JPH0419899B2 - - Google Patents
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- JPH0419899B2 JPH0419899B2 JP19461486A JP19461486A JPH0419899B2 JP H0419899 B2 JPH0419899 B2 JP H0419899B2 JP 19461486 A JP19461486 A JP 19461486A JP 19461486 A JP19461486 A JP 19461486A JP H0419899 B2 JPH0419899 B2 JP H0419899B2
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- gas
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Landscapes
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
〔概要〕
半導体装置の製造に使用されるCVD装置の配
管系などに対し、その内部の化学物質ガスを不活
性ガスに置換し、あるいは不活性ガスを化学物質
ガスに置換する処理を行う装置であつて、前記配
管系内のガスを排気するポンプ装置と、排気され
たガスを一時的に蓄積保持するタンク装置と、置
換ガスを前記配管系に供給し充填する装置と、前
記配管系に接続されてその圧力を測定する装置
と、排気動作／充気動作の繰り返し回数を計数す
る装置（或いは排気ガスの成分を測定する装置）
を含んで成り、更にこの置換装置は移送装置に積
載された構成となつている。 配管系内のガスの置換作業ではポンプ装置によ
る配管系内のガスの排気と置換装置に備えられた
ガスの送入が繰り返される。ガスの排気／送入の
切り換えは圧力の測定により、繰り返しの終了は
計数結果（或いは排気ガス成分の測定値）によつ
て決定される。 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造などに利用される気
相化学反応装置の保守作業に関わるものであつ
て、特に気相化学反応装置の配管系内のガスを置
換するための装置に関わるものである。 半導体装置の製造に於いて気相化学物質の反応
を利用して所望の材料層を基板上に堆積させる方
法、いわゆるCVD、が多用されている。CVD装
置には、当然のことながら原料ガスを反応装置に
輸送し、反応後の廃ガスを排出する配管系が付属
している。この配管系は僅かな汚染も避けなけれ
ばならないので、高度に気密な構造となつてお
り、通常その内部が大気に触れることはない。 而し乍ら実作業では、原料ガスボンベの交換時
や分解洗浄の際には配管系の一部分或いは全部を
大気中に開放しなければならず、またCVD装置
の休止期間中は原料ガスを配管内に滞留させてお
くのは好ましくないので、これ等の場合、配管内
のガスを高純度窒素ガスのような不活性ガスに置
換する処理が必要である。 CVD用の化学物質ガス（以下、これを実ガス
と称する）には毒性、自燃性、爆発性など有害な
性質を持つものが多いので、置換事に配管系から
抜き取つたガスは吸着剤に吸着させる等の処理を
行わなければならず、更に、繰り返しによつて置
換を完全なものとしなければならない。これは作
業開始時に配管内の窒素ガスを実ガスに置換する
場合も同様である。 〔従来の技術〕 配管系内のガスの置換は、実ガスボンベ接続部
に窒素ガスボンベも併せて接続しておき、実ガス
のバルブを閉じて窒素ガスのバルブを開き、窒素
ガスによつて流し出すことが行われている。ま
た、CVDは被覆性改善等の目的で数torr程度に
減圧して実行することがあり、そのためCVD装
置には排気装置を備えたものが多いので、その排
気機能を利用して有害な実ガスを抜き取り窒素ガ
スを流し込む方法も採られている。 これ等の方法では経験的に処理時間や回数を設
定し、完全な置換が行われるよう配慮することが
必要である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 半導体装置の製造に用いられるCVD装置では、
原料ガスの流量が僅少であり且つ精密に制御しな
ければならないので、配管系は多量のガスを流す
のに適した構造にはなつていない。そのため配管
内のガスを十分に置換するのに長時間を要する。
