1327747 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種對基板進行處理的基板處理裝置。 【先前技術】 為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示用 基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用 基板等各種基板施行各種處理，習知使用有基板處理裝 置。 Φ在此種基板處理裳置中，一般對一片基板連續施以多道 不同的處理。於日本專利特開2003_324139號公報中所記 載的基板處理裝置，由載入機區（indexer M〇ck)、反射 防止膜用處理區、阻劑膜用處理區、顯像處理區及中介區 所構成。以與中介區鄰接的方式，配置與基板處理裝置分 開的作為外部裝置之曝光裝置。 在上述基板處理裝置中，從載入機區所搬入的基板，在 鲁反射防止膜用處理區及阻劑膜用處理區中施行形成反射 防止膜及塗佈阻劑膜之處理後，藉由中介區而往曝光裝置 搬送。在曝光裝置中對基板上之阻劑膜施行曝光處理後， 藉由中介區而將基板往顯像處理區搬送。在顯像處理區中 對基板上之阻劑膜施行顯像處理而形成阻劑圖案之後，基 板往載入機區搬送。 近年來，伴隨裝置之高密度化及高積體化，阻劑圖案之 微細化已成為重要的課題。在習知之一般曝光裝置中，透 過才又衫透鏡將網線之圖案縮小而投影在基板上，藉以施行 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 1327747 曝，處理。但是，在此種習知之曝光裝置中，曝光圖案之 線見叉限於曝光裝置之波長，因此對於阻劑圖案之微細化 會有所極限。 口此，作為可使曝光圖案更加微細化的投影曝光方法， 提案有液浸法（例如，參照國際專利第99/495〇4號公開 公報）。在國際專利第99/495〇4號公開公報之投影曝光裝 置中，於投影光學系統與基板之間充滿液體，而可縮短在 基板表面曝光之光線的波長。藉此，可使曝光圖案更加微 細化。。 伴ik近年來對曝光圖案微細化之要求，基板之處理步驟 正趨於複雜化。因此，造成基板處理裝置之處理產出量降 低。 在基板曝光處理之後，為促進光阻劑内因曝光處理而生 的=學反應，而對基板施行PEB (曝光後烘烤）處理。為 了件到所希望之曝光圖帛，在曝光處理後，最好更迅速地 鲁對基板施行PEB處理，而快速地促進化學反應。 【發明内容】 本土明之目的在於提供一種可提高處理量並且於曝光 後可迅速地對基板施行加熱處理的基板處理裝置。 (1)本發明之一態樣的基板處理裝置，為配置成鄰接於 ，光裝置的基板處理裝置，具備有用來處理基板的處理 部，及用來在處理部與曝光裝置之間交接基板的交接部； :處理部包含用來於基板上形成由感光性材料構成的感 膜之感光性膜形成單元；交接部包含有：熱處理單 3】2ΧΡ/發明說明書(補件)/96___ 1327747 元’對由曝光裝置曝光處理後之基板施行熱處理；第丨搬 送單元’在處理部及熱處理單元之間搬送基板；以及第2 搬送單元’在曝光裝置及熱處理單元之間搬送基板；第2 ' ^搬送單元將由曝光裝置曝光處理後之基板搬入於熱處理 單元，第1搬送單元將由熱處理單元熱處理後之基板從熱 處理單元搬出。 在此基板處理裝置中，於處理部中藉由感光性膜形成單 鲁元在基板上形成由感光性材料所構成的感光性膜後，藉由 父接部而將基板搬送至曝光裝置。經曝光裝置對基板施以 曝光處理後，由第2搬送單元將基板搬送往熱處理單元。 經熱處理單元對基板施以熱處理後，由第丨搬送單元將基 板搬送往處理部。 如此，可將曝光處理後之基板迅速搬送至熱處理單元。 口此，曝光處理後，可迅速對基板施行加熱處理。結果， 可在感光性膜内迅速促進因曝光處理而產生的化學反 鲁應，而可得到所希望之曝光圖案。 又，熱處理單元在將曝光處理後之基板從第2搬送單元 往第1搬送單元交接時，具有作為用來載置基板的載置部 之功用:藉此，可使交接部中的基板搬送路徑簡略化，所 、可提冋處理里。又’因為不必另外設置用來將基板從第 2搬送單元往第i搬送單元交接的載置部，所以可減低交 接部之製造成本。又，因為可減少基板搬送之存取位置， 故可使第1搬送單元之動作單純化。 (2)熱處理單元亦可且右. J 一有.支持部，支持經搬入的基板 312χΡ/發明說明書(補件)/96-04/96100648 0 ^Z/747 2 出的基板’加熱部，對基板施行加熱處理；以及搬送 t罝’在支持部與加熱部之間搬送基板。 埶在此，況，由第2搬送單元將曝光處理後之基板搬入於 j理早凡之支持冑。其:欠，由搬送裝置將基板搬送至加 “、、部。經在加熱部中對基板施以加熱處理 ，板搬送至支持部。之後，由第i搬送單元將基= 待部搬出。 鲁如此，由於分別設置有支持經搬入之基板或搬出之基板 、、’ ^持部與對基板施行加熱處理的加熱部，基板從第2搬 ，早7L往第1搬送單元的交接變得容易。因此，可更 问處理量〇 :3)基板處理裳置亦可更進一步具備有控制加熱部的控 |邛，藉以在既定之時機加熱經曝光裝置曝光處理後之基 在此情況，當連續處理多片基板時，可對於多片美 ，將從曝光裝置完成曝光處理至熱處理單元開始加心理 之間的經過時間設定為相等。因此，可防止曝光圖 度在多片基板間發生變異。 〃巧 ⑷父接部亦可更進一步包含有暫時載置基板的載置 :由載第置元將經處理部完成既定處理後之基板搬 =載置和由第2搬送單元將基板從載置部搬送至曝光 單ΐ ㈣裝置曝光處理前之基板，從第1搬送 單元、，·工由載置部而交接於第？ - 弟2搬达早％。因此，基板從第 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-04/96100648 g 1327747 I搬送單元往第2_單元之 提高。 文侍谷易，處理量獲得 .(5)載置部亦可為溫度管理待機單 •光處理前之基板維持在既定、、曰产之τ ^將由曝光裝置曝 f搬入於曝光裝置為止。’ 皿又下待機’直至可將基板 在此情況’因為該溫度管理 峨裝置前，將基板維持在既定二=:搬： ·:=供因基板在可搬入於曝光裝置前待機：般 :置減少第2搬送單元之搬送存取 位置’因此可提高可靠性。 -(^=及交接部之至少一者亦可包含有乾燥處理單 理單元在由曝光裝置曝光處理後、由熱處理 早7G熱處理則，對基板進行乾燥處理。 在此情況，曝光處理後之基板，於經乾燥處理單元乾燥 #後，被搬送至熱處理單元及處理部。因此，即使在曝光裝 置中有液體附著於基板’亦可防止該液體落下於埶處理單 π及處理部内。結果，可防止熱處理單元及處理部之動作 不良。 又藉由對基板施以乾燥處理，可防止環境中之塵埃等 附著於曝光處理時附著於基板的液體。因此，可防止基板 之處理不良。 i (7)乾燥處理單元亦可於基板乾燥處理前對基板進行洗 淨處理。 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 1327747 在此清况，即使在將曝光處理時附著有液體的基板，在 曝光裝置與乾燥處理單元之間的環境中受塵埃等附著，亦 可確實去除該附著物。藉此’可更加確實地防止基板之處 理不良。 、«)處理部及交接部之至少一者，亦可更進一步包含有 洗淨處理單元，在由曝光裝置曝光處理前對基板進行洗淨 ^在^況’在洗淨處理單μ，㈣域理前之基板施 :洗淨處理。藉此，在曝光處理前之處理步驟中，可將附 者於基板的塵埃等，於曝光處理前去除。 光裝置内之污染，可確實地防止基板之處理不良。曝 /9)洗淨處理單元亦可於基板洗淨處理後對基板進行乾 你處理。 在此情況’可防止環境中之㈣物著於洗淨處理後之 基板。藉此，可確實地防止曝光裝置内之污染。結果，可 |更加確貫地防止基板之處理不良。 (1>〇)亦可使處理部、交接部及曝光裝置並設於第^方 向，交接部於在水平面内與第1方向正交的第2方向上呈 有至少1個側面，乾择#;^田„ 一 八 面側。 “處理早-在交接部内配置於“固側 在交接部中配置於未與處理 面側，因此易於從該1個側 在此情況，乾燥處理單元， 部及曝光裝置相接觸的1個侧 面維修乾燥處理單元。 (11)亦可使交接部於第 2方向上具有對向於1個側面的 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 IDL! /Η / 其他側面，洗淨處理單亓丄 在此情況，洗淨處置於其他側面側。 部及曝舒置減心t 讀料配置於未與處理 曝先裝置相接觸的其他侧面側 面維修洗淨處理單元。 易於攸該其他側 (12)亦可使熱處理單亓 田 内、第2方向之略中央部及第 單元與熱處理單元之間，第；!早7^置於洗淨處理 與乾燥處理單元之間。 “早％配置於熱處理單元 _在^兄帛1搬$單元將基板往處理部、洗淨處理單 往載置部、曝光裝置、及 送單元將基板 _ 乾刼處理皁元及熱處理單元的交 可在紐時間内進行。因此，可提高處理量。 蔣1可迅速將基板從曝光裝置往乾燥處理單元搬送，並 將基板從錢處理單元往熱處理單元搬送。 板施行乾料理之_科騎基板之加熱處^ 第2搬送單元亦可包含用於保持基板的第1及第2 當搬送由曝光楚置曝光處理前、由乾燥處理單元 理後之基板時，藉由第Η呆持部來保持基板，當將 、处理後之基板從曝光裝置往乾燥處理單元搬送時，藉 由第2保持部來保持基板。 