CN101009212A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101009212A
CN101009212A CNA2007100081808A CN200710008180A CN101009212A CN 101009212 A CN101009212 A CN 101009212A CN A2007100081808 A CNA2007100081808 A CN A2007100081808A CN 200710008180 A CN200710008180 A CN 200710008180A CN 101009212 A CN101009212 A CN 101009212A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mentioned
unit
exposure
conveyance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007100081808A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100547724C (zh
Inventor
滨田哲也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Skilling Group
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Publication of CN101009212A publication Critical patent/CN101009212A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100547724C publication Critical patent/CN100547724C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有接口区。以与接口区相邻的方式设置曝光装置。接口区包括装载兼加热单元。在曝光装置中实施了曝光处理后的基板，在第二清洗/干燥处理单元中被实施了清洗及干燥处理后，被搬入到装载兼加热单元。在装载兼加热单元中对基板进行曝光后烘干处理。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置。
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等各种基板进行各种处理，而使用基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般对一张基板连续地进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区构成。相邻于接口区而配置有与基板处理装置分开独立的、作为外部装置的曝光装置。
在上述的基板处理装置中，从分度器区搬入的基板在反射防止膜用处理区以及抗蚀膜用处理区中进行了反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂敷处理之后，经由接口区被搬送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口区被搬送到显影处理区。通过在显影处理区中对基板上的抗蚀膜进行显影处理，而形成抗蚀剂图案之后，基板被搬送到分度器区。
近年来，伴随着器件的高密度化以及高集成化，对抗蚀剂图案的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将标线的图案经由投影透镜缩小投影在基板上而进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图案的线宽取决于曝光装置的光源波长，所以对抗蚀剂图案的微细化具有局限性。
因此，作为可对曝光图案进一步进行微细化的投影曝光方法，而提出了浸液法(例如，参考国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册中的投影曝光装置中，在投影光学系统和基板之间充满有液体，从而能够实现对基板表面的曝光用光的短波长化。由此，可使曝光图案进一步微细化。
近年来，伴随着对曝光图案微细化的要求，基板处理工序变得复杂。由此，降低了基板处理装置的处理能力。
另外，在基板的曝光处理后，为了在光致抗蚀膜内促进曝光处理的化学反应，而进行基板的PEB(曝光后烘干)处理。为了得到所期望的曝光图案，优选在曝光处理后，能更加迅速地进行基板的PEB处理，而使快速地促进化学反应。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可提高处理能力的同时、能够在曝光后迅速地进行基板的加热处理的基板处理装置。
(1)本发明的一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接，其中，处理部包括感光性膜形成单元，该感光性膜形成单元在基板上形成由感光性材料形成的感光性膜，交接部包括：热处理单元，其对由曝光装置进行了曝光处理后的基板进行热处理；第一搬送单元，其在处理部及热处理单元之间搬送基板；第二搬送单元，其在曝光装置及热处理单元之间搬送基板，第二搬送单元将由曝光装置进行了曝光处理后的基板搬入到热处理单元，第一搬送单元将由热处理单元进行了热处理后的基板从热处理单元搬出。
在该基板处理装置的处理部中，由感光性膜形成单元在基板上形成了由感光性材料形成的感光性膜后，通过交接部将基板搬送到曝光装置。在曝光装置中实施了曝光处理后，由第二搬送单元将基板搬送到热处理单元。在热处理单元中对基板实施了热处理后，由第一搬送单元将基板搬送到处理部。
由此，能够将曝光处理后的基板迅速地搬送到热处理单元。因此，曝光处理后，能够迅速地对基板进行热处理。其结果，能够在感光性膜内快速地促进由曝光处理所引起的化学反应，从而能够得到所期望的曝光图案。
另外，将曝光处理后的基板从第二搬送单元向第一搬送单元交接时，热处理单元起到用于装载基板的装载部的作用。由此，能够简化在交接部的基板的搬送路径，因此能够提高处理能力。另外，因为无需另外独立设置用于从第二搬送单元向第一搬送单元交接基板的装载部，因此能够降低交接部的制造成本。另外，能够减少搬送基板的经停位置，因此可使第一搬送单元的动作变得简单。
(2)热处理单元也可以具有：支撑部，其支撑被搬入的基板或被搬出的基板；加热部，其对基板进行加热处理；搬送装置，其在支撑部与加热部之间搬送基板。
此时，由第二搬送单元将曝光处理后的基板搬入到热处理单元的支撑部。接下来，由搬送装置将基板搬送到加热部。在加热部中对基板实施加热处理后，由搬送装置将基板搬送到支撑部。然后，由第一搬送单元将基板从支撑部搬出。
由此，通过分别独立地设置支撑所搬入的基板或要搬出的基板的支撑部与对基板进行加热处理的加热部，而使从第二搬送单元向第一搬送单元的基板的交接变得容易。由此，能够进一步提高处理能力。
(3)基板处理装置还可以具有控制部，该控制部控制上述加热部而以规定的定时对由曝光装置进行了曝光处理后的基板进行加热。
此时，在连续地处理多张基板时，对于多张基板，能够相等地设定从在曝光装置中的曝光处理的结束到在热处理单元中的加热处理的开始为止的经过时间。由此，对于多张基板，能够防止曝光图案的精度的参差不齐。
(4)交接部还具有暂时装载基板的装载部，第一搬送单元将由处理部进行了规定的处理后的基板搬送到装载部，第二搬送单元从装载部向曝光装置搬送基板也可。
此时，可由装载部从第一搬送单元向第二搬送单元交接曝光装置中的曝光处理前的基板。由此，使从第一搬送单元向第二搬送单元交接基板变得容易，从而能够提高处理能力。
(5)装载部是温度管理待机单元，该温度管理待机单元使由曝光装置进行曝光处理前的基板维持在规定温度的同时，使基板处于待机状态直到向曝光装置可搬入基板为止也可。
此时，由于该温度管理待机单元具有将基板维持在规定温度的功能、以及使基板处于待机状态直到向曝光装置可搬入基板为止的功能，因此没有必要设置一般的基板装载部，该一般的基板装载部可使基板处于待机状态直到向曝光装置可搬入基板为止。由此，能够消减第二搬送单元的搬送工序。其结果，能够提高处理能力，并能够消减由第二搬送单元的搬送的经停位置，从而能够提高可靠性。
(6)处理部及交接部中的至少一个具有干燥处理单元也可，该干燥处理单元在由曝光装置进行了曝光处理后、且由热处理单元进行热处理前，对基板进行干燥处理。
此时，曝光处理后的基板在干燥处理单元中被进行干燥处理后，被搬送到热处理单元及处理部。由此，即使在曝光装置中液体附着在基板上，也能够防止该液体落入热处理单元及处理部内。其结果，能够防止热处理单元及处理部的动作不良。
另外，通过对基板实施干燥处理，而能够防止曝光处理时基板上所附着的液体吸附环境中的尘埃。由此，能够防止基板的处理不良。
(7)干燥处理单元在对基板进行干燥处理前对基板进行清洗处理也可。
此时，即使在从曝光装置将进行曝光处理时附着了液体的基板搬送到干燥处理单元的过程中基板上附着了环境中的尘埃等，也能够可靠地除去该附着物。由此，能够可靠地防止基板的处理不良。
(8)处理部及交接部中的至少一个也可以具有清洗处理单元，该清洗处理单元在由曝光装置进行曝光处理前对基板进行清洗处理。
此时，在清洗处理单元中对曝光处理前的基板实施清洗处理。由此，能够在曝光处理前除去在曝光处理前的处理工序中附着在基板上的尘埃等。其结果，能够防止曝光装置内的污染，从而能够可靠地防止基板的处理不良。
(9)清洗处理单元在对基板进行了清洗处理后对基板进行干燥处理也可。
此时，能够防止在清洗处理后的基板上附着环境中的尘埃等。由此，能够可靠地防止曝光装置内的污染。其结果，能够更加可靠地防止基板的处理不良。
(10)处理部、交接部及曝光装置并列设置在第一方向上，交接部在与第一方向在水平面内垂直的第二方向上至少具有一个侧面，干燥处理单元在交接部内设置于一个侧面侧。
此时，由于干燥处理单元在交接部中配置于与处理部以及曝光装置不接触的一个侧面侧，因此能够从该一个侧面侧容易地进行干燥处理单元的保养。
(11)交接部具有在第二方向上与一个侧面相对向的另外的侧面，清洗处理单元在交接部内设置于另外的侧面侧也可。
此时，因为清洗处理单元在交接部中配置于与处理部以及曝光装置不接触的另外的侧面侧，因此能够从该另外的侧面容易地进行对清洗处理单元的保养。
(12)热处理单元及装载部层叠设置在交接部内的第二方向的大致中央部，第一搬送单元设置在清洗处理单元与热处理单元之间，第二搬送单元设置在热处理单元与干燥处理单元之间也可。
此时，能够在短时间内进行由第一搬送单元对处理部、清洗处理单元、装载部及热处理单元的基板的交接、以及由第二搬送单元对装载部、曝光装置、干燥处理单元及热处理单元的基板的交接。由此，能够提高处理能力。
另外，能够快速地进行从曝光装置向干燥处理单元的基板的搬送、以及从干燥处理单元向热处理单元的基板的搬送。由此，能够对基板实施干燥处理的同时，能够迅速地进行对基板的加热处理。
(13)第二搬送单元包括保持基板的第一及第二保持部，当搬送由曝光装置进行曝光处理前的基板、及搬送由干燥处理单元进行了干燥处理后的基板时，由第一保持部保持基板，当将曝光处理后的基板从曝光装置搬送到干燥处理单元时，由第二保持部保持基板也可。
此时，当搬送曝光处理前的基板时使用第一保持部，当搬送刚曝光处理后的基板时使用第二保持部。由此，即使在曝光装置中液体附着在基板上，也不会在第一保持部上附着液体。因此，能够防止在曝光处理前的基板上附着液体。其结果，能够可靠地防止在曝光处理前的基板上附着环境中的尘埃等。
(14)第二保持部设置在第一保持部的下方也可。
