JPH09148265A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH09148265A JPH09148265A JP8177503A JP17750396A JPH09148265A JP H09148265 A JPH09148265 A JP H09148265A JP 8177503 A JP8177503 A JP 8177503A JP 17750396 A JP17750396 A JP 17750396A JP H09148265 A JPH09148265 A JP H09148265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load lock
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- reaction chamber
- exhaust pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 49
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001634 microspectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/184—Vacuum locks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】真空システムを備えた半導体装置の製造装置に
おいて、凝縮現象による微粒子の発生を低減する。 【解決手段】ベンティング用気体注入管７１の所定部位
に装着された加熱源、排気管の所定部位に装着され、開
放程度に応じてロ−ドロック部からポンプに流れる気体
の速度を調節する機能を有する排気速度調節用バルブ６
１、口径が小さい部分と大きい部分とを有し、排気速度
を低下させる主排気管部Ｄにより、ロ−ドロック部内に
おける気体の断熱膨張を防止して凝縮現象による微粒子
の発生を低減する。
おいて、凝縮現象による微粒子の発生を低減する。 【解決手段】ベンティング用気体注入管７１の所定部位
に装着された加熱源、排気管の所定部位に装着され、開
放程度に応じてロ−ドロック部からポンプに流れる気体
の速度を調節する機能を有する排気速度調節用バルブ６
１、口径が小さい部分と大きい部分とを有し、排気速度
を低下させる主排気管部Ｄにより、ロ−ドロック部内に
おける気体の断熱膨張を防止して凝縮現象による微粒子
の発生を低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に、真空システムを備えた半導体製造装置に関
する。
係り、特に、真空システムを備えた半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】真空システムを備えた半導体製造装置に
よる半導体装置の製造工程において、半導体ウェハが置
かれた反応室の圧力を下げる際に微粒子が形成される。
この微粒子は、半導体ウェハの表面に堆積し、半導体装
置の歩留まりや信頼性を低下させる。この問題は、半導
体ウェ−ハの大口径化、半導体装置の高集積化に伴い一
層深刻になる。
よる半導体装置の製造工程において、半導体ウェハが置
かれた反応室の圧力を下げる際に微粒子が形成される。
この微粒子は、半導体ウェハの表面に堆積し、半導体装
置の歩留まりや信頼性を低下させる。この問題は、半導
体ウェ−ハの大口径化、半導体装置の高集積化に伴い一
層深刻になる。
【０００３】反応室の減圧時又はベンティング時に微粒
子が発生するのは、気体の断熱膨張による凝縮現象に起
因する。
子が発生するのは、気体の断熱膨張による凝縮現象に起
因する。
【０００４】気体の凝縮現象による微粒子発生のメカニ
ズムは、Ｙａｎ Ｙｅ等により提案されている（Yan Ye
et al. 、"Condensation-Induced Particle Formation
during Vacuum Pump Down" in Journal of the Electr
ochemical Society 、Vol.140, No.5 、May 1993 print
ed in U.A.S copyright 1993、pp.1463-1468） 。