在此Ifl第1保持部用於搬送曝光處理前之基板時， 2保持部用於搬送曝光處理不久後之基板。藉此，即使 曝光裝置中有液體附著於基板’亦不會於第1保持部附 液體。因此，可防止液體附著於曝光處理前之基板。結 312XP/發明翻書(雜)/96德6100648 12 1327747 果，可確實地防止環境中之塵埃等附著於曝光處理前之基 板。 (14) 第2保持部亦可設置於第丨保持部之下方。 —在此情況，即使液體從第2保持部及其所保持的基板上 ，下，液體亦不會附著於第丨保持部及其所保持的基板。 藉此，可確實地防止液體附著於曝光處理前之基板。 (15) 交接部亦可更進一步包含有用於曝光基板之周緣 部的邊緣曝光部，第i搬送單元在處理部、邊緣曝光部、 洗淨處理單元及载置部之間搬送基板。 於此情況，在邊緣曝光部中對基板之周緣部進行曝光處 【實施方式】 以下’使用圖式就本發明實施形態之基板處理裝置說 下說財，所謂基板是指半導體基板、液晶顯示 裝置用基板、電裝顯示用基板、光罩用玻璃基板、光碟用 籲基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等。’、 (1)基板處理裝置之構成 為本發明實施形態之基板處理裝置之俯視 m 1 T7 y.z, ^ 圖
Al — 一，〜〜仏1〜霄优圃。在匕 外=圖⑽述圖2〜圖4,為了明確位置關係而附加表 7方向目夕二之x方向、、γ方向及z方向的箭頭。X方向及 外平面内互為正交’z方向相當於鉛直方向。此 卜方：各方向巾’將箭頭所朝向的方向定為+方向 反方向定為-方向。又，將以z方向 ：相 為Θ方向。 n為中〜的紋轉方向定 312XIV發明說明書(補件)/96G4/96丨〇〇⑽ 1JZ//47 射：圖1所示’基板處理裝置50〇包含：载入機區9、反 12、二J處理區1〇、阻劑膜用處理區U、顯像處理區 八卜㈤覆盍膜用處理區13、阻劑覆蓋膜除去區及中 鄰接於f介區15而配置曝光裝置16。在曝 ^ 中，以液浸法對基板W施行曝光處理。 =下’將各個載入機區9、反射防止臈用處理區1〇、阻 二、、用處'區U、顯像處理區12、阻劑覆蓋膜用處理區 _、阻劑覆蓋膜除去區14及中介區15稱為處理區。 制ΐΓΓ”含:控制各處理區之動作的主控制器(控 機哭人载體载置台40及載入機器人IR。於載入 機器人^中設置有用來交接基板W的手IRH。 反射防止膜用處理區10包含：反射防止膜用熱處理部 川、10卜反射防止膜用塗佈處理部5〇及第i中央機器 人CR1。反射防止膜用塗佈處理部5〇設置為隔著第、1 ; 央機器人CR1而與反射防止膜用熱處理部⑽、m相對
#向。於第1中央機器人⑻，上下設置有用來交接基板W 的手 CRH1、CRH2。 於載入機區9與反射防止膜用處理區1()之間設置有隔 絕環境用之隔壁17。於該隔壁17，設置有用來在載入機 區9與反射防止膜用處理區1()之間交接基板^基 置部PASS卜PASS2 ’上下互相接近。上側之基板載置部 PASS1使用在將基板W從載人機區9往反射防止膜用處理 區1〇搬送時，下側之基板載置部PASS2使用在將基板w 從反射防止膜用處理區1〇往載入機區9搬送時。 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 1327747 又，於基板載置部PASSl、PASS2設置有檢測基板 有無的光學式感測器（未圖式）。藉此，可判定在基板載 ，置部PASS1、PASS2中是否載置有基板。又，於基板載置 {部PASS1、PASS2設置有多根固定的支持銷。此外，上述 光學式感測器及支持銷同樣亦設置於後述之基板載置部 PASS3〜PASS12 。 阻劑膜用處理區11包含··阻劑膜用熱處理部丨丨〇、丨丨i、 鲁阻劑膜用塗佈處理部60及第2十央機器人CR2。阻劑膜 用塗佈處理部60設置為隔著第2中央機器人CR2而與阻 劑膜用熱處理部110、ηι相對向。於第2中央機器人CR2, 上下設置有用來交接基板W的手CRH3、CRH4。 於反射防止膜用處理區1 〇與阻劑膜用處理區11之間設 置有隔絕環境用之隔壁18。於該隔壁18，設置有用來在 反射防止膜用處理區1 〇與阻劑膜用處理區11之間交接基 板w的基板載置部PASS3、PASS4，上下互相接近。上側" 鲁之基板載置部PASS3使用在將基板W從反射防止膜用處理 區1〇往阻劑膜用處理區11搬送時，下側之基板載置部 PASS4使用在將基板w從阻劑膜用處理區丨丨往反射防止 膜用處理區1 〇搬送時。 顯像處理區12包含：顯像用熱處理部12〇、121、顯像 處理口P 70及第3中央機器人CR3。顯像處理部7〇設置為 隔著第3中央機器人CR3而與顯像用熱處理部12〇、121 相對向。於第3中央機器人CR3，上下設置有用來交接基 板 W 的手 CRH5、CRH6。 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 15 班=阻劑膜用處理區丨丨與顯像處理區12之間設置有隔絕 :境用之隔壁19。於該隔壁19，設置有用來在阻劑膜用 二理區11與顯像處理區12之間交接基板W的基板載置部 SS5 PASS6，上下互相接近。上側之基板載置部 、，用在將基板W彳文阻劑膜用處理區η往顯像處理區1 2搬 运時’下側之基板载置冑PASS6❹在將基板 理區12往阻劑臈用處理區丨丨搬送時。 阻劑覆蓋臈用處理區13包含：阻劑覆蓋膜用熱處理部 〇、131、阻劑覆蓋膜用塗佈處理部8〇及第4中央機器 人CR4。p且劑覆蓋膜用塗佈處理部8〇言史置為隔著第4中 央機器人CR4而與阻劑覆蓋膜用熱處理部13()、ΐ3ι相對 ::於第4中央機器人CR4，上下設置有用來交接基 的手 CRH7、CRH8。 於顯像處理區12與阻劑覆蓋膜用處理區13之間設置有 之隔壁2“於該隔壁2〇,設置有用來在顯像 <品’、阻劑覆蓋膜用處理區i 3之間交接基板W的基 ^载置部聰7、P卿，上下互相接近。上側之基板載 邛PASS7使用在將基板w從顯像處理區a往阻劑覆蓋 膜用處理區13搬-Γ-, 节，下侧之基板載置部PASS8使用在 將基板W從阻劑覆罢腔爾步了田π 士 、用處理區彺顯像處理區l2搬送 日守。 2劑覆盍膜除去區14包含：基板載置收納部14卜阻 =覆蓋膜除去用處理部9G及第5尹央機器人挪。阻劑 是盍膜除去用處理部90設置為隔著第5令央機器人CR5 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 16 1327747 而與基板載置收納部141相對向。於第5中央機器人哪， 上下設置有用來交接基板w的手CRH9、CRH1〇。 . >於阻劑覆蓋膜用處理區13與阻劑覆蓋膜除去區14之間 叹置有隔絕環境用之隔壁21。於該隔壁21，設置有用來 '在阻劑覆蓋膜用處理區13與阻劑覆蓋膜除去區14之間交 接基板w的基板載置部PASS9、PASS1〇，上下互相接近。 上側之基板載置部PASS9使用在將基板评從阻劑覆蓋膜用 處理區⑴主阻劑覆蓋膜除去區14搬送時，下侧之基板載 置部PASS10使用在將基板w從阻劑覆蓋膜除去@ 14往阻 劑覆蓋膜用處理區13搬送時。 中介區15包含：第1洗淨/乾燥處理單元SDi、第6中 央機器人CR6、邊緣曝光部EEW、载置兼供烤單元⑽_pEB (以下，簡稱為P-PEB)、载置兼冷卻單元pASS_cp(以下， 簡稱為p-cp)、巾介用搬送機構IFR及第2洗淨〆乾燥處 理皁元SD2。此外，帛卜先淨/乾燥處理單元s])i對曝光 理前之基板W進行洗淨及乾燥處理，第2洗淨/乾燥處 理早元SD2對曝光處理後之基板？進行洗淨及乾燥處理。 第1及第2洗淨/乾燥處理單元SJn、SD2之細節於後面敎 述。 又’於第6中央機器人CR6，上下設置有用來交接基板 W的手CRH11、CRH12(參照圖4)，於中介用搬送機構⑽， 上下設置有用來交接基板W的手Hb H2 (參照圖4)。有 關中介區15之細節於後面敘述。 在本實施形態之基板處理裝置5〇〇中，載入機區9、反 312XP/發明說明書(補件)/96_04/961〇〇648 射防止膜用處理區10、阻劑膜用處理區u、顯像處理區 12、阻劑覆蓋膜用處理區13、阻劑覆蓋膜除去區14及中 介區15沿Y方向依序並排設置。 圖2為從+X方向觀看圖工之基板處理装置5〇〇的概略 侧視圖，圖3為從-X方向觀看圖2之基板處理裝置_ 的概略侧視圖。此外，在圖2中，主要表示設置在基板處 ^置500之+X側者，在圖3中，主要表示設置在基板 i處理裝置500之-X側者。 首先’使用圖2就基板處理震置5〇〇<+χ側之構成說 明。如圖2所示，於反射防止膜用處理區1〇之反射防止 膜用塗佈處理部50 (參照圖η，上下疊層而配置有3個 塗佈單元BARC。各塗佈單元BARC具備：旋轉夾盤51，以 水平姿勢吸附保持基板W而旋轉；及供給噴嘴52，對保 持在凝轉夹盤51上的基板评供給防止反射膜之塗佈液。 於阻劑膜用處理區u之阻劑膜用塗佈處理部6〇 (參照 籲圖1)’上下疊層而配置有3個塗佈單元REs。