JP2003531503A - 半導体装置の移送チャンバから排気する方法およびシステム - Google Patents

半導体装置の移送チャンバから排気する方法およびシステム

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、排気される気体の１個または数個の適切な特性パラメータを制御する、およびエアロックまたは移送チャンバ１内のいかなる凝縮または凝固も回避するよう、一次ポンプ３の排気速度を適合させるために、一次ポンプ３を駆動する手段に作用する制御信号を作り出す気体制御手段８、１０、１３、１６と結合され、可変速度駆動手段によって駆動され、ターボ分子二次ポンプ６と直列に搭載される一次ポンプ３を使用して、移送チャンバ１内に存在する気体を排気することを含む方法に関する。したがって、圧力低下速度が最適化でき、これによって、プロセスチャンバ２に導入される汚染を削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の属する技術分野） 本発明は、半導体をプロセスチャンバに移送するためのロードロックまたは移
送チャンバから、気体を排気する方法および装置に関する。
【０００２】 半導体電子構成要素の製造において、例えばプラズマ堆積によって様々な材料
の層を堆積するために、プロセスチャンバ内で非常に低い圧力に制御された雰囲
気内で半導体基板を処理することは、重要なステップである。
【０００３】 プロセスチャンバにおいて、いかなる不純物またはいかなる汚染の存在も回避
するために、雰囲気は制御されなければならない。この目的のために、基板は、
純度に関して満足できる状態でプロセスチャンバに到着しなければならない。
【０００４】 文献、ＥＰ０３８５７０９Ａは、前からプロセスチャンバの壁に堆積していた
粒子を取り除くことによって汚染の危険が低減されるよう、プロセスチャンバへ
の、およびプロセスチャンバからの空気の流量を制限する制御バルブについて述
べる。
【０００５】 工業生産において、ウエハの形になった基板は、調整され、移送チャンバを介
してプロセスチャンバに連続的に運ばれる。移送チャンバの内部では、雰囲気が
プロセスチャンバの内部の圧力と同じ適切な圧力に漸進的に調整される。この目
的のため、適切な圧力に達するまで、気体を排気するために、駆動手段によって
駆動され、かつ排気回路を介してロードロックまたは移送チャンバに接続される
一次ポンプを含む気体排気システムが使用される。
【０００６】 文献、ＵＳ４３７９７４３Ａにおいて、前処理チャンバから処理チャンバへの
不純物の移送は、基板の前処理の後に、処理チャンバで過剰気体差圧を確立する
ことによって防止される。
【０００７】 知られている設備において、移送チャンバから気体を排気するために、可変速
度ドライ一次ポンプが使用される時、プロセスチャンバへの基板の移送を遅らせ
ない調整時間の後、適切な圧力に達するように排気速度が決定される。しかし、
基板の調整はしばしば不充分であり、汚染および不純物がプロセスチャンバ内に
出現する。
【０００８】 文献、ＥＰ０７７６０２６Ａは、移送チャンバの壁に堆積した粒子がもたらす
汚染の削減を教示する。これを行うためには、移送チャンバ内で気体が凝縮（ｃ
ｏｎｄｅｎｓｉｎｇ）または凝固（ｓｏｌｉｄｉｆｙｉｎｇ）することを回避す
るために、気体が移送チャンバから排気される速度を低下させる制御バルブが使
用される。しかし、恐らく粒子が堆積できる表面積を増加させる制御バルブの存
在のため、汚染の危険は充分に削減されない。この装置も、同様に、さらに複雑
である。
【０００９】 （発明の概要） 本発明の目的は、不純物および汚染のプロセスチャンバへの導入を、より効果
的に防止することである。
【００１０】 また、ロードロックまたは移送チャンバの雰囲気圧力の低下中に、基板は必然
的に脱気（ｄｅｇａｓｓｉｎｇ）されるが、脱気は、基板がプロセスチャンバに
挿入される前に、充分に行われることが重要である。さもなくば、脱気はプロセ
スチャンバにおいても継続し、この後続の脱気からの気体は、処理中の追加の汚
染源となる。したがって、本発明の他の目的は、プロセスチャンバへの基板の移
送を遅らせることなく、ロードロックまたは移送チャンバでの調整中の基板の脱
気を改善することである。
【００１１】 これらの、および他の目的を達成するために、本発明は、いかなる湿度、また
