CN104078382B - 真空处理装置的运转方法 - Google Patents

Abstract

提高吞吐率或者试样的处理效率。具备：张数判定工序，判定在任意的一张晶片从所述盒搬出之前在搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的张数是否为规定的值以下；剩余处理时间判定工序，判定在所处理的预定的真空搬送容器内存在的所述晶片的剩余处理时间与在所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的处理时间的合计是否为规定的值以下；以及搬送顺序跳过工序，在不满足所述张数判定工序或者所述剩余处理时间判定工序的条件的情况下，针对沿着所述搬送顺序比所述任意的一张晶片后面的所述晶片实施所述张数判定工序以及所述剩余处理时间判定工序，将最初满足了这些工序的条件的所述晶片替换所述任意的一张晶片而重新决定为接下来从所述盒搬出的晶片。

Description

真空处理装置的运转方法

技术领域

本发明涉及真空处理装置的运转方法，特别涉及连结多个将在真空容器内部的处理室内配置半导体晶片等基板状的试样来处理该试样的真空处理容器连结而成的真空搬送室而成的真空处理装置的运转方法。

背景技术

在半导体器件的处理工序中，有蚀刻、灰化、成膜处理等各种处理，与它们对应的各种真空处理装置得到了广泛使用。在这些真空处理装置中，要求低成本化、生产性提高，作为生产性指标有处理吞吐率（每单位时间的晶片处理张数），提高该吞吐率值来提高每台装置的生产效率成为重要的课题。

作为上述真空处理装置的以往的技术，例如，已知如日本特开2011-124496号公报（专利文献1）中记载那样，在连结了处理模块的搬送机构部中配置多个搬送机器人，在多个搬送机器人之间进行被处理体的交换的线性工具的真空处理装置。在该以往技术中，公开了在有多个搬送晶片等被处理体的搬送路径的情况下，比较各个搬送路径中的吞吐率来选择决定吞吐率最高的搬送路径的技术。

另外，如日本特开2011-181750号公报（专利文献2）记载那样，已知一种具备在内部收纳被处理体试样在大气压与规定的真空度之间使压力增减而在真空处理装置的大气压侧的部分与减压成真空的部分之间交换试样的装载锁存室的真空处理装置，其中，具备：多个处理室，对被处理体实施规定的处理；多个搬送机构部，具备进行被处理体的交换的真空机器人；以及多个搬送中间部，连结搬送机构部之间而对所述被处理体进行中继搬送。在本以往技术中，具备控制被处理体的交换以及中继搬送的控制部，控制部具有：连接距离计算单元，计算以装载锁存室为起点而到达各个搬送机构部的连接距离；处理室搬送次数计算单元，针对每个真空机器人计算向与真空机器人连接的处理室的被处理体的搬送次数；搬送动作顺序计算单元，根据向利用真空机器人的处理室以及搬送中间部的搬送次数，计算真空机器人的各个中的被处理体的搬送动作顺序；以及处理室分配单元，进行搬送计算了搬送动作顺序的被处理体的处理室的分配。

通过这样的结构，公开了在连结了处理室的搬送机构部中，配置多个搬送机器人，在多个搬送机器人之间进行被处理体的交换的真空处理装置中，越是远离装载锁存的搬送机器人，处理室搬送的次数越。另外，在专利文献2中，公开了尽可能减少处理室搬送的连续次数并且使中间室搬送的连续次数尽可能成为奇数次的搬送目的地决定单元以及根据动作控制规则进行搬送动作来进行高效的搬送控制。

进而，如日本特开2011-181751号公报（专利文献3）记载那样，已知具有：处理室，对被处理体实施规定的处理；搬送机构部，具备进行被处理体的交换的真空机器人；搬送中间部，连结搬送机构部之间而对被处理体进行中继搬送；以及控制部，控制被处理体的交换以及中继搬送，控制部根据在处理室中被处理体的处理所需的处理室所需时间，决定向处理室和搬送中间部的各个的搬送方法。在本以往技术中，通过这样的结构，公开了在连结了处理室的搬送机构部中配置多个真空机器人，在多个真空机器人之间进行被处理体的交换的线性工具的真空处理装置中具备多个控制方法，根据被处理体的处理时间判定搬送机器人成为速度限制、还是处理室成为速度限制，切换为与该速度限制的部位对应的控制方法来进行高效的搬送控制的技术。

【专利文献1】日本特开2011-124496号公报

【专利文献2】日本特开2011-181750号公报

【专利文献3】日本特开2011-181751号公报

发明内容

上述以往技术未充分考虑接下来的点而产生问题。即，未充分考虑包括在内部收纳了晶片等试样的盒、环而在真空处理装置内部保持试样而滞留的部位（工作站）处等待向目标部位的搬送的时间（等待时间）变长的情况。

因此，未考虑每单位时间的搬送的试样的张数、所谓吞吐率的降低变得显著、真空处理装置整体的处理效率损失这样的问题。特别，未考虑在真空处理装置中在实施多次时间长的处理和短的处理的情形下将它们并行地实施的情况下，即使选择得到期望的高的吞吐率的搬送的条件来将其执行，在进行时间短的处理的真空处理容器中，仍产生处理的开始、处理后的试样的搬出为止的等待时间来损失吞吐率。