各塗佈單元 RES具備：旋轉夾盤61，以水平姿勢吸附保持基板w而旋 轉；及供給喷嘴62，對保持在旋轉夾盤61上的基板评供 給阻劑膜之塗佈液。 於顯像處理區12之顯像處理部7〇，上下疊層而配置有 5個顯像處理單元DEV。各顯像處理單元DEV具備：旋轉 夹盤71，以水平姿勢吸附保持基板w而旋轉；及供給喷 嘴72，對保持在旋轉夾盤71上的基板¥供給顯像液。、 於阻劑覆蓋臈用處理區13之阻劑覆蓋膜用塗佈處理部 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 18 1327747 8〇上下疊層而配置有3個塗佈單元c〇v。各塗佈單元C〇v /、備.紋轉夾盤81，以水平姿勢吸附保持基板w而旋轉； .及供二喷嘴82 ’對保持在旋轉夾盤8丨上的基板你供給阻 、J覆息膜之塗佈液。阻劑覆蓋膜之塗佈液可使用與阻劑及 水之親和力較低的材料（與阻劑及水之反應性較低的材 料）。例如’氣樹脂。塗佈單元c〇v，藉由使基板w旋轉， 同時將塗佈液塗佈於基板⑻上，而於形成在基板w上的阻 劑膜上形成阻劑覆蓋臈。 •於阻劑田覆蓋膜除去區14之阻劑覆蓋膜除去用處理部 上下且層而配置有3個除去單元。各除去單元 具備.方疋轉夾盤9卜以水平姿勢吸附保持基板w而旋轉； 及供給喷嘴92，對保持在旋轉夾盤91上的基板w供給剝 離液（例如’氟樹脂）。除去單元REM，藉由使基板w旋 轉’同時將剝離液塗佈於基板讲上，而將形成在基板讲上 的阻劑覆蓋膜除去。 此外，於除去單元REM中，阻劑覆蓋膜之除去方法不限 定在上述之例子。例如，亦可在基板w之上方使細縫喷嘴 一邊移動，同時將剝離液供給於基板#上，以 蓋膜。 j復 於中介區15内之側，上下曼層而配置有邊緣曝光部 EEW及3個第2洗淨/乾燥處理單元SD2。各邊緣曝光部 EEW具備：旋轉夾盤98，以水平姿勢吸附保持基板w而旋 轉，及光照射器99，對保持在旋轉夾盤98上的 312XP/發明說明書(補件)/96-〇4/961〇〇648 19 /47 /47 曰其次，使用圖3就基板處理裝置500之-χ側的構成說 明。如圖3所示，於反射防止臈用處理區10之反射防止 骐用熱處理部100、m ’分別疊層而配置2個加 (熱板）HP*2個冷卻單元（冷板）cpe又，減射防 用熱處理部100、10卜在最上部分別配置有控制加 …、早凡HP及冷卻單元cp之溫度的局部控制器lc。 八於，劑膜用處理區11之阻劑膜用熱處理部11 〇、11 i， 鲁刀別®層而配置2個加熱單元Hp及2個冷卻單元cp。又， 以P劑，用熱處理部11 〇、111，在最上部分別配置有控 1加熱皁元HP及冷卻單元cp之溫度的局部控制器π。 於顯像處理區12之顯像用熱處理部120、121，分別疊 層而配置2個加熱單元肝及2個冷卻單元cp。又，於$ 1象用熱處理部12Q、121，在最上部分別配置有控制加熱 早70肝及冷卻單元CP之溫度的局部控制器L(> 於阻劑覆蓋膜用處理區13之阻劑覆蓋膜用熱處理部 (3〇、13卜分別疊層而配置2個加熱單元HP及2個冷卻 皁兀cp。又，於阻劑覆蓋膜用熱處理部、a〗，在最 上部分別配置有控制加熱單元HP及冷卻單元CP之溫度的 局部控制器LC。 田於阻劑覆蓋膜除去區14之基板載置收納部⑷，上下 ®層而配置基板載置部PASS1卜PASS12、發送緩衝部 SBF、返回緩衝部RBFe ^ ' 接著，使用圖4就中介區15詳細說明。 圖4為從+Y側觀看中介區15的概略側視圖。如圖4所 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 20 1327747 3個第1洗淨/ 於+X側之上部 示’在中介區15内，於]側疊層而配置 乾燥處理單元SD1。又，在中介區15内 配置有邊緣曝光部EEW。 鬌 在邊緣曝光部EEW之下方，於中 冷卻單元…邊緣曝光部 二之。+X側’上下豐層而配置3個第2洗淨/乾燥處理單元 m 4 線所示’阻劑覆蓋膜除^ ，基板載置部PASS11、PASS12、發送緩衝部SBF及返回） 緩衝部RBF，配置為面向中介區15。 於中介區15内之下部，設晋右筮 又置有弟6中央機器人cR6及 中介用搬送機構IFR 〇第6中央機A rDC <取 一 不 τ天機盎人CR6設置為在第工 洗淨/乾燥處理單元SD1、基板載置部pASS11、pAssu、 發送緩衝部SBF、返回緩衝部RBF、邊緣曝光部_、載 φ!兼加熱單元P-PEB及載置兼冷卻單元卜cp之間可上下 移動並且可轉動。中介用搬送機構IFR設置為在載置兼加 熱單元P-PEB、載置兼冷卻單元p—cp、第2洗淨/乾燥處 理單7G SD2、曝光裝置16内之基板搬入部16a及基板搬 出部16b(圖1)之間可上下移動並且可轉動。 (2)基板處理裝置之動作 其次’就本實施形態之基板處理裝置5〇〇之動作參照圖 卜圖4說明。 (2-1)載入機區〜阻劑覆1膜除去區之動作 mxp/發明說明書(補件)/96-04/96100648 21 首先， 說明。 就载入機區9〜阻劑覆蓋膜除去區14之動作簡單 於載入機區9之截體哉要a μ 文…W 戰體载置台40上，搬入分多層收納有 夕片基板W的裁轉「。并 ^ ^ ^ C载入機器人IR藉由手IRH取出收 納在載體C内的未處理夕Α 4 w m收 ,v 里之基板#。之後，載入機器人ir 在士X方向上移動，主—_L>n ^.^ w# ^ n時在方向旋轉移動，而將未處理 之基板W載置於基板载置部PASS1。 ，在本實施形態中，载體C採用F0UP(fr〇nt opening pod) ’但不限定於此。亦可使用謝⑻㈣訂d =amcal Inter Face)晶圓盒或將收納基板暴露於外界 空氣的 0C(open cassette)。 更進-步’雖然載入機器人IR、第卜第6之中央機写 人CRKR6及中介用搬送機構⑽，分別使用相對於基板 L直線移動以使手進退運動的直動型搬送機器人，但不限 定於此，亦可使用藉由關節之作動而直 •的多關節型搬送機器人。 便于進k運動 載置於基板載置部PASS1的未處理基板w，由反射防止 膜用處理區10之第i令央機器人CR1收取。第〗中央機 器人CR1將該基板w搬入於反射防止膜用熱處理部1〇〇、 1(H。 之後，第1中央機器人CR1從反射防止膜用熱處理部 100、101甲取出熱處理過的基板W，將該基板讲搬入於反 射防止膜用塗佈處理部50。在該反射防止膜用塗佈處理 部50中’為了減少曝光時所產生的駐波和成暈現象藉 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 22 1327747 由塗佈單TL barc而在基板w上塗佈形成反射防止膜。 其次，第1中央機器人CR1從反射防止膜用塗佈處理部 ·. 5〇中取出塗佈處理過的基板w，將該基板w搬入於反射防 •止獏用熱處理部⑽、m。之後，帛i中央機器人⑽ 、從反射防止膜用熱處理部1〇〇、1〇1中取出熱處理過的基 板W ’將該基板載置於基板載置部PASS3。 載置於基板載置部pASS3的基板w，由阻劑膜用處理區 鲁11之第2中央機器人CR2收取。第2中央機器人⑽將 該基板W搬入於阻劑膜用熱處理部1 j 〇、u玉。 之後，第2中央機器人CR2從阻劑膜用熱處理部丨丨〇、 111中取出熱處理過之基板W，將該基板说搬入於阻劑膜 用塗佈處理部60。在該阻劑膜用塗佈處理部6〇中，藉由 塗饰單το RES而在塗佈形成有反射防止膜的基板w上塗佈 形成阻劑膜。 人第2中央機器人CR2從阻劑膜用塗佈處理部6〇 •中取出 塗佈處理過的基板W，將該基板⑺搬入於阻劑膜用 熱處理部110、11卜之後，第2中央機器人CR2從阻劑 膜用熱處理部110、111中取出熱處理過之基板以，將其 基板W载置於基板載置部pASS5。 载置於基板載置部PASS5的基板w，由顯像處理區 之第3中央機器人CR3所收取。第3中央機器人cr3將其 基板W載置於基板載置部PASS7。 八 ^置於基板載置部PASS7的基板f，由阻劑覆蓋膜用處 理區13之第4令央機器人CR4所收取。第4中央機器人 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 23 1327747 CR4將其基板搬入於阻劑覆蓋臈用塗佈處理部8〇。在 劑覆蓋膜用塗佈處理部80中，藉由 稭由塗佈早兀COV而在塗 佈形成有阻劑膜的基板W上塗佈形成阻劑覆蓋膜。 4中央機器人CR4從阻劑覆蓋膜用塗佈處理部 肋中取出塗佈處理過的基板w，將該基板w搬入於 盖膜用熱處理部130、13卜之後，第4中央機器人⑽ 從阻劑覆蓋膜用熱處理部130、131中取出 ^反W，將該基板…載置於基板载置部PASS/、過的基 載置於基板載置部PASS9的基板W，由阻劑覆蓋膜除去 區14之第5中央機器人CR5收取。第5中央機器人咖 將該基板W載置於基板載置部PASSU。 載置於基板載置部PASS11的基板w，由中介區Η之第 6中央機器人CR6收取，如後述，在中介區15及曝光妒 置16中施以既定之處理。在中介區15及曝光裝置'16 ; 對基板w施行既定之處理後，該基板w由第6中央機哭人 #CR6載置於阻劑覆蓋膜除去區14之基板載置部pA'ssi:。 