JPS6137336B2 - - Google Patents
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- JPS6137336B2 JPS6137336B2 JP6049579A JP6049579A JPS6137336B2 JP S6137336 B2 JPS6137336 B2 JP S6137336B2 JP 6049579 A JP6049579 A JP 6049579A JP 6049579 A JP6049579 A JP 6049579A JP S6137336 B2 JPS6137336 B2 JP S6137336B2
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 108
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 108
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 20
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 80
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 24
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は大気側から真空槽内部に溶融金属を輸
送する方法および装置に関するものであり、その
詳細は、真空蒸着メツキを施す場合や合金状態の
ものを蒸留分離する場合等において、メツキ金属
あるいは合金状態のものを大気側に設けた容器中
で溶融して、溶融金属とし、こぜを真空槽内部に
設けた容器に連結管を経由して輸送するに際し、
大気側において、溶融金属中に存在するガスを真
空脱ガスを施すことを特徴とする方法および装置
である。
送する方法および装置に関するものであり、その
詳細は、真空蒸着メツキを施す場合や合金状態の
ものを蒸留分離する場合等において、メツキ金属
あるいは合金状態のものを大気側に設けた容器中
で溶融して、溶融金属とし、こぜを真空槽内部に
設けた容器に連結管を経由して輸送するに際し、
大気側において、溶融金属中に存在するガスを真
空脱ガスを施すことを特徴とする方法および装置
である。
従来、溶融状態のメツキ金属を大気側から真空
室に連結管を通して輸送する手段は特開昭53−
85737号、同53−85738号および特公昭48−41416
号各公報記載のものがある。これ等の方法および
装置においては、溶融状態のメツキ金属中に含有
するガスの除去がなされていないため、真空室に
おいて、蒸着メツキを施すに際して、このガスが
放出されメツキ金属のスプラツシユ現象が発生す
る。このため、鋼板等の被メツキ材にスプラツシ
ユしたメツキ金属が付着しメツキの均一性に欠け
る品質が得られる難点がある。また、ガス放出に
よつてガス分子とメツキ蒸着粒子が衝突して、メ
ツキ蒸気粒子の保有エネルギーの低減または消減
を発生させ、蒸着性能を劣化させたり、ガス分子
とメツキ蒸気粒子が反応して、酸化物のような化
合物を生成し純正に欠けるメツキ皮膜が形成され
る。さらに、これらのガスはメツキ浴表面におい
て酸化物等の皮膜を生成し、メツキ蒸気粒子の蒸
発速度を低減する難点がある。
室に連結管を通して輸送する手段は特開昭53−
85737号、同53−85738号および特公昭48−41416
号各公報記載のものがある。これ等の方法および
装置においては、溶融状態のメツキ金属中に含有
するガスの除去がなされていないため、真空室に
おいて、蒸着メツキを施すに際して、このガスが
放出されメツキ金属のスプラツシユ現象が発生す
る。このため、鋼板等の被メツキ材にスプラツシ
ユしたメツキ金属が付着しメツキの均一性に欠け
る品質が得られる難点がある。また、ガス放出に
よつてガス分子とメツキ蒸着粒子が衝突して、メ
ツキ蒸気粒子の保有エネルギーの低減または消減
を発生させ、蒸着性能を劣化させたり、ガス分子
とメツキ蒸気粒子が反応して、酸化物のような化
合物を生成し純正に欠けるメツキ皮膜が形成され
る。さらに、これらのガスはメツキ浴表面におい
て酸化物等の皮膜を生成し、メツキ蒸気粒子の蒸
発速度を低減する難点がある。
本発明は、上記の問題点を解決するものであ
り、大気側において、メツキ金属中に含有するガ
スの大部分を除去して清浄化し、これを真空室に
輸送して、蒸着性能を向上させ、優れた品質のメ
ツキ製品を生産することを目的としたものであ
る。さらに本発明を実施し、上記目的を達成する
においては、それが非常に簡単な方法および装置
によつて行うことが可能であり、工業的規模の生
産、操業においても充分適応できるものである。
なお、本発明はメツキ金属に限定するものではな
く、合金状態のものを熱溜分離する場合、大気側
で溶融、脱ガスし、真空室へ輸送する際等にも適
用することができる上記の方法および装置を提供
するものである。
り、大気側において、メツキ金属中に含有するガ
スの大部分を除去して清浄化し、これを真空室に
輸送して、蒸着性能を向上させ、優れた品質のメ
ツキ製品を生産することを目的としたものであ
る。さらに本発明を実施し、上記目的を達成する
においては、それが非常に簡単な方法および装置
によつて行うことが可能であり、工業的規模の生
産、操業においても充分適応できるものである。
なお、本発明はメツキ金属に限定するものではな
く、合金状態のものを熱溜分離する場合、大気側
で溶融、脱ガスし、真空室へ輸送する際等にも適
用することができる上記の方法および装置を提供
するものである。
すなわち本発明は、
(1) 第１の容器中に大気と非接触状態で貯留され
た溶融金属中へ連続的に所要量の前記溶融金属
と同組成の金属を供給してこれを溶解させ、こ
の液面の上昇を抑える量の前記溶融金属を第１
の真空雰囲気中へ吸上げて該溶融金属を脱ガス
させ、この脱ガスされた溶融金属を第２の容器
中に大気と非接触状態で滞留している脱ガスさ