另外，在将多个试样分别依次搬送到多个真空处理容器的各个而在该处理容器内处理的真空处理装置中，对各试样实施的处理的时间长和短的多个条件混合存在的情况下，即使各个试样从所收纳的盒按照预定的顺序连续地被搬送到装置的真空侧，试样被搬送到实施处理的目标的真空处理容器并处理之后至返回原来的盒的原来的位置的搬送的路径上，在多个工作站的至少一个工作站中的搬送、处理的等待时间中发生大的差，产生尽管按照以得到期望的吞吐率的方式预定的试样的搬送的顺序、路径搬送，仍得不到期望的吞吐率这样的问题。

本发明的目的在于提供一种能够提高提高吞吐率或者试样的处理效率的真空处理装置的运转方法。

上述目的通过一种真空处理装置的运转方法实现，其中所述真空处理装置具备：在其上载置在内部能够收纳多张晶片的盒的多个盒台、在位于真空容器的内部的处理室内配置所述晶片并处理该晶片的多个真空处理容器、以及在所述多个盒中的某一个与所述多个真空处理容器之间的搬送路径上搬送所述晶片的至少一个搬送机器人，该真空处理装置依照预先确定的搬送顺序将所述多个晶片依次从所述盒中的某一个搬送而搬送到所述多个真空处理容器中的预先确定的1个来进行处理，所述真空处理装置的运转方法的特征在于，具备：张数判定工序，判定在所述多个晶片中的任意的一张从所述盒搬出之前在所述盒与处理该晶片的预定的所述真空搬送容器之间的所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的张数是否小于等于规定的值；剩余处理时间判定工序，判定在所述处理的预定的所述真空搬送容器内存在的所述晶片的剩余处理时间与在所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的处理时间的合计是否小于等于规定的值；以及搬送顺序跳过工序，在不满足所述张数判定工序或者所述剩余处理时间判定工序的条件的情况下，针对沿着所述搬送顺序比所述任意的一张晶片后面的所述晶片实施所述张数判定工序以及所述剩余处理时间判定工序，将最初满足了这些工序的条件的所述晶片替换为任意的一张所述晶片而重新决定为接下来从所述盒搬出的晶片，将所述重新决定的所述晶片从收纳了该晶片的所述盒搬送并搬送到所述预先确定的真空处理容器来实施处理。

附图说明

图1是示意地示出本实施例的真空处理装置的结构的概略的图。

图2是示意地示出图1所示的实施例的真空处理装置本体的结构的概略的上面图。

图3是示意地说明图1所示的实施例的设定晶片的搬送路径的序列配方（sequencerecipe）和搬送路径的图。

图4是示意图1所示的实施例的晶片的搬送的控制中的数据的流动的示意图。

图5是说明图1所示的实施例的搬送控制部指令的搬送的调节的流程的图。

图6是示出图1所示的晶片搬送顺序信息的例子的表。

图7是示出图1所示的实施例的图5所示的搬送的控制的动作例的图。

图8是比较了图7所示的动作例和以往技术的例子的空闲时间的图。

图9是示出图1所示的实施例的图5所示的剩余处理时间确认步骤中的动作的例子的图。

图10是比较了剩余处理时间确认处理的等待时间的图。

（符号说明）

101：真空处理装置本体；102：控制部；103：终端；104：搬送控制部；105：处理室控制部；106：运算部；107：存储部；108：运算部；109：存储部；110：晶片搬送顺序调度处理部；111：搬送控制处理部；112：装置状态信息；113：处理室信息；114：搬送路径信息；115：处理进展信息；116：晶片搬送顺序信息；117：搬送限制张数信息；118：压力、流量控制处理部；119：处理状态监视处理部；120：处理室状态信息；121：处理条件信息；122：主机；123：网络；201：大气侧部；202：真空侧部；203：微环境；204：对准器；205：大气机器人；206：装载端；207：载体；208a、208b：真空搬送室；209a、209b、209c、209d：处理设备；210：锁存室；211：中间室；212a、212b：真空机器人；301：序列配方；501：搬送信息取得；502：张数限制确认；503：剩余处理时间确认；504：搬送顺序跳过处理；601：晶片搬送顺序信息；901：处理条件；902：虚设晶片。

具体实施方式

以下，使用附图，说明本发明的实施方式。

【实施例】

以下，使用图1至10，说明本发明的实施例。本实施例是将为了制造半导体器件而使用的半导体晶片等基板状的试样配置于真空容器内部的处理室内并使用在该处理室内形成的等离子体进行处理的真空处理装置。

图1是示意地示出本实施例的真空处理装置的结构的概略的图。在本图中，真空处理装置大致具有真空处理装置本体101、控制部102、以及终端103。

真空处理装置本体101构成为具有作为在内部具有进行对作为处理对象的试样的半导体晶片（以下，晶片）实施的蚀刻、灰化、成膜等处理的处理室的真空容器的真空处理容器、在内部具有进行晶片的搬送的机器臂的搬送机构、在其上载置作为沿着真空处理装置的前表面配置而能够在内部收纳晶片的容器的盒的盒台。

