JPH02101739A

JPH02101739A - 半導体ウェハーの製造装置

Info

Publication number: JPH02101739A
Application number: JP25555388A
Authority: JP
Inventors: Hideo Ito; 秀雄伊藤
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1988-10-11
Filing date: 1988-10-11
Publication date: 1990-04-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体ウェハーの製造装置に関し、特にマスフ
ローを具備する半導体ウェハーの製造装置に関するもの
である。

〔従来の技術〕

従来、この種のマスフローを具備する製造装置として、
第４図、第５図に示す構成の製造装置が使用されていた
。

第４図において、ガス供給集合ボックス１より供給され
たプロセスガスは、マスフローボックス４内のマスフロ
ーにより流量調整された後、プロセスチェンバー６に導
入されウェハー処理後、排気系ユニット１５により排気
されていた。ここで、第５図にガス供給集合ボックス１
内の配管系統図を示す。同図において１通常プロセス処
理中はプロセスガス１０ａはストップバルブｌｌａより
レギュレータ１２ａ、エアーオペレイトバルブ１４ａを
通って。

また、プロセスガスｔｏｂはストップバルブｌｌｂより
レギュレータ１２ｂ、エアーオペレイトバルブ１４ｂを
通ってそれぞれマスフローボックス４へ接続されていた
。また、ガスボンベ交換時及び配管部品等を交換する場
合に、配管系統を不活性ガスにてパージできるよう通常
Ｎ２のバージラインが接続されていた。

〔発明が解決しようとするｉ！題〕

上述した従来のプロセスガスの供給システムでは、マス
フローの実流量のチエツク及び定期校正時に、−旦配管
よりマスフローを取外した状態にて計測器等により、チ
エツク及び校正を行っていた。

ここで、マスフローを取外す場合はまず、配管内部のプ
ロセスガスを真空引き等によりガス抜きを行い、次にＮ
２ボンベよりＮ２にてパージを数時間行った後、マスフ
ローを取外した状態でチエツク及び校正していた。チエ
ツク完了後はマスフローを取付けた後、再びＮ２にてパ
ージを行う必要があり、マスフローのチエツクには非常
に長い時間を必要としていた。

また、マスフローを取外した際には、マスフロー本体及
びガスラインに大気が入り込んだりする。

特に大気中の酸素及び湿気（Ｎ２０）は一般にプロセス
ガスと非常に反応しやすいため、Ｎ２パージ等により完
全に除去する必要があった。しかし、マスフローの構造
が複雑なため、完全に除去するのは非常に困雛であり、
パージが不十分な場合はマスフローの詰まり、また腐食
による故障が多発していた。

本発明の目的は前記課題を解決した半導体ウェハーの製
造装置を提供することにある。

〔発明の従来技術に対する相違点〕

上述した従来のマスフローを具備したウェハー製造装置
のマスフローのチエツク方法に対し１本発明はガス供給
集合ボックス内に別のチエツク用のマスフローをＮ２の
パージラインに取付けることにより、プロセスガスの影
響を受けず、また本体マスフローのチエツクを取外さず
に短時間にできるという相違点を有する。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的を達成するため、本発明はマスフローを具備す
る半導体ウェハーの製造装置において、ガス供給集合ボ
ックス内のガスラインにマスフローを組込んだものであ
る。

〔実施例〕

以下に、本発明の実施例を図により説明する。

（実施例１）第１図において、ガス供給集合ボックス１より供給され
たプロセスガスは、マスフローボックス４内のマスフロ
ー５ａ、５ｂにより流量制御され、ウェハー７を収納し
たプロセスチェンバー６に導入された後、メカニカルブ
ースターポンプ８及びロータリーポンプ９により排気処
理されている。また、ガス供給集合ボックス１にはマス
フローチエツク時のガス流量表示部２及びガスラインの
バルブ操作ボックス３が取付けられている。第２図にガ
ス供給集合ボックス１内部の配管系統図を示す。

