JPH0587298A - ガス供給方法およびガス供給装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガス供給方法およびガス供給装置を、ガスボ
ンベ交換後も安定して超高純度ガスを供給することがで
きるようにする。 【構成】 第１のガスボンベ１０₁ の交換後に超高純度
のヘリウムガスを第１のガスボンベ１０₁ からチャンバ
１に供給する前に、第１のガスボンベ１０₁ と三方弁９
とを連通する配管を第１の制御バルブ１３₁ で２つの閉
空間に区分して、高真空ポンプ１６と第１および第２の
油回転ポンプ１５₁，１５₂により第１のガスボンベ１０
₁ 側の閉空間内を真空排気する。その後、第１の制御バ
ルブ１３₁を開いて超高純度のヘリウムガスを第１のガ
スボンベ１０₁ から前記配管内に供給したのち、高真空
ポンプ１６と第１および第２の油回転ポンプ１５₁，１
５₂により該配管内を真空排気する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、超高純度ガスを取扱う
ガス供給方法およびガス供給装置に関し、特に、半導体
素子製造過程における薄膜形成，露光およびエッチング
工程などに必要な超高純度ガスを取扱うガス供給方法お
よびガス供給装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４は、超高純度ガスを取扱うガス供給
装置の従来例の一つを示す概略構成図である。

【０００３】このガス供給装置は、半導体素子のプロセ
ス処理を行うチャンバー101 内に超高純度のプロセスガ
ス（たとえば、ヘリウムガス）を導入するためのもので
あり、超高純度のプロセスガスのガス供給源である第１
および第２のガスボンベ110₁，110₂と、該２つのガスボ
ンベ110₁，110₂の切替を行う三方弁109 と、プロセスガ
ス導入バルブ108 とを含む。

【０００４】ここで、第１および第２のガスボンベ11
0₁，110₂には、第１および第２のボンベ開閉バルブ11
1₁，111₂がそれぞれ一体的に設けられており、三方弁10
9 とプロセスガス導入バルブ108 との間には、高純度の
プロセスガスの流量を調節するためのレギュレータ107
と高純度のプロセスガスに含まれる微粒子を捕捉するフ
ィルタ105 とが三方弁109 側から順に介在されている。
また、レギュレータ107 とフィルタ105 との間には、高
純度のプロセスガスの圧力を検出する圧力計106 が介在
されている。さらに、第１のボンベ開閉バルブ111₁と三
方弁109 との間には、この間の配管内のフラッシングを
行うための第１のフラッシング用バルブ112₁が介在され
ており、第２のボンベ開閉バルブ111₂と三方弁109 との
間には、この間の配管内のフラッシングを行うための第
２のフラッシング用バルブ112₂が介在されている。な
お、第１および第２のガスボンベ110₁，110₂の２本のガ
スボンベを使用するのは、いずれか一方のガスボンベが
空になった場合に他方のガスボンベに切替えることによ
り、チャンバー101 内に高純度のプロセスガスを連続的
に導入するためである。

【０００５】チャンバー101 には、チャンバー101 内の
排気を行うための真空ポンプ103 が、排気制御用の排気
用バルブ102を介在させた管路を介して連通されてお
り、また、チャンバー101 内の圧力を検出するためのチ
ャンバ用圧力計104 も取り付けられている。

【０００６】このガス供給装置における前記各ボンベ開
閉バルブ111₁，111₂と三方弁109 との間の各配管内のフ
ラッシング動作、および前記各ガスボンベ110₁，110₂が
空になったときの交換動作は、以下のようにしてそれぞ
れ行われる。

【０００７】（イ）フラッシング動作 前記各ガスボンベ110₁，110₂をセッティングする前に、
前記各フラッシング用バルブ112₁，112₂を開状態にする
とともに、前記各配管とバルブ（不図示）を介して連通
された窒素ボンベ（不図示）から窒素ガスを前記各配管
内に供給することにより、該各配管内に存在する不純ガ
スや微粒子などを取り除く。その後、前記各ガスボンベ
110₁，110₂をセッティングしたのち前記各ボンベ開閉バ
ルブ111₁，111₂を開状態にして、超高純度のプロセスガ
スを前記各配管内にそれぞれ導入することにより該各配
管内のフラッシングを十分に行う。

