JPH0277809A - 圧力制御装置 - Google Patents
圧力制御装置Info
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- JPH0277809A JPH0277809A JP63228388A JP22838888A JPH0277809A JP H0277809 A JPH0277809 A JP H0277809A JP 63228388 A JP63228388 A JP 63228388A JP 22838888 A JP22838888 A JP 22838888A JP H0277809 A JPH0277809 A JP H0277809A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 15
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Fluid Pressure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空または減圧雰囲気で使用される圧力容器
(チャンバー)の圧力制御装置に関し。
(チャンバー)の圧力制御装置に関し。
特に半導体製造装置のチャンバーに適した圧力制御装置
に関するものである。
に関するものである。
従来、真空または減圧雰囲気で使用される半導体製造装
置のチャンバーは、ウェハの露光などの処理を行う主チ
ャンバーに対して、ウェハの供給や回収を行う搬送系を
副チャンバーとして分離して構成している。これは、ウ
ェハを収納したキャリヤの交換時に副チャンバーのみを
ニアリークさせて、全てのチャンバーを大気状態に開放
する手間を省くためである。主チャンバーと副チャンバ
ーの間はゲート弁(ロードロックバルブ)と呼ばれる仕
切り弁を介して連結されているが、副チャンバーを大気
状態に開放する際はこれを閉め切ってしまう。逆に、副
チャンバーを真空または減圧雰囲気にする場合は副チャ
ンバーを真空排気して。
置のチャンバーは、ウェハの露光などの処理を行う主チ
ャンバーに対して、ウェハの供給や回収を行う搬送系を
副チャンバーとして分離して構成している。これは、ウ
ェハを収納したキャリヤの交換時に副チャンバーのみを
ニアリークさせて、全てのチャンバーを大気状態に開放
する手間を省くためである。主チャンバーと副チャンバ
ーの間はゲート弁(ロードロックバルブ)と呼ばれる仕
切り弁を介して連結されているが、副チャンバーを大気
状態に開放する際はこれを閉め切ってしまう。逆に、副
チャンバーを真空または減圧雰囲気にする場合は副チャ
ンバーを真空排気して。
2つのチャンバーの圧力が等しくなったところでゲート
弁を開いている。このとき、各チャンバーの絶対圧力を
大気圧から高真空まで高精度に測定する必要がある。従
来は各チャンバーの圧力の検出をそれぞれのチャンバー
に取付けられた圧力ゲージを使用して行っていた。
弁を開いている。このとき、各チャンバーの絶対圧力を
大気圧から高真空まで高精度に測定する必要がある。従
来は各チャンバーの圧力の検出をそれぞれのチャンバー
に取付けられた圧力ゲージを使用して行っていた。
前記従来技術においては、高価な絶対圧ゲージがチャン
バーの数だけ必要になり、システム全体のコストが高く
なるという問題があった。
バーの数だけ必要になり、システム全体のコストが高く
なるという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであ
って、高価な絶対圧ゲージを用いることなく高精度にチ
ャンバー圧力を測定し制御可能な圧力制御装置の提供を
目的とする。
って、高価な絶対圧ゲージを用いることなく高精度にチ
ャンバー圧力を測定し制御可能な圧力制御装置の提供を
目的とする。
前記目的を達成するため2本発明では、気体供給源から
気体が供給されるガスチャンバー内の圧力を制御する圧
力制御装置であって、主ガスチャンバーと、該主ガスチ
ャンバーに個別の仕切り弁および差圧ゲージを介して連
結された少なくとも一つの副ガスチャンバーと、前記主
ガスチャンバー内の圧力を測定し所定圧力に制御する圧
力制御手段と、前記差圧ゲージの出力によって前記仕切
り弁の開閉制御を行う仕切り弁制御手段とを具備してい
る。
気体が供給されるガスチャンバー内の圧力を制御する圧
力制御装置であって、主ガスチャンバーと、該主ガスチ
ャンバーに個別の仕切り弁および差圧ゲージを介して連
結された少なくとも一つの副ガスチャンバーと、前記主
ガスチャンバー内の圧力を測定し所定圧力に制御する圧
力制御手段と、前記差圧ゲージの出力によって前記仕切
り弁の開閉制御を行う仕切り弁制御手段とを具備してい
る。
主チャンバーは絶対圧に基づいて制御され、副チャンバ
ーは主チャンバーとの差圧に基づいて制御される。
ーは主チャンバーとの差圧に基づいて制御される。