更に、減圧CVD用の排気装置は高真空の実現を
目的とするものではなく、所定の低圧を維持する
ためのものであるから排気能力は低く、これも配
管内ガスの置換に長時間を要する原因となつてい
る。 また、通常のCVD装置では原料供給部と排気
処理部が近接して設けられる場合は稀なので、こ
れもガス置換処理の作業性を悪くしている。 本発明の目的は配管系内のガスの置換作業を速
やかに行い得る配管ガス置換装置を提供すること
であり、更に、配管系の一箇所に接続することに
よつてガスの抜き取りと充満を行うことが出来る
可搬型のガス置換装置を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の装置はガス置換処理の対象となる配管
系に接続する部分と、配管系を排気するためのポ
ンプ装置と、置換ガスを送り込むための置換ガス
供給部と、配管系内の圧力を測定する圧力計と、
配管系内のガスの成分を推定或いは測定するため
に具えられた排気／充気の繰り返し回数カウンタ
あるいはガスセンサと、ポンプによつて排出した
ガスを蓄積するタンクを具え、更に本発明の装置
は台車上に載置するなどの構成によつて移動可能
になつている。 〔作用〕 本発明の装置は専用の排気ポンプを具えてお
り、また置換ガスは自装置に用意されたボンベか
ら送り込むので、配管系のガスの入れ換えが速や
かに行われる。排気或いは充気は圧力計で監視し
ながら行うので、所定の圧力に達すれば直ちに次
の操作に入ることが可能であり、この点も作業時
間の短縮に効果がある。 更に、排気／充気の繰り返し回数をカウント
し、所定の回数に達したら作業を終了する。これ
はガスセンサを使用して実ガス成分が所定の値以
下になつたところで終了としてもよい。全体が移
送可能になついるので、これを１セツト用意して
おけば複数のCVD装置の保守に利用することが
できる。 また、操作が体系的なので、処理手順をシーケ
ンサに書き込んで自動装置とすることも可能であ
る。 〔実施例〕 第１図は実施例の装置の構成を模式的に示す図
である。１は処理対象配管系に接続する接続口、
２は排気ポンプ、３は排ガスタンク、４はスイツ
チ回路付圧力計、５，６は吸着筒、７は外囲容
器、８は置換ガスボンベであり、VD１〜VD１
１は空気作動バルブ、RVはレギユレータ、Ｖは
ブロー用バルブである。装置全体は台車９のよう
な移送装置に積載され、任意の場所に移動して使
用し得る構成となつている。 排気ポンプ２は配管系の汚染を避けるためオイ
ルフリーのものが使用される。例えばダイヤフラ
ムポンプ、ターボポンプ等であり、メカニカルブ
ースターが使用されることもある。従来メカニカ
ルブースターは圧力差が大きいと効率が低下する
ので単独では使用し得なかつたが、近年改良され
た結果、冷却装置を併用して大気圧下で使用する
ことが可能になつた。 このポンプは化学的に活性なガスを扱うもので
あるから、ガスに接触する部分の材質についての
配慮が必要であり、ステンレス鋼や弗素樹脂が用
いられる。 最初に第１図を参照しながらCVD装置の配管
系の実ガスを窒素ガスに置換する操作を説明す
る。ガス置換操作のフローチヤートが第２図に示
されており、併せて参照される。 接続口１をCVD装置の配管に接続する。排出
するガスの種類に合わせて吸着筒５，６を選択
し、その出入口のバルブを開く。第１図には示さ
れないカウンタを０にリセツトし、VD１および
VD１１を開き、圧力計４で配管系の圧力を監視
しながら排気ポンプ２を作動させる。 ポンプの排ガスは吸着筒で有害成分が吸着さ
れ、残りのガスは排ガスタンク３に貯蔵される。
この排ガスタンクはポリエチレンのシートで気密
に且つ変形自由に作られている。排ガスタンクを
収容している外囲容器７には予め窒素ガスが充填
してあるが、排ガスタンクが膨満するのに応じて
VD１１から押し出される。 圧力計４は連成計であつてその指示が、例えば
−0.86Kg／cm2に達すると付属のスイツチ回路が作
動してVD１，VD１１を閉じ、排気ポンプを停
止する。 続いてVD２を開き、配管系に窒素ガスを充填
してゆく。この時も圧力を監視し、２Kg／cm2に達
したらスイツチ回路が作動してVD２閉じ、カウ
ンタを１だけ進めて上述の排気動作に戻る。 このように排気／充気を繰り返し、カウンタの
指示が所定の数、例えば10、に達したら窒素ガス
への置換は完了したものとして各バルブを閉じ、
