚染及び装置
稼働率の低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施例を説明するためのエツチ
ング装置の構成図、第２図は第１図エツチング装置の側
面図である。 ５・・・搬送機構　　　　　　　８・・・処理室９・・
・イン側ロードロック室 １０・・・アウト側ロードロック室

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 処理室内で被処理基板の処理を行なう処理方法において
   、上記処理室内で上記被処理基板の処理を行なう以前の
   初期段階に、上記処理室から被処理基板を搬出する動作
   を実行し、この後に上記処理室内に被処理基板を搬入し
   て処理を開始することを特徴とする処理方法。