はいかなる気体の凝固物の出現も回避するよう、調整中に、ロードロックまたは
移送チャンバの雰囲気圧力の低下を、効果的に、および簡単な方法で、制御する
処置を構じる。
【００１２】 したがって、半導体装置を移送するための移送チャンバから気体を排気する本
発明の気体排気システムは、適切な圧力に達するまで、移送チャンバから気体を
排気するように、駆動手段によって駆動され、かつ排気回路を介して移送チャン
バに接続される一次ポンプを含み、この駆動手段は、可変の速度で一次ポンプを
駆動するように構成され、それにより可変速度排気を行い、ターボ分子二次ポン
プが、一次ポンプと移送チャンバとの間の排気回路に挿入されており、移送チャ
ンバ内の気体のいかなる凝縮または凝固も回避するために、排気される気体の１
つまたは複数の適切な特性パラメータのモニタリングのための、および一次ポン
プの速度を適合させるための駆動手段に対して働く制御信号の発生のための気体
モニタリング手段が設けられている。
【００１３】 ポンプの速度に対して作用することにより、排気された気体を継続的にモニタ
することによって、気体のいかなる凝縮または凝固も発生することを防止するこ
とが可能であり、したがって、いかなる汚染もプロセスチャンバに持ち込まれる
ことを防止できる。このモニタリングは、同様に、追加の汚染の危険、および制
御バルブの存在に関する複雑化を防止することも可能にする。このモニタリング
は、同様に、可能な限り素早く平均速度に達するために、圧力が低下する速度を
最適化することも可能にし、それにより、調整時間が延長されず、そのため、調
整時間内に、圧力を、基板の脱気を容易にする低い値に低下させることさえも可
能になる。
【００１４】 気体モニタリング手段は、排気された気体の温度に応答する温度センサ、およ
び／または、気体分析器を含む。
【００１５】 よくある汚染源は、排気される雰囲気に含まれる湿度であり、この湿度は、凝
縮し、結晶化する傾向がある。この場合、気体分析器は、水のスペクトル線を検
出し、測定するように有利に構成することができる。
【００１６】 他の汚染源は、炭化水素の存在であることが多い。この場合、気体分析器は、
炭化水素のスペクトル線を検出し、測定するように構成される。
【００１７】 有利な実施形態において、気体を排気するシステムは、移送チャンバが接続さ
れるプロセスチャンバの圧力を測定するための圧力測定手段をさらに含むことが
できる。したがって、プロセスチャンバから移送チャンバへの汚染物質の移送を
回避または制限するよう、移送チャンバの圧力をサーボ制御することが可能であ
る。したがって、後に続く基板が同じ移送チャンバで調整される速度を上昇させ
ることが可能である。なぜなら、この調整は、プロセスチャンバからの汚染によ
っては妨害されないからである。
【００１８】 ターボ分子二次ポンプは、気体を大気圧で送ることによって、排気ステップの
開始の時点で動作できる、堅牢なタイプであるのが好ましい。したがって、この
ターボ分子ポンプは、排気の開始について、いかなる枝パイプにも結合されず、
移送チャンバに接続される排気要素のみを構成する。このため、移送チャンバ内
の、したがって、プロセスチャンバ内の雰囲気を汚染する危険は、削減される。
【００１９】 半導体をプロセスチャンバに移送するための移送チャンバから気体を排気する
本発明の方法において、移送チャンバから気体を引き出す一次ポンプの速度は、
移送チャンバの気体の凝縮または凝固を回避または制限するよう、排気される気
体の１つまたは複数の特性パラメータに応じて適合される。
【００２０】 より短時間で適切な圧力に達するために、ポンプの速度を最適化すること、お
よび最低の残存圧力に達するまで排気を継続すること、およびこの残存圧力を、
一時、例えば調整の終了まで、移送チャンバの適切な動作圧力より低い値に維持
し、これにより基板の脱気を容易にすることが可能であることは、有利である。
【００２１】 気体分析器の手段によって排気される気体を分析することによって、プロセス
チャンバの雰囲気が同時にモニタリングされることが可能である。
【００２２】 本発明の他の目的、特徴、および長所は、以下の添付図面を参照して与えられ
る以下の特定の実施形態の説明から明らかになる。
【００２３】 （好ましい実施形態の説明） 図１に示す実施形態において、本発明の排気システムは、半導体基板の通過を
可能にする手段を介して、プロセスチャンバ２に接続されるロードロックまたは