配管系との接続を切り離す。配管系側の接続口に
もバルブが設けられていることは勿論である。 上記動作例では、窒素ガスへの置換が完了した
ことを排気／充気の繰り返し回数から推定してい
るが、排気ポンプの入口に実ガス用のセンサを設
け、実ガスが検出されなくなるまで排気／充気を
繰り返すようにしてもよい。
管系などに対し、その内部の化学物質ガスを不活
性ガスに置換し、あるいは不活性ガスを化学物質
ガスに置換する処理を行う装置であつて、前記配
管系内のガスを排気するポンプ装置と、排気され
たガスを一時的に蓄積保持するタンク装置と、置
換ガスを前記配管系に供給し充填する装置と、前
記配管系に接続されてその圧力を測定する装置
と、排気動作／充気動作の繰り返し回数を計数す
る装置（或いは排気ガスの成分を測定する装置）
を含んで成り、更にこの置換装置は移送装置に積
載された構成となつている。 配管系内のガスの置換作業ではポンプ装置によ
る配管系内のガスの排気と置換装置に備えられた
ガスの送入が繰り返される。ガスの排気／送入の
切り換えは圧力の測定により、繰り返しの終了は
計数結果（或いは排気ガス成分の測定値）によつ
て決定される。 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造などに利用される気
相化学反応装置の保守作業に関わるものであつ
て、特に気相化学反応装置の配管系内のガスを置
換するための装置に関わるものである。 半導体装置の製造に於いて気相化学物質の反応
を利用して所望の材料層を基板上に堆積させる方
法、いわゆるCVD、が多用されている。CVD装
置には、当然のことながら原料ガスを反応装置に
輸送し、反応後の廃ガスを排出する配管系が付属
している。この配管系は僅かな汚染も避けなけれ
ばならないので、高度に気密な構造となつてお
り、通常その内部が大気に触れることはない。 而し乍ら実作業では、原料ガスボンベの交換時
や分解洗浄の際には配管系の一部分或いは全部を
大気中に開放しなければならず、またCVD装置
の休止期間中は原料ガスを配管内に滞留させてお
くのは好ましくないので、これ等の場合、配管内
のガスを高純度窒素ガスのような不活性ガスに置
換する処理が必要である。 CVD用の化学物質ガス（以下、これを実ガス
と称する）には毒性、自燃性、爆発性など有害な
性質を持つものが多いので、置換事に配管系から
抜き取つたガスは吸着剤に吸着させる等の処理を
行わなければならず、更に、繰り返しによつて置
換を完全なものとしなければならない。これは作
業開始時に配管内の窒素ガスを実ガスに置換する
場合も同様である。 〔従来の技術〕 配管系内のガスの置換は、実ガスボンベ接続部
に窒素ガスボンベも併せて接続しておき、実ガス
のバルブを閉じて窒素ガスのバルブを開き、窒素
ガスによつて流し出すことが行われている。ま
た、CVDは被覆性改善等の目的で数torr程度に
減圧して実行することがあり、そのためCVD装
置には排気装置を備えたものが多いので、その排
気機能を利用して有害な実ガスを抜き取り窒素ガ
スを流し込む方法も採られている。 これ等の方法では経験的に処理時間や回数を設
定し、完全な置換が行われるよう配慮することが
必要である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 半導体装置の製造に用いられるCVD装置では、
原料ガスの流量が僅少であり且つ精密に制御しな
ければならないので、配管系は多量のガスを流す
のに適した構造にはなつていない。そのため配管
内のガスを十分に置換するのに長時間を要する。
更に、減圧CVD用の排気装置は高真空の実現を
目的とするものではなく、所定の低圧を維持する
ためのものであるから排気能力は低く、これも配
管内ガスの置換に長時間を要する原因となつてい
る。 また、通常のCVD装置では原料供給部と排気
処理部が近接して設けられる場合は稀なので、こ
れもガス置換処理の作業性を悪くしている。 本発明の目的は配管系内のガスの置換作業を速
やかに行い得る配管ガス置換装置を提供すること
であり、更に、配管系の一箇所に接続することに
よつてガスの抜き取りと充満を行うことが出来る
可搬型のガス置換装置を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の装置はガス置換処理の対象となる配管
系に接続する部分と、配管系を排気するためのポ