載置於基板載置部PASS12的基板w，由阻劑覆蓋臈除 去區14之第5中央機器人CR5收取。第5中央機器人cr5 將該基板W搬入於阻劑覆蓋膜除去用處理部9〇。在阻劑 覆蓋膜除去用處理部90中’除去阻劑覆蓋膜。 其次，第5中央機器人CR5從阻劑覆蓋膜除去用處理部 90中取出處理過的基板W，並將該基板？载置於基板載置 部 PASS10 。 載置於基板載置部PASS10的基板W，由阻劑覆蓋膜用 312XP/發明說明書(補件)/96-〇4/961〇〇648 24 1327747 處理區13之第4中央機器 PASS8 〇 人CR4载置於基板载置部 载置於基板載置部咖的基板w，由顯像處理 之第3中央機器人⑴收取。第3中央機器人⑽ 板w搬入於顯像處理部7G。在顯像處理部7q中 = 光的基板W施行顯像處理。 T左曝 其次，第3中央機器人CR3從顯像處理部7〇中取出 #像處理過的基板W，將該基板W搬人於顯像用熱處理部、、 120、12卜之後，第3中央機器人CR3從顯像用熱處理部 120、121中取出熱處理過的基板¥，並將該基板w載置於 基板載置部PASS6。 、 載置於基板載置部pASS6的基板w，由阻劑膜用處理區 11之第2中央機器人CR2載置於基板載置部pASS4。載置 於基板載置部PASS4的基板w由反射防止膜用處理區1〇 之第1中央機器人CR1载置於基板載置部pASS2。 鲁載置於基板載置部PASS2的基板W，由載入機區9之載 入機器人IR收納於載體C内。藉此，結束於基板處理裝 置500中的基板w之各處理。 C 2-2)中介區之動作 其次，就中介區15之動作詳細說明。 如上述’搬入於載入機區9後的基板W，在施以既定之 處理後’載置於阻劑覆蓋膜除去區14(圖1)之基板載置部 PASS11 。 載置於基板載置部PASS 11的基板W，由中介區15之第 312XP/發明說明書(補件)/96_〇4/961〇〇648 25 1327747 6中央機器人CR6收取。第6中央機器人CR6將該基板w 搬入於邊緣曝光部EEW (圖4)。在該邊緣曝光部eew中， 對基板之周緣部施行曝光處理。 人弟6中央機器人CR6從邊緣曝光部ΕΕψ中取出邊 緣，光過的基板W，將該基板W搬入於第丨洗淨/乾燥處 理單元SD1之任一者。在第i洗淨/乾燥處理單元sdi中， 如上述對曝光處理前之基板w施以洗淨及乾燥處理。 此處，曝光裝置16之曝光處理時間通常比其他處理步 驟及搬送步驟還長。結果，曝光裝置16多半無法容納後 面的基板W。在此情況，基板w暫時收納保管於阻劑覆蓋 膜除去區14(圖1)之發送緩衝部SBF(圖4)。在本實施^ 態中，第6中央機器人⑽從第1洗淨/乾燥處理單元測 中取出洗淨及乾燥處理過的基板w，將該基板⑻搬送至發 送缓衝部SBF。 其次’第6中央機ϋ人⑽取出收納㈣於發送緩衝部 #BF的基板W，將該基板#搬入於載置兼冷卻單元p_cp。 經搬入於載置兼冷卻單元p-cp的基板w，被維持在與曝 光裝置16内相同的溫度（例如，23«^ )。 此外，在曝光裝置16具有充分的處理速度時，亦可不 將基板w收納保管於發送緩衝部SBF，而將基板^從第^ 洗淨乾燥處理單元SD1搬送至载置兼冷卻單元卜⑶。 接著，由載置兼冷卻單S P-CP維持在上述既定溫度的 基板w’由中介用搬送機構IFR以上側之手们（圖4)收取， 而搬入於曝光裝置16内之基板搬入部16a(圖1}。 312ΧΡ/發明說明書(補件 y96-〇4/96100648 26 1327747 在曝光裝置16中曝光處理後的基板w，由中介用搬送 機構IFR以下側之手H2(圖4)從基板搬出部16b(圖1)搬 .出°中介用搬送機構IFR藉由手H2將該基板W搬入於第 ,2洗淨/乾燥處理單元SD2之任一者。在第2洗淨/乾燥處 理單疋SD2中，如上述對曝光處理後之基板f施以洗淨及 乾燥處理。 在第2洗淨/乾螵處理單元SD2 t施行洗淨及乾燥處理 後的基板W，由中介用搬送機構IFR之手Η1(圖4)取出。 中介用搬送機構IFR藉由手HI將該基板w搬入於載置兼 加熱單元P-PEB之任一者。 在載置兼加熱單元P-PEB中，對基板评進行曝光後烘烤 (PEB)。有關載置兼加熱單元p_pEB之細節於後面敘述。 在對基板W施行曝光後烘烤處理後，第6中央機器人 CR6從載置兼加熱單元p—PEB中取出基板w，並將該基板 W載置於阻劑覆蓋膜除去區14(圖丨）之基板載置部 iASS12。 ° 此外，在因除去單元REM(圖2)之故障等而使阻劑覆蓋 膜除去區14暫時無法容納基板⑻時，可將曝光處理後之 基板W暫時收納保管於返回緩衝部此卩。 此處，在本實施形態中，第6中央機器人CR6雖在基板 載置部PASS11、邊緣曝光部EEW、第1洗淨/乾燥處^單 元SD1、發送緩衝部SBF、載置兼冷卻單元p_cp、載置兼 加熱單元P-PEB及基板載置部PASS12之間搬送基板w， 但該一連串之動作可在短時間（例如，2〇秒）内進行。 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 1327747 又’中介用搬送機構II?r雖在載置兼冷卻單元p—cp、 ，光裝置16、第2洗淨/乾燥處理單元SD2及載置兼加熱 單π P-PEB之間搬送基板w，但該一連串之動作可在短時 間（例如’ 2 4秒）内進行。 該等的結果，可確實提高處理量。 (3)載置兼加熱單元 其次，就設置於中介區15的載置兼加熱單元 用圖式詳細說明。 鲁圖5為圖4之載置兼加熱單元P_PEB的外觀立體圖，圖 6為圖5之載置兼加熱單元p_PEB的剖視圖。 如圖5及圖6所示，載置兼加熱單元p_pEB主要由加熱 處理部200及局部搬送機構300所構成。加熱處理部2〇〇 包含有配置在上下的基板支持部2〇1及加熱部2〇2。 基板支持4 2 01包含.冷卻板2 5 0、多個固定支持銷 251、基板檢測感測器WST、WSR及水冷配管肝。加熱部 鲁202包含·上蓋211、加熱板213、多個可動支持銷214、 支持板215、上蓋保持構件216、支持構件217及上蓋開 閉驅動裝置218。 冷卻板250及加熱板213由支持構件217上下隔著既定 間隔而支持。藉此’基板支持部201及加熱部202由冷卻 板250所隔絕。 於冷卻板250上設置有基板檢測感測器wst、WSR »主 控制器30根據由基板檢測感測器WST、WSR所提供的_ 號，判定冷卻板250上是否有基板存在。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-04/96100648 28 丄JZ//47 又’於冷卻板25〇之㈣設置有水冷配管wp，藉由使 冷部媒體循環於水冷配管WP夕&加工 S WP之内部而可調整冷卻板250 於冷卻管25G，往上方突“設置多個固定支持 :加熱㈣2之加熱板213,設置多個貫通孔，於該多 個貝通孔设置多個可動；牲姑/ rj 1 /i —r JC.. 』勃又持銷2丨4。可動支持銷214安裝 於支持板215。 又，上蓋211由上蓋保持構# 216保持於加熱板213 。支持板215及上蓋保持構件216因上蓋開閉驅動裝置 218之作用而同時上下作動。 、局部搬送裝4 300包含：帶輪310、3U、皮帶312、手 進给軸313、314、滑動執道32〇、框體35〇、36〇、局部 搬达手RHR、進給軸驅動馬達M2〇、M3〇。 於局部搬送機構_之框體350内，收納有用來使局 搬送手順往上下方向（參照圖5之箭頭M1)移動的帶 籲輪310、31卜皮帶312、手進給軸313等構成元件，於 部搬送機構300之框體内，收納有用來使局部搬送; 證及框體350往水平方向（參照圖5之箭頭M2)移μ 手進給軸314、滑動執道320等構成元件。 藉由進給軸驅動馬達Μ30的旋轉’手進給軸313經由帶 輪310、311及皮帶312而旋轉。藉此，局部搬送手r服 往上下方向移動。 又，藉由進給軸驅動馬達Μ2〇的旋轉，手進給軸314旋 轉。藉此，局部搬送手RHR與框體35〇 一起往水平方向移 312XP/發明說明書(補件)/%·04/96100648 29 以/747 動。 基送手_藉由上下方向及水平方向之移動而在 支持部201及加熱部202之間移動。 定搬送手繼設置有切口（缝隙（sm))，以防與固 並寺麟251及可動支持銷214發生干涉。 二用欠’就載置兼加熱單元P_PEB之動作說明。圖7及圖 用來說明載置兼加熱單元P_削之動作的圖。此外， 兄明的載置兼加熱單元p_PEB之各構成元件的動 ,圖1之主控制器（控制部）30所控制。 :先，如圖7(a)所示，經在第2洗淨/乾燥處理單元汕2 =以洗淨及乾燥處理的基板w，由中介用搬送機構 (圖4)載置於基板支持部2〇1之固定支持銷25ι上。 ^1，如圖7(b)所示’基板？由局部搬送手_從基 望你姓2 2〇1搬出。同日夺，加熱部2〇2之支持板215及上 : = 216上升’於上蓋211開放之同時可動支持 響鎖214犬出於加熱板213上。 接著，如圖8(a)所示，基板w由局部搬送手rhr搬入 於加熱部202，並載置於可動支持銷214上。 其次，如圖8(b)所示，加熱部2〇2之支持板215及上 蓋保持構件216下降，於上蓋211關閉之同時， 置於加熱板213上。 