JPH0277809A - 圧力制御装置 - Google Patents
圧力制御装置Info
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- JPH0277809A JPH0277809A JP63228388A JP22838888A JPH0277809A JP H0277809 A JPH0277809 A JP H0277809A JP 63228388 A JP63228388 A JP 63228388A JP 22838888 A JP22838888 A JP 22838888A JP H0277809 A JPH0277809 A JP H0277809A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 15
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Fluid Pressure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空または減圧雰囲気で使用される圧力容器
（チャンバー）の圧力制御装置に関し。
（チャンバー）の圧力制御装置に関し。
特に半導体製造装置のチャンバーに適した圧力制御装置
に関するものである。
に関するものである。
従来、真空または減圧雰囲気で使用される半導体製造装
置のチャンバーは、ウェハの露光などの処理を行う主チ
ャンバーに対して、ウェハの供給や回収を行う搬送系を
副チャンバーとして分離して構成している。これは、ウ
ェハを収納したキャリヤの交換時に副チャンバーのみを
ニアリークさせて、全てのチャンバーを大気状態に開放
する手間を省くためである。主チャンバーと副チャンバ
ーの間はゲート弁（ロードロックバルブ）と呼ばれる仕
切り弁を介して連結されているが、副チャンバーを大気
状態に開放する際はこれを閉め切ってしまう。逆に、副
チャンバーを真空または減圧雰囲気にする場合は副チャ
ンバーを真空排気して。
置のチャンバーは、ウェハの露光などの処理を行う主チ
ャンバーに対して、ウェハの供給や回収を行う搬送系を
副チャンバーとして分離して構成している。これは、ウ
ェハを収納したキャリヤの交換時に副チャンバーのみを
ニアリークさせて、全てのチャンバーを大気状態に開放
する手間を省くためである。主チャンバーと副チャンバ
ーの間はゲート弁（ロードロックバルブ）と呼ばれる仕
切り弁を介して連結されているが、副チャンバーを大気
状態に開放する際はこれを閉め切ってしまう。逆に、副
チャンバーを真空または減圧雰囲気にする場合は副チャ
ンバーを真空排気して。
２つのチャンバーの圧力が等しくなったところでゲート
弁を開いている。このとき、各チャンバーの絶対圧力を
大気圧から高真空まで高精度に測定する必要がある。従
来は各チャンバーの圧力の検出をそれぞれのチャンバー
に取付けられた圧力ゲージを使用して行っていた。
弁を開いている。このとき、各チャンバーの絶対圧力を
大気圧から高真空まで高精度に測定する必要がある。従
来は各チャンバーの圧力の検出をそれぞれのチャンバー
に取付けられた圧力ゲージを使用して行っていた。
前記従来技術においては、高価な絶対圧ゲージがチャン
バーの数だけ必要になり、システム全体のコストが高く
なるという問題があった。
バーの数だけ必要になり、システム全体のコストが高く
なるという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであ
って、高価な絶対圧ゲージを用いることなく高精度にチ
ャンバー圧力を測定し制御可能な圧力制御装置の提供を
目的とする。
って、高価な絶対圧ゲージを用いることなく高精度にチ
ャンバー圧力を測定し制御可能な圧力制御装置の提供を
目的とする。
前記目的を達成するため２本発明では、気体供給源から