れた溶融金属中へ一旦吐出し、続いて該脱ガス
された溶融金属を第２の真空雰囲気中へ、該雰
囲気中での蒸発減量を補う量づつ吸上げること
を特徴とする溶融金属の輸送方法、および (2) 金属の溶融浴と、該浴の表面上に形成された
大気や前記溶融浴と反応し難い化合物の溶融層
を収容し、前記溶融浴と同組成の金属を供給す
る設備を備え、さらに前記収容物を加熱保持す
る手段を備えた第１容器と、該第１容器と併設
され、脱ガスされた前記金属の溶融浴と、前記
化合物の溶融層とを収容し、さらにこれら収容
物を加熱保持する手段を備えた第２容器と、第
１容器および第２容器よりその圧力差に応じた
液柱高さだけ高い位置にそれぞれ設置されて
各々排気ポンプに接続された配管を備えた真空
脱ガス室とその内部に前記溶融浴を収容する容
器を備えた真空室と、上端を前記真空脱ガス室
に接続し、下端を前記第１容器および第２容器
内の溶融浴中に浸漬された２本の連結管、およ
び上端を前記真空室内の前記容器に接続し、下
端を前記第２容器内の前記溶融浴中に浸漬され
た連結管を備えたことを特徴とする溶融金属の
輸送装置。
た溶融金属中へ連続的に所要量の前記溶融金属
と同組成の金属を供給してこれを溶解させ、こ
の液面の上昇を抑える量の前記溶融金属を第１
の真空雰囲気中へ吸上げて該溶融金属を脱ガス
させ、この脱ガスされた溶融金属を第２の容器
中に大気と非接触状態で滞留している脱ガスさ
れた溶融金属中へ一旦吐出し、続いて該脱ガス
された溶融金属を第２の真空雰囲気中へ、該雰
囲気中での蒸発減量を補う量づつ吸上げること
を特徴とする溶融金属の輸送方法、および (2) 金属の溶融浴と、該浴の表面上に形成された
大気や前記溶融浴と反応し難い化合物の溶融層
を収容し、前記溶融浴と同組成の金属を供給す
る設備を備え、さらに前記収容物を加熱保持す
る手段を備えた第１容器と、該第１容器と併設
され、脱ガスされた前記金属の溶融浴と、前記
化合物の溶融層とを収容し、さらにこれら収容
物を加熱保持する手段を備えた第２容器と、第
１容器および第２容器よりその圧力差に応じた
液柱高さだけ高い位置にそれぞれ設置されて
各々排気ポンプに接続された配管を備えた真空
脱ガス室とその内部に前記溶融浴を収容する容
器を備えた真空室と、上端を前記真空脱ガス室
に接続し、下端を前記第１容器および第２容器
内の溶融浴中に浸漬された２本の連結管、およ
び上端を前記真空室内の前記容器に接続し、下
端を前記第２容器内の前記溶融浴中に浸漬され
た連結管を備えたことを特徴とする溶融金属の
輸送装置。
に関するものである。
また、上記(1)に記載の本発明方法において、
(i) 第１、第２の容器のそれぞれを窒素ガス、そ
の他の不活性ガスで加圧したり、 (ii) 第１の真空雰囲気中へ水素ガスのような脱ガ
スを促すガスを吹込みながら溶融金属の脱ガス
を行なうこともでき、さらに上記(2)に記載の本
発明装置において、 (iii) 第１、第２容器にそれぞれのガス圧を制御す
る手段を設けたり、 (iv) 第１容器と真空脱ガス室を結ぶ連結管、およ
び第２容器と真空室を結ぶ連結管のそれぞれに
液面制御ポンプを取り付け、真空脱ガス室と真
空室をそれぞれ第１、第２容器より各液面制御
ポンプの圧力を加算した圧力差に応じた液柱高
さだけ高い位置に設置する、 こともできる。
の他の不活性ガスで加圧したり、 (ii) 第１の真空雰囲気中へ水素ガスのような脱ガ
スを促すガスを吹込みながら溶融金属の脱ガス
を行なうこともでき、さらに上記(2)に記載の本
発明装置において、 (iii) 第１、第２容器にそれぞれのガス圧を制御す
る手段を設けたり、 (iv) 第１容器と真空脱ガス室を結ぶ連結管、およ
び第２容器と真空室を結ぶ連結管のそれぞれに
液面制御ポンプを取り付け、真空脱ガス室と真
空室をそれぞれ第１、第２容器より各液面制御
ポンプの圧力を加算した圧力差に応じた液柱高
さだけ高い位置に設置する、 こともできる。
以下、本発明の方法と装置を真空蒸着メツキに
適用する場合に基づいて詳細に説明する。
適用する場合に基づいて詳細に説明する。
本発明においては、先ず大気中に設置した容器
すなわち第１の容器に溶融状態のメツキ金属浴を
収容し、さらにこの浴面上に溶融状態の化合物の
層を形成してメツキ金属浴と大気を遮断し、真空
脱ガス室に接続する連結管の先端をメツキ金属浴
中に浸漬し、真空脱ガス室の圧力を大気圧より低
い適正な圧力に保持することによつて、メツキ金
属浴を真空脱ガス室に輸送してメツキ金属浴中に
存在するガスの大部分を真空脱ガスする。真空脱
ガスしたメツキ金属は、真空脱ガス室に接続する
上記とは別の連結管によつて大気中に設置した容
器（上記と様な構成にした別容器）すなわち第２
の容器に輸送し収容する。このようにして脱ガス
し収容したメツキ金属浴は、この浴中から真空室
内部に設置した容器に接続する連結管によつて輸
送し、真空室内において真空蒸着メツキ処理に使
用されるものである。
すなわち第１の容器に溶融状態のメツキ金属浴を
収容し、さらにこの浴面上に溶融状態の化合物の
層を形成してメツキ金属浴と大気を遮断し、真空
脱ガス室に接続する連結管の先端をメツキ金属浴
中に浸漬し、真空脱ガス室の圧力を大気圧より低
い適正な圧力に保持することによつて、メツキ金
属浴を真空脱ガス室に輸送してメツキ金属浴中に
存在するガスの大部分を真空脱ガスする。真空脱
ガスしたメツキ金属は、真空脱ガス室に接続する
上記とは別の連結管によつて大気中に設置した容
器（上記と様な構成にした別容器）すなわち第２
の容器に輸送し収容する。このようにして脱ガス
し収容したメツキ金属浴は、この浴中から真空室
内部に設置した容器に接続する連結管によつて輸
送し、真空室内において真空蒸着メツキ処理に使
用されるものである。
本発明において、大気中に設置したメツキ金属
を収容する第１の容器においては、メツキ金属浴
面上に溶融状態の化合物、例えばB2O3の層を形
成させ、水気とメツキ金属浴面との接触を防止す
ることによつて、大気とメツキ金属との酸化反応
等を阻止すると共に大気の侵入をも阻止する。例