移送チャンバ１から、気体を排気することを可能にする。
【００２４】 この気体排気システムは、プロセスチャンバ２内の圧力の近傍にある適切な圧
力に達するまで、気体を排気するよう、組み込まれた駆動手段によって駆動され
、かつパイプ４を含む排気回路１２を介してロードロックまたは移送チャンバ１
に接続される一次ポンプ３を含む。一次ポンプ３に組み込まれるこの駆動手段は
、それ自体は知られているタイプでよい制御装置５によって制御される、可変の
速度での排気に適する。
【００２５】 ターボ分子二次ポンプ６は、一次ポンプ３に接続されるパイプ４と、ロードロ
ックまたは移送チャンバ１との間の排気回路１２に挿入される。遮断バルブ７は
、ターボ分子二次ポンプ６とロードロックまたは移送チャンバ１との間に挿入さ
れる。
【００２６】 気体モニタリング手段は、排気される気体の１つまたは複数の適切な特性パラ
メータをモニタリングするため、および伝送ライン９または１４などの１つまた
は複数の伝送ラインを介して、駆動手段に作用する制御装置５に送られる制御信
号を作り出し、したがって、ロードロックまたは移送チャンバ１内の気体のいか
なる凝縮または凝固も回避するために、一次ポンプ３の排気速度を適合させるた
めに設けられる。
【００２７】 考えられる気体モニタリング手段の中から、ロードロックまたは移送チャンバ
１内の圧力を測定するために、パイプ４および／または圧力センサ１６内の温度
を測定するため、例えば温度センサ８を選択することができる。次に、この測定
結果は、伝送ライン１４または伝送ライン１５をそれぞれ介して、制御装置５に
送られる。このような凝縮または凝固は、所定の温度閾値以下でのみ起こること
が知られ、したがって、排気速度を、温度閾値より上方に留めるために充分低い
値に維持することができる。
【００２８】 気体モニタリング手段は、気体分析器１０、例えば、パイプ４内の気体の特徴
的要素の特定のスペクトル線を検出し、測定するように構成することができる質
量分析器を含むのが好ましい。
【００２９】 例えば、処理雰囲気中の凝縮および凝固のよくある発生源は、水蒸気である。
したがって、気体分析器１０は、水のスペクトル線を検出および測定し、信号を
、伝送ライン９を介して制御装置５に送るように構成することができ、この信号
は、水スペクトル線が、許容できる閾値より低い値に維持されるような値に、排
気速度を設定することを可能にする。
【００３０】 汚染の他のよくある発生源は、炭化水素の凝縮または凝固である。これを回避
するために、気体分析器１０は、炭化水素のスペクトル線を検出および測定し、
炭化水素のスペクトル線を、許容できる閾値より低い値に維持するために必要な
信号を、伝送ライン９を介して制御装置５に送るように構成することができる。
【００３１】 図１に示す実施形態において、システムは、同様に、ロードロックまたは移送
チャンバ１が接続されるプロセスチャンバ２内の圧力１３を測定するための圧力
測定手段１３も含む。遮断バルブ１７は、ロードロックまたは移送チャンバ１と
プロセスチャンバ２との間に挿入されており、プロセスチャンバ２のロードロッ
クを開閉することによって、サンプルが通過することを可能にする。圧力測定信
号は、処理される半導体基板を移送する際に、プロセスチャンバ２からロードロ
ックまたは移送チャンバ１への汚染物質の移送を回避または制限するよう、ロー
ドロックまたは移送チャンバ１内の適切な圧力を、プロセスチャンバ２内の圧力
よりわずかに高い値に確立するよう、一次ポンプ３の排気速度をサーボ制御する
よう、伝送ライン１１を介して、制御装置５に送られる。気体は、パイプ１９を
介して一次ポンプ３から送られる。
【００３２】 図１は、移送チャンバ１に、または、プロセスチャンバ２に対してさえ、排気
装置によって起こされる擾乱をさらに低減することを可能にする隔離手段を含む
、本発明の特に有利な実施形態を示す。この目的のために、一次ポンプ３、気体
分析器手段１０、および制御装置５は、隔離エンクロージャ１８に一緒に収納さ
れる。
【００３３】 この隔離エンクロージャ１８は、機械的に剛性なアセンブリを形成する密封さ
れたエンクロージャであり、これには、温度モニタリングおよび調節装置、また
は、振動を能動的に補償する（図示しない）能動振動補償手段を設けることがで
きる。
【００３４】 大気圧で気体を送り出すことによって、排気段階の最初から動作できるタイプ
