JPS61217572A - 真空装置による処理方法 - Google Patents

真空装置による処理方法

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Publication number
JPS61217572A
JPS61217572A JP6573286A JP6573286A JPS61217572A JP S61217572 A JPS61217572 A JP S61217572A JP 6573286 A JP6573286 A JP 6573286A JP 6573286 A JP6573286 A JP 6573286A JP S61217572 A JPS61217572 A JP S61217572A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
valve
flow rate
chamber
atm
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6573286A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Ikeda
健一 池田
Yasushi Asami
康 浅見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6573286A priority Critical patent/JPS61217572A/ja
Publication of JPS61217572A publication Critical patent/JPS61217572A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は真空装置の処理室である蒸着室内の異物巻き上
がりを抑えながら処理室内の被処理物を処理する方法に
関するものである。
周知のように真空装置例えば真空蒸着装置を用いて、た
とえば半導体ウェーハの表面に金属蒸着膜を形成する処
理方法が行なわれている。
そして、この蒸着を行なう際には、まず装置の蒸着室内
を高真空にしてお(必要があり、また蒸着終了後におい
ては蒸着室内の圧力を大気圧にもどす必要がある。
従来、真空蒸着装置21は第3図に示すように蒸着室2
2を中程において、この蒸着室22の一方に粗引き用ロ
ータリーポンプ24をつなぎ、これらの間に粗引きバル
ブ23を介在させ、これにより真空排気のうちの粗引き
を行ない、次いで蒸着室22の下部に拡散ポンプ34お
よび補助用ロータリーポンプ36をつないで本引きを行
なっている。さらK、蒸着室22の他方にベントパルプ
30をつないで、これにより蒸着室22への大気導入を
行なう構造のものでありた。
ところが、このような構造のものにおいては、真空排気
時および大気導入時に気体の流れが乱れ、蒸着室22内
の異物が巻き上がりウエーノ・表面に付着し、ウェーハ
の蒸着による歩留り低下をきたしていた。
と(に、前記巻き上がり現象が問題となるのは蒸着室2
2内の気体の状態が粘性流領域、たとえば大気圧〜5x
:1O−3Torrまでの範囲で問題が生ずる。
本発明はこのような従来の真空装置による処理方法の欠
点を解消するものであって、その目的とするところは真
空装置の処理室内での異物巻き上がりを抑え清浄な処理
室内で半導体ウェーハを処理することができる真空装置
による被処理物の処理法を提供するにある。
以下、添付図面に関連し本発明の実施例について説明す
る。
@1図は本発明の一実施例に用いられる真空蒸着装置の
系統図である。同図において、この真空蒸着装置1は中
程に蒸着室2を有しており、この蒸着室20片側には、
真空排気部の一部を構成するところの真空排気用配管3
を取付け、この先端に粗引き用ポンプとし゛(のロータ
リーポンプ4を設けると同時に、このロータリーポンプ
4と蒸着室2を結ぶ配管30間には、粗引きバルブ5を
介在させている。
さらに、粗引きバルブ5をまたぐようにスa −排気用
バイパス6をつないで、このバイパス6に流量制御手段
としての流量コントロールバルブ7とスロー排気バルブ
8を蒸着室2側から順次取り付けている。
また、蒸着室2の反対側には、大気導入部の一部を構成
する大気導入用配管9をつないで、この配管9の中途に
ベントバルブ10を介在させている。
そして、このベントバルブ10をまたいで配管9にスロ
ーベント用バイパス11をつないで、これに流量制御手
段としてのスローベントバルブ12と流量コントロール
バルブ13を蒸着室2から遠い位置から順次差べて設け
ている。
また、蒸着室2の下部には本引き用ポンプとしての拡散
ポンプ14を設け、これを配管15を介して補助ポンプ
としてのロータリーポンプ16につないでいる。
つぎK、このような真空蒸着装置1による被処理物の処
理法について第1図と第2図(a) 、 (b)をつか
って説明する。
まず、(a)に示すよ5に蒸着室2を大気圧から適当な
真空度にもっていくためには、真空排気動作を行なわせ
なければならない。
これをするには、最初に流量コントロールバルブ7で大
まかに流量をしぼったあと、つぎのスロー排気バルブ8
にて、気体の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度
にしぼって粗引き用のロータリーポンプ4で引(。
ついで、粗引きバルブ5を開いて前記スロー排気バルブ
8での粗引きよりも大なる粗引きを同じ(ロータリーポ