えば、大気中の第１の容器内部にメツキ金属とし
て亜鉛を収容して、溶融し、この浴面上にB2O3
の溶融層を形成し、両者の温度を600℃に保持し
た状態について簡略的に考察すれば以下のようで
ある。
を収容する第１の容器においては、メツキ金属浴
面上に溶融状態の化合物、例えばB2O3の層を形
成させ、水気とメツキ金属浴面との接触を防止す
ることによつて、大気とメツキ金属との酸化反応
等を阻止すると共に大気の侵入をも阻止する。例
えば、大気中の第１の容器内部にメツキ金属とし
て亜鉛を収容して、溶融し、この浴面上にB2O3
の溶融層を形成し、両者の温度を600℃に保持し
た状態について簡略的に考察すれば以下のようで
ある。
すなわち、生成反応の自由エネルギは、
(1)4/3Ｂ(S)＋O2(G)＝2/3B2O3(L)
△〓＝−167748cal/mol（概略）
(2)Ｂ(S)＋1/2N2(G)＝BN(S)
△〓＝−17782cal/mol（概略）
となり、ＢとO2との反応がＢとN2の反応より強
く、B2O3の生成が優先的に生じBNの生成は生じ
難い。従つて(1)によつて生成したB2O3のO2濃度
は飽和に達して平衡状態となり安定する。よつ
て、この状態のB2O3は大気中の窒素ガスおよび
酸素ガスと反応せず、これ等のガスの侵入も生じ
ない。次に、B2O3の層とZnの間の反応状態につ
いて考察すると、 (3)2Zn(L)＋O2(G)＝2ZnO(S) △〓＝−124350cal/mol（概略） であり、NnOの生成反応よりB2O3の生成反応が
強い。従つて、亜鉛浴中のZnOのＯまたは遊離の
O2がB2O3が平衡に達していない場合にはB2O3側
に反応する傾向があるが、通常はB2O3が平衡に
達して安定しているためB2O3と亜鉛浴との間に
反応現象はない。
く、B2O3の生成が優先的に生じBNの生成は生じ
難い。従つて(1)によつて生成したB2O3のO2濃度
は飽和に達して平衡状態となり安定する。よつ
て、この状態のB2O3は大気中の窒素ガスおよび
酸素ガスと反応せず、これ等のガスの侵入も生じ
ない。次に、B2O3の層とZnの間の反応状態につ
いて考察すると、 (3)2Zn(L)＋O2(G)＝2ZnO(S) △〓＝−124350cal/mol（概略） であり、NnOの生成反応よりB2O3の生成反応が
強い。従つて、亜鉛浴中のZnOのＯまたは遊離の
O2がB2O3が平衡に達していない場合にはB2O3側
に反応する傾向があるが、通常はB2O3が平衡に
達して安定しているためB2O3と亜鉛浴との間に
反応現象はない。
以上の説明のように亜鉛浴の浴面上にB2O3の
溶融層を形成させることによつて、亜鉛浴と大気
の反応を阻止し、大気中のガスの侵入をも防止す
ることが可能となる。従つて、メツキ金属浴の浴
表面の酸化防止と真空脱ガスしたメツキ金属浴を
密閉して収容する効果がある。
溶融層を形成させることによつて、亜鉛浴と大気
の反応を阻止し、大気中のガスの侵入をも防止す
ることが可能となる。従つて、メツキ金属浴の浴
表面の酸化防止と真空脱ガスしたメツキ金属浴を
密閉して収容する効果がある。
次に、メツキ金属浴の輸送について述べる。
本発明においては、外部からメツキ金属の供給
を受けてこれを溶融浴とし、この浴面上に前記
B2O3のような性質を有する化合物の溶融層を形
成する第１の容器と、真空脱ガスしたメツキ金属
浴を収容し、この浴面上に上記と同様にB2O3の
ような化合物の溶融層を形成する第２の容器、さ
らに、メツキ金属浴中に存在するガスの大部分を
除去するための真空脱ガス室、メツキ金属を蒸着
するための真空室等の各設備によつて構成されて
おり、メツキ金属を輸送するために各設備に連結
管が設けられている。これらの連結管の一端はそ
れぞれ各設備に固定して接続されているが、他の
一端はそれぞれ上記の第１、第２の容器内部に収
容したメツキ金属浴中に浸漬している。この構造
は、各設備間に拘束がなく、熱設備に発生し易い
熱膨張による熱歪をメツキ金属浴が吸収するた
め、各設備の拘束によつて発生する変形、破損等
が生じない利点があり、設備の単順化、小形化、
軽量化が計れる効果がある。メツキ金属浴の輸送
は、サイホンおよび大気圧と真空室内部の圧力差
によつて行なうため、輸送のための動力は必要と
しない。しかし、浴面制御を精度良く行う場合等
には、必要に応じてメカニカルポンプ、電磁ポン
プあるいは大気中のメツキ金属浴を収容する第
１、第２の容器に加圧室を設けメツキ金属浴に圧
力を加えて輸送する等の手段を適用すればよい。
を受けてこれを溶融浴とし、この浴面上に前記
B2O3のような性質を有する化合物の溶融層を形
成する第１の容器と、真空脱ガスしたメツキ金属
浴を収容し、この浴面上に上記と同様にB2O3の
ような化合物の溶融層を形成する第２の容器、さ
らに、メツキ金属浴中に存在するガスの大部分を
除去するための真空脱ガス室、メツキ金属を蒸着
するための真空室等の各設備によつて構成されて
おり、メツキ金属を輸送するために各設備に連結
管が設けられている。これらの連結管の一端はそ
れぞれ各設備に固定して接続されているが、他の
一端はそれぞれ上記の第１、第２の容器内部に収
容したメツキ金属浴中に浸漬している。この構造
は、各設備間に拘束がなく、熱設備に発生し易い
熱膨張による熱歪をメツキ金属浴が吸収するた
め、各設備の拘束によつて発生する変形、破損等
が生じない利点があり、設備の単順化、小形化、
軽量化が計れる効果がある。メツキ金属浴の輸送
は、サイホンおよび大気圧と真空室内部の圧力差
によつて行なうため、輸送のための動力は必要と
しない。しかし、浴面制御を精度良く行う場合等
には、必要に応じてメカニカルポンプ、電磁ポン
プあるいは大気中のメツキ金属浴を収容する第
１、第２の容器に加圧室を設けメツキ金属浴に圧
力を加えて輸送する等の手段を適用すればよい。
次に、添付図面を用いて本発明の方法と装置を
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第１図において、１は大気側に設置した容器で
あり、その内部には仕切り壁２があつて第１容器