控制部102是通过经由有线或者无线的通信单元可与真空处理装置本体101通信地构成而接收表示真空处理装置101的状态的信号且对真空处理装置101计算并发送执行该动作的信号的部分。本实施例的控制部102大致具有调节晶片的搬送的动作的搬送控制部104、和调节真空处理容器内部的处理室中的晶片的处理的处理室控制部105。

搬送控制部104具有在与通信单元之间交换信号的接口部、从所接收到的信号检测规定的信息进而使用预定的算法来计算指令真空处理装置本101的动作的指令信号的运算部106、以及存储用于运算部106计算信息或者指令信号的算法并且储存表示真空处理装置本体101的状态的信息的存储部107。运算部106是具有微处理器设备等运算器的半导体器件，具有决定在真空处理装置本体101的前表面侧的盒台上载置的盒的内部中收纳的晶片的搬送顺序的晶片搬送调度处理部110、和依照所决定的搬送顺序控制搬送处理的搬送控制处理部111。这些晶片搬送调度处理部110、搬送控制处理部111既可以是各个器件的运算器也可以是同一器件的各个运算器，并且也可以同一器件的同一运算器兼具这些。

另外，存储部107构成为具有RAM（Random Access Memory）、ROM（Read OnlyMemory）或者硬盘驱动器、可装卸的可移动驱动器等在控制部102的外部与其可通信地连接的外部存储装置等。在本实施例中，作为存储部107中存储的信息，可以举出装置状态信息112、处理室信息113、搬送路径信息114、处理进展状况115、晶片搬送顺序信息116、以及搬送限制张数信息117的信息。

在处理室控制部105中，有调节处理室中的处理的动作的运算部108和存储该处理的条件的存储部109。运算部108是在内部具有运算器的微处理器设备等半导体器件，具备进行处理室内的气体的压力或者流量的控制的压力/流量控制部118、用于检测试样的处理中的状态的处理状态监视部119。压力/流量控制部118、处理状态监视部119既可以是各个器件的运算器也可以是同一器件的各个运算器，并且也可以同一器件的同一运算器兼具这些。

存储部109与存储部107同样地，构成为具有RAM（Random Access Memory）、ROM（Read Only Memory）或者硬盘驱动器、可装卸的可移动驱动器等在控制部102的外部与其可通信地连接的外部存储装置等。存储部107中储存的信息包括使用处理场体感部119检测的表示处理室内的状态的处理室状态信息120、以及针对处理对象的每个晶片预先设定的表示处理室内的处理的条件（气体的压力、流量、种类、组成比、对处理室供给的电场或者磁场的强度、电力、温度的值及其分布等）的处理条件信息121。

终端103是与控制部102经由有线或者无线可通信地连接的装置，使用者能够使真空处理装置本体101的状态显示、或者设定包括处理室中的处理的条件、搬送的条件的真空处理装置本体101的运转的动作、由控制部102执行的控制。在终端103中，具备能够显示上述信息的使用了液晶、CRT的监视器等显示装置、和用于输入数据、指令的键盘、鼠标等输入装置。

另外，本实施例的真空处理装置本体101与为了针对其所设置的洁净室等每个建筑物、或者其所设置的每个层、每个房间检测各真空处理装置的动作、处理的状态并对它们指定动作而配置的上位的控制器即主机122经由使用了基于有线或者无线的通信线路123的网络连接。主机122是与控制部102同样地具备通信用接口、运算装置、存储装置的所谓计算机，按照存储装置中预先存储的软件中记载的算法，使多个真空处理装置本体101并行地动作而自律地调节半导体器件的制造。

接下来，使用图2，说明真空处理装置本体101。图2是示意地示出图1所示的实施例的真空处理装置本体的结构的概略的上面图。

本实施例的真空处理装置大致分成前方（图上下方）的部分且在大气压下搬送作为处理对象的试样的晶片213的大气侧部201、和后方（图上上方）的部分且在减压为规定的真空度的内部搬送并处理晶片213之后在原来的路径上搬送的部分即真空侧部202。在大气侧部201与真空侧部202之间，通过能够在内部收纳晶片213的真空容器且能够使内部的压力在大气压或者与其近似的值的压力和上述规定的真空度或者与其近似的值的压力之间增减的锁存室210连结。

大气部201具有包括具有内部成为大气压或者与其近似的值的压力而搬送晶片213的搬送室的框体的前表面侧（图上下侧）配置而能够在内部收纳多个晶片213的盒即载体207设置于其上表面的盒台的多个装载端206、和搬送晶片213而使其中心的位置和在晶片213的外缘部预先形成的切口或者凹陷的中心的方向与规定的尺寸符合的对准器204。在框体的内部配置的搬送室中过滤了的大气从上方向下方流过，通过装载端206构成与外部的气氛分隔的微环境203。