【０００８】（ロ）交換動作 空になった第１のガスボンベ110₁を交換する際には、第
１のボンベ開閉バルブ111₁を閉状態にした新たな第１の
ガスボンベ110₁をセッティングしたのち、第１のフラッ
シング用バルブ112₁を開状態にして、前述した窒素ガス
による第１のボンベ開閉バルブ111₁と三方弁109 との間
の配管内のフラッシングを行い、さらに第１のボンベ開
閉バルブ111₁を開状態にして前述した超高純度のプロセ
スガスによる前記配管内のフラッシングを行う。その
後、第１のフラッシング用バルブ112₁を閉状態にして通
常の使用状態にする。空になった第２のガスボンベ110₂
を交換する際にも同様の動作を行う。

【０００９】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
述した従来のガス供給装置は、ガスボンベ交換時にフラ
ッシングを行うが、前記各フラッシング用バルブ112₁，
112₂と三方弁109 との間の各配管の一部分がデッドゾー
ンとなるため、該各配管内の不純ガスや微粒子を完全に
取り除くことができないという問題がある。さらに、詳
しく言えば、フラッシング動作時に大気開放された三方
弁109 のシール部付近の微小空間にある不純ガスや微粒
子については従来全く考慮されておらず、フラッシング
動作後にも該微小空間に不純ガスや微粒子が残るため、
チャンバ101 内に供給する超高純度のプロセスガスの純
度を低下させるという問題がある。

【００１０】本発明の目的は、ガスボンベ交換後も安定
して超高純度ガスを供給することができるガス供給方法
およびガス供給装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のガス供給方法
は、ガス供給源からガス導入バルブを介して超高純度ガ
スを供給するガス供給方法において、前記超高純度ガス
を供給する前に、前記ガス供給源と前記ガス導入バルブ
とを連通する配管を２以上の閉空間に区分し、該閉空間
の数を前記ガス供給源側から順次減らしながら、前記配
管内の不純ガスおよび微粒子を取り除くクリーニング動
作を行う。

【００１２】本発明のガス供給装置は、ガス供給源から
ガス導入バルブを介して超高純度ガスを供給するガス供
給装置において、前記ガス供給源と前記ガス導入バルブ
とを連通する配管を前記ガス供給源側と前記ガス導入バ
ルブ側とに区分するバルブと、前記ガス供給源側の前記
配管と連通された真空排気手段と、前記ガス供給源側の
前記配管に設けられた配管内圧力検知手段とを含む。

【００１３】ここで、配管内圧力検知手段が、ガス供給
源側の配管内の真空度を測定する圧力計であってもよ
い。

【００１４】また、配管内圧力検知手段の代わりに、ガ
ス供給源側の配管内に残留するガスの濃度を検出する残
留ガス濃度検出手段を含んでもよい。

【００１５】ここで、残留ガス濃度検出手段が、ガス供
給源側の配管内に残留する酸素ガスの濃度を検出する酸
素濃度モニタであってもよい。

【００１６】

【作用】本発明のガス供給方法は、ガス供給源とガス導
入バルブとを連通する配管を２以上の閉空間に区分し、
該閉空間の数を前記ガス供給源側から順次減らしなが
ら、前記配管内の不純ガスおよび微粒子を取り除くクリ
ーニング動作を行うことにより、１回目のクリーニング
では取り除くことができない不純ガスおよび微粒子も２
回目以降のクリーニング動作で取り除くことができる。

【００１７】本発明のガス供給装置は、ガス供給源側の
配管と連通された真空排気手段を有することにより、ガ
スボンベ交換時に大気が導入された前記ガス供給源側の
配管内を真空排気することができるため、ガスボンベ交
換時に残留する不純ガスおよび微粒子を取り除くことが
できる。また、配管内圧力検知手段または残留ガス濃度
検出手段を前記ガス供給源側の配管に設けることによ
り、該ガス供給源側の配管内の清浄度を確認した上で超
高純度ガスを供給することができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００１９】図１は、本発明のガス供給装置の第１の実
施例を示す概略構成図である。

【００２０】本実施例のガス供給装置は、シンクロトロ
ン放射光を利用してマスク上の半導体製造用パターンを
ウエハ上のレジストに焼付けるＸ線露光装置用のチャン
バー１内に、Ｘ線の減衰が小さい超高純度のヘリウムガ
スを供給するためのものである。