此时，即使从第二保持部及其保持的基板上落下了液体，也不会在第一保持部及其保持的基板上附着液体。由此，能够可靠地防止在曝光处理前的基板上附着液体。
(15)交接部还包括对基板的周边部进行曝光的边缘曝光部，第一搬送单元在处理部、边缘曝光部、清洗处理单元及装载部之间搬送基板也可。
此时，在边缘曝光部中对基板的周边部进行曝光处理。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置的概要侧视图。
图3是从-X方向观察图1的基板处理装置的概要侧视图。
图4是从+Y方向观察接口区的概要侧视图。
图5是装载兼加热单元的外观立体图。
图6是图5的装载兼加热单元的剖视图。
图7是用于说明装载兼加热单元的动作的图。
图8是用于说明装载兼加热单元的动作的图。
图9是用于说明清洗/干燥处理单元的结构的图。
图10是用于说明清洗/干燥处理单元的结构的图。
图11是一体设置清洗处理用喷嘴以及干燥处理用喷嘴的情况的示意图。
图12是表示干燥处理用喷嘴的其它例子的示意图。
图13是用于说明使用了图12的干燥处理用喷嘴时的基板的干燥处理方法的图。
图14是表示干燥处理用喷嘴的其它例子的示意图。
图15是表示清洗/干燥处理单元的其它例子的示意图。
图16是用于说明使用了图15的清洗/干燥处理单元时的基板的干燥处理方法的图。
图17是表示在清洗及干燥处理中使用的二流体喷嘴的内部结构的一个例子的纵向剖视图。
图18是用于说明使用了图17的二流体喷嘴的时的基板的清洗及干燥处理方法的图。
具体实施方式
下面，针对本发明的实施方式的基板处理装置，利用附图进行说明。在以下的说明中，所谓基板指的是半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。
(1)基板处理装置的结构
图1是本发明的实施方式的基板处理装置的俯视图。另外，在图1及后述的图2～4中，为了使位置关系明确，而标有表示相互垂直的X方向、Y方向、Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，而Z方向相当于铅垂方向。此外，在各方向上，将箭头指向的方向设为+方向，并将其相反方向设为一方向。另外，将以Z方向为中心的旋转方向设为θ方向。
如图1所示，基板处理装置500包括：分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀覆盖膜用处理区13、抗蚀覆盖膜除去区14以及接口区15。另外，以与接口区15相邻的方式配置有曝光装置16。在曝光装置16中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
以下，分别将分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀覆盖膜用处理区13、抗蚀覆盖膜除去区14以及接口区15称作处理区。
分度器区9包括控制各处理区的动作的主控制器(控制部)30、多个搬运器装载台40以及分度器机器人IR。在分度器机器人IR上，设置有用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理区10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂敷处理部50以及第一中央机器人CR1。反射防止膜用涂敷处理部50中间隔着第一中央机器人CR1而与反射防止膜用热处理部100、101相对向而设置。在第一中央机器人CR1，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间，设置有隔断环境用的隔断壁17。在该隔断壁17，上下接近设置有用于在分度器区9和反射防止膜用处理区10之间进行基板W的交接的基板装载部PASS1、PASS2。上侧的基板装载部PASS1在将基板W从分度器区9搬送到反射防止膜用处理区10时被使用，而下侧的基板装载部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理区10搬送到分度器区9时被使用。
另外，在基板装载部PASS1，PASS2，设置有检测有无基板W的光学式传感器(未图示)。由此，能够进行基板装载部PASS1，PASS2上有无装载基板W的判定。另外，在基板装载部PASS1，PASS2，设置有被固定设置的多个支撑销。此外，上述光学式传感器及支撑销也同样设置在后述的基板装载部PASS3～PASS12上。
抗蚀膜用处理区11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂敷处理部60以及第二中央机器人CR2。抗蚀膜用涂敷处理部60中间隔着第二中央机器人CR2而与抗蚀膜用热处理部110、111相对向地设置。在第二中央机器人CR2，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间，设置有隔断环境用的隔断壁18。在该隔断壁18，上下接近设置有用于在反射防止膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间进行对基板W的交接的基板装载部PASS3、PASS4。上侧的基板装载部PASS3在将基板W从反射防止膜用处理区10搬送到抗蚀膜用处理区11时被使用，而下侧的基板装载部PASS4在将基板W从抗蚀膜用处理区11搬送到反射防止膜用处理区10时被使用。
显影处理区12包括显影用热处理部120、121、显影处理部70以及第三中央机器人CR3。显影处理部70中间隔着第三中央机器人CR3而与显影用热处理部120、121相对向地设置。在第三中央机器人CR3，上下设置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间，设置有隔断环境用的隔断壁19。在该隔断壁19，上下接近设置有用于在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间进行对基板W的交接的基板装载部PASS5、PASS6。上侧的基板装载部PASS5在将基板W从抗蚀膜用处理区11搬送到显影处理区12时被使用，而下侧的基板装载部PASS6在将基板W从显影处理区12搬送到抗蚀膜用处理区11时被使用。
抗蚀覆盖膜用处理区13包括抗蚀覆盖膜用热处理部130、131、抗蚀覆盖膜用涂敷处理部80以及第四中央机器人CR4。抗蚀覆盖膜用涂敷处理部80中间隔着第四中央机器人CR4而与抗蚀覆盖膜用热处理部130、131相对向地设置。在第四中央机器人CR4，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在显影处理区12和抗蚀覆盖膜用处理区13之间，设置有隔断环境用的隔断壁20。在该隔断壁20，上下接近设置有用于在显影处理区12和抗蚀覆盖膜用处理区13之间进行基板W的交接的基板装载部PASS7、PASS8。上侧的基板装载部PASS7在将基板W从显影处理区12搬送到抗蚀覆盖膜用处理区13时被使用，而下侧的基板装载部PASS8在将基板W从抗蚀覆盖膜用处理区13搬送到显影处理区12时被使用。
抗蚀覆盖膜除去区14包括基板装载收容部141、抗蚀覆盖膜除去用处理部90以及第五中央机器人CR5。抗蚀覆盖膜除去用处理部90中间隔着第五中央机器人CR5而与基板装载收容部141相对向地设置。在第五中央机器人CR5，上下设置有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。
在抗蚀覆盖膜用处理区13和抗蚀覆盖膜除去区14之间，设置有隔断环境用的隔断壁21。在该隔断壁21，上下接近设置有用于在抗蚀覆盖膜用处理区13和抗蚀覆盖膜除去区14之间进行基板W的交接的基板装载部PASS9、PASS10。上侧的基板装载部PASS9在将基板W从抗蚀覆盖膜用处理区13搬送到抗蚀覆盖膜除去区14时被使用，而下侧的基板装载部PASS10在将基板W从抗蚀覆盖膜除去区14搬送到抗蚀覆盖膜用处理区13时被使用。
接口区15包括第一清洗/干燥处理单元SD1、第六中央机器人CR6、边缘曝光部EEW、装载兼加热单元PASS-PEB(以下，简称P-PEB)、装载兼冷却单元PASS-CP(以下，简称P-CP)、接口用搬送机构IFR及第二清洗/干燥处理单元SD2。此外，第一清洗/干燥处理单元SD1进行曝光处理前的基板W的清洗及干燥处理，第二清洗/干燥处理单元SD2进行曝光处理后的基板W的清洗及干燥处理。关于对第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的详细描述在后面进行。
另外，在第六中央机器人CR6，上下设置有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12(参照图4)，在接口用搬送机构IFR，上下设置有用于交接基板W的手部H1，H2(参照图4)。关于接口区15的详细描述在后面进行。
本实施方式的基板处理装置500上，沿着Y方向依次并排设置有分度器区9、反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀覆盖膜用处理区13、抗蚀覆盖膜除去区14以及接口区15。
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置500的概要侧视图，图3是从-X方向观察图1的基板处理装置500的概要侧视图。此外，在图2中，主要示出了设置在基板处理装置500的+X侧的结构，在图3中，主要示出了设置在基板处理装置500的-X侧的结构。
首先，利用图2，对基板处理装置500的+X侧的结构进行说明。如图2所示，在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用涂敷处理部50(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元BARC。各涂敷单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘51、以及向保持在旋转卡盘51上的基板W供给反射防止膜的涂敷液的供给喷嘴52。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用涂敷处理部60(参照图1)，上下层叠配置有3个涂敷单元RES。各涂敷单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘61、以及向保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂敷液的供给喷嘴62。
在显影处理区12的显影处理部70上，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘71、以及向保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液的供给喷嘴72。
在抗蚀覆盖膜用处理区13的抗蚀覆盖膜用涂敷处理部80上，上下层叠配置有3个涂敷单元COV。各涂敷单元COV具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘81、以及向保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀覆盖膜的涂敷液的供给喷嘴82。作为抗蚀覆盖膜的涂敷液，可以使用和抗蚀剂以及水的亲和力低的材料(与抗蚀剂以及水的反应特性弱的材料)，例如氟树脂。涂敷单元COV通过使基板W旋转的同时在基板W上涂敷涂敷液，而在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜。