執 基Γ载置於加熱板213上的時機，根據基板评 在曝光處理後之經過時間而調整β體說來，對基板 以曝光處理後，在經過預先設定的時間之時使^板載置 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-04/96100648 3〇 1327747 於加熱板213上。 其次，加熱板213被加熱，而對基板w施行PEB處理。 在此情況，對基板W開始PEB處理之時機，依存於將基板 W載置於加熱板213上的時機。亦即，在曝光處理後之既 定時機開始對基板W之PEB處理。 另一方面，在對基板W之PEB處理中，局部搬送手RHR 移動於基板支持部2 01之冷卻板2 5 〇。此處，由於冷卻媒 體在冷卻板250内之水冷配管WP中循環，而冷卻冷卻板 250上之局部搬送手RHR。藉此，在連續進行多片基板w 之PEB處理等情況中，可除去從基板w傳導至局部搬送手 RHR的熱。因此，可將局部搬送手RHR之溫度保持為一定， 可防止對基板W造成熱影響。 备對基板W之PEB處理結束時，局部搬送手rhr從基板 支持部201移動於加熱部2〇2。而且，局部搬送手膽 PEB處理後之基板？從加熱部2〇2搬送至基板支持部 .201，並將基板w載置於固定支持銷25ι上。 接著，藉由第6中央機器人CR6將基板w從载 單元P-PEB搬出。藉此，結束載置兼加熱單元肋二 連串動作。 此外’在本實施形態中，雖藉由調整將基板W载置 熱板213上的時機，來調整開始對基板评作卩肋 ' σ 機’但亦可藉由調整加熱板213之加熱：時 來調整開始對基板评作ΡΕβ處理之時機。 一他方法， (4)洗淨/乾燥處理單元 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96·〇4/96100648 31 1327747 其次，就第i及第2洗淨/乾燥處理單元sdi、sd2使用 圖式詳細說明。此外，第i及第2洗淨/乾燥處理單元sm、 SD2可使用相同構成之物。 (4-1)構成 圖9為用來說明第1及第2洗淨/乾燥處理單元sdi、 SD2之構成的圖。如圖9所示，第i及第2洗淨/乾燥處 理單元SD1、SD2具備旋轉夾盤621，用來在水平保持某 •板W之同時，使基板W繞著通過基板w之中心的鉛直旋土轉 軸而旋轉。 旋轉炎盤621岐於藉由夾盤旋轉驅動機構咖而旋轉 的旋轉轴625之上端。又，於旋轉夾盤621形成有吸氣路 j未圖式），在基板w載置於旋轉夾盤621上之狀態下， 藉由對吸氣路内排氣，而可將基板w之下表面真空⑽於 旋轉夾盤621，可以水平姿勢保持基板w。 於旋轉夾盤621之外方，設置有第1轉動馬達660。於 #第1轉動馬達660連接有第i轉動軸66卜又，於第^ 動軸66卜向水平方向延伸而連結有第}臂，於第1 臂662之前端設置有洗淨處理用噴嘴65〇。 、 藉由第1轉動馬達660旋轉第丨轉動轴661並且轉動第 1 # 662 ’洗淨處理用噴嘴65〇移動至由旋轉夹盤⑵保 持的基板W之上方。 洗淨處理用供給管663設置為通過第Μ動馬達66〇、 1轉動轴661及第1臂662之内部。洗淨處理用供給管 663透過閥Va及Vb而連接於洗淨液供給源ri及清洗液 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 „ 丄JZ//4/ 供給源R2。 :由控制該閥Va、Vb之開閉，可選擇供給於 .復給管咖的處理液並調整供給量。在目9之_卜 措由打開閥Va，可對洗淨處理用供給管663供給洗淨 cleaning)液’藉由打開閥几，可對洗 663供給清洗（rinse)液。 蛟用仏，·口 g =處理用噴嘴65。，通過洗淨處理用供給管咖從 鲁洗'液供給賴或清洗液供給源⑽供給洗淨液或清洗 =°赭此，可對基板W之表面供給洗淨液或清洗液”先淨 1可採用例如純水、含有錯合體（經離子化者）之純水溶 液或氟基藥液等。清洗液可使用例如純水、碳酸水、氣水、 電解離子水、及HFE (氫氟驗）之任一者。 於旋轉夾盤621之外方設置有第2轉動馬達671。於第 2轉動馬達671連接有第2轉動軸672。又，於第2轉動 軸672丄於水平方向延伸而連結有第2臂673，於第2臂 _673之前端設置有乾燥處理用喷嘴670。 藉由第2轉動馬達671旋轉第2轉動軸672並且轉動第 2臂673’乾燥處理用噴嘴67〇移動至由旋轉夹盤621保 持的基板W之上方。 〃乾燥處理用供給管設置為通過第2轉動馬達67卜 第轉動轴672及第2臂673之内部。乾燥處理用供給管 674透過閥Vc連接於惰性氣體供給源。藉由控制該間 渴閉可調整供給於乾燥處理用供給管674的惰性 氣體之供給量。 312XP/發明說明書(補件)/96,〇4觸伽⑽ 33 1327747 於乾燥處理用噴嘴670，通過乾燥處理用供給管674從 U性氣體供給源R3供給惰性氣體。藉此，可對基板⑻之 表面供給惰性氣體。惰性氣體可使用例如氮氣。 在對基板W之表面供給洗淨液或清洗液時，洗淨處理用 噴嘴6 5 0位於基板之上方，在對基板w之表面供給惰性氣 體時’洗淨處理用喷嘴650退離至既定之位置。 又，在對基板W之表面供給洗淨液或清洗液時，乾燥處 鲁理用噴嘴670退離至既定之位置，在對基板w之表面供給 惰性氣體時，乾燥處理用喷嘴670位於基板w之上方。 保持於旋轉夾盤621的基板W收容在處理杯623内。於 處理杯623之内側設置有筒狀之分隔壁633。又，圍著旋 轉夹盤621之周圍，形成有用來排出用於處理基板w的處 理液（洗淨液或清洗液）的排液空間63丨。更進一步，圍 著排液空間631，於處理杯623與分隔壁633之間形成有 用來回收用於處理基板w之處理液的回收液空間632。 鲁於排液空間631連接有用來將處理液導引於排液處理 裝置（未圖式）的排液管634，於回收液空間632連接有 用來將處理液導引於回收處理裝置（未圖式）的回收管 635 〇 於處理杯623之上方設置有用來防止來自基板w的處理 液往外方飛散的護件624。該護件624相對於旋轉軸625 由旋轉對稱之形狀所構成。於護件624之上端部之内面， 呈環狀形成有剖面〈字狀之排液導引溝641。 又於》蒦件6 2 4之下端部的内面，形成有由往外側下方 312XP/發明說明書(補件)/96·〇4/96100648 34 1327747 傾斜之傾斜面所構成的回收液導引部642。於回收液導引 邛642之上端附近，形成有用來容納處理杯623之分隔壁 633的分隔壁收納溝643。 於該護件624設置有由滾珠螺桿機構等所構成的護件 升降驅動機構（未圖式）。護件升降驅動機構，在回收液 導引部642對向於保持在旋轉夾盤621的基板外周端 面的回收位置、與排液導引溝641對向於保持在旋轉夾盤 .621的基板W之外周端面的排液位置之間，使護件β24上 作動。在護件624位於回收位置（圖9所示之護件位置） 時攸基板W在外方飛散的處理液由回收液導引部642導 引於回收液空間632’通過回收管635而回收。另一方面， 在護件624位於排液位置時，從基板w往外方飛散的處理 液由排液導引溝641導引於排液空間mi，通過排液管634 而排液。由以上之構成，可進行處理液之排液及回收。 (4-2)動作 >其次，就具有上述構成的第丨及第2洗淨/乾燥處理單 元SD1、SD2之處理動作說明。此外，以下所說明的第工 及第2洗淨/乾燥處理單元SD1、SD2之各構成元件之動 作，由圖1之主控制器（控制部）3〇所控制。 首先，於搬入基板W時，在護件624下降的同時，圖1 之第6中央機器人CR6或中介用搬送機構IFR將基板评載 置於旋轉夾盤621上。經載置於旋轉夾盤621上的基板w， 由旋轉夾盤621吸附保持。 其次，在護件624移動至上述排液位置處之同時，洗淨 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 35 1327747 處理用喷嘴650移動至基板w之中心部上方。之後，旋轉 軸y25旋轉，伴隨該旋轉，保持於旋轉夾盤621的基板说 •亦旋轉之後，將洗淨液從洗淨處理用喷嘴65〇吐出於基 板W之上表面。藉此洗淨基板识。 此外，在第1洗淨/乾燥處理單元SD1中，於該洗淨時 基板W上的阻劑覆蓋膜之成分溶出於洗淨液中。又，在洗 淨基板w時，在旋轉基板w之同時於基板w上供給洗淨 鲁液。在此情況下，基板w上之洗淨液因離心力而不斷往基 板W之周緣部移動並飛散。因此，可防止溶出於洗淨液中 的阻劑覆蓋膜之成分殘留於基板W上。 此外，上述阻劑覆蓋膜之成分，亦可例如藉由於基板w 覆以純水並保持一定時間而溶出。又，洗淨液往基板w上 的供給，亦可藉由採用二流體噴嘴的柔和喷塗（softspary) 方式進行。 經過既定時間後，停止洗淨液之供給，將清洗液從洗淨 鲁處理用喷嘴650吐出。藉此，沖洗基板w上之洗淨液。 更進一步經過既定時間後，旋轉軸625之旋轉速度下 降。從而，因基板W之旋轉而甩去的清洗液之量減少，如 圖10(a)所示，於基板评之表面整體形成清洗液之液層L。 此外，亦可停止旋轉轴625之旋轉而在基板w之表面整體 形成液層L ^ 其次，停止清洗液之供給，洗淨處理用喷嘴65〇退離至 既定之位置，同時，乾燥處理用噴嘴67〇移動至基板⑺之 中心部。