ンプ4で引いて図る。
ここまでは、気体の粘性流領域を対象として真空排気で
あるが、これに引き続いて粘性流領域以外たとえば分子
流領域を対象とした本引き動作に 4入る。
この本引きは、言うに及ばず拡散ポンプ14と、これに
つないだロータリーポンプ16とくより行ない、高真空
状態を得る。
この状態において、蒸着室2内で被処理物の処理、すな
わちウェーハの表面に対する金属蒸着膜の形成を行なっ
たあと、前述した大気導入動作を行なわせる。
この大気導入動作は、蒸着室2内の圧力(高真空)を大
気圧にもどすためのもので、これは(blに示すように
、まずスローベントバルブ12で取り込む大気の粘性流
領域での流量を気体が乱れない程度にしぼって、これを
さらに流量コントロール・バルブ7で調節して蒸着室2
に導入している。
このあと、ベントバルブ10を開いてスローベント・バ
ルブ12による導入量よりも大なる流量で大気を蒸着室
2内にとり込むことにより、蒸着室2の圧力を高真空状
態から大気圧状態にまでもどすことができる。
なお、前記実施例において、大気導入部側におけるスロ
ーベント・バルブ12と流量コントロール・バルブ13
の配列順序は第1図に示す通りの配列が最も好ましく、
これらを入れかえた配置にすると、スローベント・バル
ブ12を開いた直後K、流itコントロール・バルブ1
3とスローベント・バルブ12との間に存在する気体が
流入し、急激な圧力上昇を生ずるため避けなければなら
ない。
同様なことは、真空排気部側における流量コントロール
・バルブ7とスロー換気バルブ8についても生ずること
から第1図に示す配置が望ましい。
ただし、この場合においてはスロー排気バルブ8前後の
圧力差がスローベント・バルブ12の場合よりも小さい
ために逆の配置にしても、その影響は少ない。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、真空装
置の真空排気部と大気導入部の双方にそれぞれ、気体の
粘性流領域での流量を制御するための手段を設けて、真
空排気工程の初期および大気導入工程の初期において、
気体の流量をしぼり極力、気体の流れに乱れを生じさせ
ないようにしているから、従来のように処理室内の異物
の巻き上げがなく、ウェーハなと被処理物に対して清浄
な状態で処理を行なうことができる。
今回面の簡単な説明 I!1図は本発明に用いる真空蒸着装置の排気系統図、
第2図(a) 、 (b)は真空排気および大気導入動
作過程を示すブロック図、第3図は従来の真空蒸着装置
の排気系統図である。
1・・・真空蒸着装置、2・・・蒸着室、3・・・真空
排気用配管、4・・・ロータリーポンプ、5・・・粗引
きバルブ、6・・・スロー排気用バイパス、7・・・流
量コントロー #−バルブ、8・・・スロー排気バルブ
、9・・・大気導入用配管、10・・・ベントバルブ、
11・・・スローベント・バイパス、12・・・スロー
ベント・バルブ、13・・・流量コントロールバルブ、
14・・・拡散ポンプ、15・・・配管、16・・・ロ
ータリーポンプ、21・・・真空蒸着装置、22・・・
蒸着室、23・・・粗引きバルブ、24・・・粗引き用
ロータリ・ポンプ、30・・・ベントバルブ、34・・
・拡散ポンプ、36・・・補助用ロータリーポンプ。
第  1  図 第  2  因 第  3  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、処理室を真空状態にするための真空排気部と、上記
    処理室を大気圧にするための大気導入部とを有する真空
    装置により被処理物を処理する方法において、上記真空
    排気部又は大気導入部に上記処理室における気体の乱れ
    を生じさせないための流量調整手段を設けこの流量調整
    手段により処理室内で気体の乱れが生じないようにし、
    このような処理室を用いて被処理物を処理することを特
    徴とする真空装置による処理方法。
JP6573286A 1986-03-26 1986-03-26 真空装置による処理方法 Pending JPS61217572A (ja)

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JP6573286A JPS61217572A (ja) 1986-03-26 1986-03-26 真空装置による処理方法

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JPS61217572A true JPS61217572A (ja) 1986-09-27

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056565A (ja) * 2009-11-27 2010-03-11 Ulvac Japan Ltd 薄膜製造装置
CN104395495A (zh) * 2012-03-30 2015-03-04 塔塔钢铁荷兰科技有限责任公司 用于将液态金属供给到蒸发器装置的方法和设备

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JP2010056565A (ja) * 2009-11-27 2010-03-11 Ulvac Japan Ltd 薄膜製造装置
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