気体が供給されるガスチャンバー内の圧力を制御する圧
力制御装置であって、主ガスチャンバーと、該主ガスチ
ャンバーに個別の仕切り弁および差圧ゲージを介して連
結された少なくとも一つの副ガスチャンバーと、前記主
ガスチャンバー内の圧力を測定し所定圧力に制御する圧
力制御手段と、前記差圧ゲージの出力によって前記仕切
り弁の開閉制御を行う仕切り弁制御手段とを具備してい
る。
気体が供給されるガスチャンバー内の圧力を制御する圧
力制御装置であって、主ガスチャンバーと、該主ガスチ
ャンバーに個別の仕切り弁および差圧ゲージを介して連
結された少なくとも一つの副ガスチャンバーと、前記主
ガスチャンバー内の圧力を測定し所定圧力に制御する圧
力制御手段と、前記差圧ゲージの出力によって前記仕切
り弁の開閉制御を行う仕切り弁制御手段とを具備してい
る。
主チャンバーは絶対圧に基づいて制御され、副チャンバ
ーは主チャンバーとの差圧に基づいて制御される。
ーは主チャンバーとの差圧に基づいて制御される。
第１図は９本発明の一実施例に係わる圧力制御装置の構
成図である。図において、ＣＯは２例えばＸ線露光装置
などのウェハ処理装置を内包する主チヤンバ−、ＣＩは
その露光装置に対してウェハを供給９回収するウェハ搬
送系を内包する第１の副チヤンバ−、Ｃ２は同様にマス
クを供給９回収するマスク搬送系を内包する第２の副チ
ャンバーであり、２つの副チヤンバ−ＣＩ、Ｃ２はそれ
ぞれゲート弁ＧＶＩ、ＧＶ２および差圧ゲージＧ１、Ｇ
２を介して主チヤンバ−ＣＯと連結されている。各ゲー
ト弁は、ウェハおよびマスクを保持した搬送用のハンド
が通り抜けられるのに十分な大きさを有する。各差圧ゲ
ージは主チャンバーに対するそれぞれの副チャンバーの
圧力差を計測するものである。
成図である。図において、ＣＯは２例えばＸ線露光装置
などのウェハ処理装置を内包する主チヤンバ−、ＣＩは
その露光装置に対してウェハを供給９回収するウェハ搬
送系を内包する第１の副チヤンバ−、Ｃ２は同様にマス
クを供給９回収するマスク搬送系を内包する第２の副チ
ャンバーであり、２つの副チヤンバ−ＣＩ、Ｃ２はそれ
ぞれゲート弁ＧＶＩ、ＧＶ２および差圧ゲージＧ１、Ｇ
２を介して主チヤンバ−ＣＯと連結されている。各ゲー
ト弁は、ウェハおよびマスクを保持した搬送用のハンド
が通り抜けられるのに十分な大きさを有する。各差圧ゲ
ージは主チャンバーに対するそれぞれの副チャンバーの
圧力差を計測するものである。
３０はヘリウムガス供給源であり、主チャンバ一〇〇に
対してはガス流量制御装置ＦＣを通して。
対してはガス流量制御装置ＦＣを通して。
副チヤンバ−ＣＩ、Ｃ２に対してはそれぞれヘリウム供
給バルブＨＶＩ、ＨＶ２を通して接続される。４０は窒
素ガス供給源であり、主チヤンバ−ＣＯおよび副チヤン
バ−ＣＩ、Ｃ２に対してそれぞれ窒素供給バルブＮＶＯ
およびＮＶＩ、ＮＶ２を通して接続される。
給バルブＨＶＩ、ＨＶ２を通して接続される。４０は窒
素ガス供給源であり、主チヤンバ−ＣＯおよび副チヤン
バ−ＣＩ、Ｃ２に対してそれぞれ窒素供給バルブＮＶＯ
およびＮＶＩ、ＮＶ２を通して接続される。
１０は圧力制御回路であり、主チヤンバ−ＣＯに取付け
られた絶対圧ゲージＧＯによって検出した主チャンバー
の圧力が所定の圧力となるように。
られた絶対圧ゲージＧＯによって検出した主チャンバー
の圧力が所定の圧力となるように。
流量制御装置ＦＣに指令を与えてヘリウムガスの流量を
制御する。これらの絶対圧ゲージＧＯ，流量制御装置Ｆ
Ｃおよび圧力制御回路１０で圧力制御手段を構成する。
制御する。これらの絶対圧ゲージＧＯ，流量制御装置Ｆ
Ｃおよび圧力制御回路１０で圧力制御手段を構成する。
２０は仕切り弁制御手段であるゲート弁制御装置で、各
副チャンバーの差圧ゲージの出力によってそれぞれのゲ
ート弁開閉のタイミングを制御する。
副チャンバーの差圧ゲージの出力によってそれぞれのゲ
ート弁開閉のタイミングを制御する。