【００２１】このガス供給装置は、以下に示す点につい
て図４に示した従来のガス供給装置と異なっている。 （イ）第１のボンベ開閉バルブ１１₁ と三方弁９とを連
通する配管に、該配管をガス供給源側（第１のガスボン
ベ１０₁ 側）とガス導入バルブ側（プロセスガス導入バ
ルブ８側）とに区分する第１の制御バルブ１３₁ が介在
されている。また、第２のボンベ開閉バルブ１１₂ と三
方弁９とを連通する配管に、該配管をガス供給源側（第
２のガスボンベ１０₂ 側）とガス導入バルブ側（プロセ
スガス導入バルブ８側）とに区分する第２の制御バルブ
１３₂ が介在されている。 （ロ）第１のボンベ開閉バルブ１１₁ と第１の制御バル
ブ１３₁ とを連通する配管および第２のボンベ開閉バル
ブ１１₂ と第２の制御バルブ１３₂ とを連通する配管の
間に、一本の管路が連通されており、第１および第２の
配管排気用バルブ１９₁，１９₂が前記管路に直列に介在
されている。 （ハ）第１の配管排気用バルブ１９₁ と第２の配管排気
用バルブ１９₂ との間に、高真空ポンプ１６（たとえ
ば、ターボ分子ポンプ）および第１の油回転ポンプ１５
₁ が第１の切換バルブ１７₁ を介して連通されていると
ともに、第２の油回転ポンプ１５₂ が第２の切換バルブ
１７₂ を介して連通されている。 （ニ）第１のボンベ開閉バルブ１１₁ と第１の制御バル
ブ１３₁ とを連通する配管に、該配管内の真空度を測定
する第１の圧力計１４₁ が設けられている。また、第２
のボンベ開閉バルブ１１₂ と第２の制御バルブ１３₂ と
を連通する配管に、該配管内の真空度を測定する第２の
圧力計１４₂ が設けられている。

【００２２】すなわち、前記各制御バルブ１３₁，１３₂
は、本発明のガス供給源とガス導入バルブとを連通する
配管を前記ガス供給源側と前記ガス導入バルブ側とに区
分するバルブとしてそれぞれ機能し、また、前記各配管
排気用バルブ１９₁，１９₂と前記各切換バルブ１７₁，
１７₂と高真空ポンプ１６と前記各油回転ポンプ１５₁，
１５₂とは、本発明のガス供給源側の配管と連通された
真空排気手段としてそれぞれ機能し、さらに、前記各圧
力計１４₁，１４₂は、本発明のガス供給源側の配管に設
けられた配管内圧力検知手段としてそれぞれ機能する。

【００２３】次に、本発明のガス供給方法の第１の実施
例として、図１に示したガス供給装置からチャンバ１内
に超高純度のヘリウムガスを導入する方法について説明
する。

【００２４】プロセスガス導入バルブ８が閉状態にされ
て、排気用バルブ２が開状態にされたのち、チャンバー
１内部が真空ポンプ３により真空に排気される。チャン
バー用圧力計４により検出されたチャンバー１内の圧力
が所定値以下となると、プロセスガス導入バルブ８が開
状態にされて、超高純度のヘリウムガスのチャンバー１
内への導入が開始される。このとき、ガス供給装置の前
記各バルブの状態と三方弁９の状態とは以下のようにな
っている。 （イ）前記２つのボンベ開閉バルブ１１₁，１１₂と前記
２つの制御バルブ１３₁，１３₂とは、すべて閉状態にな
っている。 （ロ）前記２つの配管排気用バルブ１９₁，１９₂は、す
べて閉状態になっている。 （ハ）前記２つの切換バルブ１７₁，１７₂は、開閉いず
れの状態であってもよい。 （ニ）三方弁９は、第１のガスボンベ１０₁ とチャンバ
ー内１とを連通するバルブ位置にある。

【００２５】まず、第１のボンベ開閉バルブ１１₁ と第
１の制御バルブ１３₁ とがそれぞれ開状態にされて、第
１のガスボンベ１０₁ からチャンバー内１に超高純度の
ヘリウムガスが導入される。

【００２６】次に、第１のガスボンベ１０₁ の容量が少
なくなり、第１のガスボンベ１０₁を交換するときの交
換動作について説明する。

【００２７】第１のガスボンベ１０₁ 内の超高純度のヘ
リウムガスの残量が少なくなった時点で、第２のガスボ
ンベ１０₂ とチャンバー内１とを連通するバルブ位置に
三方弁９が切換えられたのち、第２のボンベ開閉バルブ
１１₂ と第２の制御バルブ１７₂ とがそれぞれ開状態に
されて、第２のガスボンベ１０₂ からチャンバー内１に
超高純度のヘリウムガスが導入される。その後、第１の
制御バルブ１３₁ と第１のボンベ開閉バルブ１１₁ とが
それぞれ閉状態にされたのち、第１のガスボンベ１０₁
の交換が行われる。