另外，在框体的背面侧的侧壁的规定的高度位置，锁存室210与微环境203可连通地连结。锁存室210和微环境203通过在它们之间配置的进行开放以及闭塞的动作的闸阀成为连通或者气密地密封的状态。关于本实施例的微环境203内部，通过使压力比外部的气氛稍微提高，防止从装载端206的外部混入灰尘。

在微环境203内部，配置有作为在与载体207、对准器207、锁存室210之间搬送晶片213的机器臂的大气机器人205。大气机器人205具备多个梁上部件的两端彼此通过关节部连结，在其前端部具有载置晶片213来保持的手部的多个臂，各臂通过关节部的转动进行伸张、收缩的动作，将晶片213搬入到期望的目标或者搬出所接收的晶片213。

真空侧部202具有包括对晶片213进行蚀刻、灰化等处理的可装卸的真空处理容器的处理设备209a、209b、209c、209d、真空搬送室208a、208b、中间室211。本实施例的真空侧部202包括锁存室210。

真空搬送室208a、208b是平面形是矩形或者具有与其类似的程度近似的形状的真空容器内部的搬送用空间，在搬送用的室成为规定的真空度的压力下搬送晶片213。在这些每一个的内部，配置有具备作为在减压了的压力下在其前端配置的手上表面载置并保持晶片213而伸张并收缩的臂的机器臂的真空机器人212a、212b。

真空机器人212a、212b的手伴随例如臂的伸张和收缩的动作将在锁存室210内储存的处理前的晶片213在其上表面载置取出并收缩而搬出到真空搬送室208a内，在使手和臂朝向处理设备209a之后再次伸张而将晶片213搬入至在处理设备209a内部的处理室内配置的试样台上表面的上方。另外，相逆地，能够将在处理设备209a内的试样台上方保持的处理后的晶片213通过伸缩的动作搬出到真空搬送室208a内部之后向锁存室210改变朝向来进行搬入动作。

本实施例的中间室211是具有能够在内部上下隔开间隙而收纳多张晶片的收纳部的容器内的收纳用空间，在锁存室210后方与其连结的真空搬送室208a与在其后方配置的真空搬送室208a的各容器的侧面彼此之间夹住配置而与它们连结。中间室211是在从锁存室210搬送的处理前的晶片213被搬送到真空搬送室208b之前、或者在处理后的晶片213从真空搬送室208b被搬送到锁存室210之前临时地收纳的部位。

真空处理装置本体101的结构不限于本图示，装载端既可以少于4个，也可以多于4个。另外，在真空侧部202中，也不限于具有4个处理设备的装置，既可以少于4个，也可以多于4个。另外，真空搬送室也既可以少于2个也可以更多。进而，不限于对真空搬送室连接2个处理设备的装置，既可以少于2个也可以更多。另外，在本实施例中，处理设备209a、209b、209c、209d分别是在内部的处理室内对在晶片213上表面预先形成并配置的多个膜构造的处理对象的膜层进行蚀刻处理的蚀刻处理设备，为便于说明分别称为EU1、EU2、EU3、EU4。

接下来，使用图3，说明用于搬送晶片213的搬送路径信息114。图3是示意地说明图1所示的实施例的设定晶片的搬送路径的序列配方和搬送路径的图。图3（a）是序列配方的例子，图3（b）是示出真空处理装置本体101内的搬送的路径的图。

在本实施例中，搬送路径信息114是作为序列配方301，针对处理对象的每个晶片213，由使用者在处理前预先设定的控制部102内的存储部107中登记的信息。该搬送路径信息114构成为包括包含在从收纳了任意的晶片213的载体207搬出并搬送到某一个处理设备209a～d而处理之后再次搬送而返回到原来的载体207内的原来的位置为止经由的工作站和其顺序的搬送的路径、目标的处理设备中的处理的条件的信息。

图3所示的信息是设定例，将其内容作为图示意地示出。在本例子中，关于从任意的载体207搬出的处理前的晶片213，如以下那样，在序列配方307内设定了之后的搬送的目的地的工作站的顺序。从载体207中收纳的状态302通过大气机器人205从载体207搬出而搬送到对准器204（303）。在对准器204中实施了对准302之后，通过大气机器人205从对准器204向锁存室210进行大气搬送（305）而搬入到锁存室210。之后，进行锁存室210内的减压（通风）303。

在减压结束了之后，通过真空机器人212a从锁存室210向处理设备209a（EU1）在真空搬送室208a内搬送晶片213（307）。之后，在EU1中通过处理条件A实施晶片213的蚀刻处理304。在处理结束之后，通过真空机器人212a从EU1向锁存室210内搬送已处理的晶片213（309），在锁存室210内进行升压（净化）306。

在微环境203内，通过大气机器人205从锁存室210取出晶片213并搬送（311），返回原来的载体207的原来的位置而收纳（312）。沿着如该图3（a）那样设定的经由序列配方中的各工作站的搬送的顺序和路径，真空处理装置本体101搬送晶片213。其路径如图3（b）上的箭头所示，在多个载体207内部收纳的各晶片213依照箭头所示的路径线被搬送。

