JPS5938379A - 真空蒸着装置のスタ−トアツプ法 - Google Patents

真空蒸着装置のスタ−トアツプ法

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JPS5938379A
JPS5938379A JP14690882A JP14690882A JPS5938379A JP S5938379 A JPS5938379 A JP S5938379A JP 14690882 A JP14690882 A JP 14690882A JP 14690882 A JP14690882 A JP 14690882A JP S5938379 A JPS5938379 A JP S5938379A
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Japan
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evaporation
crucible
molten
chamber
vacuum
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JP14690882A
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JPH027395B2 (ja
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Yoshio Shimozato
下里 省夫
Shigeo Itano
板野 重夫
Tetsuyoshi Wada
哲義 和田
Kenichi Yanagi
謙一 柳
Toshio Taguchi
田口 俊夫
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Nippon Steel Nisshin Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Nisshin Steel Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

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  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 膜を真空蒸着し、かつ蒸発用の金属を大気圧下の溶融金
属槽から真空蒸着室内の蒸発用ルッポに連通管により連
続的に供給するという真空蒸着装置のスタートアップ法
に関する。
従来のスタートアップ法を第1図,第2図により説明す
る。
第1図は銅帯にZn  を連続的に蒸着する態様を示し
ており、アンコイラ2から巻戻された鋼帯1は差圧排気
室群3を経た後、真空蒸着室4に入り、その表面にZn
 が蒸着され、次いで出側差圧排気室群12を経てコイ
ラ13に巻かれて製品となる。
真空蒸着室4内には、蒸発用ルツボ5が設置さねており
、該ルツボ5の中に蒸発用の溶融Zn6が保持されてい
る。この溶融Zn 6は、大気中にある溶解炉(すなわ
ち溶融金属槽)7かも大気圧によシ連通管8を介して補
給される。蒸発用ルツボ5、連通管8および溶解炉7に
はヒータ9,10が付設されておシ、所定の温度にZn
  を加熱している。
なお、11は溶解炉7を上昇又は下降させて蒸発用ルツ
ボ5内のZn  レベルを一定に保持又は変更するため
のレベル調整機、14け差圧排気室群3.12に設けら
れたンールロール、15は同室群3.12に設けられた
排気口、16は真空蒸着室4に設けられた排気口であり
、これらの排気口15.16は図示省略の真空ポンプに
連結されている。
このような態様においては、図示するように蒸発用ルツ
ボ5内の溶融Zn  6の表面に酸化Zn(スカム)1
7が浮いており、沸騰現象の原因となっている。沸騰が
生じると、液滴状のZnが生成し、鋼帯1に付着して蒸
着面の状部を悪化させ、製品価値を損うという問題があ
る。
この酸化Zn  (スカム)17が生成する原因として
は、第2図に示すような従来のスタートアップ法に欠点
があるためである。
すなわち第2図において、蒸着作業を一時停止するよう
な場合、溶解炉7のレベルを下げて蒸発用ルツボ5内よ
り溶融Zn  6を排出する必要がある。この際に溶融
Zn  の一部が蒸発用ルツボ5および連通管8の内壁
に付着残留する。
この付着残留したZn20が大気又は不活性ガス写囲気
中の酸化性ガスにより酸化され、付着Zn20の表面に
酸化Zn  の被膜21を生成する。
この状態で次にスタートアンプすると、溶解炉7から連
通管8を介して蒸発用ルツボ5内に溶融Zn  を供給
しなければならないので、この通過溶融Zn  により
、連通管8や蒸発用ルツボ5に付着1ていた酸化Zn 
被膜21が剥離し、蒸発ルツボ5内の溶融Zn  6の
表面にスカムとして浮遊してしまうのである。
本発明は、以上の欠点を解決するためになされたもので
、真空蒸着装置の始動時に、真空蒸着室内を排気するこ
とによシ溶融金属を−H蒸発用ルツボに供給した後、該
真空蒸着室内に不活性ガスを導入するか、又は溶解金属
槽のレベルを下げることによシ該蒸発用ルツボ内の溶融
金属浴面を連通管内の上部付近に退帰させた状態で、炭
素により蒸発用ルツボ内に残留している蒸発用金属の酸
化物を還元し、次いで所定の真空度に真空蒸着室を排気
することにより蒸発を開始することを特徴とする真空蒸
着装置のスタートアンプ法に関するものである。
以下、添付図面を参照して本発明方法を詳細に説明する
第3図は本発明方法の一実施襲様例を示す図で、第1.
2図と同一符号は第1.2図と同一のものを示す。
第3図において、溶解炉(すなわち溶融金属槽)7を予
め加熱して炉内の蒸発用のZn  を溶融させた状態に
しておく。一方、蒸発用ルツボ5内に炭素棒のような炭
素質還元剤22を装入した状°態で、蒸発用ルツボ5お
よび連通管8をZn  の融点以上の温度に加熱してお
く。
このような状態でレベル調節機11によシ溶解炉7を上
昇させ、連通管8の下端が溶融Zn6を蒸発用ルツボ5
内に吸上げても露出しないレベル以下に持上げておく。
なお、溶解炉7を持上げる直前に浴面上の酸化Zn  
被膜18を除去しておくことが好ましい。
次いで、真空蒸着室4内を排気し、大気圧よりも低圧に
保持することによシ、溶解炉7内の溶融Zn  を連通
管8を通して上昇させ、溶融Znの浴面が蒸発用ルツボ
5の底面以上になるまで上昇を続けた後、溶解炉7のレ
ベルを下げることによシ蒸発用ルツボ5内の溶融Zn 
 のレベルを連通管8内の上部伺近に退帰させると共に
、真空蒸着室4内の圧力が10−3〜100トールにな
るように圧力調整を行い、この状態を保持したままでヒ
ータ9の入力を増大して蒸発用ルツボ5を更に昇温する
この操作により、蒸発用ルツボ5内に溜っている酸化Z
n  が、同じくルツボ5内に予め装入されていた炭素
質還元剤22により、 ZnO+ C−’p Zni+Co↑       (
1)の反応で還元される。
この反応で生成するZn  蒸気は鋼帯1に付着させる
。ただし、この付着部分は製品にはなシ難いので、この
還元反応中は銅帯を低速度で処理することが好ましい。
上記(1)式の還元反応は、高温、低圧力になる程生じ
易いので、蒸発用ルツボ5の上方にもヒータ23を設け
、炭素質還元剤22および酸化Zn  被膜21に直接
輻射熱を投入することが熱効率上望ましい。
なお、還元反応中の真空蒸着室4内の圧力を10−3〜
100トールとするのは、10−3 トール以下では連
通管8内に存在する溶融Zn  浴面からのZn  の
蒸発が活発になり、製品にならない鋼帯部分1CZn 
 が蒸着し、Zn  の歩留低減を来たし、ま7’(1
00)−ル以上になると、上記(1)式の還元反応速度
が小さくなシ経済的に支障が生じるし、しかも対流伝熱
が活発になり投入した熱量の銅帯およびW囲気中への逸
散が増大するためである。
また、炭素質還元剤22としては、棒状又は粒状の黒鉛
等が使用されるが、蒸発用ルツボ5自体を炭素質材料で
製作しておいてもよい。
上記のようにして酸化Zn  の還元が紹了した々ら、
溶解炉7のレベルを再度上げて溶融Znのレベルが蒸発
用ルツボ5の所定の位置になるようにし、Zn  蒸気
の蒸発を開始する。
以上は、溶解炉7のレベルを下げる場合の操作態様であ
るが、溶解炉70レベルは下げず、真空蒸着室4内に不
活性ガスを導入し、核室4内の圧力を若干上げて蒸発用
ルツボ5内の溶融Z+1  のレベルを連通管8内の上
部付近Vc退退部せる場合の操作態様について以下に説
明する。
例乏ば、蒸発用ルツボ5内の溶融Zn  を浴深50胴
になるまで溶融Zn  の上昇を行い、該溶融7、n 
のレベルを連通管8の上部付近に退部さ ′LFる(C
は約60mだけ溶融Zn  レベルを下げればよいので
、Ar  カス等の不活性ガスを真空蒸着室4内1/l
l導入し、該室4内の圧力が約29トールになるように
する。これにより蒸発用ルツボ5内の溶融Zn  は圧
力により押されて連通管8へ退部する。
この状態で、上記と同様に、ヒータ9.23を作動させ
、蒸発用ルツボ5内に溜っている酸化Zn  を炭素質
還元剤22によ#)還元する。
還元が終了したなら、所定の圧力捷で排気し、蒸着を開
始する。
なお、本発明方法において、溶融Zn  ’47一旦蒸
発川西ツボ5へ供給し、た後、連通管8の上部近辺に寸
で退部させてから還元にl応を行うのは、壁面に付着し
ている酸化Zo  被膜を溶融Zn  の上昇により剥
離し、てルツボ5内へ搬入するためと、還元反応時に余
分なZn  の蒸発を防止けるためである。
以上詳述しか本発明方法(てよilは、族N操業I[!
ri/iT 、蒸発用ルツボ5内の蒸発用金属の溶融表
iT+1(すなわち蒸発面)に該金属の酸化物被膜か4
在することがないので、該金属葵発時に酸化物初膜をで
伴う異常沸騰が生ぜず、従って鋼帯1への蒸発金属の液
滴付着といった事態が発生することはなく、鋼帯1への
正常な蒸泗被膜の形成を1]うことかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来のスタートアップ法を説明す
るための図、第3図は本発明方法の一実施態様例を説明
するための図である。 復代理人  内  1)    明 復代理人  萩  原  亮  − 広島市西区観音新町四丁目6番 @出 願 人 日新製鋼株式会社 東京都千代田区丸の内3丁目4 番1号