在抗蚀覆盖膜除去区14的抗蚀覆盖膜除去用处理部90上，上下层叠配置有3个除去单元REM。各除去单元REM具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘91、以及向保持在旋转卡盘91上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)的供给喷嘴92。除去单元REM通过使基板W旋转的同时在基板W上涂敷剥离液，而除去形成于基板W上的抗蚀覆盖膜。
此外，除去单元REM中的抗蚀覆盖膜的除去方法并不仅限定于上述的例子。例如，通过在基板W的上方使狭缝喷嘴移动的同时向基板W上供给剥离液，而除去抗蚀覆盖膜也可。
在接口区15内的+X侧，上下层叠配置有边缘曝光部EEW以及3个第二清洗/干燥处理单元SD2。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并进行旋转的旋转卡盘98、以及对保持在旋转卡盘98上的基板W的周边进行曝光的光照射器99。
接下来，利用图3，对基板处理装置500的-X侧的结构进行说明。如图3所示，在反射防止膜用处理区10的反射防止膜用热处理部100、101，分别层叠配置有2个加热单元(加热板)HP以及2个冷却单元(冷却板)CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101的最上部，分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用热处理部110、111，分别层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111的最上部，分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在显影处理区12的显影用热处理部120、121，分别层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在显影用热处理部120、121的最上部，分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀覆盖膜用处理区13的抗蚀覆盖膜用热处理部130、131，分别层叠配置有2个加热单元HP以及2个冷却单元CP。另外，在抗蚀覆盖膜用热处理部130、131的最上部，分别配置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀覆盖膜除去区14的基板装载收容部141，上下层叠配置有基板装载部PASS11、PASS12、输送缓冲贮存部SBF以及返回缓冲贮存部RBF。
接下来，利用图4对接口区15进行详细的说明。
图4是从+Y侧观察接口区15的概要侧视图。如图4所示，在接口区15内的-X侧，层叠设置有3个第一清洗/干燥处理单元SD1。另外，接口区15内的+X侧的上部，设置有边缘曝光部EEW。
在边缘曝光部EEW的下方的、接口区15内的大致中央部，上下层叠设置有3个装载兼加热单元P-PEB以及2个装载兼冷却单元P-CP。在边缘曝光部EEW的下方的、接口区15内的+X侧，上下层叠设置有3个第二清洗/干燥处理单元SD2。
另外，如图4中的虚线所示，抗蚀覆盖膜除去区14(图1)的基板装载部PASS11、PASS12、输送缓冲贮存部SBF以及返回缓冲贮存部RBF以面向接口区15的方式被设置。
另外，在接口区15内的下部，设置有第六中央机器人CR6以及接口用搬送机构IFR。第六中央机器人CR6被设置成在第一清洗/干燥处理单元SD1、基板装载部PASS11、PASS12、输送缓冲贮存部SBF、返回缓冲贮存部RBF、边缘曝光部EEW、装载兼加热单元P-PEB以及装载兼冷却单元P-CP之间可上下动作、且可转动。接口用搬送机构IFR被设置成在装载兼加热单元P-PEB、装载兼冷却单元P-CP、第二清洗/干燥处理单元SD2、曝光装置16内的基板搬入部16a以及基板搬出部16b(图1)之间可上下动作、且可转动。
(2)基板处理装置的动作
下面，参照图1～图4对本发明的实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
(2-1)分度器区～抗蚀覆盖膜除去区的动作
首先，对分度器区9～抗蚀覆盖膜除去区14的动作进行简单的说明。
在分度器区9的搬运器装载台40上，被搬入将多张基板W多级容纳的搬运器C。分度器机器人IR使用手部IRH来取出容纳在搬运器C内的未处理的基板W。然后，分度器机器人IR沿±X方向移动的同时沿±θ方向旋转移动，从而将未处理的基板W装载到基板装载部PASS1上。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：前开式统一标准箱)而作为搬运器C，但是并不仅限定于此，也可以使用SMIF(StandardMechanical InterFace：标准机械接口)盒或将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(open cassette：开放式盒子)等。
进一步，作为分度器机器人IR、第一～第六中央机器人CR1～CR6以及接口用搬送机构IFR，而分别使用相对基板W直线滑动而进行手部的进退动作的直线运动型搬送机器人，但是并不仅限定于此，也可以使用通过活动关节来进行手部的直线进退动作的多关节型搬送机器人。
通过反射防止膜用处理区10的第一中央机器人CR1来接收装载到基板装载部PASS1上的未处理的基板W。第一中央机器人CR1将上述基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。
然后，第一中央机器人CR1，从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，将上述基板W搬入到反射防止膜用涂敷处理部50。在该反射防止膜用涂敷处理部50中，为了减少曝光处理时所发生的驻波和光晕，而通过涂敷单元BARC来在基板W上涂敷形成反射防止膜。
然后，第一中央机器人CR1从反射防止膜用涂敷处理部50取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。接着，第一中央机器人CR1从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS3上。
通过抗蚀膜用处理区11的第二中央机器人CR2来接收装载到基板装载部PASS3的基板W。第二中央机器人CR2将该基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。
然后，第二中央机器人CR2从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，并将该基板W搬入到抗蚀膜用涂敷处理部60。接着，在该抗蚀膜用涂敷处理部60中，通过涂敷单元RES来在涂敷形成有反射防止膜的基板W上涂敷形成抗蚀膜。
接下来，第二中央机器人CR2从抗蚀膜用涂敷处理部60取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W装载到抗蚀膜用热处理部110、111。然后，第二中央机器人CR2从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS5上。
通过显影处理区12的第三中央机器人CR3来接收装载到基板装载部PASS5上的基板W。第三中央机器人CR3将该基板W装载到基板装载部PASS7上。
通过抗蚀覆盖膜用处理区13的第四中央机器人CR4来接收装载到基板装载部PASS7上的基板W。第四中央机器人CR4将该基板W搬入到抗蚀覆盖膜用涂敷处理部80。在该抗蚀覆盖膜用涂敷处理部80中，通过涂敷单元COV来在涂敷形成有抗蚀膜的基板W上涂敷形成抗蚀覆盖膜。
接着，第四中央机器人CR4从抗蚀覆盖膜用涂敷处理部80取出涂敷处理结束的基板W，并将该基板W搬入到抗蚀覆盖膜用热处理部130、131。然后，第四中央机器人CR4从抗蚀覆盖膜用热处理部130、131取出热处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS9上。
通过抗蚀覆盖膜除去区14的第五中央机器人CR5来接收装载到基板装载部PASS9上的基板W。第五中央机器人CR5将该基板W装载到基板装载部PASS11上。
通过接口区15的第六中央机器人CR6来接收装载到基板装载部PASS11上的基板W，如后所述，并在接口区15及曝光装置16中实施规定的处理。在接口区15及曝光装置16中对基板W实施了规定处理后，通过第六中央机器人CR6将该基板W装载到抗蚀覆盖膜除去区14的基板装载部PASS12上。
通过抗蚀覆盖膜除去区14的第五中央机器人CR5接收装载到基板装载部PASS12上的基板W。第五中央机器人CR5将该基板W装载到抗蚀覆盖膜除去用处理部90上。在抗蚀覆盖膜除去用处理部90中除去抗蚀覆盖膜。
接下来，第五中央机器人CR5从抗蚀覆盖膜除去用处理部90取出处理结束的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS10上。
通过抗蚀覆盖膜用处理区13的第四中央机器人CR4，将装载于基板装载部PASS10上的基板W装载到基板装载部PASS8上。
通过显影处理区12的第三中央机器人CR3来接收装载到基板装载部PASS8上的基板W。第三中央机器人CR3将该基板W搬入到显影处理部70。在显影处理部70中，对曝光后的基板W进行显影处理。
接着，第三中央机器人CR3从显影处理部70取出显影处理结束的基板W，并将该基板W搬入到显影用热处理部120、121。然后，第三中央机器人CR3从显影用热处理部120、121取出热处理后的基板W，并将该基板W装载到基板装载部PASS6上。
装载到基板装载部PASS6上的基板W，通过抗蚀膜用处理区11的第二中央机器人CR2来被装载到基板装载部PASS4上。装载到基板装载部PASS4上的基板W，通过反射防止膜用处理区10的第一中央机器人CR1来被装载到基板装载部PASS2上。
装载到基板装载部PASS2上的基板W，通过分度器区9的分度器机器人IR来被收容在搬运器C内。由此，基板处理装置500对基板W的各项处理结束。
(2-2)接口区的动作
下面，对接口区15的动作进行详细的说明。
如上所述，对搬入到分度器区9的基板W实施了规定处理后，将该基板W装载到抗蚀覆盖膜除去区14(图1)的基板装载部11上。
通过接口区15的第六中央机器人CR6来接收装载到基板装载部PASS11上的基板W。第六中央机器人CR6将该基板W搬入到边缘曝光部EEW(图4)。在该边缘曝光部EEW中，对基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第六中央机器人CR6从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理结束的基板W，并将该基板W装载到第一清洗/干燥处理单元SD1中的任何一处中。在第一清洗/干燥处理单元SD1中，如上所述，进行对曝光处理前的基板W的清洗以及干燥处理。
这里，由曝光装置16的曝光处理时间，通常比其它的处理工序及搬送工序的时间更长。其结果，在很多情况下曝光装置16无法接收其后的基板W。此时，基板W暂时容纳在抗蚀覆盖膜除去区14(图1)的输送缓冲贮存部SBF(图4)中而被保管。本实施方式中，第六中央机器人CR6从第一清洗/干燥处理单元SD1取出清洗及干燥处理结束的基板W，并将该基板W搬送到输送缓冲贮存部SBF。
接下来，第六中央机器人CR6取出在输送缓冲贮存部SBF中收容保管的基板W，并将该基板W搬入到装载兼冷却单元P-CP。搬入到装载兼冷却单元P-CP的基板W维持与曝光装置16内部相同的温度(例如，23℃)。