另外，在图3（a）的序列配方中，与搬送任意的处理对象的晶片213的路径的工作站的顺序一起，作为序列的信息，设定以及登记各工作站对应的符号302至312的各序列的时间。在该时间的信息中，与实际上晶片213在各工作站中滞留的时间（2个时刻的间隔）一起，设定并登记在其前或者后加上预定的时间间隔而作为冗余时间的时间。

另外，在本实施例的序列配方中，在晶片213滞留的工作站是处理设备的情况下，将在该处理设备中执行的晶片213的处理的条件作为处理的配方，设定并登记到该序列配方的信息的该处理设备内。在图3（a）中，将EU1中的晶片213的蚀刻处理的条件的信息作为信息A，与工作站EU1对应的序列的信息关联起来记录到存储部107内。

关于本图所示的搬送路径信息，是一个例子，本发明不限于该路径，既可以指定2个处理室，并且也可以指定更多的处理室。另外，路径也不限于1个路线，而也可以在途中分支、合流。另外，在本图的例子中，示出了使与真空搬送室208a连结的处理设备209a（EU1）成为作为搬送的目标的部位的例子，但当然也可以是其他处理设备209b、209c、209d。例如，在将处理设备209c、209d设定为搬送的目标部位的情况下，在序列配方中，与该处理设备内的处理一起，如图3（b）的虚线箭头所示，包括利用真空机器人212a的锁存室210与中间室211之间的晶片213的真空搬送以及中间室211内的待机、以及真空搬送室208b内的目标处理设备与中间室211之间的真空搬送的序列。

接下来，使用图4，说明实施例的真空处理装置的晶片的搬送的动作的流程。图4是示出图1所示的实施例的晶片的搬送的控制中的数据的流动的示意图。本图示出真空处理装置本体101的控制部102的搬送控制处理部111运算搬送的指令时的软件的数据的流动。

搬送控制部104具有执行晶片搬送顺序调度处理部110和搬送控制处理部111中的处理、运算的运算部。晶片搬送顺序调度处理部110经由通信单元读出在存储部107中预先存储的软件，依照其中记载的算法，经由通信单元获得存储部107中存储的装置状态信息112、处理室信息113、搬送路径信息114、处理进展信息115，根据这些信息计算晶片搬送顺序信息116。发送所计算出的晶片搬送顺序信息116而通过搬送控制处理部111接收。

搬送控制处理部111根据存储部107中存储的搬送限制张数信息117中包含的搬送张数限制和所接收到的晶片搬送顺序信息116，计算调节针对真空处理装置本体101的晶片213的搬送的指令信号。该指令信号从与运算部104可通信地连接的通信接口经由通信单元被发送到成为真空处理装置本体101的控制的对象的部位。

另外，各信息中储存的信息如下所述。装置状态信息112包括真空处理装置本体的多个部分的动作的状态、例如从对这些部分配置的多种传感器输出的信号表示的ON/OFF的状态、压力值等信息。处理室信息113储存了表示当前的处理设备的处理室内部的状态、处理的状况的数据。这些信息伴随真空处理装置本体101或者处理设备中的运转的进行而变化，并且按照规定的时间间隔被更新，与最新的数据一起包括过去的数据，它们被分隔而存储为装置状态信息113或者处理室信息114。

搬送路径信息114如图3所示，包括包含晶片213的搬送的路径、顺序的各工作站中的序列的信息。

处理进展信息115关于作为在真空处理装置本体101中进行处理的晶片213的特定的统一的批次，储存有表示该批次中的处理的进展状况的数据。作为例子，在载体207中，收纳了多张例如25张晶片213，储存了表示在以规定的时间的间隔取得了信息的情况的任意的时刻预先附加的晶片213的处理顺序中处理了第几张、是否从载体207取出、对应的序列配方中的哪个序列是执行中等的信息。

晶片搬送顺序信息116针对在载体207内收纳的多个晶片213的每一个，储存有表示搬送的顺序的信息。在该信息中，如图6所示，储存表示各晶片213的搬送顺序的编号、表示载置收纳有各晶片213的载体207的装载端206的端口编号以及表示载体207内的槽位的编号，进而处理各晶片213的处理设备，作为EU编号（No.）也被储存。

在图6所示的例子中，作为在顺序上最初搬送的编号1的晶片，端口1（上的载体207内的）槽位1的晶片213被搬送到EU3，作为第2个搬送的编号2的晶片，将端口2-槽位1的晶片213搬送到EU1，以下将端口3-槽位1搬送到EU4，将端口4-槽位1搬送到EU2，将这样关联起来的信息储存为表格或者列表。

搬送限制张数信息117是用于在本实施例的真空处理装置本体101中以使在处理设备中处理中的晶片213和搬送中的晶片213的张数成为一定数以下的方式限制的信息。其是用于避免在同时搬送多个晶片213的情况下，在想要搬送某个晶片213时，在搬送目的地中存在其他晶片213的状态，即搬送死锁状态的信息。在本实施例中，使用搬送限制张数信息117，针对从载体207未搬出的晶片213，判定可否将其搬出。

接下来，使用图5，说明搬送控制处理部111的运算的流程。图5是说明图1所示的实施例的搬送控制部指令的搬送的调节的流程的图。特别在本图中，示出了判定未搬出的晶片213可否搬出的动作的流程。