【００２８】第１のガスボンベ１０₁ を交換するため
に、第１のガスボンベ１０₁ が第１のボンベ開閉バルブ
１１₁ とともに外される。このとき、第１の制御バルブ
１３₁の手前までの配管内に大気が導入される。新たな
第１のガスボンベ１０₁ が取付られると（このとき、第
１のボンベ開閉バルブ１１₁ は閉状態となってい
る。）、前記配管内の大気を排気するため第１の配管排
気用バルブ１９₁ と第２の切換バルブ１７₂ とがそれぞ
れ開状態にされて、第２の油回転ポンプ１５₂ による前
記配管内の排気が行われる。前記配管内の圧力が所定値
以下となったことが第１の圧力計１４₁ により確認され
ると、前記配管内をさらに高真空にするため第２の切換
バルブ１７₂ が閉状態にされるとともに第１の切換バル
ブ１７₁ が開状態にされて、高真空ポンプ１６と第１の
油回転ポンプ１５₁ とによる前記配管内の排気が行われ
る。該配管内の圧力が所定値（たとえば、１×１０^-6Ｔ
ｏｒｒ程度）以下となったことが第１の圧力計１４₁ に
より確認された時点で、真空引きを終了するため第１の
配管排気用バルブ１９₁ と第１の切換バルブ１７₁ とが
それぞれ閉状態にされる。

【００２９】以上により、前記配管内の大気は排出され
るが、超高純度のヘリウムガスをチャンバ１内に導入す
るためには、大気に接した第１の制御バルブ１３₁ と第
１のボンベ開閉バルブ１１₁ との各シール部の微小領域
にある不純ガスおよび微粒子を排出する必要がある。そ
こで、該不純ガスおよび該微粒子を排出するため、第１
のボンベ開閉バルブ１１₁ が開状態にされて第１の制御
バルブ１３₁ の手前までの配管内が超高純度のヘリウム
ガスで充填される。このとき、第１のボンベ開閉バルブ
１１₁ のシール部の微小領域にある不純ガスおよび微粒
子が前記配管内に浮遊される。続いて、第１の制御バル
ブ１３₁ が開状態にされて三方弁９の手前までの配管内
が超高純度のヘリウムガスで充填される。このとき、第
１の制御バルブ１３₁ のシール部の微小領域にある不純
ガスおよび微粒子が前記配管内に浮遊される。その後、
第１のボンベ開閉バルブ１１₁ が再び閉状態にされ、三
方弁９までの配管内が所定の圧力値になるまで（第１の
圧力計１４₁ で確認）真空排気される。このときの真空
引きの手順は前述したものと同様である。

【００３０】真空引き終了後、第１の配管排気用バルブ
１９₁ は閉状態にされ、第１のボンベ開閉バルブ１１₁
が開状態にされることにより、第１のガスボンベ１０₁
はいつでも使用可能状態となる。

【００３１】なお、第２のガスボンベ１０₂ の交換時も
同様の動作が行われる。

【００３２】図２は、本発明のガス供給装置の第２の実
施例を示す概略構成図である。

【００３３】このガス供給装置が図１に示した第１の実
施例のガス供給装置と異なる点は、第１および第２の制
御バルブ１３₁，１３₂の代わりに、第１および第２の制
御三方弁２０₁ ，２０₂ をそれぞれ有する点である。

【００３４】このガス供給装置における第１のガスボン
ベ１０₁ の交換は、第１の制御三方弁２０₁ が第１のガ
スボンベ１０₁と各ポンプ（第１および第２の油回転ポ
ンプ１５₁，１５₂と高真空ポンプ１６）とを連通するバ
ルブ位置に切換えられて行われる。したがって、該ガス
ボンベ交換時には、第１のガスボンベ１０₁ と第１の配
管排気用バルブ１９₁ とを連通する配管内に大気が導入
されるが、前記各ポンプによる１回目の真空引きで前記
配管内の大気を排出したのち、該配管内に超高純度のヘ
リウムガスを導入して前記各ポンプによる２回目の真空
引きで該配管内を排気することにより、第１のボンベ開
閉バルブ１１₁ ，第１の制御三方弁２０ ₁ および第１の
配管排気用バルブ１９₁ の各シール部の微小領域にある
不純ガスおよび微粒子を取り除くことができる。