ンプ装置と、置換ガスを送り込むための置換ガス
供給部と、配管系内の圧力を測定する圧力計と、
配管系内のガスの成分を推定或いは測定するため
に具えられた排気／充気の繰り返し回数カウンタ
あるいはガスセンサと、ポンプによつて排出した
ガスを蓄積するタンクを具え、更に本発明の装置
は台車上に載置するなどの構成によつて移動可能
になつている。 〔作用〕 本発明の装置は専用の排気ポンプを具えてお
り、また置換ガスは自装置に用意されたボンベか
ら送り込むので、配管系のガスの入れ換えが速や
かに行われる。排気或いは充気は圧力計で監視し
ながら行うので、所定の圧力に達すれば直ちに次
の操作に入ることが可能であり、この点も作業時
間の短縮に効果がある。 更に、排気／充気の繰り返し回数をカウント
し、所定の回数に達したら作業を終了する。これ
はガスセンサを使用して実ガス成分が所定の値以
下になつたところで終了としてもよい。全体が移
送可能になついるので、これを１セツト用意して
おけば複数のCVD装置の保守に利用することが
できる。 また、操作が体系的なので、処理手順をシーケ
ンサに書き込んで自動装置とすることも可能であ
る。 〔実施例〕 第１図は実施例の装置の構成を模式的に示す図
である。１は処理対象配管系に接続する接続口、
２は排気ポンプ、３は排ガスタンク、４はスイツ
チ回路付圧力計、５，６は吸着筒、７は外囲容
器、８は置換ガスボンベであり、VD１〜VD１
１は空気作動バルブ、RVはレギユレータ、Ｖは
ブロー用バルブである。装置全体は台車９のよう
な移送装置に積載され、任意の場所に移動して使
用し得る構成となつている。 排気ポンプ２は配管系の汚染を避けるためオイ
ルフリーのものが使用される。例えばダイヤフラ
ムポンプ、ターボポンプ等であり、メカニカルブ
ースターが使用されることもある。従来メカニカ
ルブースターは圧力差が大きいと効率が低下する
ので単独では使用し得なかつたが、近年改良され
た結果、冷却装置を併用して大気圧下で使用する
ことが可能になつた。 このポンプは化学的に活性なガスを扱うもので
あるから、ガスに接触する部分の材質についての
配慮が必要であり、ステンレス鋼や弗素樹脂が用
いられる。 最初に第１図を参照しながらCVD装置の配管
系の実ガスを窒素ガスに置換する操作を説明す
る。ガス置換操作のフローチヤートが第２図に示
されており、併せて参照される。 接続口１をCVD装置の配管に接続する。排出
するガスの種類に合わせて吸着筒５，６を選択
し、その出入口のバルブを開く。第１図には示さ
れないカウンタを０にリセツトし、VD１および
VD１１を開き、圧力計４で配管系の圧力を監視
しながら排気ポンプ２を作動させる。 ポンプの排ガスは吸着筒で有害成分が吸着さ
れ、残りのガスは排ガスタンク３に貯蔵される。
この排ガスタンクはポリエチレンのシートで気密
に且つ変形自由に作られている。排ガスタンクを
収容している外囲容器７には予め窒素ガスが充填
してあるが、排ガスタンクが膨満するのに応じて
VD１１から押し出される。 圧力計４は連成計であつてその指示が、例えば
−0.86Kg／cm2に達すると付属のスイツチ回路が作
動してVD１，VD１１を閉じ、排気ポンプを停
止する。 続いてVD２を開き、配管系に窒素ガスを充填
してゆく。この時も圧力を監視し、２Kg／cm2に達
したらスイツチ回路が作動してVD２閉じ、カウ
ンタを１だけ進めて上述の排気動作に戻る。 このように排気／充気を繰り返し、カウンタの
指示が所定の数、例えば10、に達したら窒素ガス
への置換は完了したものとして各バルブを閉じ、
配管系との接続を切り離す。配管系側の接続口に
もバルブが設けられていることは勿論である。 上記動作例では、窒素ガスへの置換が完了した
ことを排気／充気の繰り返し回数から推定してい
るが、排気ポンプの入口に実ガス用のセンサを設
け、実ガスが検出されなくなるまで排気／充気を
繰り返すようにしてもよい。
本発明の装置は、排気ポンプと置換ガスのボン
ベを内蔵しているので、処理対象の配管系の排
気／充気を速やかに行うことができ、更に圧力
計、カウンタも具えているので自動処理が可能で
ある。また、配管系への接続は一箇所だけであ
り、排ガスはタンクに蓄積されるので、全体を可
搬型にまとめることが出来、従来の処理方式に較
べて作業性が格段に向上する。
ベを内蔵しているので、処理対象の配管系の排
気／充気を速やかに行うことができ、更に圧力
計、カウンタも具えているので自動処理が可能で