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 銅帯等の長尺材に連続的に金属被膜を真空蒸着し、かつ
    蒸発用の金属を大気圧下の溶融金属槽から真空蒸着室内
    の蒸発用ルツボに連通管によυ連続的に供給する方法に
    おいて、真空蒸着装置の始動時に、真空蒸着室内を排気
    することにより溶融金属を一旦蒸発用ルツボに供給し、
    た後、該真空蒸着室内に不活性ガスを導入するか、又は
    溶解金属槽のレベルを下げることにより該蒸発用ルンボ
    内の溶融全組浴面を連通管内の上部付近に退帰させた状
    態て、炭素により蒸発用ルツボ内に残留している蒸発用
    金属の酸化物を還元し7、次いで所定の真空度に真空蒸
    着室を排気すると表により蒸発を開始することを特徴と
    する真空蒸着装置のスタートアップ法。
JP14690882A 1982-08-26 1982-08-26 真空蒸着装置のスタ−トアツプ法 Granted JPS5938379A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216742A (en) * 1992-02-19 1993-06-01 Leybold Aktiengesellschaft Linear thermal evaporator for vacuum vapor depositing apparatus
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US10196736B2 (en) 2012-12-21 2019-02-05 Posco Heating apparatus, and coating device comprising same
US11220739B2 (en) 2016-05-03 2022-01-11 Tata Steel Nederland Technology B.V. Apparatus for feeding a liquid material to an evaporator device
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