ズムは、Ｙａｎ Ｙｅ等により提案されている（Yan Ye
et al. 、"Condensation-Induced Particle Formation
during Vacuum Pump Down" in Journal of the Electr
ochemical Society 、Vol.140, No.5 、May 1993 print
ed in U.A.S copyright 1993、pp.1463-1468） 。
【０００５】以下に、Ｙａｎ Ｙｅ等により提案された
メカニズムを概略的に説明する。反応室内の圧力が急激
に下がると、その内部の気体は、断熱膨張により温度が
急激に低下する。この際、気体が凝縮されて水滴が形成
される。そして、水滴が形成される際に、気体中のSO2
、O3、H2O2、その他の不純物が水滴に向かって拡散し
吸着される。
メカニズムを概略的に説明する。反応室内の圧力が急激
に下がると、その内部の気体は、断熱膨張により温度が
急激に低下する。この際、気体が凝縮されて水滴が形成
される。そして、水滴が形成される際に、気体中のSO2
、O3、H2O2、その他の不純物が水滴に向かって拡散し
吸着される。
【０００６】一方、反応室の壁の熱容量は水滴の熱容量
より大きいため、反応室の壁の温度は水滴の温度よりも
緩やかに下がる。従って、反応室の壁と水滴との温度差
によって反応室の壁から水滴に熱が伝導されることによ
り、水滴が加熱され、蒸発する。この蒸発に伴って水滴
内の不純物の濃度は相対的に高くなる。このような凝縮
過程において、水滴内のH2O2の濃度が十分に高くなる
と、H2O2とSO2が高速に反応して硫酸を含む水滴が形成
される。そして、水滴が蒸発し続けると、硫酸を主成分
とする球形の残余微粒子のみが残る。この微粒子の主元
素は、炭素、硫黄、酸素であり、約１８０℃の温度でも
蒸発せずに残る。
より大きいため、反応室の壁の温度は水滴の温度よりも
緩やかに下がる。従って、反応室の壁と水滴との温度差
によって反応室の壁から水滴に熱が伝導されることによ
り、水滴が加熱され、蒸発する。この蒸発に伴って水滴
内の不純物の濃度は相対的に高くなる。このような凝縮
過程において、水滴内のH2O2の濃度が十分に高くなる
と、H2O2とSO2が高速に反応して硫酸を含む水滴が形成
される。そして、水滴が蒸発し続けると、硫酸を主成分
とする球形の残余微粒子のみが残る。この微粒子の主元
素は、炭素、硫黄、酸素であり、約１８０℃の温度でも
蒸発せずに残る。
【０００７】以上のような気体の凝縮現象により発生す
る微粒子の数は、反応室が狭いほど、気体の相対湿度が
高いほど、減圧速度またはベンティング速度が速いほど
多くなる。
る微粒子の数は、反応室が狭いほど、気体の相対湿度が
高いほど、減圧速度またはベンティング速度が速いほど
多くなる。
【０００８】図１は、従来例に係る真空システムを備え
た半導体製造装置の１つであるイオン注入装置の概略図
である。同図において、１０は半導体ウェハのイオン注
入工程のための反応室、２０は反応室１０の所定部位に
連通され、反応室１０内に移送される半導体ウェハが装
着されるロ−ドロック部、３０は反応室１０と各ロ−ド
ロック部２０との間に配置され、各ロ−ドロック部２０
と反応室１０とを分離するか否かを決定する分離用バル
ブ、４０は各ロ−ドロック部２０から反応室１０に半導
体ウェハを移送させる際に、真空状態を維持するために
各ロ−ドロック部２０を減圧するポンプ、５０は各ロ−
ドロック部２０とそれぞれ連結された２つの副排気管部
Ａと、一端が２つの副排気管部Ａに、他端がポンプ４０
に連結された主排気管部Ｂとを有する排気管、６０は副
排気管部Ａの所定部位に装着されてロ−ドロック部２０
からポンプ４０に流れる気体を遮断するか否かを決定す
る遮断用バルブ、７０はロ−ドロック部２０にベンティ
ング用気体を注入するためのベンティング用気体注入部
である。
た半導体製造装置の１つであるイオン注入装置の概略図
である。同図において、１０は半導体ウェハのイオン注
入工程のための反応室、２０は反応室１０の所定部位に
連通され、反応室１０内に移送される半導体ウェハが装
着されるロ−ドロック部、３０は反応室１０と各ロ−ド
ロック部２０との間に配置され、各ロ−ドロック部２０