ある。また、配管系への接続は一箇所だけであ
り、排ガスはタンクに蓄積されるので、全体を可
搬型にまとめることが出来、従来の処理方式に較
べて作業性が格段に向上する。
第１図は実施例の装置の構成を模式的に示す
図、第２図は配管系のガス置換操作のフローチヤ
ートである。 図において、１は接続口、２は排気ポンプ、３
は排ガスタンク、４はＳ付圧力計、５，６は吸着
筒、７は外囲容器、８は置換ガスボンベ、VD１
〜VD１１は電動バルブ、RVはレギユレータ、
Ｖはブロー用バルブである。
図、第２図は配管系のガス置換操作のフローチヤ
ートである。 図において、１は接続口、２は排気ポンプ、３
は排ガスタンク、４はＳ付圧力計、５，６は吸着
筒、７は外囲容器、８は置換ガスボンベ、VD１
〜VD１１は電動バルブ、RVはレギユレータ、
Ｖはブロー用バルブである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 作業対象となるガス配管系に自己の配管系を
接続する手段(1)と、 該接続手段を経由して前記作業対象ガス配管系
内のガスを排出する手段(2)と、 前記接続手段を経由して前記作業対象ガス配管
系にガスを導入する手段(8)と、 前記作業対象ガス配管系内のガスの圧力を測定
する手段(4)と、 前記作業対象ガス配管系から排出したガスの成
分を推定或いは測定する手段と、 前記作業対象ガス配管系から排出したガスを蓄
積する手段(3)と、 前記の全手段を含む装置を積載して移動させる
手段(9) を具えて成ることを特徴とする配管ガス置換装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19461486A JPS6351931A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 配管ガス置換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19461486A JPS6351931A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 配管ガス置換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6351931A JPS6351931A (ja) | 1988-03-05 |
| JPH0419899B2 true JPH0419899B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16327466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19461486A Granted JPS6351931A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 配管ガス置換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6351931A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03104868A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Fujitsu Ltd | ガス供給装置 |
| JP4438850B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、このクリーニング方法及び記憶媒体 |
| JP6963536B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2021-11-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理装置の雰囲気置換方法 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19461486A patent/JPS6351931A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351931A (ja) | 1988-03-05 |
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