此外，在曝光装置16具有足够的处理速度的情况下，在输送缓冲贮存部SBF中不容纳保管基板W，而将该基板W从第一清洗/干燥处理单元SD1搬送到装载兼冷却单元P-CP也可。
接下来，通过接口用搬送机构IFR的上侧的手部H1(图4)接收在装载兼冷却单元P-CP中维持上述规定温度的基板W，并将该基板搬入到曝光装置16内的基板装载部16a(图1)。
通过接口用搬送机构IFR的下侧的手部H2(图4)，从基板搬出部16b(图1)取出在曝光装置16中实施了曝光处理后的基板W。接口用搬送机构IFR通过手部H2将上述基板W搬入到第二清洗/干燥处理单元SD2中的任意一个。第二清洗/干燥处理单元SD2中，如上所述那样对曝光处理后的基板W进行清洗以及干燥处理。
通过接口用搬送机构IFR的手部H1(图4)来取出在第二清洗/干燥处理单元SD2中实施了清洗以及干燥处理之后的基板W。接口用搬送机构IFR通过手部H1将该基板搬入到装载兼加热单元P-PEB中的任意一个。
在装载兼加热单元P-PEB中，对基板W进行曝光后烘干(PEB)处理。对于装载兼加热单元P-PEB的详细描述将在后面进行。
对基板W进行了曝光后烘干处理后，第六中央机器人CR6从装载兼加热单元P-PEB取出基板W，并将该基板W装载到抗蚀覆盖膜除去区14(图1)的基板装载部PASS12上。
此外，在因除去单元REM(图2)的故障等而抗蚀覆盖膜除去区14暂时无法接收基板W时，能够在返回缓冲贮存部RBF中暂时收容保管曝光处理后的基板W。
这里，在本实施方式中，第六中央机器人CR6在基板装载部PASS11、边缘曝光部EEW、第一清洗/干燥处理单元SD1，输送缓冲贮存部SBF、装载兼冷却单元P-CP、装载兼加热单元P-PEB以及基板装载部PASS12之间搬送基板W，但能够在短时间(例如，20秒)内进行该一连串的动作。
另外，接口用搬送机构IFR在装载兼冷却单元P-CP、曝光装置16、第二清洗/干燥处理单元SD2及装载兼加热单元P-PEB之间搬送基板W，但能够在短时间内(例如，24秒)进行该一连串的动作。
其结果，能够可靠地提高处理能力。
(3)装载兼加热单元
接下来，利用附图对设置在接口区15的装载兼加热单元P-PEB进行详细的说明。
图5是图4的装载兼加热单元P-PEB的外观立体图，图6是图5的装载兼加热单元的剖视图。
如图5及图6所示，装载兼加热单元P-PEB主要由加热处理部200及局部搬送机构300构成。加热处理部200包括上下配置的基板支撑部201以及加热部202。
基板支撑部201包括冷却板250、多个固定支撑销251、基板检测传感器WST、WSR以及水冷配管WP。加热部202包括上盖211、加热板213、多个可动支撑销214、支撑板215、上盖保持构件216、支撑构件217以及上盖开闭驱动装置218。
冷却板250及加热板213通过支撑构件217在上下方向隔着规定间隔而被支撑。由此，通过冷却板250来隔断基板支撑部201与加热部202。
在冷却板250上设置有基板检测传感器WST、WSR。根据从基板检测传感器WST、WSR提供的信号，主控制器30判断冷却板250上是否存在基板W。
另外，冷却板250的内部设置有水冷配管WP，通过在水冷配管WP的内部循环冷却介质，而能够调整冷却板250的温度。在冷却板250以向上方突出的方式设置有多个固定支撑销251。
在加热部202的加热板213设置有多个贯通孔，在该多个贯通孔设置有多个可动支撑销214。可动支撑销214安装在支撑板215上。
另外，上盖211通过上盖保持构件216保持在加热板213上。支撑板215及上盖保持构件216通过上盖驱动装置218的驱动而同时上下动作。
局部搬送机构300包括带轮310、311、传动带312、手部输送轴313、314、滑轨320、筐体350、360、局部搬送手部RHR、输送轴驱动马达M20、M30。
在局部搬送机构300的筐体350内收容有用于使局部搬送手部RHR在上下方向(参照图5的箭头M1)上移动的带轮310、311、传动带312、手部输送轴313等构成要素，而在局部搬送机构300的筐体360内收容有用于使局部搬送手部RHR及筐体350在水平方向(参照图5的箭头M2)上移动的手部输送轴314、滑轨320等构成要素。
输送轴驱动马达M30的旋转，通过带轮310、311及传动带312而带动手部输送轴313旋转。由此，局部搬送手部RHR在上下方向上移动。
另外，输送轴驱动马达M20的旋转带动手部输送轴314旋转。由此，局部搬送手部RHR与筐体350一起在水平方向上移动。
局部搬送手部RHR通过上下方向及水平方向的移动，在基板支撑部201及加热部202之间移动。
在局部搬送手部RHR，以与固定支撑销251及可动支撑销214不干涉的方式设置有切槽(狭缝)。
接下来，对于装载兼加热单元P-PEB的动作进行说明。图7及图8是用于说明装载兼加热单元P-PEB的动作的图。另外，以下所说明的装载兼加热单元P-PEB的各构成要素的动作，是通过图1的主控制器(控制部)30来进行控制的。
首先，如图7(a)所示，在第二清洗/干燥处理单元SD2中实施了清洗及干燥处理的基板W，通过接口用搬送机构IFR(图4)被装载到基板支撑部201的固定支撑销251上。
接下来，如图7(b)所示，通过局部搬送手部RHR从基板支撑部201搬出基板W。同时，加热部202的支撑板215及上盖保持构件216上升，而上盖211被开放的同时可动支撑销214突出于加热板213上。
接下来，如图8(c)所示，通过局部搬送手部RHR将基板W搬入到加热部202，并装载在可动支撑销214上。
接下来，如图8(d)所示，加热部202的支撑板215及上盖保持构件216下降，而上盖211被关闭的同时，基板W被装载在加热板213上。
这里，将基板W装载到加热板213上的定时，是根据基板W的曝光处理后的经过时间段来进行调整的。具体地说，对基板W实施了曝光处理之后，在经过了预先设定好的时间段的时刻将基板W装载到加热板213上。
接下来，加热加热板213，并进行对基板W的PEB处理。此时，对基板W的PEB处理的开始定时，依赖于将基板W装载到加热板213上的定时。即，在曝光处理后的规定的定时开始对基板W的PEB处理。
另一方面，在对基板W的PEB处理中，局部搬送手部RHR在基板支撑部201的冷却板250上移动。这里，通过使冷却介质循环在冷却板250内的水冷配管WP中，而使冷却板250上的局部搬送手部RHR冷却。由此，在对多张基板W连续地进行PEB处理等的情况下，能够除去从基板W向局部搬送手部RHR所传导的热量。因此，能够将局部搬送手部RHR的温度保持为一定，从而能够防止对基板W产生热的影响。
若对基板W的PEB处理一结束，则局部搬送手部RHR从基板支撑部201向加热部202移动。然后，局部搬送手部RHR从加热部202向基板支撑部201搬送PEB处理后的基板W，并将基板W装载到固定支撑销251上。
接下来，通过第六中央机器人CR6将基板W从装载兼加热单元P-PEB搬出。由此，完成装载兼加热单元P-PEB的一连串的动作。
另外，在本实施方式中，通过调整向加热板213上装载基板W的定时，而调整对基板W的PEB处理的开始定时，但是，也可以通过调整加热板213的加热的定时等其它方法来调整对基板W的PEB处理的开始定时。
(4)清洗/干燥处理单元
接下来，利用附图对第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2进行详细的说明。此外，第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2可采用同样的结构。
(4-1)结构
图9是用于说明第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的结构的图。如图9所示，第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2具有旋转卡盘621，该旋转卡盘621用于以水平保持基板W的同时使基板W在通过基板W的中心的垂直的旋转轴的周围进行旋转。
旋转卡盘621固定在由卡盘旋转驱动机构636来带动而旋转的旋转轴625的上端。另外，在旋转卡盘621上形成有吸气路径(未图示)，而且，在将基板W装载在旋转卡盘621上的状态下对吸气路径内进行排气，而将基板W的下表面真空吸附在旋转卡盘621上，从而能够将基板W以水平姿势保持。
在旋转卡盘621的外侧设置有第一旋转马达660。第一旋转马达660与第一旋转轴661连接在一起。另外，第一臂部662以向水平方向延伸的方式连接在第一旋转轴661上，并在第一臂部662的前端设置有清洗处理用喷嘴650。
第一旋转马达660带动第一旋转轴661旋转的同时也使第一臂部662进行动作，而使清洗处理用喷嘴650移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以通过第一旋转马达660、第一旋转轴661以及第一臂部662的内部的方式设置有清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663经由阀门Va以及阀门Vb而连接到清洗液供给源R1以及漂洗液供给源R2。
通过控制该阀门Va、Vb的开与关，而能够进行供给到清洗处理用供给管663的处理液的选择以及供给量的调整。在图9的结构中，通过打开阀门Va，而能够将清洗液供给到清洗处理用供给管663，通过打开阀门Vb，而能够将漂洗液供给到清洗处理用供给管663。
将清洗液或者漂洗液从清洗液供给源R1或者漂洗液供给源R2通过清洗处理用供给管663供给到清洗处理用喷嘴650。由此，可以向基板W的表面供给清洗液或者漂洗液。作为清洗液可以使用例如纯水、在纯水中溶解了络合物(经离子化的物质)的液体或者氟类药液等。作为漂洗液可以使用例如纯水、碳酸水、含氢水、电解离子水以及HFE(氢氟醚)中的任何一种。
在旋转卡盘621的外侧设置有第二马达671。第二马达671与第二旋转轴672连接在一起。另外，第二臂部673以向水平方向延伸的方式连接在第二旋转轴672，并在第二臂部673的前端设置有干燥处理用喷嘴670。
第二旋转马达671带动第二旋转轴672旋转的同时也使第二臂部673动作，而使干燥处理用喷嘴670移动到由旋转卡盘621保持的基板W的上方。
以通过第二旋转马达671、第二旋转轴672以及第二臂部673的内部的方式设置有干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674经由阀门Vc而连接到惰性气体供给源R3。通过控制该阀门Vc的开与关，而能够调整供给到干燥处理用供给管674的惰性气体的供给量。
惰性气体从惰性气体供给源R3经由干燥处理用供给管674而供给到干燥处理用喷嘴670。由此，能够向基板W的表面供给惰性气体。作为惰性气体可以使用例如氮气。
当向基板W的表面供给清洗液或者漂洗液时，清洗处理用喷嘴650位于基板的上方，而当向基板W的表面供给惰性气体时，清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置。
另外，当向基板W的表面供给清洗液或者漂洗液时，干燥处理用喷嘴670退避到规定的位置，而当向基板W的表面供给惰性气体时，干燥处理用喷嘴670位于基板W的上方。
由旋转卡盘621保持的基板W被容纳于处理杯623内。在处理杯623的内侧设置有筒状的间隔壁633。另外，以包围旋转卡盘621的周围的方式形成有用于排出基板W的处理中所使用的处理液(清洗液或者漂洗液)的排液空间631。进一步，以包围排液空间631的方式在处理杯623和间隔壁633之间形成有用于回收基板W的处理中使用过的处理液的回收液空间632。
在排液空间631连接有用于向排液处理装置(未图示)引导处理液的排液管634，而在回收液空间632连接有用于向回收处理装置(未图示)引导处理液的回收管635。
