JPH04179113A - ガス配管方法 - Google Patents
ガス配管方法Info
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- JPH04179113A JPH04179113A JP30436090A JP30436090A JPH04179113A JP H04179113 A JPH04179113 A JP H04179113A JP 30436090 A JP30436090 A JP 30436090A JP 30436090 A JP30436090 A JP 30436090A JP H04179113 A JPH04179113 A JP H04179113A
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- JP
- Japan
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- gas
- semiconductor manufacturing
- semiconductor
- valve box
- purge line
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造装置とシリンダーキャビネット間
のガス配管方法に関するものである。
のガス配管方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体ガスボンベを収納したシリンダー＝＋＝ヤ
ビネットの安全対策として、その設置場所を屋内（クリ
ーンルーム）から屋外へ移す動きが出ている。その結果
、半導体製造装置とシリンダーキャビネットのガス配管
の長さが１．０ｍ以上にも及ぶものがある。
ビネットの安全対策として、その設置場所を屋内（クリ
ーンルーム）から屋外へ移す動きが出ている。その結果
、半導体製造装置とシリンダーキャビネットのガス配管
の長さが１．０ｍ以上にも及ぶものがある。
以下従来のガス配管方法について説明する。
第３図は従来のガス配管系を示し、１は半導体製造装置
、３はシリンダーキャビネット、４はクリーンルーム、
５はガス配管である。
、３はシリンダーキャビネット、４はクリーンルーム、
５はガス配管である。
以Ｉ−のように構成されたガス配管系に於いて、シリン
ダーキャビネット３は屋外に設置され、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置１までの配管の長さは１
．０ｍ以」二ある。
ダーキャビネット３は屋外に設置され、クリーンルーム
内に設置された半導体製造装置１までの配管の長さは１
．０ｍ以」二ある。
発明が解決しようとする課題
上記従来のガス配管系では、半導体製造装置１例のガス
系に対するパージは、半導体製造装置１とシリンダーキ
ャビネット３間のガス配管５内の半導体ガスを半導体製
造装置１側ヘパージした後、シリンダーキャビネット３
側からの窒素ガスによる加圧、パージ、真空引きの繰り
返しで行われるが、半導体装置１とシリンダーキャヒネ
ッＩ・３の間のガス配管５の長さが］、 Ｏｍ以上も長
くなると、窒素ガスでのパージ効率が低下し、そのため
長時間のパージが必要になるという課題があった。
系に対するパージは、半導体製造装置１とシリンダーキ
ャビネット３間のガス配管５内の半導体ガスを半導体製
造装置１側ヘパージした後、シリンダーキャビネット３
側からの窒素ガスによる加圧、パージ、真空引きの繰り
返しで行われるが、半導体装置１とシリンダーキャヒネ
ッＩ・３の間のガス配管５の長さが］、 Ｏｍ以上も長
くなると、窒素ガスでのパージ効率が低下し、そのため
長時間のパージが必要になるという課題があった。
課題を解決するだめの手段
この課題を解決するために本発明のガス配管方法は、窒
素パージライン、真空パージライン、半導体ガス供給ラ
インで構成されたガス系を有するバルブボックスを半導
体製造装置の直近に設置するものである。
素パージライン、真空パージライン、半導体ガス供給ラ
インで構成されたガス系を有するバルブボックスを半導
体製造装置の直近に設置するものである。
作用
このように構成されたガス系では、バルブボックスと半
導体製造装置の間で半導体ガスのパージ、窒素による加
圧、パージ、真空引きが可能になるため、半導体製造装
置側のガス系パージを短時間に、効率よく行うことがで
きる。
導体製造装置の間で半導体ガスのパージ、窒素による加
圧、パージ、真空引きが可能になるため、半導体製造装
置側のガス系パージを短時間に、効率よく行うことがで
きる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるガス配管方法の全体
構成を示すものであり、■は半導体製造装置、２はバル
ブボックス、３はシリンダーキャビネット、４は室内（
クリーンルーム）、５はガス配管である。
構成を示すものであり、■は半導体製造装置、２はバル
ブボックス、３はシリンダーキャビネット、４は室内（
クリーンルーム）、５はガス配管である。
第１図からも明らかなように、本実施例においては、半
導体製造装置１とシリンダーキャビネット３がバルブボ
ックス２とガス配管５とで供給され、かつバルブボック
ス２が、室内４の半導体製造装置１の真近に設置されて