ＴＭＰはターボ分子ポンプ、ＲＰはロータリーポンプで
直列にして、主チヤンバ−ＣＯおよび副チヤンバ−ＣＩ
、Ｃ２に対してそれぞれ排気バルブＸ■０およびＸＶＩ
、ＸＶ２を通して接続さ払チャンバー内のガスを真空排
気する。ＬＶＯ，ＬＶｌ、ＬＶ２は各チャンバーを大気
開放するためのニアリークバルブである。
直列にして、主チヤンバ−ＣＯおよび副チヤンバ−ＣＩ
、Ｃ２に対してそれぞれ排気バルブＸ■０およびＸＶＩ
、ＸＶ２を通して接続さ払チャンバー内のガスを真空排
気する。ＬＶＯ，ＬＶｌ、ＬＶ２は各チャンバーを大気
開放するためのニアリークバルブである。
上記構成の圧力制御装置の動作について以下に説明する
。まず、未処理のウェハが収納されたキャリヤを大気開
放されたウェハ搬送系の副チヤンバ−０１に設置する場
合について説明すると、ゲート弁ＧＶｌは閉状態で、副
チヤンバ−０１は主チヤンバ−ＣＯから分離されている
。また、排気パルプＸＶＩ、ニアリークバルブＬＶＩお
よびヘリウム供給バルブＨＶＩは閉じられているが、窒
素供給バルブＮＶＩは開状態で、副チャンバーの扉を開
けても外気が入りにくい状態となっている。
。まず、未処理のウェハが収納されたキャリヤを大気開
放されたウェハ搬送系の副チヤンバ−０１に設置する場
合について説明すると、ゲート弁ＧＶｌは閉状態で、副
チヤンバ−０１は主チヤンバ−ＣＯから分離されている
。また、排気パルプＸＶＩ、ニアリークバルブＬＶＩお
よびヘリウム供給バルブＨＶＩは閉じられているが、窒
素供給バルブＮＶＩは開状態で、副チャンバーの扉を開
けても外気が入りにくい状態となっている。
一方、主チヤンバ−ＣＯでは、排気バルブＸＶＯが開け
られ、２つのポンプＴＭＰ、ＲＰによって真空排気され
ながら、絶対圧ゲージＧＯで検出される圧力がＸ線露光
時の所定の圧力（例えば。
られ、２つのポンプＴＭＰ、ＲＰによって真空排気され
ながら、絶対圧ゲージＧＯで検出される圧力がＸ線露光
時の所定の圧力（例えば。
１５０ ｔｏｒｒ）となるように圧力制御回路１ｏによ
って流量制御装置ＦＣに指令が出され、ヘリウムガスの
流量が制御されている。窒素供給バルブＮ■０．ニアリ
ークバルブＬＶＯは閉じられている。
って流量制御装置ＦＣに指令が出され、ヘリウムガスの
流量が制御されている。窒素供給バルブＮ■０．ニアリ
ークバルブＬＶＯは閉じられている。
また、マスク搬送用の副チヤンバ−０２については、主
チヤンバ−ＣＯに対してマスクを搬入できるように、ゲ
ート弁ＧＶ２は開状態になっている。従って、ヘリウム
供給バルブＨＶ２は閉じられていて、開状態の排気バル
ブＸＶ２を通してポンプで排気することで主チヤンバ−
ＣＯと一体で前述のように圧力制御される。なお、ニア
リークバルブＬＶ２と窒素供給バルブＮＶ２は閉じられ
ている。
チヤンバ−ＣＯに対してマスクを搬入できるように、ゲ
ート弁ＧＶ２は開状態になっている。従って、ヘリウム
供給バルブＨＶ２は閉じられていて、開状態の排気バル
ブＸＶ２を通してポンプで排気することで主チヤンバ−
ＣＯと一体で前述のように圧力制御される。なお、ニア
リークバルブＬＶ２と窒素供給バルブＮＶ２は閉じられ
ている。
以上の状態で副チヤンバ−Ｃ１内にウェハキャリヤが設
置されチャンバーの扉が閉じられると。
置されチャンバーの扉が閉じられると。
まず窒素供給バルブＮＶＩが閉じられ、排気パルプＸＶ
Ｉが開けられて窒素ガスが排気される。そして、差圧ゲ
ージＧ１によって検出される圧力が高真空（例えば、
０．００１ｔｏｒｒ）になったところでヘリウム供給バ
ルブＨＶＩが開けられる。次に、差圧ゲージＧ１によっ
て検出される圧力が零になったところで、ヘリウム供給
バルブＨＶＩが閉じられて、ゲート弁制御装置２０によ
ってゲート弁ＧＶ１が開けられる。以後、副チヤンバ−
ＣＩの圧力はゲート弁ＧＶＩを通して主チヤンバ−ＣＯ
と一体で制御される。
Ｉが開けられて窒素ガスが排気される。そして、差圧ゲ