第1図は9本発明の一実施例に係わる圧力制御装置の構
成図である。図において、COは2例えばX線露光装置
などのウェハ処理装置を内包する主チヤンバ−、CIは
その露光装置に対してウェハを供給9回収するウェハ搬
送系を内包する第1の副チヤンバ−、C2は同様にマス
クを供給9回収するマスク搬送系を内包する第2の副チ
ャンバーであり、2つの副チヤンバ−CI、C2はそれ
ぞれゲート弁GVI、GV2および差圧ゲージG1、G
2を介して主チヤンバ−COと連結されている。各ゲー
ト弁は、ウェハおよびマスクを保持した搬送用のハンド
が通り抜けられるのに十分な大きさを有する。各差圧ゲ
ージは主チャンバーに対するそれぞれの副チャンバーの
圧力差を計測するものである。
成図である。図において、COは2例えばX線露光装置
などのウェハ処理装置を内包する主チヤンバ−、CIは
その露光装置に対してウェハを供給9回収するウェハ搬
送系を内包する第1の副チヤンバ−、C2は同様にマス
クを供給9回収するマスク搬送系を内包する第2の副チ
ャンバーであり、2つの副チヤンバ−CI、C2はそれ
ぞれゲート弁GVI、GV2および差圧ゲージG1、G
2を介して主チヤンバ−COと連結されている。各ゲー
ト弁は、ウェハおよびマスクを保持した搬送用のハンド
が通り抜けられるのに十分な大きさを有する。各差圧ゲ
ージは主チャンバーに対するそれぞれの副チャンバーの
圧力差を計測するものである。
30はヘリウムガス供給源であり、主チャンバ一〇〇に
対してはガス流量制御装置FCを通して。
対してはガス流量制御装置FCを通して。
副チヤンバ−CI、C2に対してはそれぞれヘリウム供
給バルブHVI、HV2を通して接続される。40は窒
素ガス供給源であり、主チヤンバ−COおよび副チヤン
バ−CI、C2に対してそれぞれ窒素供給バルブNVO
およびNVI、NV2を通して接続される。
給バルブHVI、HV2を通して接続される。40は窒
素ガス供給源であり、主チヤンバ−COおよび副チヤン
バ−CI、C2に対してそれぞれ窒素供給バルブNVO
およびNVI、NV2を通して接続される。
10は圧力制御回路であり、主チヤンバ−COに取付け
られた絶対圧ゲージGOによって検出した主チャンバー
の圧力が所定の圧力となるように。
られた絶対圧ゲージGOによって検出した主チャンバー
の圧力が所定の圧力となるように。
流量制御装置FCに指令を与えてヘリウムガスの流量を
制御する。これらの絶対圧ゲージGO,流量制御装置F
Cおよび圧力制御回路10で圧力制御手段を構成する。
制御する。これらの絶対圧ゲージGO,流量制御装置F
Cおよび圧力制御回路10で圧力制御手段を構成する。
20は仕切り弁制御手段であるゲート弁制御装置で、各
副チャンバーの差圧ゲージの出力によってそれぞれのゲ
ート弁開閉のタイミングを制御する。
副チャンバーの差圧ゲージの出力によってそれぞれのゲ
ート弁開閉のタイミングを制御する。
TMPはターボ分子ポンプ、RPはロータリーポンプで
直列にして、主チヤンバ−COおよび副チヤンバ−CI
、C2に対してそれぞれ排気バルブX■0およびXVI
、XV2を通して接続さ払チャンバー内のガスを真空排
気する。LVO,LVl、LV2は各チャンバーを大気
開放するためのニアリークバルブである。
直列にして、主チヤンバ−COおよび副チヤンバ−CI
、C2に対してそれぞれ排気バルブX■0およびXVI
、XV2を通して接続さ払チャンバー内のガスを真空排
気する。LVO,LVl、LV2は各チャンバーを大気
開放するためのニアリークバルブである。
上記構成の圧力制御装置の動作について以下に説明する
。まず、未処理のウェハが収納されたキャリヤを大気開
放されたウェハ搬送系の副チヤンバ−01に設置する場
合について説明すると、ゲート弁GVlは閉状態で、副
チヤンバ−01は主チヤンバ−COから分離されている
。また、排気パルプXVI、ニアリークバルブLVIお
よびヘリウム供給バルブHVIは閉じられているが、窒
素供給バルブNVIは開状態で、副チャンバーの扉を開
けても外気が入りにくい状態となっている。
。まず、未処理のウェハが収納されたキャリヤを大気開
放されたウェハ搬送系の副チヤンバ−01に設置する場
合について説明すると、ゲート弁GVlは閉状態で、副
チヤンバ−01は主チヤンバ−COから分離されている
。また、排気パルプXVI、ニアリークバルブLVIお
よびヘリウム供給バルブHVIは閉じられているが、窒
素供給バルブNVIは開状態で、副チャンバーの扉を開
けても外気が入りにくい状態となっている。
一方、主チヤンバ−COでは、排気バルブXVOが開け
られ、2つのポンプTMP、RPによって真空排気され
ながら、絶対圧ゲージGOで検出される圧力がX線露光
時の所定の圧力(例えば。
られ、2つのポンプTMP、RPによって真空排気され
ながら、絶対圧ゲージGOで検出される圧力がX線露光