のターボ分子二次ポンプ６を使用して、良好な成果が得られている。この解決策
は、床面積に関して非常に有利に空間を節約することを、有利に可能にする。こ
のようにして、ターボ分子二次ポンプ６は、バルブ７の外側で、排気の開始のた
めのいかなる枝パイプとも結合されず、ロードロックまたは移送チャンバ１に接
続される唯一の排気要素を構成する。例えば、ＡＬＣＡＴＥＬ社によって販売さ
れる参照番号ＡＴＨ ３０のポンプが使用できる。このようなポンプは、コンパ
クトであるという長所をさらに提供し、そのため、システムは、移送チャンバ１
の非常に近傍に設置することができ、それによって、電気的連結およびパイプの
全てを簡略化する。
【００３５】 このようにして構成されたシステムは、約３０秒で、圧力を大気圧から約１０−３ パスカルの圧力に低下させることができる。排気速度は、ロードロックまた
は移送チャンバ１内の凝固または凝縮のいかなる現象も回避するために、気体の
膨張に対してサーボ制御される。
【００３６】 半導体をプロセスチャンバ２に移送するためのロードロックまたは移送チャン
バ１から気体を排気する本発明の気体排気方法において、ロードロックまたは移
送チャンバ１から気体が排気される排気速度は、ロードロックまたは移送チャン
バ１内の気体の凝縮または凝固を回避または制限するよう、排気される気体の１
つまたは複数の特性パラメータに応じて適合される。
【００３７】 例えば、図２の実線の曲線Ａを参照し、大気圧Ｐａから出発すると、圧力は、
気体の凝縮または凝固を回避するよう、ステップＡ１の間、初めは比較的ゆっく
りと低下し、次に、ステップＡ２の間、圧力低下の速度は加速し、一定の速度で
駆動される一次ポンプが、それのみで使用される知られているシステムで一般に
選択される速度より速くすることができる。到達される最低圧力レベル、すなわ
ち、圧力Ｐ２は、調整圧力Ｐ１より明らかに低い。気体の凝縮および凝固は、圧
力がまだ比較的高い第１のステップＡ１の間に、基本的に起こる。排気される気
体の特性パラメータに応じる排気速度の調整のために、圧力の低下は、知られて
いるシステムより速くすることができ、したがって、非常に低い圧力Ｐ２に、非
常に素早く到達できる。次に、圧力は、Ａ３およびＡ４を介して再び上昇し、一
次ポンプ３のみが存在する従来技術の場合に相当する調整圧力Ｐ１の平坦部分Ｂ
３に到達する。
【００３８】 対照的に、同じ図２の点線の曲線Ｂを参照すると、一定の速度で駆動されるポ
ンプを有する知られているシステムにおいて、排気速度は、超えると第１の排気
段階の間に凝縮および凝固現象が起こる、最大許容速度によって制限されるため
に、さらに低い。ステップＢ１の間、圧力は、ゆっくりと低下し、次に、ステッ
プＢ２の間、調整圧力Ｐ１にほぼ等しい最低圧力レベルに到達するまで、さらに
素早く低下し、次に、わずかな上昇Ｂ４があり、平坦部分Ｂ３が続く。
【００３９】 図２の実線に示す本発明の有利な変形において、本発明の方法は、圧力が既に
低いステップＡ２の間、排気を大幅に加速することによって、排気速度を最適化
し、適切な移送または動作の圧力Ｐ１に可能な限り素早く到達し、次に、残存最
低圧力Ｐ２に達し、その後の上昇Ａ３の後、残存圧力を、平坦部分Ａ５を介して
、ロードロックまたは移送チャンバ１の調整圧力Ｐ１より低い値Ｐ３に、一時的
に維持することを可能にする。
【００４０】 基板に、Ｐ１より低い残存圧力Ｐ３がかかる周期の間、基板の脱気が促進され
、基板によってプロセスチャンバ２に持ち込まれることがある汚染は、削減され
る。圧力Ｐ３の平坦部分Ａ５は、処理される半導体基板の移送チャンバ１からプ
ロセスチャンバ２までの移送の瞬間ｔ０の周辺まで、有利に維持することができ
る。次に、圧力Ｐ１は、上昇Ａ６を介して回復される。平坦部分Ａ５の開始が、
制御され、かつさらに速い圧力降下のために予測されるという事実のため、およ
び圧力Ｐ３がＰ１より低くでき、時間の長い平坦部分Ａ５の間、維持できるとい
う事実のために、プロセスチャンバ２の汚染除去に必要な介入の頻度は、例えば
１／２に、大幅に低減されている。つまり、２回のクリーニング作業の間の平均
時間（ＭＴＢＣ）は、２倍に延長される。
【００４１】 知られているシステムに従って確立される移送圧力Ｐ１は、基板がプロセスチ
ャンバ２に入った後、圧力が、前記プロセスチャンバ２の動作圧力に低下される