同図において、プロセスガス使用時はプロセスガス１０
ａはストップバルブｌｌａ、レギュレータ１２ａ、エア
ーオペレイトバルブ１４ａを通って、また、プロセスガ
ス１０ｂはスｉ〜ツブバルブｌｌｂ、レギュレータ１２
ｂ、エアーオペレイトバルブ１４ｂを通ってそれぞれマ
スフローボックス４へ送られる。ここで、プロセスガス
使用時はエアーオペレイトバルブ１４ｃｔ　１４ｄがそ
れぞれ閉状態となっている。さらに。

ガス供給集合ボックス１内のＮ、パージラインにチエツ
ク用マスフロー１３ａ、　１３ｂを組込んである。マス
フロー５ａ、５ｂの実流量をチエツクする場合は。

プロセスガス１０ａ、　１０ｂのボンベバルブを閉状態
にした後、Ｎ２パージガス１０ｃをストップバルブｌｌ
ｃ、レギュレータ］、２ｃを通してそれぞれのチエツク
用マスフロー１３ａ、　１３ｂに供給した後、エアーオ
ペレイトバルブ１４ｃ、　１４ｄを開状態にすることに
より、それぞれのガスラインにＮ２パージガス１０ｃを
導入する。ここで、マスフロー５ａ、５ｂの流量表示と
、チエツク用マスフロー１３ａ、　１３ｂの流量表示を
比較することにより、マスフロー５ａ、　５ｂの実流量
のチエツクが可能となっている。

また、チエツク用マスフロー１３ａ、　１３ｂは常に不
活性ガス雰囲気中にあるため、腐食又は詰まりによる故
障はほとんどなく、長期に信頼性の高い状態で使用可能
となっている。

（実施例２）第３図は本発明の実施例２のガス供給集合ボックスの配
管系統図である。チエツク用マスフロー１３ｂとエアー
オペレイトバルブ１４ｃの中間に、ストップバルブｌｉ
ｄが接続されており、バルブｌｉｄの二次側は配管の取
出しが可能となっている。この実施例ではストップバル
ブｌｉｄの二次側に校正機器を接続することにより、チ
エツク用マスフロー１３ｂも取外すことなく、短時間に
定期校正が可能となっており、マスフローの校正管理が
より信頼性の高いものとなっている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、ガス供給集合ボッ
クス内のＮ２パージラインにチエツク用マスフローを組
込むことにより、プロセスガスの影響による腐食、詰ま
り等を受けにくい状態にして装置本体側のマスフローの
実流量のチエツク、校正ができ、マスフローの流量チエ
ツクが正確に、かつ短時間でできるようになっている。

また、従来取外してチエツク、校正していたことによる
二次的な故障もほとんどなくすることができる。

以上のように本発明によれば、マスフローのチエツク、
校正が短時間にでき、装置稼働率の向上及びガスの流量
管理がしやすくなり、ガス流量のバラツキによる製品不
良等の低減ができるなどのコスト低減等に資する効果は
大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の装置構成の概略図、第２図は第１図の
ガス供給集合ボックスの配管系統図、第３図は実施例２
による配管系統図、第４図は従来の装置構成の概略図、
第５図は第４図のガス供給集合ボックスの配管系統図で
ある。１・・・ガス供給集合ボックス　２・・・ガス流量表示
部３・・・バルブ操作ボックス４・・・マスフローボックス　　５ａ　、　５ｂ・・・
マスフロー６・・・プロセスチェンバー　　７・・・ウ
ェハー８・・・メカニカルブースターポンプ９・・・ロータリーポンプ１０ａ、１０ｂ・・・プロセスガス　　１０ｃ・・・Ｎ
２パージガス１１ａ、ｌｌｂ、ｌｌｃ、１ｌｄ−ストッ
プバルブ１２ａ、１２ｂＪ２ｃｍレギュレータ１３ａ、１３ｂ・・・チエツク用マスフロー１４ａ　、
　１４ｂ　、　１４ｃ　、　１４ｄ−エアーオペレイト
バルブ１５・・・排気系ユニット

Claims

【特許請求の範囲】

（１）マスフローを具備する半導体ウェハーの製造装置
において、ガス供給集合ボックス内のガスラインにマス
フローを組込んだことを特徴とする半導体ウェハーの製
造装置。