３および第２容器４に区分けする。これ等の内部
には溶融状態のメツキ金属５および６と化合物７
および８を収容し、所定の適正な温度に加熱保持
するための加熱設備（図示していない）を併設し
ている。容器３にはワイヤー状メツキ金属を供給
する設備９から必要量に応じてメツキ金属１０を
供給する。従つて、メツキ金属浴５は脱ガスが施
されていない。１１は真空脱ガス室であり、この
内部は脱ガスを行うために必要な所定の適正な圧
力に保持する。例えば、メツキ金属浴の温度に平
衡する、飽和蒸気圧程度の圧力に保持する。この
ため配管１２から排気ポンプ（図示していない）
によつて、雰囲気ガスを吸引排気する。１３は真
空脱ガス室１１にメツキ金属浴５を輸送する連結
管であり、真空脱ガス室１１からメツキ金属浴５
中に浸漬している。１４は真空脱ガス室１１にお
いて脱ガスされたメツキ金属を容器４に輸送する
連結管であり、真空脱ガス室１１から金属浴６の
浴中に浸漬している。２のメツキ金属の輸送手段
は第１容器３の浴面レベルと真空脱ガス室１１の
内部の浴面レベルがその真空度に応じた浴面レベ
ル差を形成している場合、第１容器３の浴面レベ
ルと第２容器４の浴面レベルの差によつて自然に
輸送される。例えば、真空脱ガス室１１の内部圧
力と大気圧の差によつて真空脱ガス室１１の内部
にメツキ金属が収容され、圧力差に応じた適当な
浴面が形成されている場合、そして容器３の浴面
レベルが容器４の浴面レベルより高い場合、これ
ら浴面レベルが同じ高さに保持されようとして、
メツキ金属は容器３から連結管１３、真空脱ガス
室１１、連続管１４を各々経由して容器４に流動
する。この間において、メツキ金属が真空脱ガス
室に滞溜している間に脱ガスが施される。従つ
て、メツキ金属浴６は脱ガスされた浴である。真
空脱ガス室１１と連結管１３および１４は、メツ
キ金属を凝固させないため適正な温度に保持する
加熱保持設備（図示していない）を併設してい
る。１５は真空室であり、この内部は真空蒸着メ
ツキが可能な所定の適正な圧力に保持する。この
ため配管１６から排気ポンプ（図示していない）
によつて雰囲気ガスを排気する。１７は蒸着メツ
キのために必要なメツキ金属蒸着発源容器であ
り、この容器１７内部に脱ガスしたメツキ金属浴
６をこの浴６中から蒸発源容器１７に連らなる連
結管１８を通じて輸送する。輸送手段は、真空室
１５と第２容器４との圧力差を利用するものであ
り、蒸発源容器１７内の浴面位置が該浴の真空度
に応じた液柱高さだけ第２容器４内の金属浴６の
液面より高い位置に保持されようとして容器１７
からのメツキ金属の蒸発減量を補う量の溶融金属
が真空室１５内へ吸上げられることになる。さら
に連結管１８には真空蒸着時のメツキ金属の蒸発
温度を制御するための加熱冷却設備（図示してい
ない）を併設しており、同時に蒸発源容器１７に
も温度制御設備（図示していない）を併設してい
る。以上のような方法および設備構成によつてメ
ツキ金属は矢印１９のような蒸気粒子となつて鋼
板等の基板２０に凝縮して蒸着メツキが施され
る。上記の連結管１４と１８をメツキ金属浴６中
に浸漬せず、両者を直接連結する構造としても本
発明と同様な効果があるかもしれないが、この場
合においては各装置部品間の熱膨張による歪等熱
的諸性質についての対策を講じる必要がある。従
つて本発明のように各設備をメツキ金属浴５およ
び６に連結し、これによつて熱歪を吸収し、さら
に必要に応じてベローズＢ等を使用し、拘束をで
きる限り低減する方が効果的である。
あり、その内部には仕切り壁２があつて第１容器
３および第２容器４に区分けする。これ等の内部
には溶融状態のメツキ金属５および６と化合物７
および８を収容し、所定の適正な温度に加熱保持
するための加熱設備（図示していない）を併設し
ている。容器３にはワイヤー状メツキ金属を供給
する設備９から必要量に応じてメツキ金属１０を
供給する。従つて、メツキ金属浴５は脱ガスが施
されていない。１１は真空脱ガス室であり、この
内部は脱ガスを行うために必要な所定の適正な圧
力に保持する。例えば、メツキ金属浴の温度に平
衡する、飽和蒸気圧程度の圧力に保持する。この
ため配管１２から排気ポンプ（図示していない）
によつて、雰囲気ガスを吸引排気する。１３は真
空脱ガス室１１にメツキ金属浴５を輸送する連結
管であり、真空脱ガス室１１からメツキ金属浴５
中に浸漬している。１４は真空脱ガス室１１にお
いて脱ガスされたメツキ金属を容器４に輸送する
連結管であり、真空脱ガス室１１から金属浴６の
浴中に浸漬している。２のメツキ金属の輸送手段
は第１容器３の浴面レベルと真空脱ガス室１１の
内部の浴面レベルがその真空度に応じた浴面レベ
ル差を形成している場合、第１容器３の浴面レベ
ルと第２容器４の浴面レベルの差によつて自然に
輸送される。例えば、真空脱ガス室１１の内部圧
力と大気圧の差によつて真空脱ガス室１１の内部
にメツキ金属が収容され、圧力差に応じた適当な
浴面が形成されている場合、そして容器３の浴面
レベルが容器４の浴面レベルより高い場合、これ
ら浴面レベルが同じ高さに保持されようとして、
メツキ金属は容器３から連結管１３、真空脱ガス
室１１、連続管１４を各々経由して容器４に流動
する。この間において、メツキ金属が真空脱ガス
室に滞溜している間に脱ガスが施される。従つ
て、メツキ金属浴６は脱ガスされた浴である。真
空脱ガス室１１と連結管１３および１４は、メツ
キ金属を凝固させないため適正な温度に保持する
加熱保持設備（図示していない）を併設してい
る。１５は真空室であり、この内部は真空蒸着メ
ツキが可能な所定の適正な圧力に保持する。この
ため配管１６から排気ポンプ（図示していない）
によつて雰囲気ガスを排気する。１７は蒸着メツ
キのために必要なメツキ金属蒸着発源容器であ
り、この容器１７内部に脱ガスしたメツキ金属浴
６をこの浴６中から蒸発源容器１７に連らなる連
結管１８を通じて輸送する。輸送手段は、真空室
１５と第２容器４との圧力差を利用するものであ
り、蒸発源容器１７内の浴面位置が該浴の真空度
に応じた液柱高さだけ第２容器４内の金属浴６の