【００３５】図１および図２に示したガス供給装置で
は、前記配管内圧力検知手段として、第１および第２の
圧力計１４₁，１４₂を用いたが、後述する図３に示す第
１および第２の酸素濃度モニタ３２₁，３２₂などの残留
ガス濃度検出手段を用いてもよい。

【００３６】図３は、本発明のガス供給方法が適用可能
な他のガス供給装置を示す概略構成図である。

【００３７】このガス供給装置が図４に示した従来のガ
ス供給装置と異なる点は、第１のフラッシング用バルブ
112₁の代わりに、第１の三方弁３０₁ および第２の三方
弁３０₂ が第１のボンベ開閉バルブ１１₁ と三方弁９と
の間に直列に設けられている点と、第２のフラッシング
用バルブ112₂の代わりに、第３の三方弁３０₃ および第
４の三方弁３０₄ が第２のボンベ開閉バルブ１１₂ と三
方弁９との間に直列に設けられている点と、第１の三方
弁３０₁ と第２の三方弁３０₂ とを連通する配管に第１
の酸素濃度モニタ３２₁ が設けられている点と、第３の
三方弁３０₃ と第４の三方弁３０₄ とを連通する配管に
第２の酸素濃度モニタ３２₂ が設けられている点とであ
る。ここで、第１乃至第４の三方弁３０₁〜３０₄はいず
れもフラッシングバルブを兼ね備えるものである。

【００３８】次に、本発明のガス供給方法の第２の実施
例として、第１のガスボンベ１０₁内の超高純度のヘリ
ウムガスの残量が少なくなり、第１のガスボンベ１０₁
を交換するときの交換動作について説明する。

【００３９】第１のガスボンベ１０₁ 内の超高純度のヘ
リウムガスの残量が少なくなった時点で、第２のガスボ
ンベ１０₂ とチャンバー内１とを連通するバルブ位置に
三方弁９が切換えられたのち、第２のボンベ開閉バルブ
１１₂ が開状態にされて、第２のガスボンベ１０₂ から
チャンバー内１に超高純度のヘリウムガスが導入され
る。その後、第１の三方弁３０₁ および第２の三方弁３
０₂ がそれぞれ大気開放状態のバルブ位置にされたの
ち、第１のガスボンベ１０₁ の交換が行われる。

【００４０】第１のガスボンベ１０₁ を交換するため
に、第１のガスボンベ１０₁ が第１のボンベ開閉バルブ
１１₁ とともに外される。新たな第１のガスボンベ１０
₁ が取り付けられると（このとき、第１のボンベ開閉バ
ルブ１１₁ は閉状態となっている。）、第１のボンベ開
閉バルブ１１₁ が開状態にされて１回目のフラッシング
動作が行われる。一定時間経過後、第１のボンベ開閉バ
ルブ１１₁ が閉状態にされたのち、第１のガスボンベ１
０₁ とチャンバー内１とを連通するバルブ位置に第１の
三方弁３０₁ が切換えられる。その後、第１の三方弁３
０₁ の微小空間に存在する不純ガスや微粒子を取り除く
ため、第１のボンベ開閉バルブ１１₁ が開状態にされて
２回目のフラッシング動作が行われる。このとき、第１
のガスボンベ１０₁ から供給される超高純度のヘリウム
ガスは、第１の三方弁３０₁ および第２の三方弁３０₂
を介して大気中に放出される。一定時間経過後、第１の
ボンベ開閉バルブ１１₁ が閉状態にされたのち、第１の
ガスボンベ１０₁ とチャンバー内１とを連通するバルブ
位置に第２の三方弁３０₂ が切換えられる。第１の三方
弁３０₁ と第２の三方弁３０₂ とを連通する配管内の酸
素濃度が第１の酸素モニタ３２₁ により検出される。第
１の酸素モニタ３２₁ の示す値が所定値以下であれば、
第１のガスボンベ１０₁ が通常使用可能状態とされる。
一方、第１の酸素モニタ３２₁ の示す値が所定値以上で
あれば、前記２回目のフラッシング動作が繰返される。

【００４１】以上の説明においては、２本のガスボンベ
を使用して、チャンバ内に連続的に超高純度のプロセス
ガスを導入するガス供給装置について述べたが、１本の
ガスボンベを使用してチャンバ内に超高純度のプロセス
ガスを導入するガス供給装置であってもよい。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は次の効果
がある。