ージＧ１によって検出される圧力が高真空（例えば、
０．００１ｔｏｒｒ）になったところでヘリウム供給バ
ルブＨＶＩが開けられる。次に、差圧ゲージＧ１によっ
て検出される圧力が零になったところで、ヘリウム供給
バルブＨＶＩが閉じられて、ゲート弁制御装置２０によ
ってゲート弁ＧＶ１が開けられる。以後、副チヤンバ−
ＣＩの圧力はゲート弁ＧＶＩを通して主チヤンバ−ＣＯ
と一体で制御される。
次に、処理済みのウェハが収納されたキャリヤを副チヤ
ンバ−ＣＩから取り出す場合について説明する。まず、
ウェハ搬送用のハンドなどが枦−ト弁ＧＶＩをまたいで
いないことを確認して、ゲート弁制御袋Ｗ２０によって
ゲート弁ＧＶＩが閉じられる。そして、窒素供給バルブ
ＮＶＩが開けられ、差圧ゲージＧ１によって検出される
圧力が大気圧と等しくなったところで排気バルブＸＶＩ
が閉じられる。そして、副チヤンバ−０１の扉が開けら
れ、ウェハキャリヤが取り出される。この場合、大気圧
よりやや高い圧力まで窒素ガスでパージした後、ニアリ
ークバルブＬＶＩを開くようにすれば、チャンバーの扉
を開けるのが容易になる。
ンバ−ＣＩから取り出す場合について説明する。まず、
ウェハ搬送用のハンドなどが枦−ト弁ＧＶＩをまたいで
いないことを確認して、ゲート弁制御袋Ｗ２０によって
ゲート弁ＧＶＩが閉じられる。そして、窒素供給バルブ
ＮＶＩが開けられ、差圧ゲージＧ１によって検出される
圧力が大気圧と等しくなったところで排気バルブＸＶＩ
が閉じられる。そして、副チヤンバ−０１の扉が開けら
れ、ウェハキャリヤが取り出される。この場合、大気圧
よりやや高い圧力まで窒素ガスでパージした後、ニアリ
ークバルブＬＶＩを開くようにすれば、チャンバーの扉
を開けるのが容易になる。
なお、マスクを収納したカセットを副チヤンバ−Ｃ２に
設置したり、取り出したりする場合も同様の手順で行わ
れる。
設置したり、取り出したりする場合も同様の手順で行わ
れる。
以上説明したように９本発明においては、主チャンバー
に対して仕切り弁を介して連結された複数の副チャンバ
ーを有する圧力制御装置において。
に対して仕切り弁を介して連結された複数の副チャンバ
ーを有する圧力制御装置において。
主チャンバーを絶対圧で、各副チャンバーをその差圧で
圧力制御することにより、高価な絶対圧センサーを多数
用いる必要がなくなり、安価な差圧センサーで絶対圧セ
ンサーと同精度の圧力制御が可能となり装置全体のコス
ト低減が図られる。
圧力制御することにより、高価な絶対圧センサーを多数
用いる必要がなくなり、安価な差圧センサーで絶対圧セ
ンサーと同精度の圧力制御が可能となり装置全体のコス
ト低減が図られる。
第１図は本発明に係わる圧力制御装置の構成図である。
１０・・・圧力制御回路。
２０・・・ゲート弁制御装置。
３０・・・ヘリウムガス供給源。
４０・・・窒素ガス供給源。
ＣＯ・・・主チヤンバ−。
ＣＩ、Ｃ２・・・副チヤンバ−。
ＦＣ・・・ガス流量制御装置。
ＧＯ・・・絶対圧ゲージ。
Ｇｌ、Ｇ２・−・差圧ゲージ。
ＧＶＩ、ＧＶ２・・・ゲート弁。
ＨＶＩ、ＨＶ２・・・ヘリウム供給バルブ。
ＬＶＯ，ＬＶＩ、ＬＶ２−−−１７ ’Ｊ −クハＪＬ
ｔブ。 ＮＶＯ，ＮＶＩ、ＮＶ２ ・・・窒素供給バルブ。 ＸＶＯ，ＸＶｌ、ＸＶ２− ・−排気バルブ。 ＴＭＰ・・・ターボ分子ポンプ。 ＲＰ・・・ロータリーポンプ。
ｔブ。 ＮＶＯ，ＮＶＩ、ＮＶ２ ・・・窒素供給バルブ。 ＸＶＯ，ＸＶｌ、ＸＶ２− ・−排気バルブ。 ＴＭＰ・・・ターボ分子ポンプ。 ＲＰ・・・ロータリーポンプ。
Claims (6)
- （１）気体供給源から気体が供給されるガスチャンバー
内の圧力を制御する圧力制御装置であって、主ガスチャ
ンバーと、該主ガスチャンバーに個別の仕切り弁および
差圧ゲージを介して連結された少なくとも一つの副ガス
チャンバーと、前記主ガスチャンバー内の圧力を測定し