と反応室１０とを分離するか否かを決定する分離用バル
ブ、４０は各ロ−ドロック部２０から反応室１０に半導
体ウェハを移送させる際に、真空状態を維持するために
各ロ−ドロック部２０を減圧するポンプ、５０は各ロ−
ドロック部２０とそれぞれ連結された２つの副排気管部
Ａと、一端が２つの副排気管部Ａに、他端がポンプ４０
に連結された主排気管部Ｂとを有する排気管、６０は副
排気管部Ａの所定部位に装着されてロ−ドロック部２０
からポンプ４０に流れる気体を遮断するか否かを決定す
る遮断用バルブ、７０はロ−ドロック部２０にベンティ
ング用気体を注入するためのベンティング用気体注入部
である。
【０００９】遮断用バルブ６０としては、気体の圧力に
より開／閉の２つの状態が決定されるエアバルブが用い
られる。また、主排気管部Ｂの口径は、副排気管部Ａの
口径より大きい。これは、主排気管部Ａが各ロ−ドロッ
ク部２０から排気される気体が合流して主排気管部Ｂを
通るからである。
より開／閉の２つの状態が決定されるエアバルブが用い
られる。また、主排気管部Ｂの口径は、副排気管部Ａの
口径より大きい。これは、主排気管部Ａが各ロ−ドロッ
ク部２０から排気される気体が合流して主排気管部Ｂを
通るからである。
【００１０】同図の装置の作動順序を簡単に説明する
と、まず、遮断用バルブ６０とポンプ４０との間の排気
管５０を約１０-3ｔｏｒｒ程度の低真空に維持する。次
いで、ロ−ドロック部２０にウェハを装着した後、遮断
用バルブ６０を開けて当該ロ−ドロック部２０の圧力を
約１０-3ｔｏｒｒ程度まで下げる。次いで、分離用バル
ブ３０を開けてウェ−ハを反応室１０に移送する。この
時の反応室１０の圧力は１０-6ｔｏｒｒ以下の高真空で
ある。ロ−ドロック部２０を低真空にする理由は、大気
圧と反応室１０内の高真空との圧力差を縮めて急激な気
体の乱流を防止すると共に、反応室１０にウェハを移送
する前にロ−ドロック部２０で予め微粒子の数を減らす
ためである。
と、まず、遮断用バルブ６０とポンプ４０との間の排気
管５０を約１０-3ｔｏｒｒ程度の低真空に維持する。次
いで、ロ−ドロック部２０にウェハを装着した後、遮断
用バルブ６０を開けて当該ロ−ドロック部２０の圧力を
約１０-3ｔｏｒｒ程度まで下げる。次いで、分離用バル
ブ３０を開けてウェ−ハを反応室１０に移送する。この
時の反応室１０の圧力は１０-6ｔｏｒｒ以下の高真空で
ある。ロ−ドロック部２０を低真空にする理由は、大気
圧と反応室１０内の高真空との圧力差を縮めて急激な気
体の乱流を防止すると共に、反応室１０にウェハを移送
する前にロ−ドロック部２０で予め微粒子の数を減らす
ためである。
【００１１】図２は、図１の遮断用バルブとして用いら
れるエアバルブ６０を拡大した断面図である。同図にお
いて、１００は側面と底面に開口部が形成された円筒形
ケ−ス、２００は円筒形ケ−ス１００の所定位置に配置
され、円筒形ケ−ス１００の内部を上下に分けると共
に、中央部には円筒形ケ−ス１００の上下を連結する孔
が形成された隔板、３００は隔板２００の前記孔の外周
面に固着され、隔板２００の下側面によりシ−リングさ
れると共に、下端部の外側にはＯリング４００を備え、
円筒形ケ−ス１００の下面に形成された開口部を開閉す
るベロ−ズ、５００は円筒形ケ−ス１００の内部上段に
装着され、円筒形ケ−ス１００の底面の方向に膨らんだ
弾力性のあるゴムブ−ツ、６００はゴムブ−ツ５００の
下側に固定され、隔板２００の前記孔に一部が挿入され
るスプリング支持台、７００はベロ−ズ３００の内部の
下段とスプリング支持台６００とに両端が固着されたス
プリング、８００は円筒形ケ−ス１００の内部の上部側
面に連通された空気注入口、９００はロ−ドロック部２
０（図１参照）からポンプ４０（図１参照）への気体の
流れを示す。
れるエアバルブ６０を拡大した断面図である。同図にお
いて、１００は側面と底面に開口部が形成された円筒形
ケ−ス、２００は円筒形ケ−ス１００の所定位置に配置
され、円筒形ケ−ス１００の内部を上下に分けると共
に、中央部には円筒形ケ−ス１００の上下を連結する孔
が形成された隔板、３００は隔板２００の前記孔の外周
面に固着され、隔板２００の下側面によりシ−リングさ
れると共に、下端部の外側にはＯリング４００を備え、
円筒形ケ−ス１００の下面に形成された開口部を開閉す
るベロ−ズ、５００は円筒形ケ−ス１００の内部上段に
