JPH01215343A - ガス精製装置の精製能力評価方法及びその装置 - Google Patents

ガス精製装置の精製能力評価方法及びその装置

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JPH01215343A
JPH01215343A JP63039036A JP3903688A JPH01215343A JP H01215343 A JPH01215343 A JP H01215343A JP 63039036 A JP63039036 A JP 63039036A JP 3903688 A JP3903688 A JP 3903688A JP H01215343 A JPH01215343 A JP H01215343A
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gas
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森 重哉
Toru Watanabe
徹 渡辺
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
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    • GPHYSICS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、特に半導体装置の製造に用いて最適なゲッタ
方式のガス精製装置のガス精製能力を評価する評価方法
及びこの方法に使用する評価装置に関する。
(従来の技術) 半導体装置の製造に供されるキャリヤガスは、半導体装
置の信頼性を高めるため一般産業用に供されるガスに比
べて高純度が要求される。特に、例えばスパッタリング
技術に一般に用いられるアルゴン(Ar)ガスは、この
ガスの純度がアルミニウム配線の信頼性に及ぼす影響が
極めて大であるため、A「ガスを精製するガス精製装置
が通常用いられている。そして、このガス精製装置の精
製能力のモニタは、従来ガスボンベにArガスを採取し
、ガスクロマトグラフィー等の分析手段により微量不純
物を検出するサンプリング手法が一般に採用されていた
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記のように、ガス精製装置の精製能力
を評価するため、ガス精製装置の出口側のA「ガス等の
キャリヤガスをボンベに採取し、特にN2,02.N2
0等の分析にかけるサンプリング手法では、例えば採取
に1日、分析に1週間というように大幅な時間と費用が
かかるため、定期的な評価が一般に困難であった。
このため、使用者側で使用期間の決定を行うことができ
ず、ガス精製装置メーカーから示された使用期間に依存
せざるを得ないのが現状であった。
しかし、これでは、ガスラインにリークが発生し、N2
,02.N20等の不純物濃度が増大した場合等、ガス
精製装置の劣化が早まっているにもかかわらず継続して
使用することになり、製造後の半導体装置に不純物ガス
の混入による表面剥奪やリークの発生といった致命的な
欠陥を及ぼすことになるといった問題点があった。
本発明は上記に鑑み、A「ガス等のキャリヤガスのガス
精製装置の精製能力を短時間で簡便に評価することがで
きる評価方法及びこの方法に使用する評価装置を提供す
ることを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明におけるガス精製装置
の精製能力評価方法は、ガス精製装置の内部の圧力を低
下させて密封し、この圧力より高い圧力に維持し所望の
不純物ガスを封じ込めたタンクからこの不純物ガスを上
記密封したガス精製装置内に排気し、上記ガス精製装置
内への該不純物ガスの排気能力を測定することにより上
記ガス精製装置の精製能力を評価するようにしたもので
あり、ガス精製装置の精製能力評価装置は、内部圧力を
低下させて密封可能なガス精製装置と、所望の不純物ガ
スを上記ガス精製装置の内部圧力より高い圧力で封じ込
めるタンクと、上記ガス精製装置とタンクとを連通部を
介して連通するとともに該連通部にここを開閉自在に介
装したバルブと、上記タンクの内部の圧力の変化を測定
する真空計とを備えたものである。
(作 用) 上記のように構成することにより、ガス精製装置の精製
能力が低下した場合には、このガス精製装置より高圧の
タンクからこの内部に排気される不純部ガスの排気能力
がこの精製能力の低下に伴なって低下するため、この排
気能力を、例えばタンクの内部の圧力の変化を測定する
ことによって測定し、これによってガス精製装置の精製
能力を評価するようにしたものである。
(実施例) 以下、実施例について図面を参照して説明する。
第1図は、ガス利用装置全体の系統図を示し、ボンベ等
のガスライン1から供給されるA「ガス等のキャリヤガ
スは、主配管2に沿って流れ、ガス精製装置3を通過す
ることにより精製されてスパッタリング装置等のプロセ
スチャンバ4内に導入されるよう構成されている。上記
主配管2のガスライン1とガス精製装置3との間にはバ
ルブ5が、ガス精製装置3とプロセスチャンバ4との間
にはバルブ6及びガス流量調節機7が夫々介装されてい
るとともに、プロセスチャンバ4の排出配管8は、バル
ブ9を介して真空ポンプ10に接続されている。
而して、プロセスチャンバ4にA「ガス等のキャリヤガ
スを導入する際には、上記主配管2のバルブ5,6及び
MFC7、並びに排気配管8のバルブ9を開くとともに
、真空ポンプ10を作動させ、これによってガスライン
1からガス精製装置3を通過して精製されたガスをプロ
セスチャンバ4に導いてこのガスによる処理を施し、同
時にプロセスチャンバ4内の処理後のガスを外部に排気
するのである。
上記ガス精製装置3の排気側には、主配管2から分岐し
て補助配管11が形成され、この補助通路11内には補
助タンク12が装管されているとともに、この補助タン
ク12の排気側には補助ポンプ13が接続されている。
また、上記補助配管11の起端には、電離真空計等の真