在处理杯623的上方设置有用于防止来自基板W的处理液向外侧飞散的挡板624。该挡板624具有相对旋转轴625旋转对称的形状。在挡板624的上端部的内面，以环状形成有截面为“＜”字状的排液引导槽641。
另外，在挡板624的下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于容纳处理杯623的间隔壁633的间隔壁容纳槽643。
在该挡板624设置有由滚珠丝杠机构等构成的挡板升降驱动机构(未图示)。挡板升降驱动机构使挡板624在回收液引导部642与由旋转卡盘621保持的基板W的外周端面相对向的回收位置、和排液引导槽641与由旋转卡盘621保持的基板W的外周端面相对向的排液位置之间上下移动。在挡板624位于回收位置(如图9所示的挡板的位置)的情况下，将从基板W向外侧飞散的处理液通过回收液引导部642来引导到回收液空间632，并通过回收管635回收。另一方面，在挡板624位于排液位置的情况下，将从基板W向外侧飞散的处理液通过排液引导槽641来引导到排液空间631，并通过排液管634排液。通过以上的结构，进行对处理液的排液以及回收。
(4-2)动作
下面，对具有上述结构的第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的处理动作进行说明。此外，对以下说明的第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的各构成元件的动作，通过图1的主控制器(控制部)30来进行控制。
首先，当搬入基板W时，挡板624下降的同时，图1的第六中央机器人CR6或接口用搬送机构IFR将基板W装载到旋转卡盘621上。装载到旋转卡盘621上的基板W，通过旋转卡盘621被吸附保持。
接着，挡板624移动到上述排液位置的同时，清洗处理用喷嘴650向基板W的中央部上方移动。然后，旋转轴625旋转，随着该旋转被保持在旋转卡盘621上的基板W也旋转。然后，从清洗处理用喷嘴650将清洗液喷到基板W的上面。由此，进行对基板W的清洗。
此外，在第一清洗/干燥处理单元SD1，当进行该清洗时基板W上的抗蚀覆盖膜的成分会溶解到清洗液中。另外，在对基板W的清洗中，使基板W旋转的同时向基板W上供给清洗液。此时，由于存在离心力，所以基板W上的清洗液总是向基板W的周边部移动并被飞散。因而，能够防止溶解到清洗液中的抗蚀覆盖膜的成分残留在基板W上。
此外，例如，通过在基板W上盛满纯水并保持一定时间，而溶解上述抗蚀覆盖膜的成分也可。还有，向基板W上的清洗液的供给，也可以通过使用二流体喷嘴的柔性喷出(ソフトスプレ一)方式来进行。
经过规定时间后，停止供给清洗液，并从清洗处理用喷嘴650喷出漂洗液。由此，冲洗基板W上的清洗液。
进而经过规定时间后，旋转轴625的转速降低。由此，通过基板W的旋转来甩掉的漂洗液的量减少，如图10(a)所示，在基板W的整个表面上形成漂洗液的液层L。此外，使旋转轴625的旋转停止而在基板W的整个表面上形成液层L也可。
接着，停止供给漂洗液，并清洗处理用喷嘴650退避到规定的位置，并且干燥处理用喷嘴670移动到基板W的中央部上方。然后，从干燥处理用喷嘴670喷出惰性气体。由此，如图10(b)所示，基板W的中央部的漂洗液移动到基板W的周边部，从而变成仅在基板W的周边部存在液层L的状态。
接着，旋转轴625(参照图9)的转速上升的同时，并如图10(c)所示，干燥处理用喷嘴670从基板W的中央部上方向周边部上方缓慢移动。由此，能够对基板W上的液层L作用很大的离心力，并且对基板W的整个表面喷出惰性气体，因此，能够可靠地除去基板W上的液层L。其结果，能够可靠地使基板W干燥。
接着，停止供给惰性气体，并使干燥处理喷嘴670退避到规定的位置，并使旋转轴625停止旋转。然后，挡板624下降，并且图1的第六中央机器人CR6或接口用搬送机构IFR将基板W搬出。由此，结束在第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的处理动作。此外，在清洗以及干燥处理中的挡板624的位置，优选按照处理液的回收或者废弃的需要而适当进行变更。
此外，在上述实施方式中，采用了在清洗液的供给以及漂洗液的供给中共用清洗液处理用喷嘴650的结构，以使从清洗液处理用喷嘴650都能够供给清洗液以及漂洗液中的任何一种，但也可以采用分别分开清洗液供给用喷嘴和漂洗液供给用喷嘴的结构。
另外，当供给漂洗液时，也可以从未图示的防漂洗用喷嘴向基板W的背面供给纯水，以使漂洗液不会蔓延到基板W的背面。
另外，在作为清洗基板W的清洗液而使用纯水的情况下，不需要进行漂洗液的供给。
另外，在上述实施方式中，通过旋转干燥方法来对基板W实施了干燥处理，但也可以通过减压干燥方法、风刀干燥方法等其他的干燥方法来对基板W实施干燥处理。
另外，在上述实施方式中，在形成有漂洗液的液层L的状态下，从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体，但在不形成漂洗液的液层L的情况下、或者不使用漂洗液的情况下，使基板W旋转而将清洗液的液层一旦甩掉之后，立即从干燥处理用喷嘴670供给惰性气体而使基板W完全干燥也可。
(5)本实施方式的效果
(5-1)装载兼加热单元P-PEB的效果
在本实施方式中的接口区15上设置有装载兼加热单元P-PEB。由此，能够将曝光处理后的基板W迅速地搬送到装载兼加热单元P-PEB。因此，曝光处理后，能够迅速地进行对基板W的PEB处理。其结果，能够快速地促进抗蚀膜内的化学反应，而能够得到所期望的曝光图案。
另外，装载兼加热单元P-PEB在从接口用搬送机构IFR向第六中央机器人CR6交接基板W时，起到了用于装载基板W的装载部的作用。由此，能够简化接口区15内的基板W的搬送路径，从而能够提高处理能力。另外，没有必要分别独立设置用于进行从接口用搬送机构IFR向第六中央机器人CR6交接基板W的装载部，从而能够降低接口区15的制造成本。另外，因为能够减少搬送基板W的经停位置，因此能够使第六中央机器人CR6的动作变得简单。
另外，在装载兼加热单元P-PEB中，在曝光处理后的规定的定时开始进行对基板W的PEB处理。因此，在连续地处理多张基板W的情况下，对多张基板W来说，从曝光处理到PEB处理为止的经过时间变得相同。由此，对多张基板W能够防止曝光图案精度的参差不齐。
(5-2)对曝光处理后的基板进行干燥处理的效果
在第二清洗/干燥处理单元SD2中，对曝光处理后的基板W进行干燥处理。由此，能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体落入基板处理装置500内的现象。
另外，通过对曝光处理后的基板W进行干燥处理，而能够防止环境中的尘埃等附着在曝光处理后的基板W上，从而能够防止基板W的污染。
另外，由于能够防止附着有液体的基板W被搬送到基板处理装置500内，从而能够防止曝光处理时基板W上所附着的液体对基板处理装置500内的环境产生影响。由此，可容易地调整基板处理装置500内的温湿度。
另外，由于能够防止曝光处理时基板W上所附着的液体附着在分度器机器人IR及第一～第六中央机器人CR1～CR6上，从而可防止在曝光处理前的基板W上附着有液体。由此，由于能够防止环境中的尘埃等附着在曝光处理前的基板W上，从而能够防止基板W的污染。其结果，能够防止曝光处理时的分辨率特性的劣化，并能够防止曝光装置16内的污染。
另外，能够可靠地防止在从第二清洗/干燥处理单元SD2向显影处理部70搬送基板W的过程中抗蚀剂的成分或抗蚀覆盖膜的成分溶解到残留在基板W上的清洗液以及漂洗液中。由此，能够可靠地防止在抗蚀膜上所形成的曝光图案的变形。其结果，能够可靠地防止显影处理时的线宽精度的降低。
其结果，能够防止基板处理装置500的电气系统的异常等动作不良，并能够可靠地防止对基板W的处理不良。
另外，在第二清洗/干燥处理单元SD2中，使基板W旋转的同时，从基板W的中央部向周边部强烈喷出惰性气体，从而进行对基板W的干燥处理。此时，由于能够可靠地除去基板W上的清洗液及漂洗液，因而能够可靠地防止清洗后的基板W上附着环境中的尘埃等。由此，能够可靠地防止基板W的污染，并能够防止在基板W的表面上产生干燥斑点。
(5-3)对曝光处理后的基板进行清洗处理的效果
在第二清洗/干燥处理单元SD2中，在干燥处理前对基板W进行清洗处理。此时，即使在曝光处理时附着了液体的基板W上附着了环境中的尘埃等，也能够除去该附着物。由此，能够防止基板W的污染。其结果，能够可靠地防止对基板的处理不良。
(5-4)对抗蚀覆盖膜进行涂敷处理的效果
在曝光装置16中对基板W进行曝光处理之前，在抗蚀覆盖膜用处理区13中，在抗蚀膜上形成抗蚀覆盖膜。此时，即使在曝光装置16中基板W与液体接触，也能够通过抗蚀覆盖膜来防止抗蚀膜与液体接触，从而能够防止抗蚀剂的成分溶解到液体中。
(5-5)对抗蚀覆盖膜进行除去处理的效果
在显影处理区12中对基板W进行显影处理之前，在抗蚀覆盖膜除去区14中进行对抗蚀覆盖膜的除去处理。此时，由于能够在显影处理前完全除去抗蚀覆盖膜，从而能够可靠地进行显影处理。
(5-6)对曝光处理前的基板进行清洗及干燥处理的效果
在曝光装置16中对基板W进行曝光处理前，在第一清洗/干燥处理单元SD1对基板W进行清洗处理。在进行上述清洗处理时，基板W上的抗蚀覆盖膜成分的一部分溶解到清洗液或漂洗液中，并被冲洗掉。由此，在曝光装置16中，基板W即使与液体接触，基板W上的抗蚀覆盖膜的成分也几乎不会溶解到液体中。另外，能够除去在曝光处理前的基板W上所附着的尘埃等。其结果，能够防止曝光装置16内的污染。
另外，在第一清洗/干燥处理单元SD1中，在对基板W的清洗处理之后进行对基板W的干燥处理。由此，由于能够除去在进行清洗处理时附着在基板W上的清洗液或漂洗液，从而能够防止环境中的尘埃等再次附着在清洗处理后的基板W上。其结果，能够可靠地防止曝光装置16内的污染。
另外，在第一清洗/干燥处理单元SD1中，一边使基板W旋转一边从基板W的中央部向周边部强烈喷出惰性气体，从而对基板W进行干燥处理。此时，由于能够可靠地除去基板W上的清洗液以及漂洗液，因此能够可靠地防止在清洗后的基板W上附着环境中的尘埃等。由此，能够可靠地防止基板W的污染，并能够防止在基板W的表面上产生干燥斑点。
(5-7)接口区的效果
在接口区15中，第六中央机器人CR6进行对边缘曝光部EEW的基板W的搬入搬出、对第一清洗/干燥处理单元SD1的基板W的搬入搬出、对输送缓冲贮存部SBF的基板W的搬入搬出、向装载兼冷却单元P-CP的基板W的搬入以及从装载兼加热单元P-PEB的基板W的搬出，接口用搬送机构IFR进行从装载兼冷却单元P-CP的基板W的搬出、对曝光装置16的基板W的搬入搬出、对第二清洗/干燥处理单元SD2的基板W的搬入搬出、以及向装载兼加热单元P-PEB的基板W的搬入。如此，能够通过第六中央机器人CR6以及接口用搬送机构IFR来高效率地进行对基板W的搬送，从而能够提高处理能力。
另外，在接口区15，第一清洗/干燥处理单元SD1及第二清洗/干燥处理单元SD2分别设置在X方向侧面的附近。此时，可不卸下接口区15而能够从基板处理装置500的侧面容易地进行对第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的维护。
另外，通过第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2，而能够在1个处理区内进行对曝光处理前及曝光处理后的基板W的清洗及干燥。因此，能够防止基板处理装置500的占用面积的增加。
(5-8)接口用搬送机构的效果
在接口区15中，当从装载兼冷却单元P-CP向曝光装置16搬送基板W时、以及从第二清洗/干燥处理单元SD2向装载兼加热单元P-PEB搬送基板W时，使用接口用搬送机构IFR的手部H1，而当从曝光装置16向第二清洗/干燥处理单元SD2搬送基板时，使用接口用搬送机构IFR的手部H2。