之後，從乾燥處理用喷嘴670吐出惰性氣體c藉 3ΠΧΡ/發明說明書(補件)/96-04/96100648 36 丄 *327747 如旋轉軸625 (參照圖9)之轉速上升的同時， :(c)所不’乾燥處理用喷嘴67〇從 逐漸往周緣部上方移動。萨此， T 〇Ρ 柘WmT ㈣措此在較大之離心力作用於基 ^ L㈣時’可對基板W之表面整體吹附惰性氣 ，基㈣乾燥。 之液η。結果，可確實使 〆、:人’停止惰性起體之供給，在乾燥處理噴嘴67〇退離 至既定位置之同時，使旋轉轴625之旋轉停止。之後，護 件624下降，同時圖1之第6中央機器人⑽或中介㈣ 送機構IFR將基板W搬出。藉此，結束於帛i及第2洗淨 /乾燥處理單元SD卜SD2中的處理動作。此外，於洗淨及 乾燥處理+，最好根據處理液的回收或排液之 而 籲當變更護件624之位置。 4 此外，在本實施形態令，為可從洗淨液處理用喷嘴65〇 供給洗淨液及清洗液之任一者，而採用將洗淨液處理用喷 嘴650共用於洗淨液之供給及清洗液之供給的構成但亦 可採用分別設置洗淨液供給用之噴嘴與清洗液供給用之 喷嘴的構成》 又’在供給清洗液之情況，亦可從未圖式之背面清洗 (back rinse)用噴嘴對基板评之背面供給純水，以防清洗 液流入於基板W之背面。 ' 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 37 1327747 又 洗液
在將純水用作洗淨基板W 之洗淨液時，不需供給清 以二區Ϊ上述實施形態中，雖以旋轉乾燥方法對基板^施 處理，但亦可以減壓乾燥方法、空氣刀乾燥方法等 ，、他乾燥方法對基板W施以乾燥處理。 在上述實施形態中，雖在形成有清洗液之液層W 月〜'下，從乾燥處理用喷嘴670供給惰性氣體，但亦可在 =成有清洗液之液層W情況或不採用清洗液的情況 讀基板W而甩去洗淨液之液層’之後立即從乾燥處理 用噴嘴670供給惰性氣體而使基板w完全乾燥。 (5)本實施形態的效果 (5-1)載置兼加熱單元ρ_ρ£β之效果 在本實施形態中，載置兼加熱單元ρ_ρΕΒ設置於中介區 b。藉此，可將曝光處理後之基板w迅速搬 熱單元P-削。因此，可在曝光處理後迅速施行基板k <EB處理。結果，可迅速促進阻劑膜内之化學反應，而可 得到所希望之曝光圖案。 又，載置兼加熱單元P〜PEB在將基板界從中介用搬送機 構IFR往第6中央機器人CR6交接時，具有作為用來载置 基板w的載置部之作用。因此，可簡化中介區ι5内之基 板W的搬送路徑，故可提高處理量。又，因為不必分別設 置用來從中介用搬送機構iFR往第6中央機器人CR6交接 基板w的載置部，所以可減低中介區15之製造成本。又， 因為可減少基板W搬送之存取位置，所以第6中央機器人 312XP/發明說明書(補件)/96·〇4/961 〇〇648 38 1327747 CR6之動作可單純化。 又，在載置兼加熱單元Ρ_ΡΕβ中，在曝光處理後之既定 .時機開始基板W之ΡΕΒ處理。因此，在對多片基板w連續 •施仃處理之情況下，從曝光處理至PEB處理間的經過時 門對於夕片基板w可為相等。因此，可防止多片基板w 間曝光圖案精度之變異。 (5γ2)對曝光處理後之基板施以乾燥處理所產生的效果 籲在第2洗淨/乾燥處理單元汕2中，對曝光處理後之基 板 '把以乾燥處理。藉此，可防止曝光處理時附著於基板 W的液體落下於基板處理裝置500内。 w =，藉由對曝光處理後之基板W施以乾燥處理，以防止 1¼中之塵埃附著於曝光處理後之基板因此可防止基 板W之污染。 土 又，因為可防止在基板處理裝置500内搬送附著有液體 的基板所以可防止曝光處理時附著於基板W的液體對 #基板處理裝f⑽内之環境造成影響。因A，基板處理農 置5 0 0内之溫濕度調節變得容易。 又，因為可防止曝光處理時附著於基板w的液體附著於 載入機器人IR及第卜第6中央機器人CIU〜CR6，所以可 Pf止液體附著於曝光處理前之基板w。藉此，由於可防止 環境中之塵埃等附著於曝光處理前之基板w，所以可防止 基板W之污染。結果，可防止曝光處理時解析度 化，並且可防止曝光裝置16内之污染。 又，當將基板W從第2洗淨/乾燥處理單元SD2往顯像 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 39 丄 W//47 處理β 70搬送之時，可確實防止阻劑成分或阻劑覆蓋膜 ，之成分溶出於殘留在基板说上的洗淨液及清洗液中。因' 此，可防止形成於阻劑膜的曝光圖案變形。結果， •地防止顯像處理時線寬精度之下降。 只 .該：結果，可防止基板處理裝置5〇〇之電系統 作不良，同時可確實防止基板⑺之處理不良。 =’ f第2洗淨/乾燥處理單元咖中，在使基板说下 心，2體從基Μ之中"部往周緣部吹附，對基板 ，進爾處理，在時，因為可確實除去基板W上之洗淨 液及清洗液，所以可確實防止環境中之塵埃等附著於洗淨 後之基板W。因此’可確實防止基板说之污染，同時可防 止於基板W之表面產生乾燥痕跡。 (5-3)對曝光處理後之基板施以洗淨處理所產生的效果 在第2洗淨/乾燥處理單元聊中，於乾燥處理前洗淨 在此情況下，即使環境中之塵埃等附著於曝光處 <里時附著有液體的基板W’亦可除去其附著物。因此，可 防止基板W之污染。結果，可確實防止基板之處理不良。 (5-4)阻劑覆蓋膜之塗佈處理之效果 从在曝光裝置16中對基板w進行曝光處理前，在阻劑覆 :膜用處理區13中，於阻劑膜上形成阻劑覆蓋膜。在此 二况下’ gp使在曝光裝置16中基板W與液體接觸，亦可 猎阻劑«蓋膜防止阻劑膜與液體的接觸，因此可防止阻劑 之成分溶出於液體中。 (5-5)阻劑覆蓋膜之除去處理之效果 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 4〇 ^327747 兄==中’進行阻劑覆蓋膜之除去處理。在該情 射因為於顯像處理前可確實除去阻劑覆蓋膜，所以可 確實進行顯像處理。 的I5果6)對曝光處理前之基板施以洗淨及乾燥處理所產生 裝置16中對基板w進行曝光處理前，在第1洗 0 =處理單元s D1中對基板w進行洗淨處理。於該洗 :ΐΓ 二基板w上之阻劑覆蓋膜之成分之-部分溶出於 :淨液“洗液中，而被沖洗掉。因A，在曝光裝置16 ^使基板W與液體接觸’基板讯上之阻劑覆蓋膜之成分 1不溶出於液體中。又’可去除附著於曝光處理前之基 板W的塵埃等。該等之結果，可防止曝光裝置16内之污 染0 々又’在第1洗淨/乾燥處理單元SD1中，於基板W之洗 _淨處理後對基板w進行錢處理。藉此，因為可除 處理時附著於基板W的洗淨液或清洗液，所以可防止環境 中之塵埃等再度附著於洗淨處理後之基板W。結果，可確 實防止曝光裝置16内之污染。 又’在第1洗淨/乾燥處理單元SD1中，在使基板^走 轉之同時將惰性氣體從基板w之中心部往周緣部吹附，藉 以進行基板W之乾燥處理。在此情況，因為可確實除去基 板w上之洗淨液及清洗液，所以可確實防止環境中之塵埃 等附著於洗淨後之基板W。藉此，可確實防止基板w之污 3 UXP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 41 1327747 染，同時可防止乾燥痕跡發生於基板w之表面。 (5-7)中介區之效果 在令介區15中，第6中央機器人⑽進行：將基板w 對於邊緣曝光部EEW的搬入出、將基板评對於第^ Π處Γ單元SD1的搬入出、將基板w對於發送緩衝部 的搬入出、將基板W對於载置兼冷卻單元p_cp的搬 入、及將基板W從載置兼加熱單元"Εβ的搬出， ·=機構⑽進行··將基板w從載置兼冷卻單元卜cp的 搬出、將基板f對於曝光梦晉 於第2洗、,w 的搬入出、將基板说對 ㈣晋I 單7的搬入出、及將基板讲對 + 熱早凡卜削的搬入。如此，因為藉由第6 + w、所盗6及中介用搬送機構1FR可有效率地搬送基板 w，所以可提高處理量。 极 2洗、爭15中’第1洗淨/乾燥處理單元sm及第 處理單元SD2分別設於χ方向之側面附近。 丨不用拆卸中介區15,即可容易從基板處理裝 之側面維修第1及第2洗淨/乾燥處理單元SD1、 可：二ί第1及第2洗淨/乾燥處理單元SM、SD2，而 之基板理區内洗淨並乾燥曝光處理前及曝光處理後 域: 因此，可防止增加基板處理裴置500之覆蓋區 (5 8)中介用搬送機構之效果 在中介區15中，將基板⑺從载置兼冷卻單元p_cp搬送 312XP/翻說明書(補件)/96-〇4/961〇〇648 42 1327747
