JPS5913587B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

Info

Publication number
JPS5913587B2
JPS5913587B2 JP594177A JP594177A JPS5913587B2 JP S5913587 B2 JPS5913587 B2 JP S5913587B2 JP 594177 A JP594177 A JP 594177A JP 594177 A JP594177 A JP 594177A JP S5913587 B2 JPS5913587 B2 JP S5913587B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
deposition chamber
valve
evacuation
flow rate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP594177A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5391081A (en
Inventor
健一 池田
康 浅見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP594177A priority Critical patent/JPS5913587B2/ja
Publication of JPS5391081A publication Critical patent/JPS5391081A/ja
Publication of JPS5913587B2 publication Critical patent/JPS5913587B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は蒸着室内の異物巻き上がりを抑え得る真空蒸着
装置に関するものである。
周知のように真空蒸着装置は、たとえば半導体ウェーハ
の表面に金属蒸着膜を形成する場合に用いる。
そして、この蒸着を行なう際には、まず装置の蒸着室内
を高真空にしておく必要があり、また蒸着終了陵におい
ては蒸着室内の圧力を大気圧にもどす必要がある。
従来、真空蒸着装置21は第3図に示すように蒸着室2
2を中程において、この蒸着室22の一方に粗引き用ロ
ータリーポンプ24をつなぎ、これらの間に粗引きバル
ブ23を介在させ、これに5 より真空排気のうちの粗
引きを行ない、次いで蒸着室22の下部に拡散ポンプ3
4および補助用0−タリポンプ36をつないで本引きを
行なつている。
さらに、蒸着室22の他方にベントバルブ30をつない
で、これにより蒸着室22への大気導入を10行なう構
造のものであつた。ところが、このような構造のものに
おいては、真空排気時および大気導入時に気体の流れが
乱れ、蒸着室22内の異物が巻き上がりウェーハ表面に
付着し、ウェーハの蒸着による歩留り低下をきた15し
ていた。
とくに、前記巻き上がり現象が問題となるのは蒸着室2
2内の気体の状態が粘性流領域、たとえば大気圧〜5×
101o−rrまでの範囲で問題が生ずる。
本発明はこのような従来の真空蒸着装置の欠点20を解
消するものであつて、その目的とするところは蒸着室内
の異物巻き上がりを抑え清浄な蒸着膜の形成が図れる真
空蒸着装置を提供するにある。このような目的を達成す
るための本発明の要旨は、真空排気部と大気導入部の双
方に粘性流領域25での流量制御手段を設けた真空蒸着
装置にある。以下、添付図面に関連し本発明の実施例に
ついて説明する。第1図は実施例の真空蒸着装置の系統
図である。
同図において、この真空蒸着装置1は中程に蒸着30室
2を有しており、この蒸着室2の片側には、真空排気部
の一部を構成するところの真空排気用配管3を取付け、
この先端に粗引き用ポンプとしてのロータリポンプ4を
設けると同時に、このロータリポンプ4と蒸着室2を結
ぶ配管3の間には、35粗引きバルブ5を介在させてい
る。さらに、粗引きバルブ5をまたぐようにスロー排気
用バイパス6をつないで、このバイパス6にIq【−流
量制御手段としての流量コントロールバルブ7とスロ一
排気バルブ8を蒸着室2側から順次取り付けている。
また、蒸着室2の反対側には、大気導入部の一部を構成
する大気導入用配管9をつないで、この配管9の中途に
ベントバルブ10を介在させている。
そして、このベントバルブ10をまたいで配管9にスロ
ーベント用バイパス11をつないで、これに流量制御手
段としてのスローベントバルブ12と流量コントロール
バルブ13を蒸着室2から遠い位置から順次並べて設け
ている。また、蒸着室2の下部には本引き用ポンプとし
ての拡散ポンプ14を設け、これを配管15を介して補
助ポンプとしてのロータリポンプ16につないでいる。
つぎに、このように構成した真空蒸看装置1における真
空排気動作および大気導入動作について第1図と第2図
A,bをつかつて説明する。
まず、aに示すように蒸着室2を大気圧から適当な真空
度にもつていくためには、真空排気動作を行なわせなけ
ればならない。これをするには、最初に流量コントロー
ルバルブ7で大まかに流量をしぼつたあと、つぎのスロ
一排気バルブ8にて、気体の粘性流領域での流量を気体
が乱れない程度にしぼつて粗引き用のロータリポンプ4
で引く。
ついで、粗引きバルブ5を開いて前記スロ一排気バルブ
8での粗引きよりも大なる粗引きを同じくロータリポン
プ4で引いて図る。
ここまでは、気体の粘性流領域を対象として真空排気で
あるが、これに引き続いて粘性流領域以外たとえば分子
流領域を対象とした本引き動作に入る。
この本引きは、言うに及ばず拡散ポンプ14と、これに
つないだロータリーポンプ16とにより行ない、高真空
状態を得る。
この状態において、蒸着室2内で所定の蒸着、すなわち
ウエーハの表面に対する金属蒸着膜の形成を行なつたあ
と、前述した大気導入動作を行なわせる。
この大気導入動作は、蒸着室2内の圧力(高真空)を大
気圧にもどすためのもので、これはbに示すように、ま
ずスローベントバルブ12で取り込む大気の粘性流領域
での流量を気体が乱れない程度にしぼつて、これをさら
に流量コントロール・バルブ7で調節して蒸着室2に導
入している。
このあと、ベントバルブ10を開いてスローベント・バ
ルブ12による導入量よりも大なる流量で大気を蒸看室
2内にとり込むことにより、蒸着室2の圧力を高真空状
態から大気圧状態にまでもどすことができる。なお、前
記実施例において、大気導入部側におけるスローベント
・バルブ12と流量コントロール・バルブ13の配列順
序は第1図に示す通りの配列が最も好ましく、これらを
入れかえた配置にすると、スローベントバルブ12を開
いた直後に、流量コントロール・バルブ13とスローベ
ント・バルブ12との間に存在する気体が流入し、急激
な圧力上昇を生ずるため避けなければならない。
同様なことは、真空排気部側における流量コントロール
・バルブ7とスロ一排気バルブ8についても生ずること
から第1図に示す配置が望ましい。ただし、この場合に
おいてはスロ一排気バルブ8前後の圧力差がスローベン
ド・バルブ12の場合よりも小さいために逆の配置にし
ても、その影響は少ない。以上の説明から明らかなよう
に本発明による真空蒸着装置によれば、真空蒸着装置の
真空排気部と大気導入部の双方にそれぞれ、気体の粘性
流領域での流量を制御するための手段を設けて、真空排
気工程の初期および大気導入工程の初期において、気体
の流量をしぼり極力、気体の流れに乱れを生じさせない
ようにしているから、従来のように蒸着室内の異物の巻
き上げがなく、ウエーハなど対象物に対して清浄な蒸看
膜の形成が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の真空蒸着装置の排気系統図、第2図A
,bは真空排気および大気導入動作過程を示すプロツク
図、第3図は従来の真空蒸着装置の排気系統図である。 1・・・・・・真空蒸看装置、2・・・・・・蒸着室、
3・・・・・・真空排気用配管、4・・・・・・ロータ
リポンプ、5・・・・・・粗引きバルブ、6・・・・・
・スロ一排気用バイパス、7・・・・・・流量コントロ
ール・パルプ( 8・・・・・・スロ一排気バルブ、9
・・・・・・大気導入用配管、10・・・・・・ベント
バルブ、11・・・・・・スローベント・バイパス、1
2・・・・・・スローベント・パルプζ 13゛゜゜゜
゛゜流量コントロールバルブ、14・・・・・・拡散ポ
ンプ、15・・・・・・配管、16・・・・・・ロータ
リポンプ、21・・・・・・真空蒸着装置、22・・・
・・・蒸着室、23・・・・・・粗引きバルブ、24・
・・・・・粗引き用ロータリ・ポンプ、30・・・・・
・ベントバルブ、34・・・・・・拡散ポンプ、36・
・・・・・補助用ロータリポンプ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 蒸着室を真空状態にするための真空排気部と、この
    真空排気部により真空になつた蒸着室の圧力を大気圧に
    するための大気導入部を具備した真空蒸着装置において
    、前記真空排気部と大気導入部の双方に粘性流領域での
    気体の乱れを生じさせないための流量調節手段を設けた
    ことを特徴とする真空蒸着装置。
JP594177A 1977-01-24 1977-01-24 真空蒸着装置 Expired JPS5913587B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP594177A JPS5913587B2 (ja) 1977-01-24 1977-01-24 真空蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP594177A JPS5913587B2 (ja) 1977-01-24 1977-01-24 真空蒸着装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22202383A Division JPS59133365A (ja) 1983-11-28 1983-11-28 真空装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5391081A JPS5391081A (en) 1978-08-10
JPS5913587B2 true JPS5913587B2 (ja) 1984-03-30