在该图中，搬送控制处理部111在开始了搬送的控制之后，在步骤1：搬送信息取得501中，使用晶片搬送顺序信息116从搬送的顺序号小的一方检测接下来应从载体207为了处理开始搬送的晶片213。进而，还检测处理该晶片213的某一个处理设备209a、209b、209c、209d的EU编号。

接下来，在步骤2：张数限制确认502中，针对检测为接下来搬送的晶片213：n，判定是否根据搬送张数限制进行了限制。具体而言，根据在步骤1中取得的信息判定在预定接下来搬送的晶片213：n的搬送目的地处理设备中在当前时间点（进行判定的规定的时间间隔的每一个的任意的时刻）中是否有处理中的晶片213。进而，判定在搬送目的地的处理设备中处理的预定中是否有已经开始了从载体207的搬送的晶片213，对这些张数进行计数。

进而，在步骤2中，判定计数了的值是否为在搬送张数限制信息117的内部储存的规定的值以上，在判定为是规定值以上的情况下，搬送控制处理部111不对大气机器人205发送该晶片213：n的搬送指令。即，不使晶片213：n从载体207搬出。

接下来，在步骤3：剩余处理时间确认503中，在作为在步骤1中检测为预定接下来搬送的晶片213：n的搬送目的地的处理设备中已经有蚀刻处理中的其他晶片213的情况下，检测该晶片213的处理的剩余时间。在该剩余时间的检测中，使用处理进展信息115。

进而，在已经有为了处理开始了搬送的晶片213的情况下，将预定对该搬送中的晶片213实施的处理的时间全部合计而计算与上述剩余时间之和。然后，判定计算而得到的时间的值是否为预定的值以上。在判定为是规定值以上的情况下，搬送控制处理部111不对大气机器人205发送该晶片213：n的搬送指令。即，使晶片213：n不从载体207搬出。

接下来，在步骤4：搬送顺序跳过处理504中，在步骤2：张数限制确认502、或者步骤3：剩余处理时间确认503中没有从载体207搬出的情况下，针对在晶片搬送顺序信息116中登记的预定接下来搬送的顺序号n+1的晶片213取得数据。接下来，针对该接下来的晶片213：n+1，与步骤2：张数限制确认502同样地判定，即进行是否达到搬送张数限制的判定，进而与步骤3：剩余处理时间确认503同样地判定，即进行搬送目的地处理设备的剩余处理时间的检测和它们的和的计算。

根据步骤2、3的判定的结果，搬送控制处理部111在判定为针对接下来的晶片213：n+1未达到张数限制，并且剩余处理时间的和未超过上述规定的值的情况下，以代替在步骤1中取得的晶片213：n而将晶片213：n+1从载体207搬出的方式，朝向大气机器人205发送指令。

接下来，使用图7，说明图5所示的流程的控制的具体的例子。图7是示出图1所示的实施例的图5所示的搬送的控制的动作例的图。在本图中，示出了在真空处理装置本体101具备的4个装载端206各个中配置载体207，所收纳的晶片213的合计张数是14张，并且以关于这些载体207中的配置于端口1的部分，在EU3中进行蚀刻处理，关于端口2，在EU1中进行蚀刻处理，关于端口3，在EU4中进行蚀刻处理，关于端口4，在EU2中进行的方式，将载体207或者装载端206和处理设备209a、209b、209c、209d分别对应起来的例子。

在本图中，如果真空处理装置本体101与来自控制部102的指令信号对应地开始了晶片213处理的运转，则搬送控制部104的晶片搬送顺序调度处理部110生成晶片搬送顺序信息601。在晶片搬送顺序信息601中，针对在多个载体207内收纳的多个晶片213，储存为搬送的顺序号和端口编号、载体207内的槽位编号和处理该晶片213的处理设备的EU编号关联起来的表格或者列表。在本例子中，依次设定为最初搬送的最小的顺序号1的晶片213是端口1的槽位1且将其搬送到EU1，接下来搬送的顺序号2的晶片213处于端口2的槽位1而搬送到EU1，顺序号3处于端口3、槽位1而搬送到EU4。

根据该晶片搬送顺序信息601，搬送控制处理部111计算将最初的端口1的槽位1的晶片213搬送到作为处理设备的EU3的指令，从控制部102对真空处理装置本体101发送指令信号。接下来，同样地，向真空处理装置本体101发送将端口2的槽位1的晶片213搬送到EU1的指令信号。根据指令信号，真空处理装置本体101执行将各晶片213依次从载体207搬出而搬送到对应的处理设备而在各处理设备中进行蚀刻处理，在规定的处理结束之后返回到原来的载体207的原来的位置的动作。

图7（a）是依次从载体207搬送晶片213而直至晶片搬送顺序信息601中的No.8的部分进行了搬送的状态、即从No.1至No.8搬送中713的状态。进而，如图7（b）所示，在该状态下，关于No.9的晶片213，在作为预定的搬送目的地的处理设备209c（EU3）中执行处理中的晶片213的张数和已经搬送中的晶片213的张数的合计成为2张，搬送控制处理部111在图5所示的步骤2：张数限制确认502中判定为无No.9的搬出。