曝光裳置16之際，將基板W從第2洗淨/乾燥處理單元 如2往裁置兼加熱單元P_PEB搬送時，使用中介用搬送機 構IFR之手H1，將基板w從曝光裝置16往第2洗淨/乾 燥處理單元SD2搬送時，則使用中介用搬送機構IFR .H2。 亦即，對於未附著有液體的基板w，使用手H1搬送， 對於附著有液體的基板W，則使用手JJ2搬送。 籲在此情況’因為可防止曝光處理時附著於基板w的液體 附著於手H1，所以可防止液體附著於曝光處理前之基板 W。又，因為手H2設置在手Η1<下方處，所以即使液體 從手H2及其所保持的基板w落下，亦可防止液體附著於 手H1及其所保持的基板w。因此，可確實防止液體 =曝光處理前之基板W。結果，可確實防止曝光處 基板W被污染。 (5-9)配設載置兼冷卻單元p_cp所產生的效果 介區15 t，由於設置载置兼冷卻單元Ycp，旦兼 置二曝：裝置16作曝光處理之前用於載置基板W的載 與使基板w之溫度與曝光裝置16内之溫度一致 減少搬送步驟。在利用講究嚴密之基 理的液 法而進行曝光處理時，減少搬送步驟極 二可;:高處理量並且可減少搬送之存取位置，因 特別是，由於設置有2個載置兼冷卻單元P-CP，故可 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 43 1327747 更進一步提高處理量。 ⑹洗淨/乾燥處理單元之其他例子 在圖9所不之洗淨/乾燥處理單 處理用噴嘴咖與乾燥處:刀又置洗淨 成為-體。在該情況，因為不：用噴嘴670設置 燥處理時各自分別移動洗淨處理用；嘴6:先:::二或乾 •用喷嘴㈣’所以可使驅動機構單純化。1乾_理 又’亦可使用圖12所示之乾燥處理用喷 圖9所示之乾燥處理用噴嘴67〇。 、 0來代替 圖12之乾燥處理用噴嘴7 ^ ^ ^ ^ ^ ^ 從侧面往斜下方延伸的分歧管7二。方：並且具有 :嘴:7〇之下端及分歧管771，之下端：用 惰性亂體的氣體吐出口 77〇a、77〇b、77化^ 示=:77—，，各自如圖以箭頭所 1 用喷嘴770中及斜了方吐出惰性氣體。亦即，在乾燥處理 氣體。，以°人附範圍朝向下方擴大之方式吐出惰性 此處’在使用乾燥處理用喷嘴77〇之 洗淨/乾燥處理單元SD1、S 第1及第2 w進行乾燥處理。 SD2精由以下說明之動作對基板
圖13為用來說明使用有乾燥處 之乾燥處理方法的圖。 頁赁77。的基板W 由在圖1〇(a)所說明的方法，於基板W之表面形成有液 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 44 1327747 層L後如® 13⑷所不，將乾燥處理用喷嘴77〇移動至 基板W之令心部上方。 之後’從乾燥處理用喷嘴7 7 〇吐出惰性氣體。藉此，如 圖3(b)所不，基板w之中心部之清洗液移動至基板评之 f緣T:而成為僅在基板W之周緣部存在有液層L的狀 ^ =外’此時，使乾燥處理用喷嘴77()預先接近於基板 W之表面’錢存在於純w之中心料清洗液 隨著旋轉軸625 (參照圖9)之轉速上升的同時， 乾燥處理用噴嘴770往上方移動。藉此， =之離心力作用於基板说上之液層L，同時，基板讲上 之h性氣體的吹附範圍擴大β έ士 患 之液層L。此外，藉由以: ::基板^上 而上下移動乾燥處理用噴嘴770。 又，亦可使用如圖14所示之乾燥處理用噴 >=:用=77〇。圖14之乾燥處理用 有彺下方直徑逐漸擴大的吐出口 870ae 從該吐出π 87Ga，如圖】4之箭頭所示，往錯 斜下方吐出情性氣體。亦即，在乾燥處理用 亦同於圖13之乾燥處理用㈣77()，以吹附範 卜 方擴大的方式吐出惰性氣體。因圍朝向下 嘴之情況，亦藉由如同使用乾燥處== 方法而可崎基㈣之㈣處理。 、嘴770時之 又’亦可使用如圖15所+夕，土，盈/ & 所不之洗分/乾燥處理單元來代替 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 45 圖9所示之洗淨/乾燥處理單元。 9所示之洗淨/乾 圖15所示之洗淨/乾燥處理單元盘圖 操處理單元的差異點如下。』 方；二5*之洗W乾燥處理單元中，於旋轉夹盤621之上 具有開口的圓板狀隔絕板咖。支持轴 689 =广之前端附近往錯直下方向設置，於其支持轴 面而1 ’對向於料在旋轉夾盤621的基板W之上表 面而女裴有隔絕板682。 太=持# 689之内部插通有連通於隔絕板咖之開 亂體f給路_。對於氣體供給路_，供給例如氮氣。 。於# 688連接有隔絕板升降驅動機構697及隔絕板旋轉 驅動機構698。隔絕板升降驅動機構697使隔絕板咖在 接近於保持在旋轉夾盤621的基板w之上表面的位置處盘 在上方遠離旋轉夾盤621的位置處之間上下移動。/、 在圖15之洗淨/乾燥處理單元中，於基板以乾燥處理 ^寺，如圖16所示，在使隔絕板682接近於基板w之狀態 下，從氣體供給路690對基板w與隔絕板682之間的間隙 供給惰性氣體。在該情況，因為可有效率地從基板w之中 心部往周緣部供給惰性氣體’所以可確實除去基板W上之 液層L。 又’在上述實施形態中’雖第1及第2洗淨/乾燥處理 單元SD1、SD2配置於中介區15内，但第1及第2洗淨/ 乾燥處理單元SD1、SD2亦可配置於圖1所示之阻劑覆蓋 膜除去區14内。或者，亦可將包含第1及第2洗淨/乾燥 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 46 1327747 處理單元SDL的洗淨/乾燥處理區 阻劑覆蓋膜除去區14與中介區15之間。在圖所不之 ⑺使用2流體喷嘴的洗淨/乾燥處i單元之例子 α-”錢體喷嘴之情況下的構成及動作 s〇r上施形悲、，雖在第1及第2洗淨/乾燥處理單元 ?D2中，就使用如圖9所示之洗淨處理用喷嘴650 及乾燥處理用喷嘴670的情況進杆 、 Π所不之2流體喷嘴來代替洗淨 ^理用噴嘴67〇之—者或兩者。用喷嘴650及乾海 之表讀用於洗淨及乾燥處理的2流體噴嘴950 二：構…例的縱剖視圖。從2流體喷嘴95〇可選擇 吐出虱體、液體、或氣體與液體之混合流體。 本實施形態之2流體喷嘴95〇稱為外部混合型。圖17 外部混合型之2流體嘴嘴950由内部本體部411及 。體部412所構成。内部本體部411由例如石英等構 ”二部本體部412由例如PTFE (聚四敦乙烯）等氟樹 乃曰稱成。 a沿内部本體部411之中心轴形成有圓筒狀之液體導入 於液體導人部他安裝有圖9之洗淨處理用供 =663。藉此，從洗淨處理用供給管663所供給的洗淨 液或清洗液導入於液體導入部4iib。 於内部本體部411之下端形成有連通於液體導入部 的液體吐出口 4na。内部本體部4ιι插入於外。部本 部412内。此外’内部本體部411及外部本體部412之 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 47 1327747 上端部互相接合，下端未接合。 ::部本體部411與外部本體部412之間形成有 之礼體通過部412b。於外部本體部412之下 =氣體通過部412b的氣體吐出口 412a。於外部本體呷 2之周I，連通於氣體通過部他而安裝有圖9之乾 :處理用供給管674。藉此，從乾燥處理用供給管674所 仏給的惰性氣體導入於氣體通過部412b。 ，氣體通過部㈣在氣體吐出口他附近隨著朝向下方 而直控漸小。結果’加大惰性氣體之流速，而從氣體吐出 口 412 a吐出。 從液體吐出口 41 la所吐出的洗淨液與從氣體吐出口 412a所吐出的惰性氣體，在2流體喷嘴95〇之下端附近 之外部混和’而生成包含洗淨液之微細液滴的霧狀混合流 圖18為用來說明使用圖17之2流體噴嘴95〇的情況 馨下’基板W之洗淨及乾燥處理方法的圖式。 首先，如圖9所示，基板w由旋轉夹盤621吸附保持， 伴隨旋轉軸625之旋轉而旋轉。在此情況，旋轉軸6託之 方疋轉速度為例如約5〇〇rpm。 在此狀態下，如圖〗8(a)所示，將由洗淨液及惰性氣體 構成的霧狀混合流體從2流體喷嘴950吐出於基板ψ之上 表面，同時將2流體噴嘴950從基板w之中心部上方往周 緣部上方逐漸移動。藉此，將混合流體從2流體喷嘴950 吹附於基板f之表面整體，洗淨基板W。 312XP/發明說明書(補件)/96-04/9610064S 48 1327747 其次’如18(b)所示，停止混合流體之供給，降低旋 轉軸625之旋轉速度，同時將清洗液從2流體噴嘴往 .基板w上吐出。在此情況，旋轉軸625之旋轉速度為例如 .約1〇哪。藉此，於基板贤之表面整體形成清洗液之液層 L。此外’亦可停止旋轉軸咖之旋轉*於基板w之表面 整體形成液層L。又，在使用純水作為洗淨基板w的混合 流體中之洗淨液時，亦可不供給清洗液。 在形成液層L後’停止清洗液之供給。其次，如圖幻 所示，將惰性氣體從2流體喷嘴95〇往基板w上吐出。藉 此基板W中〜。卩之洗淨液往基板w之周緣部移動，而成 為只在基板W之周緣部存在有液層L的狀態。 之後，旋轉軸625之旋轉速度上升。在此情況，旋轉軸 625之旋轉速度為例如約1〇〇rpm。藉此，因為較大之離心 力作用於基板W上之液層L，所以可去除基板^ L·。結果，基板W獲得乾燥。 曰 春此外，在去除基板W上之液層l時，亦可將2流體喷嘴 950從基板W之中心部上方往周緣部上方逐漸移動。藉 此’因為可將惰性氣體吹附於基板w之表面整體，所以可 確實除去基板W上之液層L。結果，可確實使基板说乾燥。 (7-2)使用2流體噴嘴之效果 在圖17之2流體噴嘴中，因為從2流體噴嘴950所吐 出的混合流II包含有洗淨液之微細液滴，所以即使在基板 面具有凹凸的情況下’亦可藉洗淨液之微細液滴剝掉 附著於基板W的污垢。藉此，可確實去除基板界表面之污 312Χί>/發明說明書(補件)/96-04/96100648 4〇 152Ί1Α1 I二：使在基板W上之膜之濕潤性較低的情況下，因 二：：：洗淨液之微細液滴剝掉基板w表面之污垢，所以 叮確實去除基板W表面之污垢。 