時の所定の圧力(例えば。
150 torr)となるように圧力制御回路1oによ
って流量制御装置FCに指令が出され、ヘリウムガスの
流量が制御されている。窒素供給バルブN■0.ニアリ
ークバルブLVOは閉じられている。
って流量制御装置FCに指令が出され、ヘリウムガスの
流量が制御されている。窒素供給バルブN■0.ニアリ
ークバルブLVOは閉じられている。
また、マスク搬送用の副チヤンバ−02については、主
チヤンバ−COに対してマスクを搬入できるように、ゲ
ート弁GV2は開状態になっている。従って、ヘリウム
供給バルブHV2は閉じられていて、開状態の排気バル
ブXV2を通してポンプで排気することで主チヤンバ−
COと一体で前述のように圧力制御される。なお、ニア
リークバルブLV2と窒素供給バルブNV2は閉じられ
ている。
チヤンバ−COに対してマスクを搬入できるように、ゲ
ート弁GV2は開状態になっている。従って、ヘリウム
供給バルブHV2は閉じられていて、開状態の排気バル
ブXV2を通してポンプで排気することで主チヤンバ−
COと一体で前述のように圧力制御される。なお、ニア
リークバルブLV2と窒素供給バルブNV2は閉じられ
ている。
以上の状態で副チヤンバ−C1内にウェハキャリヤが設
置されチャンバーの扉が閉じられると。
置されチャンバーの扉が閉じられると。
まず窒素供給バルブNVIが閉じられ、排気パルプXV
Iが開けられて窒素ガスが排気される。そして、差圧ゲ
ージG1によって検出される圧力が高真空(例えば、
0.001torr)になったところでヘリウム供給バ
ルブHVIが開けられる。次に、差圧ゲージG1によっ
て検出される圧力が零になったところで、ヘリウム供給
バルブHVIが閉じられて、ゲート弁制御装置20によ
ってゲート弁GV1が開けられる。以後、副チヤンバ−
CIの圧力はゲート弁GVIを通して主チヤンバ−CO
と一体で制御される。
Iが開けられて窒素ガスが排気される。そして、差圧ゲ
ージG1によって検出される圧力が高真空(例えば、
0.001torr)になったところでヘリウム供給バ
ルブHVIが開けられる。次に、差圧ゲージG1によっ
て検出される圧力が零になったところで、ヘリウム供給
バルブHVIが閉じられて、ゲート弁制御装置20によ
ってゲート弁GV1が開けられる。以後、副チヤンバ−
CIの圧力はゲート弁GVIを通して主チヤンバ−CO
と一体で制御される。
次に、処理済みのウェハが収納されたキャリヤを副チヤ
ンバ−CIから取り出す場合について説明する。まず、
ウェハ搬送用のハンドなどが枦−ト弁GVIをまたいで
いないことを確認して、ゲート弁制御袋W20によって
ゲート弁GVIが閉じられる。そして、窒素供給バルブ
NVIが開けられ、差圧ゲージG1によって検出される
圧力が大気圧と等しくなったところで排気バルブXVI
が閉じられる。そして、副チヤンバ−01の扉が開けら
れ、ウェハキャリヤが取り出される。この場合、大気圧
よりやや高い圧力まで窒素ガスでパージした後、ニアリ
ークバルブLVIを開くようにすれば、チャンバーの扉
を開けるのが容易になる。
ンバ−CIから取り出す場合について説明する。まず、
ウェハ搬送用のハンドなどが枦−ト弁GVIをまたいで
いないことを確認して、ゲート弁制御袋W20によって
ゲート弁GVIが閉じられる。そして、窒素供給バルブ
NVIが開けられ、差圧ゲージG1によって検出される
圧力が大気圧と等しくなったところで排気バルブXVI
が閉じられる。そして、副チヤンバ−01の扉が開けら
れ、ウェハキャリヤが取り出される。この場合、大気圧
よりやや高い圧力まで窒素ガスでパージした後、ニアリ
ークバルブLVIを開くようにすれば、チャンバーの扉
を開けるのが容易になる。
なお、マスクを収納したカセットを副チヤンバ−C2に
設置したり、取り出したりする場合も同様の手順で行わ
れる。
設置したり、取り出したりする場合も同様の手順で行わ
れる。
以上説明したように9本発明においては、主チャンバー
に対して仕切り弁を介して連結された複数の副チャンバ
ーを有する圧力制御装置において。
に対して仕切り弁を介して連結された複数の副チャンバ
ーを有する圧力制御装置において。
主チャンバーを絶対圧で、各副チャンバーをその差圧で
圧力制御することにより、高価な絶対圧センサーを多数
用いる必要がなくなり、安価な差圧センサーで絶対圧セ
ンサーと同精度の圧力制御が可能となり装置全体のコス
ト低減が図られる。
圧力制御することにより、高価な絶対圧センサーを多数
用いる必要がなくなり、安価な差圧センサーで絶対圧セ
ンサーと同精度の圧力制御が可能となり装置全体のコス
ト低減が図られる。
第1図は本発明に係わる圧力制御装置の構成図である。
10・・・圧力制御回路。
20・・・ゲート弁制御装置。
30・・・ヘリウムガス供給源。
40・・・窒素ガス供給源。
CO・・・主チヤンバ−。
CI、C2・・・副チヤンバ−。