所定圧力に制御する圧力制御手段と、前記差圧ゲージの
出力によって前記仕切り弁の開閉制御を行う仕切り弁制
御手段とを具備したことを特徴とする圧力制御装置。 - （２）前記気体はヘリウムガスであり、主ガスチャンバ
ーはＸ線露光装置用のチャンバーであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の圧力制御装置。 - （３）前記副ガスチャンバーの一つは主ガスチャンバー
に対して、ウェハの供給または回収を行うウェハ搬送系
のチャンバーであることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の圧力制御装置。 - （４）副ガスチャンバーの一つは主ガスチャンバーに対
して、マスクの供給または回収を行うマスク搬送系のチ
ャンバーであることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の圧力制御装置。 - （５）前記主ガスチャンバーおよび副ガス チャンバーは個別の大気リーク弁を有し、該主ガスチャ
ンバーおよび副ガスチャンバーに対 する窒素ガス供給手段を備えたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の圧力制御装置。 - （６）前記主ガスチャンバーおよび副ガスチャンバーを
真空排気するための真空排気手段を具備したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の圧力制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228388A JPH0277809A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 圧力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228388A JPH0277809A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 圧力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277809A true JPH0277809A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16875687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63228388A Pending JPH0277809A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 圧力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0277809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054463A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63228388A patent/JPH0277809A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054463A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition |
| US6922910B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-08-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
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