いる。
導体製造装置１とシリンダーキャビネット３がバルブボ
ックス２とガス配管５とで供給され、かつバルブボック
ス２が、室内４の半導体製造装置１の真近に設置されて
いる。
第２図はバルブボックス２内の具体構成を示すものであ
り、６，７は半導体ガス供給ライン、８は窒素パージラ
イン、９は真空パージライン、１０゜１０ａ〜Ｌｏｇは
ダイアフラムバルブ、１１は逆止弁、１２は圧力計であ
る。これらのガス系部品、配管は点線で囲まれたバルブ
ボックス２内に収納されている。
り、６，７は半導体ガス供給ライン、８は窒素パージラ
イン、９は真空パージライン、１０゜１０ａ〜Ｌｏｇは
ダイアフラムバルブ、１１は逆止弁、１２は圧力計であ
る。これらのガス系部品、配管は点線で囲まれたバルブ
ボックス２内に収納されている。
以上のように構成されたガス配管を使用して半導体製造
装置のガス系をパージする方法について説明する。
装置のガス系をパージする方法について説明する。
半導体ガス供給ライン６．７は、生ガスが充填されてい
る。すなわち、バルブＩＯ，１，Ｏａが開、その他のバ
ルブ１０ｂ〜１．０ ｇはすべて閉である。ここで、ま
ずバルブ１０．１０ａを閉にした後、生ガスを半導体製
造装置１側へ抜（。４その後窒素パージライン８のバル
ブ１０ｂ、１０ｃ。
る。すなわち、バルブＩＯ，１，Ｏａが開、その他のバ
ルブ１０ｂ〜１．０ ｇはすべて閉である。ここで、ま
ずバルブ１０．１０ａを閉にした後、生ガスを半導体製
造装置１側へ抜（。４その後窒素パージライン８のバル
ブ１０ｂ、１０ｃ。
１’Ｏｄを開き、窒素による加圧、パージを繰り返す。
次に半導体製造装置１が減圧型であれば、窒素による加
圧、真空パージを行う。又常圧型であれば半導体製造袋
Ｎｌ側のガス系出口を閉にした後、ガス系全体を窒素で
加圧し、その後真空パージライン９のバルブ１０ｆ、１
０ｇを開にし、真空パージを行う。以上の動作を数回繰
り返す。なお真空パージをバルブボックス２を使用して
行う時は、バルブ１０ｅを少し開け、窒素を流しながら
真空引きを行うことで、安全が確保される。
圧、真空パージを行う。又常圧型であれば半導体製造袋
Ｎｌ側のガス系出口を閉にした後、ガス系全体を窒素で
加圧し、その後真空パージライン９のバルブ１０ｆ、１
０ｇを開にし、真空パージを行う。以上の動作を数回繰
り返す。なお真空パージをバルブボックス２を使用して
行う時は、バルブ１０ｅを少し開け、窒素を流しながら
真空引きを行うことで、安全が確保される。
以上のように、半導体製造装置１の真近に設置されたバ
ルブボックス２内のガス系を使用して半導体製造装置１
側のガス系をパージすれば、短時間に効率よく、又安全
にパージを行うことが可能となる。
ルブボックス２内のガス系を使用して半導体製造装置１
側のガス系をパージすれば、短時間に効率よく、又安全
にパージを行うことが可能となる。
発明の効果
本発明は半導体製造装置とシリンダーキャビネット間を
、ガス配管と１、窒素パージライン、真−５＝ 空パージライン、半導体ガス供給ラインで構成されたバ
ルブボックスとで結合するとともに、バルブボックスを
半導体製造装置の真近に設置することにより、屋外にシ
リンダーキャビネットが設置された場合でも短時間に、
効率よく、安全に半導体製造装置側のガス系のパージを
可能にするガス配管方法を実現子るものである。
、ガス配管と１、窒素パージライン、真−５＝ 空パージライン、半導体ガス供給ラインで構成されたバ
ルブボックスとで結合するとともに、バルブボックスを
半導体製造装置の真近に設置することにより、屋外にシ
リンダーキャビネットが設置された場合でも短時間に、
効率よく、安全に半導体製造装置側のガス系のパージを
可能にするガス配管方法を実現子るものである。
第１図は本廠明の一実施例におけるガス配管方法を示す
ブロック図、第２図は第１図におけるバルブボックス内
の具体構成を示す図、第３図は従来のガス配管方法を示
すブロック図である。 １・・・・・・半導体製造装置、２・・・・・・バルブ
ボックス、３・・・・・・シリンダーキャビネット、４
・・・・・・室内（クリーンルーム）、５・・・・・・
ガス配管、６，７・・・・・・半導体ガス供給ライン、
８・・・・・・窒素パージライン、９・・・・・・真空
パージライン、１０．１０ａ〜Ｌｏｇ・・・・・・ダイ
アフラムバルブ、１１・・・・・・逆止弁、１２・・・
・・・圧力計。
ブロック図、第２図は第１図におけるバルブボックス内
の具体構成を示す図、第３図は従来のガス配管方法を示
すブロック図である。 １・・・・・・半導体製造装置、２・・・・・・バルブ
ボックス、３・・・・・・シリンダーキャビネット、４
・・・・・・室内（クリーンルーム）、５・・・・・・
ガス配管、６，７・・・・・・半導体ガス供給ライン、
８・・・・・・窒素パージライン、９・・・・・・真空
パージライン、１０．１０ａ〜Ｌｏｇ・・・・・・ダイ
アフラムバルブ、１１・・・・・・逆止弁、１２・・・
・・・圧力計。
Claims (1)
- 半導体製造装置とシリンダーキャビネット間を、ガス
配管と、窒素パージライン、真空パージライン、半導体
ガス供給ラインで構成されたガス系を有するバルブボッ
クスとを介して結合するとともに、上記バルブボックス
を上記半導体製造装置の直近に設置することを特徴とす