即，在没有附着液体的基板W的搬送中使用手部H1，而在附着有液体的基板W的搬送中使用手部H2。
此时，由于能够防止在曝光处理时附着在基板W上的液体附着在手部H1上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板W上。另外，手部H2设置在手部H1的下方，所以即使液体从手部H2以及由其保持的基板W落下，也能够防止液体附着在手部H1以及由其保持的基板W上。由此，能够可靠地防止液体附着在曝光处理前的基板W上。其结果，能够可靠地防止曝光处理前的基板W的污染。
(5-9)设置有装载兼冷却单元P-CP的效果
接口区15中，通过设置同时具有装载由曝光装置16进行曝光处理前的基板W的功能、以及用于使基板W的温度与曝光装置16内的温度一致的冷却功能的装载兼冷却单元P-CP，而能够消减搬送工序。在通过被要求对基板的严格的温度管理的浸液法来进行曝光处理时，消减搬送工序变得重要。
通过上所处理，能够提高处理能力，并能够消减搬送的经停位置，因而能够提高可靠性。
特别是，通过设置2个装载兼冷却单元P-CP，而能够进一步提高处理能力。
(6)清洗/干燥处理单元的其他例子
在图9所示的清洗/干燥处理单元中，分别单独设置有清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670，但如图11所示，也可以一体设置清洗处理用喷嘴650和干燥处理用喷嘴670。这时，在对基板W进行清洗处理时、或者进行干燥处理时无需分别单独移动清洗处理用喷嘴650以及干燥处理用喷嘴670，所以能够使驱动机构变得简单。
另外，也可以代替图9所示的干燥处理用喷嘴670，而使用如图12所示的干燥处理用喷嘴770。
图12的干燥处理用喷嘴770具有向垂直下方延伸的同时从侧面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥处理用喷嘴770的下端以及分支管771、772的下端形成有喷出惰性气体的气体喷出口770a、770b、770c。
如图12的箭头所示，从各喷出口770a、770b、770c分别向垂直下方以及斜下方喷出惰性气体。也就是说，在干燥处理用喷嘴770中，以向下方喷出范围扩大的方式喷出惰性气体。
这里，当使用干燥处理用喷嘴770时，第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2通过以下所说明的动作来对基板W进行干燥处理。
图13是用于说明在使用了干燥处理用喷嘴770的情况下对基板W的干燥处理方法的图。
首先，通过在图10(a)中所说明的方法，而在基板W的表面形成了液层L之后，如图13(a)所示，干燥处理用喷嘴770向基板W的中央部上方移动。
然后，从干燥处理用喷嘴770喷出惰性气体。由此，如图13(b)所示，基板W的中央部的漂洗液移动到基板W的周边部，而处于仅在基板W的周边部存在液层L的状态。此外，这时，使干燥处理用喷嘴770接近于基板W的表面，以使存在于基板W的中央部的漂洗液可靠地移动。
接着，旋转轴625(参照图9)的转速上升，并且，如图13(c)所示，干燥处理用喷嘴770向上方移动。由此，对基板W上的液层L作用很大的离心力，并且，在基板W上被喷出惰性气体的范围扩大。其结果，能够可靠地除去基板W上的液层L。另外，设置在图9的第二旋转轴672上的旋转轴升降机构(未图示)带动第二旋转轴672上下升降，从而能够使干燥处理用喷嘴770上下移动。
另外，代替干燥处理用喷嘴770，而也可以使用如图14所示的干燥处理用喷嘴870。图14中的干燥处理用喷嘴870具有向下方直径逐渐扩大的喷出口870a。
如图14所示的箭头，从该喷出口870a向垂直下方以及斜下方喷出惰性气体。也就是说，干燥处理用喷嘴870与图13的干燥处理用喷嘴770同样，也以向下方喷出范围扩大的方式喷出惰性气体。因而，即使在使用干燥处理用喷嘴870的情况下，也能够通过与使用干燥处理用喷嘴770时相同的方法来进行对基板W的干燥处理。
另外，也可以代替图9所示的清洗/干燥处理单元，而使用如图15所示的清洗/干燥处理单元。
图15所示的清洗/干燥处理单元与图9所示的清洗/干燥处理单元的不同点为以下的几点。
在图15的清洗/干燥处理单元中，在旋转卡盘621的上方设置有在中央部具有开口的圆板状的遮断板682。从臂部688的前端附近向铅垂方向设置有支撑轴689，并在该支撑轴689的下端安装有遮断板682，以使其与由旋转卡盘621保持的基板W的上面相对向。
在支撑轴689的内部贯通有连通到遮断板682的开口的气体供给路径690。对气体供给路径690例如供给氮气。
在臂部688连接有遮断板升降驱动机构697以及遮断板旋转驱动机构698。遮断板升降驱动机构697使遮断板682上下移动在接近于由旋转卡盘621保持的基板W的上面的位置、和向上方远离旋转卡盘621的位置之间。
在图15的清洗/干燥处理单元中对基板W进行干燥处理时，如图16所示，在使遮断板682接近基板W的状态下，对基板W和遮断板682之间的间隙从气体供给路径690供给惰性气体。这时，能够从基板W的中央部向周边部高效地供给惰性气体，因此能够可靠地除去基板W上的液层L。
另外，上述实施方式中，在接口区15内配置有第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2，但是，第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2配置在如图1所示的抗蚀覆盖膜除去区14内也可。或者，将包括第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2的清洗/干燥处理区设置在抗蚀覆盖膜除去区14与接口区15之间也可。
(7)使用二流体喷嘴的清洗/干燥处理单元的例子
(7-1)使用二流体喷嘴时的结构及动作
在上述实施方式中，针对在第一及第二清洗/干燥处理单元SD1、SD2中使用了如图9所示的清洗处理用喷嘴650及干燥处理用喷嘴670的情况进行了说明，但是，也可以代替清洗处理用喷嘴650及干燥处理用喷嘴670中的一个或两个而使用如图17所示的二流体喷嘴。
图17是表示在清洗及干燥处理中所使用的二流体喷嘴950的内部结构的一例的纵向剖视图。从二流体喷嘴950能够选择性地吐出气体、液体、以及气体与液体的混合流体。
在本实施方式的二流体喷嘴950被称为外部混合型。图17所示的外部混合型二流体喷嘴950由内部主体部411以及外部主体部412构成。内部主体部411例如由石英等构成，而外部主体部412例如由PTFE(聚四氟乙烯)等氟树脂构成。
沿着内部主体411的中心轴而形成有圆筒状的液体导入部411b。在液体导入部411b上安装有图9的清洗处理用供给管663。由此，从清洗处理用供给管663所供给的清洗液或漂洗液被导入到液体导入部411b中。
在内部主体部411的下端形成有连通到液体导入部411b的液体喷出口411a。内部主体部411插入在外部主体部412内。此外，内部主体部411以及外部主体部412的上端部相互接合，而下端没有接合。
在内部主体部411与外部主体部412之间，形成有圆筒状的气体通过部412b。在外部主体部412的下端形成有连通到气体通过部412b的气体喷出口412a。在外部主体部412的周壁上，以连通到气体通过部412b的方式安装有图9的干燥处理用供给管674。由此，从干燥处理用供给管674所供给的惰性气体被导入到气体通过部412b。
在气体喷出口412a的附近，气体通过部412b越到下方其口径越小。其结果，惰性气体的流速被加速，并从气体喷出口412a喷出。
从液体喷出口411a喷出的清洗液与从气体喷出口412a喷出的惰性气体在二流体喷嘴950的下端附近的外部被混合，从而生成含有清洗液的微细液滴的雾状混合流体。
图18是用于说明使用了图17的二流体喷嘴950时对基板W的清洗及干燥处理方法的图。
首先，如图9所示，基板W通过旋转卡盘621来被吸附保持，并随着旋转轴625的旋转而旋转。此时，旋转轴625的转速例如为约500rpm。
在该状态下，如图18(a)所示，从二流体喷嘴950向基板W的上面吐出由清洗液及惰性气体构成的雾状的混合流体的同时，二流体喷嘴950从基板W的中央部上方向周边部上方缓慢移动。由此，从二流体喷嘴950向基板W的整个表面强烈喷出混合流体，而进行对基板W的清洗。
接下来，如图18(b)所示，停止供给混合流体，旋转轴625的转速降低，并且从二流体喷嘴950向基板W喷出漂洗液。此时，旋转轴625的转速例如为约10rpm。由此，在基板W的整个表面上形成漂洗液的液层L。此外，使旋转轴625的旋转停止，而在基板W的整个表面上形成液层L也可。另外，作为清洗基板W的混合流体中的清洗液而使用纯水时，也可以不供给漂洗液。
形成了液层L后，停止漂洗液的供给。接下来，如图18(c)所示，从二流体喷嘴950向基板W喷出惰性气体。由此，基板W的中央部的清洗液移动到基板W的周边部，而处于仅在基板W的周边部存在液层L的状态。
然后，旋转轴625的转速提高。此时，旋转轴625的转速例如为约100rpm。由此，由于在基板W上的液层L上作用很大的离心力，因此能够除去基板W上的液层L。其结果，使基板W得到干燥。
此外，在除去基板W上的液层L时，使二流体喷嘴950从基板W的中央部上方向周边部上方缓慢移动也可。由此，由于能够向基板W的整个表面强烈喷出惰性气体，因此能够可靠地除去基板W上的液层L。其结果，能够可靠地干燥基板W。
(7-2)使用了二流体喷嘴时的效果
在图17的二流体喷嘴中，从二流体喷嘴950喷出的混合流体含有清洗液的微细的液滴，因此，即使在基板W表面上存在凹凸的情况下，也能够通过清洗液的微细的液滴来除去附着在基板W上的污染。由此，能够可靠地除去基板W表面的污染。另外，即使在基板W上膜的易润性低的情况下，也能够通过清洗液的微细的液滴来除去附着在基板W上的污染，因此能够可靠地除去基板W表面的污染。
因此，特别是在第一清洗/干燥处理单元SD1中使用了二流体喷嘴的情况下，在曝光处理前通过加热单元HP来对基板W实施热处理时，抗蚀膜或抗蚀覆盖膜的溶剂等在加热单元HP内升华，而即使在该升华物重新附着在基板W上的情况下，在第一清洗/干燥处理单元SD1中也能够可靠地除去该附着物。由此，能够可靠地防止曝光装置16内的污染。
另外，通过调节惰性气体的流量，而能够容易地调整清洗基板W时的清洗性能。由此，在基板W上的有机膜(抗蚀膜或抗蚀覆盖膜)具有容易破损的性质时，能够通过减弱清洗性能来防止基板W上的有机膜的破损。另外，在基板W表面的污染很顽固的情况下，能够通过加强清洗性能来可靠地除去基板W表面的污染。由此，通过结合基板W上的有机膜的性质与污染的程度来调整清洗性能，而能够防止基板W上的有机膜的破损的同时，能够可靠地清洗基板W。
另外，在外部混合型的二流体喷嘴950中，通过使清洗液与惰性气体在二流体喷嘴950的外部混合，而生成混合流体。在二流体喷嘴950的内部，惰性气体与清洗液分别区分流通在不同的流路。由此，在气体通过部412b内不会残留清洗液，而能够使惰性气体单独从二流体喷嘴950喷出。进而，通过从清洗处理用供给管663供给漂洗液，而能够使漂洗液单独从二流体喷嘴950喷出。因此，能够从二流体喷嘴950选择性地喷出混合流体、惰性气体及漂洗液。
另外，在使用了二流体喷嘴950的情况下，无需分别独立地设置用于向基板W上供给清洗液或漂洗液的喷嘴、与用于向基板W上供给惰性气体的喷嘴。由此，能够以简单的结构可靠地进行对基板W的清洗及干燥。
此外，在上述说明中，通过二流体喷嘴950向基板W供给了漂洗液，但是，也可以使用另外独立的喷嘴向基板W供给漂洗液。
另外，在上述说明中，通过二流体喷嘴950向基板W供给了惰性气体，但是，也可以使用另外独立的喷嘴向基板W供给惰性气体。
(8)其它的实施方式