因此，在上述判定的时间点中，No.9以后的晶片213成为搬送等待714的状态。处理设备209c（EU3）的剩余处理时间成为No.9的搬送等待时间，EU3的剩余处理时间越长，搬送等待714也越长，其结果，真空处理装置本体101的运转效率降低而整体的处理效率降低。

接下来，通过图5的步骤4：搬送跳过处理504，针对成为张数限制的No.9的晶片213的接下来的No10的晶片213，进行搬送顺序跳过处理504的判定。此处，在处理设备209a（EU1）的蚀刻处理所需的时间短，且前面的No.2的晶片213的处理已经结了的情况下，关于EU1，在步骤2：张数限制确认502中，不会判定为无法搬送。因此，搬送控制处理部111判定为能够比No.9更早搬送No.10的晶片213，计算该晶片213的搬送的指令，向真空处理装置本体101发送来自控制部102的指令信号。

即，在本实施例中，搬送控制处理部111在判定为依照任意的时刻下的晶片搬送顺序信息116调节晶片213的搬送而在真空处理装置本体101运转着的状态下，预定接下来从载体207搬出的顺序号n的晶片213：n在图5所示的步骤2、3中未被搬送的情况下，针对在当前时间点下的晶片搬送顺序信息116中预定在其以后搬送的晶片213依次实施图5所示的判定，将最初判定为可搬送的晶片213替换上述晶片213：n，而设定并登记为接下来搬送的晶片213：n’，真空处理装置本体101根据来自控制部102的指令信号开始该晶片213：n’的搬送。

进而，运算部106的晶片搬送顺序调度处理部110针对包括晶片213：n的剩余的从载体207未搬出的合计5张晶片213，根据搬送路径信息114，新计算晶片搬送顺序信息116’。包括搬送控制处理部111的处理部102根据晶片搬送顺序信息116’发送用于调节剩余晶片213的搬送的指令信号来调节真空处理装置本体101的搬送的动作。在图7的例子中，针对No.8的晶片213，进行了图5所示的可否搬出的判定，但不限于此，也可以根据使用者的要求、晶片213的蚀刻处理的条件等规范，设定判定的频度、定时。例如，也可以在批次的最初的晶片213的搬送之后，在各晶片213的搬送之前，判定可否搬送，如果需要晶片搬送顺序信息116，则再设定、再登记来更新。

在本实施例中，通过这样的动作，处理设备209a的处理的空闲时间被降低，抑制作为真空处理装置本体101整体的运转效率降低。

使用图8，说明图7所示的例子中的效果。图8是比较了图7所示的动作例和以往技术的例子的空闲时间的图，是比较了进行搬送顺序跳过处理504的情况和不进行搬送顺序跳过处理504的情况的甘特图。在该甘特图中，在横轴中示出时间的经过，用块表现了各处理室的工艺处理状态。

关于搬送顺序跳过处理不执行的情况801、搬送顺序跳过处理执行的情况805，都设想了EU3中的处理的时间相对较长、并且EU1的处理的时间相对较短的情况。在搬送顺序跳过处理不执行的情况801下，如果EU3中的处理802较长，则在不满足关于EU3的搬送张数限制的条件的情况下，在晶片搬送顺序信息601中在向EU3搬送之后实施的向预定的EU1的搬送直至满足条件（直至EU3的处理结束而低于搬送中的晶片213的张数的限制值并且剩余的处理的时间的合计低于规定的值）为止成为待机状态。因此，在EU1中，在时间上在处理803彼此之间发生处理空闲804而运转效率降低。

相对于此，在实施了搬送顺序跳过处理504的情况801下，即使在EU3的处理时间802长的情况下，接下来预定向判定为不满足搬送张数限制或者剩余处理时间的条件的EU3的搬送的晶片213的搬送被跳过，开始向接下来判定为满足搬送张数限制以及剩余处理时间的条件的EU1搬送晶片213，对搬送到EU1的该晶片实施处理。通过这样的动作，关于在搬送顺序跳过处理不执行的情况805下产生的处理空闲804，在搬送顺序跳过处理504执行的情况805下，其发生被抑制，EU1的运转效率的降低被抑制。

接下来，关于图5所示的步骤3：剩余处理时间确认503，使用图9，说明更具体的搬送例。图9是示出图1所示的实施例的图5所示的剩余处理时间确认步骤中的动作的例子的图。

在本例子中，在对晶片213实施的蚀刻处理的处理条件901中，还包括处理设备209a（EU1）中的利用虚设晶片的处理前陈化处理是300秒、之后的产品处理是30秒的蚀刻处理的内容。如果开始这些处理，则真空处理装置本体101首先将在某一个载体207内收纳的处理前陈化用的虚设晶片902从该载体207内搬出，搬送到处理设备209a（EU1）来进行300秒的陈化处理。

接下来，搬送第1张产品用的晶片903，为了产品制造，执行30秒的蚀刻处理。接下来，搬送第2张产品晶片904，将蚀刻处理进行30秒。同样地，针对第3张以后的产品晶片213，也同样地执行搬送以及蚀刻处理。