單因=尤其在將2流體噴嘴制於第1洗淨/乾燥處理 = 的情況，於曝光處理前以加熱單元HP對基板w 她/j亍熱處理時，即使劑 單元HP肉二tm溶劑等在加熱 内汁華’而其昇華物再度附著於基板W的情況下， ♦物可ΐ第1洗淨/乾燥處理單元SD1中，確實去除其附著 物。藉此，可確實防止曝光裝置16内之污染。 ^藉由調節惰性氣體之流量’而可容易地調節洗淨基 反”先淨力。藉此，在基板讲上之有機膜（阻劑膜或 且Μ覆蓋膜）具有易破損之性質時可弱化洗淨力，藉此可 基板W上之有機臈之破損。又，在基板你表面：污垢 λ牛固時可強化洗淨力，藉此可確實除去基板W表面之污 ^如此’配合基板W上之有機膜之性質及污垢之程度而 •調卽洗淨力，藉此可防止基板讲上之有機 可確實洗淨基板W。 時 、又’在外部混合型之2流體喷嘴95G中，混合流體由洗 夺液與惰性氣體在2流體喷嘴95〇之外部混合而產生。，产 性氣體與洗淨液在2流體喷嘴950之内部各自分別流通^ 不同的流路。藉此，於氣體通過部412b内不會殘留洗淨 液而可將惰性氣體單獨從2流體噴嘴950吐出。更谁一 步’藉由從洗淨處理用供給管663中供給清洗液，而可將 清洗液從2流體喷嘴950單獨吐出。因此，可從2流體噴 312XP/發明說明書(補件)/96彻61〇〇648 1327747 嘴950中選擇性吐出混合流體、惰性氣體或清洗液。 又’在使用2流體噴嘴950之情況下’不必各自分別設 置用來對基板W供給洗淨液或清洗液的噴嘴，與用來對基 板W供給惰性氣體的喷嘴。因此，可以簡單的構造確實進 行基板W之洗淨及乾燥。
此外，在上述之說明中，雖以2流體噴嘴950對基板W 供給清洗液，但亦可使用個別的喷嘴對基板W供給清洗 液。 又’在上述之說明中，雖以2流體噴嘴950對基板W供 給惰性氣體，但亦可使用個別的喷嘴對基板W供給惰性氣 體。 ' (8)其他實施形態 亦可不設置阻劑覆蓋膜用處理區13。在此情況，於第i 洗淨/乾燥處理單元SD1的洗淨處理時，阻劑膜之成分之 伤溶出於洗淨液中。藉此，即使在曝光裝置丨6中阻 馨和膜與液體接觸，亦可防止阻劑之成分溶出於液體中。結 果’可防止曝光裝置16内之污染。 又，在不設置阻劑覆蓋膜用處理區丨3之情況下，亦可 不叹置阻劑覆蓋膜除去區丨4。藉此，可減少基板處理裝 置500之覆蓋區域。 时又，第1洗淨/乾燥處理單元SD1、第2洗淨/乾燥處理 單元SD2、塗佈單元baRC、RES、COV、顯像處理單元DEV、 ，去單元REM、加熱單元HP、冷卻單元cp、載置兼冷卻 單元P CP及載置兼加熱單元ρ_ρΕβ之個數亦可配合各處 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-04/96100648 51 1327747 理區之處理速度而作適度變更。例如，在設置有2個邊緣 曝光部EEW時，第2洗淨/乾燥處理單元SD2之個數亦可 設定為2個。 又，在本實施形態中，雖就設置以液浸法對基板w施行 曝光處理的曝光裝置16作為基板處理裝置5〇〇之外部裝 置而說明，但不限定於此，，亦可不使用液體而將施行基板 W之曝光處理的習知曝光裝置設置作為外部裝置◊在此情 身況，亦可不設置阻劑覆蓋膜用處理區丨3、阻劑覆蓋膜除 去區14、第1洗淨/乾燥處理單元SD1及第2洗 處理單元SD2。 知' ⑻申請專利範圍之各構成元件與實施形態之各部分的 對應 以下說明申請專利範圍之各構成元件與實施形離之各 兀件的對應例，但本發明不限定於下述例子。 ，上述實施形態中，反射防止膜用處理區Μ、阻劑膜 •"處㈣U、顯像處理區12、阻劑覆蓋膜用處理區13及 阻劑覆蓋膜除去區14為處理部之例子，中 部之例子，塗佈單元RES為感光性膜形成單元° ;交^ 置兼加熱單元P-PEB為熱處理單元之例子 ， 人⑽為第！搬送單元之例子 :6中央機益 2搬送單元之例子。 ，丨用搬迗機構W為第 又，基板支持部201為支持部之例 300為搬送裝置之例子，主控制 ；^部搬送機構 載置兼冷卻單元P-CP為載置部及溫度。子’ 理待機單元之例 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 ^ 第1洗淨/乾燥處理單元SD1為洗淨處理單元之例子， 方向trr方^理單7^D2為乾燥處理單元之例子，γ 〆載=:=::::_請專利範 【圖式簡單”】 仔 ==實施形態之基板處理裝置之俯視圖。 圖3為從]方2看圖1基板處理裝置的概略側視圖。 圖4為從π側觀看：：1基板處理裝置的概略側視圖。 觀看中"區的概略側視圖。 =5為載置兼加熱單元之外觀立體圖。 圖6為圖5载置兼加熱單 圖了⑷、⑻為用來說明載置兼加二 圖8(相為用來說明載4力：：兀之動作的圖式。 ===處理單“構成的圖式。 動作的圖。 ）為用來說明洗淨/乾燥處理單元之 體理Μ嘴與錢處理料嘴經設置成-圖μ為表示乾燥處理用喷嘴之其他例子 理用喷嘴的情況之基板之乾燥處理方法。之乾知處 圖14為表示乾燥處理用嘴嘴之其他例子的模式圖。 312XP/發明說明書(補件)/96·〇4/96100548 53 1327747 圖15為表示洗淨/乾燥處理單元之其 圖16為用來說明使用有圖圖1 情況之基板之乾燥處理方法的圖。 ’、早兀的 圖17為表示使用於洗淨及乾燥處理的 部構造之一例的縱剖視圖。 "L '嘴之内 喷嘴的情況之基板之洗淨及乾谭處〕 【主要元件符號說明】 9 載入機區 10 反射防止膜用處理 11 阻劑膜用處理區 12 顯像處理區 13 阻劑覆蓋膜用處理 14 阻劑覆蓋獏除去區 15 中介區 丨16 曝光襞置 16a 基板搬入部 16b 基板搬出部 17 隔壁 18 隔壁 19 隔壁 20 隔壁 21 隔壁 30 主控制器 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 54 f丄=、Ab)i: (C)為用來說明使用有圖Π之2流體 1327747 40 載體載置台 50 反射防止膜用塗佈處理部 51 旋轉夾盤 52 供給喷嘴 60 阻劑膜用塗佈處理部 61 旋轉爽盤 62 供給喷嘴 70 顯像處理部 旋轉夾盤 72 供給喷嘴 80 阻劑覆蓋膜用塗佈處理部 81 旋轉夾盤 82 供給喷嘴 90 阻劑覆蓋膜除去用處理部 91 旋轉夾盤 政2 供給喷嘴 98 旋轉炎盤 99 光照射器 100 反射防止膜用熱處理部 101 反射防止膜用熱處理部 110 阻劑膜用熱處理部 111 阻劑膜用熱處理部 120 顯像用熱處理部 121 顯像用熱處理部 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 55 1327747 130 阻劑覆蓋膜用熱處理部 131 阻劑覆蓋膜用熱處理部 141 基板載置收納部 200 加熱處理部 201 基板支持部 202 加熱部 211 上蓋 213 加熱板 •214 可動支持銷 215 支持板 216 上蓋保持構件 217 支持構件 218 上蓋開閉驅動裝置 250 冷卻板 251 固定支持銷 灰00 局部搬送機構 310 帶輪 311 帶輪 312 皮帶 313 手進給軸 314 手進給軸 320 滑動軌道 350 框體 360 框體 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 56 1327747 411 内部本體部 411a 液體吐出口 411b 液體導入部 412 外部本體部 412a 氣體吐出口 412b 氣體通過部 500 基板處理裝置 621 旋轉夾盤 •623 處理杯 624 護件 625 旋轉軸 631 排液空間 632 回收液空間 633 分隔壁 634 排液管 回收管 636 夾盤旋轉驅動機構 641 排液導引溝 642 回收液導引部 643 分隔壁收納溝 650 洗淨處理用喷嘴 660 第1轉動馬達 661 第1轉動軸 662 第1臂 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 57 1327747 663 洗淨處理用供給管 670 乾燥處理用噴嘴 671 第2轉動馬達 672 第2轉動轴 673 第2臂 674 乾燥處理用供給管 682 隔絕板 688 臂 •689 支持軸 690 氣體供給路 697 隔絕板升降驅動機構 698 隔絕板旋轉驅動機構 770 乾燥處理用噴嘴 770a 氣體吐出口 770b 氣體吐出口 ，770c 氣體吐出口 771 分歧管 772 分歧管 870 乾燥處理用喷嘴 870a 吐出口 950 2流體喷嘴 BARC 塗佈單元 C 載體 COV 塗佈單元 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 58 1327747 RES 塗佈單元 RHR 局部搬送手 SBF 發送緩衝部 SD1 第1洗淨/乾燥處理單元 SD2 第2洗淨/乾燥處理單元 Va 〜Vc 閥 W 基板 WP 水冷配管 \iSR 基板檢測感測器 WST 基板檢測感測器 312XP/發明說明書(補件)/96-04/96100648 60