也可以不设置抗蚀覆盖膜用处理区13。此时，在第一清洗/干燥处理单元SD1进行清洗处理时，抗蚀膜成分的一部分被溶解到清洗液中。由此，即使在曝光装置16中抗蚀膜与液体接触，也能够防止抗蚀剂的成分溶解到液体中。其结果，能够防止曝光装置16内的污染。
另外，在不设置抗蚀覆盖膜用处理区13的情况下，也可以不设置抗蚀覆盖膜除去区14。由此，能够降低基板处理装置500的占用面积。
另外，第一清洗/干燥处理单元SD1、第二清洗/干燥处理单元SD2、涂敷单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP、冷却单元CP、装载兼冷却单元P-CP以及装载兼加热单元P-PEB的数目，也能够根据各处理区的处理速度来适宜地进行变更。例如，在设置2个边缘曝光部EEW的情况下，将第二清洗/干燥处理单元SD2的数目设置为2个也可。
另外，在本实施方式中，对作为基板处理装置500的外部装置而设置通过浸液法对基板W进行曝光处理的曝光装置16的情况进行了说明，但并不仅限定于此，也可以作为外部装置设置而设置不使用液体而对基板W进行曝光处理的以往的曝光装置。此时，不设置抗蚀覆盖膜用处理区13、抗蚀覆盖膜除去区14、第一清洗/干燥处理单元SD1及第二清洗/干燥处理单元SD2也可。
(9)后述技术方案中的各构成元件与实施方式中的各部的对应
以下，对后述技术方案中的各构成要素与实施方式中的各要素的对应的例子进行说明，但是，本发明并不仅限定于下述例子。
在上述实施方式中，反射防止膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀覆盖膜用处理区13以及抗蚀覆盖膜除去区14相当于处理部的例子；接口区15相当于交接部的例子；涂敷单元RES相当于感光性膜形成单元的例子；装载兼加热单元P-PEB相当于加热处理单元的例子；第六中央机器人CR6相当于第一搬送单元的例子；接口用搬送机构IFR相当于第二搬送单元的例子。
另外，基板支撑部201相当于支撑部的例子；局部搬送机构300相当于搬送装置的例子；主控制器30相当于控制部的例子；装载兼冷却单元P-CP相当于装载部以及温度管理待机单元的例子；第一清洗/干燥处理单元SD1相当于清洗处理单元的例子；第二清洗/干燥处理单元SD2相当于干燥处理单元的例子；Y方向相当于第一方向；X方向相当于第二方向的例子；手部H1相当于第一保持部的例子；手部H2相当于第二保持部的例子。
作为后述技术方案的各结构要素，也可以使用具有在后述技术方案中所记载的结构或功能的其它的各种要素。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，其特征在于，具有：
处理部，其用于对基板进行处理；
交接部，其用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述处理部包括感光性膜形成单元，该感光性膜形成单元在基板上形成由感光性材料形成的感光性膜，
上述交接部包括：
热处理单元，其对由上述曝光装置进行了曝光处理后的基板进行热处理；
第一搬送单元，其在上述处理部及上述热处理单元之间搬送基板；
第二搬送单元，其在上述曝光装置及上述热处理单元之间搬送基板，
上述第二搬送单元将由上述曝光装置进行了曝光处理后的基板搬入到上述热处理单元，
上述第一搬送单元将由上述热处理单元进行了热处理后的基板从上述热处理单元搬出。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述热处理单元具有：
支撑部，其支撑被搬入的基板或被搬出的基板；
加热部，其对基板进行加热处理；
搬送装置，其在上述支撑部与上述加热部之间搬送基板。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有控制部，该控制部控制上述加热部而以规定的定时对由上述曝光装置进行了曝光处理后的基板进行加热。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述交接部还具有暂时装载基板的装载部，
上述第一搬送单元将由上述处理部进行了规定的处理后的基板搬送到上述装载部，
上述第二搬送单元从上述装载部向曝光装置搬送基板。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述装载部是温度管理待机单元，该温度管理待机单元使由上述曝光装置进行曝光处理前的基板维持在规定温度的同时，使基板处于待机状态直到向上述曝光装置可搬入基板为止。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部及上述交接部中的至少一个具有干燥处理单元，该干燥处理单元在由上述曝光装置进行了曝光处理后、且由上述热处理单元进行热处理前，对基板进行干燥处理。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
上述干燥处理单元在对基板进行干燥处理前对基板进行清洗处理。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部及上述交接部中的至少一个具有清洗处理单元，该清洗处理单元在由上述曝光装置进行曝光处理前对基板进行清洗处理。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
上述清洗处理单元在对基板进行了清洗处理后对基板进行干燥处理。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理部、上述交接部及上述曝光装置并列设置在第一方向上，
上述交接部在与上述第一方向在水平面内垂直的第二方向上至少具有一个侧面，
上述干燥处理单元在上述交接部内设置于上述一个侧面侧。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
上述交接部具有在上述第二方向上与上述一个侧面相对向的另外的侧面，
上述清洗处理单元在上述交接部内设置于上述另外的侧面侧。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
上述热处理单元及上述装载部层叠设置在上述交接部内的上述第二方向的大致中央部，
上述第一搬送单元设置在上述清洗处理单元与上述热处理单元之间，
上述第二搬送单元设置在上述热处理单元与上述干燥处理单元之间。
13.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二搬送单元包括保持基板的第一及第二保持部，
当搬送由上述曝光装置进行曝光处理前的基板、及搬送由上述干燥处理单元进行了干燥处理后的基板时，由上述第一保持部保持基板，
当将上述曝光处理后的基板从上述曝光装置搬送到上述干燥处理单元时，由第二保持部保持基板。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述交接部还包括对基板的周边部进行曝光的边缘曝光部，
上述第一搬送单元在上述处理部、上述边缘曝光部、上述清洗处理单元及上述装载部之间搬送基板。
CNB2007100081808A 2006-01-27 2007-01-26 基板处理装置 Active CN100547724C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006018454A JP4771816B2 (ja) 2006-01-27 2006-01-27 基板処理装置
JP2006018454 2006-01-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101009212A true CN101009212A (zh) 2007-08-01
CN100547724C CN100547724C (zh) 2009-10-07

Family

ID=38322196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2007100081808A Active CN100547724C (zh) 2006-01-27 2007-01-26 基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7641404B2 (zh)
JP (1) JP4771816B2 (zh)
KR (1) KR100876508B1 (zh)
CN (1) CN100547724C (zh)
TW (1) TWI327747B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101447415A (zh) * 2008-12-19 2009-06-03 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片清洗装置及其清洗方法
CN102062524A (zh) * 2010-11-22 2011-05-18 烟台睿创微纳技术有限公司 一种用于mems器件圆片的自动干燥设备
CN102768942A (zh) * 2011-05-05 2012-11-07 隆达电子股份有限公司 基板清洗制作工艺
CN103199038A (zh) * 2012-01-05 2013-07-10 株式会社大福 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法
CN104078382B (zh) * 2013-03-29 2017-04-12 株式会社日立高新技术 真空处理装置的运转方法
CN109860071A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 上海新昇半导体科技有限公司 快速热处理装置及方法
CN113203256A (zh) * 2020-02-03 2021-08-03 株式会社荏原制作所 干燥装置、基板处理装置和基板保持架的干燥方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4667252B2 (ja) * 2006-01-16 2011-04-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4781834B2 (ja) * 2006-02-07 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置および現像方法
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP5148944B2 (ja) 2007-08-14 2013-02-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5194208B2 (ja) * 2007-10-18 2013-05-08 日本フェンオール株式会社 半導体処理ユニット及び半導体製造装置
KR101109074B1 (ko) * 2009-01-30 2012-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
CN101794710B (zh) 2009-01-30 2012-10-03 细美事有限公司 用于处理基板的系统及方法
JP5462506B2 (ja) * 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN101900954B (zh) * 2009-06-01 2012-07-25 和舰科技(苏州)有限公司 一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法