液面より高い位置に保持されようとして容器１７
からのメツキ金属の蒸発減量を補う量の溶融金属
が真空室１５内へ吸上げられることになる。さら
に連結管１８には真空蒸着時のメツキ金属の蒸発
温度を制御するための加熱冷却設備（図示してい
ない）を併設しており、同時に蒸発源容器１７に
も温度制御設備（図示していない）を併設してい
る。以上のような方法および設備構成によつてメ
ツキ金属は矢印１９のような蒸気粒子となつて鋼
板等の基板２０に凝縮して蒸着メツキが施され
る。上記の連結管１４と１８をメツキ金属浴６中
に浸漬せず、両者を直接連結する構造としても本
発明と同様な効果があるかもしれないが、この場
合においては各装置部品間の熱膨張による歪等熱
的諸性質についての対策を講じる必要がある。従
つて本発明のように各設備をメツキ金属浴５およ
び６に連結し、これによつて熱歪を吸収し、さら
に必要に応じてベローズＢ等を使用し、拘束をで
きる限り低減する方が効果的である。
メツキ金属浴の輸送量制御については、前述の
説明の通り、大気圧と各真空室１１および１５の
内部圧力の差による方法では、メツキ金属浴の輸
送量は真空室１５の内部におけるメツキ金属浴の
蒸発量が支配的であるため、各真空室１１および
１５の圧力を一定に保持していると各室１１およ
び１５の浴面レベルは次第に低下する。このた
め、各真空室１１および１５の浴面レベルを一定
に保持するためには、メツキ金属層１０を蒸発量
に見合う量を制御しながら常に供給すれば良い。
説明の通り、大気圧と各真空室１１および１５の
内部圧力の差による方法では、メツキ金属浴の輸
送量は真空室１５の内部におけるメツキ金属浴の
蒸発量が支配的であるため、各真空室１１および
１５の圧力を一定に保持していると各室１１およ
び１５の浴面レベルは次第に低下する。このた
め、各真空室１１および１５の浴面レベルを一定
に保持するためには、メツキ金属層１０を蒸発量
に見合う量を制御しながら常に供給すれば良い。
なお、メツキ金属浴の輸送量の制御について
は、次に述べる二方法も有効である。該二方法を
第２図によつて説明する。第２図において、第１
図と同一作用効果を示す装置部品には同一符号を
記す。
は、次に述べる二方法も有効である。該二方法を
第２図によつて説明する。第２図において、第１
図と同一作用効果を示す装置部品には同一符号を
記す。
先ず、第１の方法は、容器３および／または４
の化合物の溶融層７および８の上部に、上蓋２１
およびベローズB1，B2，B3さらにメツキ金属供
給管２２によつて密閉した加圧室２３および２４
を設け、これに窒素ガス等の不活性ガスを供給管
N1およびN2から供給し、排気管N3およびN4から
排気する構造とする。これらの供給管N1，N2お
よび排気管N3，N4には制御バルブV1，V2，V3，
V4が接続している。これらのバルブV1〜V4は、
真空室１５内のメツキ金属蒸発源容器１７および
真空脱ガス室１１の内部に設置した浴面レベル検
知器（図示していない）からの信号によつて開閉
する構造であり、例えば、蒸発源容器１７の浴面
レベルが基準値より低位にある場合は、V1が開
いてV3が閉じた状態となり、窒素ガスを加圧室
２４の内部に供給して、この内部の圧力を上昇さ
せ、メツキ金属浴６を真空室１５に輸送する。浴
面レベルが高位にある場合は、上記と逆になり、
V1は閉じV3が開いて加圧室２４を減圧して、真
空室１５から容器４にメツキ金属を逆流させて制
御する。真空脱ガス室１１の場合も上記と同様で
ある。
の化合物の溶融層７および８の上部に、上蓋２１
およびベローズB1，B2，B3さらにメツキ金属供
給管２２によつて密閉した加圧室２３および２４
を設け、これに窒素ガス等の不活性ガスを供給管
N1およびN2から供給し、排気管N3およびN4から
排気する構造とする。これらの供給管N1，N2お
よび排気管N3，N4には制御バルブV1，V2，V3，
V4が接続している。これらのバルブV1〜V4は、
真空室１５内のメツキ金属蒸発源容器１７および
真空脱ガス室１１の内部に設置した浴面レベル検
知器（図示していない）からの信号によつて開閉
する構造であり、例えば、蒸発源容器１７の浴面
レベルが基準値より低位にある場合は、V1が開
いてV3が閉じた状態となり、窒素ガスを加圧室
２４の内部に供給して、この内部の圧力を上昇さ
せ、メツキ金属浴６を真空室１５に輸送する。浴
面レベルが高位にある場合は、上記と逆になり、
V1は閉じV3が開いて加圧室２４を減圧して、真
空室１５から容器４にメツキ金属を逆流させて制
御する。真空脱ガス室１１の場合も上記と同様で
ある。
第２の方法は、電磁ポンプおよびメカニカルポ
ンプ等のポンプ２５および２６を連結管１３およ
び１８に併設するものであり、上記と同様に蒸発
源容器１７および真空脱ガス室１１の内部に設置
した浴面レベル検知器からの信号によつてこれら
のポンプが連結管１３および１８の内部のメツキ
金属溶を正流または逆流させ、各真空室１１およ
び１５の浴面レベルを制御するものである。
ンプ等のポンプ２５および２６を連結管１３およ
び１８に併設するものであり、上記と同様に蒸発
源容器１７および真空脱ガス室１１の内部に設置
した浴面レベル検知器からの信号によつてこれら
のポンプが連結管１３および１８の内部のメツキ
金属溶を正流または逆流させ、各真空室１１およ
び１５の浴面レベルを制御するものである。
上記第１および第２の方法を適用する場合の浴
面レベルに関する説明を前述の第１図に示した例
と比較しながら以下に述べる。真空脱ガス室１１
および真空室１５を排気して、この圧力と大気圧
の差によつて浴面レベルａ，a′またはｂ，b′を保
持する。ここでａは真空脱ガス室１１の内部に、
a′は真空室１５の内部に設置している蒸着源容器
１７の内部にそれぞれ浴面が形成されいる状態を
示す（すなわち、第１図に示した例の場合）もの
であり、またｂは連結管１３，１４の塗中に、
b′は連結管１８の塗中にそれぞれ浴面が形成され
ている状態を示すものである。ｂ，b′の浴面レベ
ルは第１図の場合よりも真空脱ガス室１１および