空計14が取付けられ、この起端と補助タンク12との
間にはバルブ15とビラニーゲージ等の真空計16が順
次介装され、更に上記補助ポンプ13と補助配管11と
の間、及び補助配管11の補助ポンプ13との接続部後
方には夫々バルブ−17,18が介装されている。
そして、上記ガス精製装置3の精度能力をモニタしたい
時には次の手順で行う。
即ち、先ず主配管2側のバルブ5.6を閉じ(なお、バ
ルブ9は開閉いずれでも良い)、補助配管11側のバル
ブ15.17を開くとともに、補助ポンプ13を作動さ
せてガス精製装置3、補助タンク12及びこの内部の配
管系を排気して、この内部の圧力をI X 10’ 〜
I X 10−”P a程度にし、この時の真空度を圧
力を真空計14で測定する。次に、上記バルブ15.1
7を閉じるとともに、バルブ18を開き、ここから補助
タンク12内にN2ガスを導入し、この補助タンク12
内の圧力を上記ガス精製装置3の内部の圧力より高い1
00〜IPa程度にし、この真空度を真空ニド16でJ
IIJ定する。
そして、上記バルブ18を閉じて、このN2ガスを補助
タンク12内に閉じ込め、しかる後にバルブ15を開い
て、このN2ガスをガス精製装置3内に排気させること
により、このガス精製装置3によって排気されたN2ガ
スを除去(精製)させる。
この作用によって、N2ガスは補助タンク12からガス
精製装置3に流れ、この結果補助タンク12内の圧力は
第2図(a)に示すように減少していく。この排気能力
は、ガス精製装置3の精製能力を示している。即ち、も
しガス精製装置3の精製能力が低下していると、補助タ
ンク12から流入したN2ガスを速やかに除去すること
ができず、従ってこの排気能力も第2図(b)に示すよ
うに低下してしまうからである。なお、例えば同図の線
図(a)と(b)のlXl0−’Paとの交点間の時間
は、約1時間程度である。
また、上記モニタ手段によって、長期に回りガス精製装
置3の精製能力をモニタしてみると、第3図に示すよう
になる。即ち、初期では正常な排気能力を有していたも
のが、長期の使用によって排気能力が低下していくこと
が解る。
第4図に、lX1O−1Paまでの排気に要する対数的
に表示した時間と、この排気能力を有していたガス精製
装置でloppmの不純物を添加したA「ガスを精製さ
せこの人「ガスをサンプリング手段でガス分析した値と
の相関図を示すが、このように排気能力と精製能力には
、よい相藺が得られる。
なお、上記ガス精製装置3は、一般にジルコニウムCZ
r)、鉄(Fe)及びバナジウム(V)の合金を400
℃前後に加熱することにより、N2,02.N20.N
o、Co及びCH4といった不純物ガスを化学反応させ
て合金内部に取込むことにより、この除去精製を行うも
のであるため、排気能力を知るためには、N2ガス以外
に上記ガスを導入するようにしても良い。
また、上記実施例においては、補助タンク12及び補助
ポンプ13等を用いた例を示しているが、スパッタリン
グ装置のプロセスチャンバ4を不純物ガスを溜めるタン
クと兼用させるとともに、N2ガス等のキャリヤガスを
導く配管に接続し、更に真空ポンプ10の吸引によりこ
のプロセスチャンバ4(タンク)内にN2ガス等のキャ
リヤガスを導入するようにしても良い。更に、補助タン
ク12がガス精製装置3に比べて十分に小さい場合、具
体的には1000〜10000分の1程度であれば、空
気を大気圧で閉じ込めて行うようすることも可能である
。この場合、バルブ15を開けるとガス精製装置3内の
圧力は100〜10Pa程度となる。
〔発明の効果〕
本発明は上記のような構成であるので、ガス精製装置の
精反能力の測定を数時間で、しかも簡便且つ確実に行う
ことができる。
従って、定期的にガス精製装置の精製能力を評価し、こ
れによって精製能力が低下した時に素早くこれを交換す
るようにして、例えば製造後の半導体装置に不純物ガス
の混入による表面剥奪やリークの発生といった致命的な
欠陥の発生を確実に防I卜するようにすることができる
といった効果がある。
4、図面の簡単な説明    − 第1図はガスを利用っした真空装置全体の系統図、第2
図は真空度と排気時間の関係を示すグラフ、第3図は排
気時間と稼動時間との関係を示すグラフ、第4図は不純
物濃度と排気時間との関係を示すグラフである。
1・・・ガスライン、3・・・ガス精製装置、4・・・
プロセスチャンバ、5.6,9,15,17.18・・
・バルブ、10・・・真空ポンプ、12・・・補助タン
ク、13・・・補助ポンプ、14.16・・・真空計出
願人代理人  佐  藤  −雄 第 1 図 排気時間 第 2 図 −4宋動軒聞 早 3 図 1 x 1O−1Pa迄り排気M聞 手 4 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ガス精製装置の内部の圧力を低下させて密封し、こ
    の圧力より高い圧力に維持し所望の不純物ガスを封じ込
    めたタンクからこの不純物ガスを上記密封したガス精製
    装置内に排気し、上記ガス精製装置内への該不純物ガス
    の排気能力を測定することにより上記ガス精製装置の精
    製能力を評価するガス精製装置の精製能力評価方法。 2、内部圧力を低下させて密封可能なガス精製装置と、
    所望の不純物ガスを上記ガス精製装置の内部圧力より高
    い圧力で封じ込めるタンクと、上記ガス精製装置とタン
    クとを連通部を介して連通するとともに該連通部にここ
    を開閉自在に介装したバルブと、上記タンクの内部の圧
    力の変化を測定する真空計とを備えたことを特徴とする
    ガス精製装置の精製能力評価装置。
JP63039036A 1988-02-22 1988-02-22 ガス精製装置の精製能力評価方法及びその装置 Granted JPH01215343A (ja)

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EP0330175A2 (en) 1989-08-30
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