FC・・・ガス流量制御装置。
GO・・・絶対圧ゲージ。
Gl、G2・−・差圧ゲージ。
GVI、GV2・・・ゲート弁。
HVI、HV2・・・ヘリウム供給バルブ。
LVO,LVI、LV2−−−17 ’J −クハJL
tブ。 NVO,NVI、NV2 ・・・窒素供給バルブ。 XVO,XVl、XV2− ・−排気バルブ。 TMP・・・ターボ分子ポンプ。 RP・・・ロータリーポンプ。
tブ。 NVO,NVI、NV2 ・・・窒素供給バルブ。 XVO,XVl、XV2− ・−排気バルブ。 TMP・・・ターボ分子ポンプ。 RP・・・ロータリーポンプ。
Claims (6)
- (1)気体供給源から気体が供給されるガスチャンバー
内の圧力を制御する圧力制御装置であって、主ガスチャ
ンバーと、該主ガスチャンバーに個別の仕切り弁および
差圧ゲージを介して連結された少なくとも一つの副ガス
チャンバーと、前記主ガスチャンバー内の圧力を測定し
所定圧力に制御する圧力制御手段と、前記差圧ゲージの
出力によって前記仕切り弁の開閉制御を行う仕切り弁制
御手段とを具備したことを特徴とする圧力制御装置。 - (2)前記気体はヘリウムガスであり、主ガスチャンバ
ーはX線露光装置用のチャンバーであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の圧力制御装置。 - (3)前記副ガスチャンバーの一つは主ガスチャンバー
に対して、ウェハの供給または回収を行うウェハ搬送系
のチャンバーであることを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載の圧力制御装置。 - (4)副ガスチャンバーの一つは主ガスチャンバーに対
して、マスクの供給または回収を行うマスク搬送系のチ
ャンバーであることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の圧力制御装置。 - (5)前記主ガスチャンバーおよび副ガス チャンバーは個別の大気リーク弁を有し、該主ガスチャ
ンバーおよび副ガスチャンバーに対 する窒素ガス供給手段を備えたことを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の圧力制御装置。 - (6)前記主ガスチャンバーおよび副ガスチャンバーを
真空排気するための真空排気手段を具備したことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の圧力制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63228388A JPH0277809A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 圧力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63228388A JPH0277809A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 圧力制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0277809A true JPH0277809A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16875687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63228388A Pending JPH0277809A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 圧力制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0277809A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002054463A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63228388A patent/JPH0277809A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002054463A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition |
US6922910B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-08-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
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