真空室１５を高い位置に設置した場合に形成され
るもので、この場合、前記第１の方法の加圧室２
３，２４あるいは前記第２の方法のポンプ２５，
２６の各作用によつてａ，a′のように真空脱ガス
室１１および真空室１５の蒸発源容器１７の内部
に浴面レベルを上昇させる必要がある。
面レベルに関する説明を前述の第１図に示した例
と比較しながら以下に述べる。真空脱ガス室１１
および真空室１５を排気して、この圧力と大気圧
の差によつて浴面レベルａ，a′またはｂ，b′を保
持する。ここでａは真空脱ガス室１１の内部に、
a′は真空室１５の内部に設置している蒸着源容器
１７の内部にそれぞれ浴面が形成されいる状態を
示す（すなわち、第１図に示した例の場合）もの
であり、またｂは連結管１３，１４の塗中に、
b′は連結管１８の塗中にそれぞれ浴面が形成され
ている状態を示すものである。ｂ，b′の浴面レベ
ルは第１図の場合よりも真空脱ガス室１１および
真空室１５を高い位置に設置した場合に形成され
るもので、この場合、前記第１の方法の加圧室２
３，２４あるいは前記第２の方法のポンプ２５，
２６の各作用によつてａ，a′のように真空脱ガス
室１１および真空室１５の蒸発源容器１７の内部
に浴面レベルを上昇させる必要がある。
この方法によれば、連続メツキライン等でメツ
キ金属の蒸発を一時的に停止させたい場合におい
て、通常は真空各室の圧力を大気圧程度まで上昇
させるか、またはメツキ金属が蒸発しない温度ま
で冷却する方法をとるため、停止、再開に長時間
を要し非能率的であるのに対し、単に加圧室２
３，２４の圧力を大気圧まで低減させたり、ポン
プ２５，２６の駆動を停止してａ，a′まで上昇し
ていた浴面を計ｂ，b′まで低下させるだけでよ
い。即ち、操業真空圧力を保持した状態で真空脱
ガス室１１および真空室１５からメツキ金属を除
去させることが可能であり、蒸発メツキ金属量を
低減させる効果（連結管の断面積が小さいため蒸
発量は低減する）があり、蒸発再開においては加
圧室２３，２４の圧力の上昇、ポンプ２５，２６
の駆動開始で、すみやかに復旧する利点がある。
キ金属の蒸発を一時的に停止させたい場合におい
て、通常は真空各室の圧力を大気圧程度まで上昇
させるか、またはメツキ金属が蒸発しない温度ま
で冷却する方法をとるため、停止、再開に長時間
を要し非能率的であるのに対し、単に加圧室２
３，２４の圧力を大気圧まで低減させたり、ポン
プ２５，２６の駆動を停止してａ，a′まで上昇し
ていた浴面を計ｂ，b′まで低下させるだけでよ
い。即ち、操業真空圧力を保持した状態で真空脱
ガス室１１および真空室１５からメツキ金属を除
去させることが可能であり、蒸発メツキ金属量を
低減させる効果（連結管の断面積が小さいため蒸
発量は低減する）があり、蒸発再開においては加
圧室２３，２４の圧力の上昇、ポンプ２５，２６
の駆動開始で、すみやかに復旧する利点がある。
第３図は、真空脱ガスの他の方法を示したもの
である。第３図において、同一作用効果の装置部
品については第１および第２図と同一符号を記
す。真空脱ガス時において、メツキ金属浴面下の
浴中に、水素ガスのような真空脱ガスによつて放
出しやすいガスを噴出するガス吹込み装置Ｐを設
置し、この装置Ｐからのガス吹込みによる脱ガス
効果の向上と、脱ガス後のメツキ金属浴中に残留
するガス成分の水素ガス成分量の増大を計る。す
なわち、浴中に水素ガスを吹込むことによつて、
浴中の水素ガス分圧を上げ、同時に既に浴中に含
有している酸素および窒素ガスの分圧を下げる。
この結果、浴中の酸素および窒素ガス成分は水素
ガスを吹込まない場合むり低減し、水素ガス成分
が多くなる。水素ガスは蒸着時において酸素ガス
のようにメツキ金属蒸気粒子を酸化せず、また窒
素ガスのようにメツキ蒸気粒子と衝突してメツキ
蒸気粒子の保有エネルギの低減または消滅を生じ
させ難いため、残留ガスとしては水素ガスが有利
である。なお、このような真空脱ガス法において
は浴中からメツキ金属浴のスプラツシユが生じや
すいため、これを受けとめる遮蔽板Ｃを設けるこ
とが望ましい。
である。第３図において、同一作用効果の装置部
品については第１および第２図と同一符号を記
す。真空脱ガス時において、メツキ金属浴面下の
浴中に、水素ガスのような真空脱ガスによつて放
出しやすいガスを噴出するガス吹込み装置Ｐを設
置し、この装置Ｐからのガス吹込みによる脱ガス
効果の向上と、脱ガス後のメツキ金属浴中に残留
するガス成分の水素ガス成分量の増大を計る。す
なわち、浴中に水素ガスを吹込むことによつて、
浴中の水素ガス分圧を上げ、同時に既に浴中に含
有している酸素および窒素ガスの分圧を下げる。
この結果、浴中の酸素および窒素ガス成分は水素
ガスを吹込まない場合むり低減し、水素ガス成分
が多くなる。水素ガスは蒸着時において酸素ガス
のようにメツキ金属蒸気粒子を酸化せず、また窒
素ガスのようにメツキ蒸気粒子と衝突してメツキ
蒸気粒子の保有エネルギの低減または消滅を生じ
させ難いため、残留ガスとしては水素ガスが有利
である。なお、このような真空脱ガス法において
は浴中からメツキ金属浴のスプラツシユが生じや
すいため、これを受けとめる遮蔽板Ｃを設けるこ
とが望ましい。
以下、本発明の実施例を挙げ本発明の効果を具
体的に述べる。
体的に述べる。
実施例
第１図に沿つて、容器１を仕切壁２によつて区
分けた区分３および４の容器のそれぞれに適当量
のB2O3を収容し、これを加熱して600℃の溶融状
態で保持した。次に、これらの容器３，４の内部
に亜鉛を適当量投入して、同様に600℃の溶融状
態の亜鉛として保持した。この時の状態は溶融し
た亜鉛５および６の浴面の上部に溶融したB2O3
の層７および８が形成された状態となる。なお、
連結管１３，１４および１８の内部にB2O3の層
を形成させないため、先ず配管１２および１６か
らガス吹込管（図示していない）により窒素ガス
を吹込み、この系の圧力を上昇させ、これらの連
結管１３，１４，１８中のB2O3を吐出し除去し
た。この吐出しが完了すると窒素ガスの吹込みを
やめ、上昇した系の圧力を大気圧まで下げる。こ