るガス配管方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2304360A JP2563672B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | ガス配管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2304360A JP2563672B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | ガス配管方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179113A true JPH04179113A (ja) | 1992-06-25 |
| JP2563672B2 JP2563672B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=17932083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2304360A Expired - Fee Related JP2563672B2 (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | ガス配管方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563672B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195806A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Nippon Sanso Corp | 半導体プロセスガス用バルク供給装置とこれを使用したガス供給方法 |
| WO2001013411A1 (fr) * | 1999-08-16 | 2001-02-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de realisation et d'installation d'une machine de fabrication d'un semi-conducteur et de son module de remplacement |
| JP2010514927A (ja) * | 2006-12-26 | 2010-05-06 | コーウィン ディーエスティー カンパニー リミテッド | 薄膜蒸着装置の原料ガス供給装置及び残留ガス処理処置及びその方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143427A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | 処理ガス供給装置 |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP2304360A patent/JP2563672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143427A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | 処理ガス供給装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195806A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Nippon Sanso Corp | 半導体プロセスガス用バルク供給装置とこれを使用したガス供給方法 |
| WO2001013411A1 (fr) * | 1999-08-16 | 2001-02-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de realisation et d'installation d'une machine de fabrication d'un semi-conducteur et de son module de remplacement |
| US6530136B1 (en) | 1999-08-16 | 2003-03-11 | Tokyo Electron Limited | Method for transporting and installing a semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2010514927A (ja) * | 2006-12-26 | 2010-05-06 | コーウィン ディーエスティー カンパニー リミテッド | 薄膜蒸着装置の原料ガス供給装置及び残留ガス処理処置及びその方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2563672B2 (ja) | 1996-12-11 |
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Legal Events
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