在处理设备209a（EU1）内已经有其他晶片213处理中的情况下，预定接下来向EU1搬送的晶片213在锁存室210中待机。但是，当如该处理那样在处理前陈化处理和产品处理中工艺处理时间大幅不同的情况下，关于待机的时间，针对每个晶片213产生偏差，每个产品晶片213的搬送所需的时间的不均匀变大。

本实施例的真空处理装置本体101通过进行图5所示的步骤3：剩余处理时间确认503，检查处理设备209a（EU1）中的处理剩余时间，在超过了一定时间的情况下，不从载体207搬出产品晶片213。因此，各晶片213中的待机时间不会超过一定时间，能够确保经由晶片213的待机时间均匀性。

使用图10，说明图9的具体的效果。图10是用甘特图比较了在图1所示的实施例中无剩余步骤3：处理时间确认503的情况和有剩余步骤3：处理时间确认503的情况的图。如本图那样，不论是剩余处理时间确认503不实施的情况1001、还是剩余处理时间确认503实施了的情况1006下，都如图9所示的处理条件901所示，设想了处理前陈化300秒、产品处理20秒的工艺处理。另外，表示各晶片213在EU1中处理中，在跟前的锁存室210中发生等待时间。

如果关注该等待时间，则在剩余处理时间确认503不执行的情况1001下，在EU1中在处理前陈化处理中第1张产品晶片213从载体207被搬出，所以可知第1张产品晶片213的搬送等待1002的时间变长、并且第2张以后的搬送等待1003的时间变短。相对于此，在剩余处理时间确认执行的情况1006下，包括搬送处理控制部111的控制部102在第1张产品用的晶片213从载体被搬出了的情况下，对预定接下来搬送的晶片213执行了剩余处理时间确认503的步骤的结果，在规定的时间内不发送从载体207的搬出指令。由此，发生载体207中的搬出等待1007，在经过一定时间之后，开始搬出，成为锁存室中的搬送等待1003。由此，在所有产品晶片213中，锁存室210中的等待时间的不均匀被降低。

Claims (5)

1.一种真空处理装置的运转方法，其中所述真空处理装置具备：在其上载置在内部能够收纳多张晶片的盒的多个盒台、在位于真空容器的内部的处理室内配置所述晶片并处理该晶片的多个真空处理容器、以及在所述多个盒中的某一个与所述多个真空处理容器之间的搬送路径上搬送所述晶片的至少一个搬送机器人，该真空处理装置依照预先确定的搬送顺序将所述多个晶片依次从所述盒中的某一个搬送而搬送到所述多个真空处理容器中的预先确定的1个来进行处理，所述真空处理装置的运转方法的特征在于，具备：

张数判定工序，判定在所述多个晶片中的任意的一张从所述盒搬出之前在所述盒与处理该晶片的预定的所述真空处理容器之间的所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的张数是否小于等于规定的值；

剩余处理时间判定工序，判定在所述处理的预定的所述真空处理容器内存在的所述晶片的剩余处理时间与在所述搬送路径上存在的搬送中的所述晶片的处理时间的合计是否小于等于规定的值；以及

搬送顺序跳过工序，在不满足所述张数判定工序或者所述剩余处理时间判定工序的条件的情况下，针对沿着所述搬送顺序比所述任意的一张晶片后面的所述晶片实施所述张数判定工序以及所述剩余处理时间判定工序，将最初满足了这些工序的条件的所述晶片替换为任意的一张所述晶片而重新决定为接下来从所述盒搬出的晶片，

将所述重新决定的所述晶片从收纳了该晶片的所述盒搬送并搬送到所述预先确定的真空处理容器来实施处理。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置的运转方法，其特征在于具备：

搬送顺序调度工序，在所述搬送顺序跳过工序之后，针对所述多个晶片中除了所述重新决定的所述晶片以外的未搬出的晶片，决定搬送顺序。

3.根据权利要求1或者2所述的真空处理装置的运转方法，其特征在于：作为所述多个晶片的所述预先确定的搬送目的地的，所述多个真空处理容器分别仅与所述多个盒中的某一个对应起来。

4.根据权利要求1或者2所述的真空处理装置的运转方法，其特征在于：

所述真空处理装置具备：

真空搬送室，在减压至规定的真空度的其内部搬送所述晶片，且连结有所述真空处理容器；

大气搬送室，在其前面侧配置所述多个盒台，在大气压的内部搬送所述晶片；

锁存室，在所述真空搬送室与所述大气搬送室之间能够与它们连通地连结，能够在其内侧收纳了所述晶片的状态下在所述大气压以及所述规定的真空度的减压状态之间使压力变动；

真空机器人，配置于所述真空搬送室内，搬送所述晶片；以及

大气机器人，配置于所述大气搬送室内，搬送所述晶片。

5.根据权利要求2所述的真空处理装置的运转方法，其特征在于：在所述搬送顺序调度工序中决定所述多个晶片的搬送顺序，并且决定处理这些晶片的所述真空处理容器。