Family

ID=11624917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP594177A Expired JPS5913587B2 (ja) 1977-01-24 1977-01-24 真空蒸着装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5913587B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232269A (ja) * 1983-06-14 1984-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空装置
JPS59232268A (ja) * 1983-06-14 1984-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5391081A (en) 1978-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3501524B2 (ja) 処理装置の真空排気システム
JPH07122498A (ja) チャンバーへのガス供給方法
JPH0645256A (ja) ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法
CN102132387A (zh) 等离子体处理装置、等离子体处理方法、等离子体处理装置的清洁方法和等离子体处理装置用压力调整阀
US20200066541A1 (en) Etching Method and Etching Device
DE69924252T2 (de) Verfahren zur endpunktbestimmung eines reinigungsverfahrens unter verwendung einer drosselklappenstellung
US5415585A (en) Decompression apparatus
JPS5913587B2 (ja) 真空蒸着装置
JPH0124224B2 (ja)
US5409540A (en) Chemical vapor phase growth method and chemical vapor phase growth apparatus
US11965244B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus using the same, and semiconductor device manufacturing method
JP2003071270A (ja) 真空処理装置
JP2003531503A (ja) 半導体装置の移送チャンバから排気する方法およびシステム
JPS5938379A (ja) 真空蒸着装置のスタ−トアツプ法
JPS6037871B2 (ja) スパッタリング装置の作動方法
JPS6236737B2 (ja)
US3457655A (en) Process of and apparatus for the desorption of extraneous molecules
JPH0693427A (ja) 真空成膜方法
US20220316050A1 (en) Pvd thickness control
JP2614516B2 (ja) 差動排気形真空処理装置
JP4162764B2 (ja) 仕込取出室、及びその仕込取出室を有する真空処理装置
JP3319530B2 (ja) 半導体製造装置
JP2952795B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置のパージ方法
JPH06256948A (ja) 真空処理装置
JPH04313218A (ja) 半導体製造装置