【００４３】本発明のガス供給方法は、ガス供給源とガ
ス導入バルブとを連通する配管を２以上の閉空間に区分
し、該閉空間の数を前記ガス供給源側から順次減らしな
がら、前記配管内の不純ガスおよび微粒子を取り除くク
リーニング動作を行うことにより、１回目のクリーニン
グでは取り除くことができない不純ガスおよび微粒子も
２回目以降のクリーニング動作で取り除くことができる
ため、ガスボンベ交換後も超高純度ガスを安定して供給
することができる。

【００４４】本発明のガス供給装置は、ガス供給源側の
配管と連通された真空排気手段を有することにより、ガ
スボンベ交換時に大気が導入された前記ガス供給源側の
配管内を真空排気することができるため、ガスボンベを
交換したのちも純度の劣化を生じさせることなく超高純
度ガスを安定して供給することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のガス供給装置の第１の実施例を示す概
略構成図である。

【図２】本発明のガス供給装置の第２の実施例を示す概
略構成図である。

【図３】本発明のガス供給方法が適用可能な他のガス供
給装置を示す概略構成図である。

【図４】超高純度ガスを取扱うガス供給装置の従来例の
一つを示す概略構成図である。

【符号の説明】 １ チャンバ ２ 排気用バルブ ３ 真空ポンプ ４ チャンバ用圧力計 ５ フィルタ ６ 圧力計 ７ レギュレータ ８ プロセスガス導入バルブ ９ 三方弁 １０₁ 第１のガスボンベ １０₂ 第２のガスボンベ １１₁ 第１のボンベ開閉バルブ １１₂ 第２のボンベ開閉バルブ １３₁ 第１の制御バルブ １３₂ 第２の制御バルブ １４₁ 第１の圧力計 １４₂ 第２の圧力計 １５₁ 第１の油回転ポンプ １５₂ 第２の油回転ポンプ １６ 高真空ポンプ １７₁ 第１の切換バルブ １７₂ 第２の切換バルブ １９₁ 第１の配管排気用バルブ １９₂ 第２の配管排気用バルブ ２０₁ 第１の制御三方弁 ２０₂ 第２の制御三方弁 ３０₁ 第１の三方弁 ３０₂ 第２の三方弁 ３０₃ 第３の三方弁 ３０₄ 第４の三方弁 ３２₁ 第１の酸素濃度モニタ ３２₂ 第２の酸素濃度モニタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 25/14 9040−4Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/205 7454−4Ｍ 21/22 Ｄ 9278−4Ｍ 21/265 21/027 21/302 Ｂ 7353−4Ｍ 21/304 ３４１ Ｇ 8831−4Ｍ 21/31 Ｂ 8518−4Ｍ 21/324 Ｄ 8617−4Ｍ (72)発明者 須藤 裕次 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガス供給源からガス導入バルブを介して
   超高純度ガスを供給するガス供給方法において、 前記超高純度ガスを供給する前に、前記ガス供給源と前
   記ガス導入バルブとを連通する配管を２以上の閉空間に
   区分し、 該閉空間の数を前記ガス供給源側から順次減らしなが
   ら、前記配管内の不純ガスおよび微粒子を取り除くクリ
   ーニング動作を行うことを特徴とするガス供給方法。
2. 【請求項２】 ガス供給源からガス導入バルブを介して
   超高純度ガスを供給するガス供給装置において、 前記ガス供給源と前記ガス導入バルブとを連通する配管
   を前記ガス供給源側と前記ガス導入バルブ側とに区分す
   るバルブと、 前記ガス供給源側の前記配管と連通された真空排気手段
   と、 前記ガス供給源側の前記配管に設けられた配管内圧力検
   知手段とを含むことを特徴とするガス供給装置。
3. 【請求項３】 配管内圧力検知手段が、ガス供給源側の
   配管内の真空度を測定する圧力計である請求項２記載の
   ガス供給装置。
4. 【請求項４】 配管内圧力検知手段の代わりに、ガス供
   給源側の配管内に残留するガスの濃度を検出する残留ガ
   ス濃度検出手段を含む請求項２記載のガス供給装置。
5. 【請求項５】 残留ガス濃度検出手段が、ガス供給源側
   の配管内に残留する酸素ガスの濃度を検出する酸素濃度
   モニタである請求項４記載のガス供給装置。