ことを必要とする。この圧力低下は、各処理サイクルの前に行われなければなら
ない比較的長い排気時間を必要とする。特に有利な実施形態において、本発明は
、移送圧力を処理圧力の近くにするために、これを低減させることを提供する。
したがって、例えば、圧力Ｐ３を、プロセスチャンバ２内の処理圧力にほぼ等し
い値に設定すること、および従来技術の装置の圧力Ｐ１に再び上昇することなく
、この圧力Ｐ３において移送を達成することを提供する。この例は、図２の瞬間
ｔ０まで、平坦部分Ａ６の追加された部分Ａ７によって示される。したがって、
結果は、排気時間のかなりの節約、およびプロセスチャンバ２内の処理サイクル
の大幅な高速化である。
【００４２】 再び図１を参照すると、気体分析器１０の手段によって排気される気体を分析
することによって、プロセスチャンバ２の雰囲気を同時にモニタリングすること
が可能であることが理解できる。基板が、ロードロックまたは移送チャンバ１か
らプロセスチャンバ２へ移送される毎に、プロセスチャンバ２に存在する気体の
一部分は、ロードロックまたは移送チャンバ１内に通過でき、したがって、本発
明のシステムによって排気され、そのため、気体分析器１０は、気体の前記部分
内の気体を見出し、分析し、および定量化でき、したがって、処理を制御するた
めに有用な情報をユーザに送ることができる。
【００４３】 例えば、ユーザが、したがって、後続の基板ウエハの調整の間に、ロードロッ
クまたは移送チャンバ１の雰囲気に、適切な要素を挿入することによって、プロ
セスチャンバ２内の雰囲気を補償することが考えられ、これらの要素は、基板と
ともにプロセスチャンバ２に移送される。
【００４４】 図３の実施形態において、気体排気システムは、コールドフィンガ２１を冷却
するための冷凍装置２０、および排気回路４内の排気気体と接触する活性表面２
２から構成される凝縮トラップを、二次ポンプ６と移送チャンバ１との間の排気
回路４に挿入してさらに含む。凝縮トラップは、Ｓｔｉｒｌｉｎｇタイプの機械
式冷却器でもよい。活性表面２２は、排気される気体を移送するパイプの内部の
円筒形金属部分でもよい。前記活性表面２２の典型的な温度は、約１４０°Ｋで
ある。この温度の水蒸気は、活性表面２２上で、トラップされ、氷の形に凝縮さ
れる。１０−５Ｐａより低い水の分圧に到達することが可能である。
【００４５】 活性表面２２上の氷の厚さは、徐々に増大する。したがって、ジュール効果で
活性表面２２を加熱することによって、トラップを回復するのが望ましく、氷は
蒸発し、排気回路１２によって排気される。これを行うために、活性表面２２上
に形成されるいかなる氷も除去するよう、活性表面２２を周期的に加熱する手段
が設けられる。
【００４６】 本発明は、明示的に説明される実施形態に限定されず、当業者が行うことがで
きる様々な変形および一般化を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の気体排気装置の実施形態の一般的構造を示す概略図である。
【図２】 第１の曲線が本発明の装置の圧力低下を示し、第２の曲線が知られているドラ
イ一次ポンプ装置の圧力低下を示す、圧力低下曲線である。
【図３】 凝縮物トラップをさらに含む実施形態において、気体を排気するシステムの一
般的構造を示す概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１２月２１日（２００１．１２．２１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シユバリエ，エリツク フランス国、エフ−74940・アヌシー・ ル・ビユー、シユマン・ドウ・ラ・コリー ヌ、８ Ｆターム(参考） 4K030 AA09 CA04 CA12 DA06 EA11 JA09 KA22 KA39 5F031 CA02 JA01 JA10 JA46 JA47 NA05 NA14 5F045 EB08 EB12 EG01 EG05 GB04 GB05 GB06

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置を移送するための移送チャンバ（１）から気体を
    排気するための気体排気システムであって、前記システムは、適切な圧力に達す
    るまで、移送チャンバ（１）から気体を排気するように、駆動手段によって駆動
    され、かつ排気回路（４）を介して移送チャンバ（１）に接続される一次ポンプ