NL2005717A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
KR101970114B1 (ko) * 2011-04-25 2019-04-17 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 방법
JP6096132B2 (ja) * 2014-01-17 2017-03-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板乾燥装置、基板処理装置および基板乾燥方法
JP6251825B2 (ja) 2014-06-16 2017-12-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、及び基板を搬送する方法
US10095114B2 (en) 2014-11-14 2018-10-09 Applied Materials, Inc. Process chamber for field guided exposure and method for implementing the process chamber
KR102315660B1 (ko) * 2015-05-29 2021-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6419053B2 (ja) * 2015-10-08 2018-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
TWI653103B (zh) 2016-06-08 2019-03-11 錫宬國際有限公司 晶圓盒清洗裝置
US9964863B1 (en) 2016-12-20 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
JP7185461B2 (ja) 2018-09-21 2022-12-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および、基板処理装置の制御方法
JP2022518411A (ja) 2019-01-18 2022-03-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電界誘導フォトレジストパターン形成工程のためのフィルム構造
US11429026B2 (en) 2020-03-20 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Lithography process window enhancement for photoresist patterning

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817724A (ja) 1994-06-30 1996-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100274858B1 (ko) 1996-06-10 2000-12-15 이시다 아키라 기판처리장치 및 기판처리시스템
JPH09330971A (ja) 1996-06-10 1997-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3460909B2 (ja) 1996-06-26 2003-10-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP3693783B2 (ja) 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6402400B1 (en) 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2001189368A (ja) * 1999-10-19 2001-07-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US6402401B1 (en) 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3593496B2 (ja) 2000-07-24 2004-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理装置
US6461986B2 (en) 2000-07-24 2002-10-08 Tokyo Electron Limited Substrate processing method apparatus and substrate carrying method
JP2003007587A (ja) 2001-06-20 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004342654A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4137750B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 熱処理装置、熱処理方法および基板処理装置
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
JP4410121B2 (ja) * 2005-02-08 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
JP4891677B2 (ja) * 2006-07-11 2012-03-07 小橋工業株式会社 畦塗り機

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101447415A (zh) * 2008-12-19 2009-06-03 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片清洗装置及其清洗方法
CN102062524A (zh) * 2010-11-22 2011-05-18 烟台睿创微纳技术有限公司 一种用于mems器件圆片的自动干燥设备
CN102062524B (zh) * 2010-11-22 2012-11-21 烟台睿创微纳技术有限公司 一种用于mems器件圆片的自动干燥设备
CN102768942A (zh) * 2011-05-05 2012-11-07 隆达电子股份有限公司 基板清洗制作工艺
CN103199038A (zh) * 2012-01-05 2013-07-10 株式会社大福 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法
CN103199038B (zh) * 2012-01-05 2017-04-12 株式会社大福 惰性气体注入设备及惰性气体注入方法
CN104078382B (zh) * 2013-03-29 2017-04-12 株式会社日立高新技术 真空处理装置的运转方法
CN109860071A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 上海新昇半导体科技有限公司 快速热处理装置及方法
CN109860071B (zh) * 2017-11-30 2021-03-26 上海新昇半导体科技有限公司 快速热处理装置及方法
CN113203256A (zh) * 2020-02-03 2021-08-03 株式会社荏原制作所 干燥装置、基板处理装置和基板保持架的干燥方法
CN113203256B (zh) * 2020-02-03 2024-05-14 株式会社荏原制作所 干燥装置、基板处理装置和基板保持架的干燥方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI327747B (en) 2010-07-21
US20070177870A1 (en) 2007-08-02
KR100876508B1 (ko) 2008-12-31
JP2007201214A (ja) 2007-08-09
TW200731347A (en) 2007-08-16
CN100547724C (zh) 2009-10-07
KR20070078697A (ko) 2007-08-01
JP4771816B2 (ja) 2011-09-14
US7641404B2 (en) 2010-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100547724C (zh) 基板处理装置
CN100495639C (zh) 基板处理装置
CN101114577B (zh) 基板处理装置
CN1773673B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN1773674B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN101388333B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN1885160B (zh) 基板处理装置
CN1812050B (zh) 基板处理装置
CN100536066C (zh) 基板处理方法、基板处理系统以及基板处理装置
CN101388327B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN1773376B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
US20060147202A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7766565B2 (en) Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
JP4794232B2 (ja) 基板処理装置
US7690853B2 (en) Substrate processing apparatus
CN100535757C (zh) 基板处理装置
CN100520594C (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP2007036121A (ja) 基板処理装置
CN100424815C (zh) 基板处理装置及基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON MESH PLATE MFR. CO., LTD.

Owner name: SCREEN GROUP CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: DAINIPPON SCREEN MFG. CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: Skilling Group

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee after: DAINIPPON SCREEN MFG Co.,Ltd.

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: Dainippon Screen Mfg. Co.,Ltd.