の状態で各連結管１３，１４，１８内部は亜鉛浴
のみが存在しており、これらの浴面は窒素ガスと
接触しているため亜鉛の酸化物等は存在しない。
この状態で亜鉛の溶融量を増大するために棒状亜
鉛１０を徐々に浴中５に挿入して溶解し適当な浴
面レベルに保持した。次に、配管１２および１６
に接続する排気ポンプ（図示していない）を駆動
させ、真空脱ガス室１１および真空室１５の内部
圧力を10Torrに保持して、亜鉛浴５および６を
真空脱ガス室１１および真空室１５内の蒸発源容
器１７内部に輸送し、それぞれ適当な浴面レベル
を形成させた。この操作段階までが亜鉛浴を真空
室に輸送するための初期段階であり、従つて亜鉛
浴６および真空室１５内の蒸発源容器１７の内部
の亜鉛浴は充分脱ガスが行われていない。これ
は、浴表面の脱ガスは余り時間を要しないが、浴
内部の脱ガスは時間を要するからである。このた
め、しばらくこの状態に保持して、亜鉛浴６およ
び蒸発源容器１７の亜鉛浴を内部まで充分脱ガス
した。その後、真空室１５内部の圧力を３×
10-4Torrに保持して亜鉛の蒸発粒子１９を飛散
させ、鋼板２０の表面に蒸着メツキした。なお、
真空室１５内においては、鋼板２０が保管できる
構造としており、蒸着メツキ終了と同時に新たな
鋼板２０に蒸着できるものである。このようにし
て次々と蒸着メツキを施し、各々のメツキ製品に
ついてメツキ性能を確認した。また、メツキ性態
評価の比較として脱ガスを施さないもの、また第
３図のように脱ガス室で水素ガスを吹込んだもの
についても行つた。
分けた区分３および４の容器のそれぞれに適当量
のB2O3を収容し、これを加熱して600℃の溶融状
態で保持した。次に、これらの容器３，４の内部
に亜鉛を適当量投入して、同様に600℃の溶融状
態の亜鉛として保持した。この時の状態は溶融し
た亜鉛５および６の浴面の上部に溶融したB2O3
の層７および８が形成された状態となる。なお、
連結管１３，１４および１８の内部にB2O3の層
を形成させないため、先ず配管１２および１６か
らガス吹込管（図示していない）により窒素ガス
を吹込み、この系の圧力を上昇させ、これらの連
結管１３，１４，１８中のB2O3を吐出し除去し
た。この吐出しが完了すると窒素ガスの吹込みを
やめ、上昇した系の圧力を大気圧まで下げる。こ
の状態で各連結管１３，１４，１８内部は亜鉛浴
のみが存在しており、これらの浴面は窒素ガスと
接触しているため亜鉛の酸化物等は存在しない。
この状態で亜鉛の溶融量を増大するために棒状亜
鉛１０を徐々に浴中５に挿入して溶解し適当な浴
面レベルに保持した。次に、配管１２および１６
に接続する排気ポンプ（図示していない）を駆動
させ、真空脱ガス室１１および真空室１５の内部
圧力を10Torrに保持して、亜鉛浴５および６を
真空脱ガス室１１および真空室１５内の蒸発源容
器１７内部に輸送し、それぞれ適当な浴面レベル
を形成させた。この操作段階までが亜鉛浴を真空
室に輸送するための初期段階であり、従つて亜鉛
浴６および真空室１５内の蒸発源容器１７の内部
の亜鉛浴は充分脱ガスが行われていない。これ
は、浴表面の脱ガスは余り時間を要しないが、浴
内部の脱ガスは時間を要するからである。このた
め、しばらくこの状態に保持して、亜鉛浴６およ
び蒸発源容器１７の亜鉛浴を内部まで充分脱ガス
した。その後、真空室１５内部の圧力を３×
10-4Torrに保持して亜鉛の蒸発粒子１９を飛散
させ、鋼板２０の表面に蒸着メツキした。なお、
真空室１５内においては、鋼板２０が保管できる
構造としており、蒸着メツキ終了と同時に新たな
鋼板２０に蒸着できるものである。このようにし
て次々と蒸着メツキを施し、各々のメツキ製品に
ついてメツキ性能を確認した。また、メツキ性態
評価の比較として脱ガスを施さないもの、また第
３図のように脱ガス室で水素ガスを吹込んだもの
についても行つた。
上記の結果、脱ガスを施さないものについて
は、時おり亜鉛のスプラツシユが発生したりメツ
キ層が灰色となつて密着性に欠け、製品として実
用性に乏しいものであつたが、本発明の脱ガス処
理または水素吹込みと脱ガスを施したものは、ス
プラツシユがなく亜鉛特有の色彩を呈し密着性に
優れた実用的な製品が得られた。
は、時おり亜鉛のスプラツシユが発生したりメツ
キ層が灰色となつて密着性に欠け、製品として実
用性に乏しいものであつたが、本発明の脱ガス処
理または水素吹込みと脱ガスを施したものは、ス
プラツシユがなく亜鉛特有の色彩を呈し密着性に
優れた実用的な製品が得られた。
なお、上記の実施例は真空室１５の内部圧力と
大気圧の圧力差によつて亜鉛浴を輸送したもので
あり、この場合の輸送量は蒸発源容器１７から蒸
発する亜鉛量が支配的に作用して輸送は期待通り
行われた。また、第２図に沿つた加圧式方式なら
びに電磁ポンプ方式による輸送も同様に効果があ
り期待通りであつた。
大気圧の圧力差によつて亜鉛浴を輸送したもので
あり、この場合の輸送量は蒸発源容器１７から蒸
発する亜鉛量が支配的に作用して輸送は期待通り
行われた。また、第２図に沿つた加圧式方式なら
びに電磁ポンプ方式による輸送も同様に効果があ
り期待通りであつた。
浴面レベルの制御は、第１図に沿つた圧力差方
式においては、棒状亜鉛の供給量を精度良く行う
程、一定に保持できることが判明した。なお、実
施に際しては多少の浴面レベル変動を生じたが、
実用上問題にならない程度であつた。第２図に沿
つた加圧室方式ならびに電磁ポンプ方式について
は、制御調節器の応答性によつて異なると考えら
れるが、実施結果は良好であつた。
式においては、棒状亜鉛の供給量を精度良く行う
程、一定に保持できることが判明した。なお、実
施に際しては多少の浴面レベル変動を生じたが、
実用上問題にならない程度であつた。第２図に沿
つた加圧室方式ならびに電磁ポンプ方式について
は、制御調節器の応答性によつて異なると考えら
れるが、実施結果は良好であつた。
第１図は本発明の方法と装置の一実施態様例を
示す説明図、第２図は本発明の方法と装置の他の
実施態様例を示す説明図、第３図は真空脱ガス法