    （３）を含み、 駆動手段が、可変速度で一次ポンプ（３）を駆動するように構成され、可変速
    度の排気を行い、 ターボ分子二次ポンプ（６）が、一次ポンプ（３）と移送チャンバ（１）との
    間の排気回路（４）に挿入されており、 排気された気体の１つまたは複数の適切な特性パラメータをモニタリングする
    ため、および一次ポンプ（３）の速度を適合させるための駆動手段に作用する制
    御信号を作り出すための気体モニタリング手段（８、１０、１３、１６）が設け
    られており、それにより移送チャンバ（１）内の気体のいかなる凝縮または凝固
    をも回避することを特徴とする気体排気システム。
  2. 【請求項２】 気体モニタリング手段が、排気される気体の温度に応答する
    温度センサ（８）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の気体排気システム
    。
  3. 【請求項３】 気体モニタリング手段が、気体分析器（１０）を含むことを
    特徴とする、請求項１または２に記載の気体排気システム。
  4. 【請求項４】 気体分析器（１０）が、水のスペクトル線を検出および測定
    するように構成されていることを特徴とする、請求項３に記載の気体排気システ
    ム。
  5. 【請求項５】 気体分析器（１０）が、炭化水素のスペクトル線を検出およ
    び測定するように構成されていることを特徴とする、請求項３または４に記載の
    気体排気システム。
  6. 【請求項６】 プロセスチャンバ（２）から移送チャンバ（１）への汚染物
    質の移送を回避または制限するように、移送チャンバ（１）内の圧力をサーボ制
    御するために、移送チャンバ（１）が接続されるプロセスチャンバ（２）内の圧
    力を測定するための圧力測定手段（１３）をさらに含むことを特徴とする、請求
    項１から５のいずれか一項に記載の気体排気システム。
  7. 【請求項７】 ターボ分子二次ポンプ（６）が、大気圧で気体を送り出すこ
    とによって、排気ステップの開始時点で動作できる堅牢なタイプであり、ターボ
    分子二次ポンプ（６）は、排気を開始するためのいかなる枝パイプとも結合され
    ず、移送チャンバ（１）に接続される唯一の排気要素を構成することを特徴とす
    る、請求項１から６のいずれか一項に記載の気体排気システム。
  8. 【請求項８】 コールドフィンガ（２１）を冷却するための冷却装置（２０
    ）、および排気される気体に排気回路（４）内で接触する活性表面（２２）で構
    成される凝縮トラップを、二次ポンプ（６）と移送チャンバ（１）との間の排気
    回路（４）に挿入して含むことを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に
    記載の気体排気システム。
  9. 【請求項９】 活性表面（２２）上に形成されるいかなる氷も除去するよう
    、活性表面（２２）を周期的に加熱する手段を含むことを特徴とする、請求項８
    に記載の気体排気システム。
  10. 【請求項１０】 少なくとも１つの一次ポンプ（３）によって、半導体をプ
    ロセスチャンバ（２）に移送するための移送チャンバ（１）から気体を排気する
    方法であって、移送チャンバ（１）内の気体の凝縮または凝固を回避または制限
    するよう、一次ポンプ（３）の速度が、排気される気体の１つまたは複数の特性
    パラメータに応じて適合されていることを特徴とする方法。
  11. 【請求項１１】 ポンプの速度が最適化され、排気が、最低残存圧力Ｐ２に
    達するまで継続され、残存圧力が、移送チャンバ（１）の動作圧力Ｐ１より低い
    値Ｐ３に一時的に維持されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 気体分析器（１０）の手段によって、排気される気体を分
    析することによって、プロセスチャンバ（２）の雰囲気が、同時にモニタリング
    されることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の方法。
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