の一実施態様例を示す説明図である。
示す説明図、第２図は本発明の方法と装置の他の
実施態様例を示す説明図、第３図は真空脱ガス法
の一実施態様例を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の容器中に大気と非接触状態で貯留され
た溶融金属中へ連続的に所要量の前記溶融金属と
同組成の金属を供給してこれを溶解させ、この液
面の上昇を抑える量の前記溶融金属を第１の真空
雰囲気中へ吸上げて該溶融金属を脱ガスさせ、こ
の脱ガスされた溶融金属を第２の容器中に大気と
非接触状態で滞留している脱ガスされた溶融金属
中へ一旦吐出し、続いて該脱ガスされた溶融金属
を第２の真空雰囲気中へ、該雰囲気中での蒸発減
量を補う量づつ吸上げることを特徴とする溶融金
属の輸送方法。 ２ 金属の溶融浴と、該浴の表面上に形成された
大気や前記溶融浴と反応し難い化合物の溶融層を
収容し、前記溶融浴と同組成の金属を供給する設
備を備え、さらに前記収容物を加熱保持する手段
を備えた第１容器と、該第１容器と併設され、脱
ガスされた前記金属の溶融浴と、前記化合物の溶
融層を収容し、さらにこれら収容物を加熱保持す
る手段を備えた第２容器と、前記第１容器および
第２容器よりその圧力差に応じた液柱高さだけ高
い位置にそれぞれ設置されて各々排気ポンプに接
続された配管を備えた真空脱ガス室とその内部に
前記溶融浴を収容する容器を備えた真空室と、上
端を前記真空脱ガス室に接続し、下端を前記第１
容器および第２容器内の溶融浴中に浸漬された２
本の連結管、および上端を前記真空室内の前記容
器に接続し、下端を前記第２容器内の前記溶融浴
中に浸漬された連結管を備えたことを特徴とする
溶融金属の輸送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6049579A JPS55154537A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Method and apparatus for carrying molten metal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6049579A JPS55154537A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Method and apparatus for carrying molten metal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55154537A JPS55154537A (en) | 1980-12-02 |
| JPS6137336B2 true JPS6137336B2 (ja) | 1986-08-23 |
Family
ID=13143926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6049579A Granted JPS55154537A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Method and apparatus for carrying molten metal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55154537A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007146207A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜方法、及び真空成膜装置 |
| JP2008500454A (ja) * | 2004-05-27 | 2008-01-10 | ズィードラーベ インコーポレイテッド | 金属及び合金の蒸発による真空蒸着方法及び真空蒸着装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6749906B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-06-15 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method |
| AU2013242397B2 (en) * | 2012-03-30 | 2017-06-15 | Posco | Method and apparatus for feeding liquid metal to an evaporator device |
| KR101461738B1 (ko) | 2012-12-21 | 2014-11-14 | 주식회사 포스코 | 가열장치 및 이를 포함하는 코팅 시스템 |
| EP3085808B1 (en) | 2013-12-19 | 2019-03-20 | Posco | Heating apparatus and coating machine having same |
-
1979
- 1979-05-18 JP JP6049579A patent/JPS55154537A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008500454A (ja) * | 2004-05-27 | 2008-01-10 | ズィードラーベ インコーポレイテッド | 金属及び合金の蒸発による真空蒸着方法及び真空蒸着装置 |
| JP2007146207A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜方法、及び真空成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55154537A (en) | 1980-12-02 |
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