装着され、円筒形ケ−ス１００の底面の方向に膨らんだ
弾力性のあるゴムブ−ツ、６００はゴムブ−ツ５００の
下側に固定され、隔板２００の前記孔に一部が挿入され
るスプリング支持台、７００はベロ−ズ３００の内部の
下段とスプリング支持台６００とに両端が固着されたス
プリング、８００は円筒形ケ−ス１００の内部の上部側
面に連通された空気注入口、９００はロ−ドロック部２
０（図１参照）からポンプ４０（図１参照）への気体の
流れを示す。
【００１２】空気注入口８００から与えられる空気の圧
力が一定圧力未満であれば、ベロ−ズ４００により円筒
形ケ−ス１００の底面の開口部が閉じる。一方、該圧力
が一定圧力以上であればゴムブ−ツ５００の膨らみのあ
る端部が上方に押されてベロ−ズ４００が垂直方向に縮
まり、円筒形ケ−ス１００の底面の開口部が開く。この
場合、前記開口部が瞬時に開くためロ−ドロック部２０
（図１参照）の圧力が急激に下がる。
力が一定圧力未満であれば、ベロ−ズ４００により円筒
形ケ−ス１００の底面の開口部が閉じる。一方、該圧力
が一定圧力以上であればゴムブ−ツ５００の膨らみのあ
る端部が上方に押されてベロ−ズ４００が垂直方向に縮
まり、円筒形ケ−ス１００の底面の開口部が開く。この
場合、前記開口部が瞬時に開くためロ−ドロック部２０
（図１参照）の圧力が急激に下がる。
【００１３】図３は、図１に示すロ−ドロック部２０か
ら発生した微粒子を観察したＳＥＭ(Scanning Electron
Microspectroscopy) 写真であり、この微粒子は約０．
３〜３．７μｍの大きさを有する球形である。
ら発生した微粒子を観察したＳＥＭ(Scanning Electron
Microspectroscopy) 写真であり、この微粒子は約０．
３〜３．７μｍの大きさを有する球形である。
【００１４】図４は、図３に示す微粒子の成分をＡＥＳ
(Auger Electron Spectroscopy) で分析した結果であ
り、微粒子の主元素は硫黄、酸素、炭素である。
(Auger Electron Spectroscopy) で分析した結果であ
り、微粒子の主元素は硫黄、酸素、炭素である。
【００１５】従来例に係る真空システムを備える半導体
製造装置において、ロ−ドロック部から発生した微粒子
の形状と主要構成元素とを分析した上記の結果は、Ｙａ
ｎＹｅ等により提案されたように、気体の凝縮現象によ
り微粒子が発生したことを示す。換言すると、ロ−ドロ
ック部の気体を排出する排気管に装着された遮断用バル
ブが急速に開くことに伴い、ロ−ドロック部の圧力が急
激に下がる結果、ロ−ドロック部内の気体の断熱膨張に
より微粒子が発生する。
製造装置において、ロ−ドロック部から発生した微粒子
の形状と主要構成元素とを分析した上記の結果は、Ｙａ
ｎＹｅ等により提案されたように、気体の凝縮現象によ
り微粒子が発生したことを示す。換言すると、ロ−ドロ
ック部の気体を排出する排気管に装着された遮断用バル
ブが急速に開くことに伴い、ロ−ドロック部の圧力が急
激に下がる結果、ロ−ドロック部内の気体の断熱膨張に
より微粒子が発生する。
【００１６】さらに、同一の原因によりロ−ドロック部
のベンティング時にもベンティング用気体が断熱膨張さ
れ、微粒子が発生する。
のベンティング時にもベンティング用気体が断熱膨張さ
れ、微粒子が発生する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、ロ−ドロッ
ク部内の気体の断熱膨張を防止し、凝縮現象による微粒
子の発生を抑制する半導体製造装置を提供するにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、ロ−ドロッ
ク部内の気体の断熱膨張を防止し、凝縮現象による微粒
子の発生を抑制する半導体製造装置を提供するにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１の半導体製造装置は、半導体装置
の製造工程の行われる反応室と、前記反応室の所定部位
に連通され、反応室内に移送される半導体ウェハの装着
されるロ−ドロック部と、前記ロ−ドロック部を減圧す
るためのポンプと、前記ロ−ドロック部と前記ポンプと
を連結して前記ロ−ドロック部の気体を排出する排気管
と、前記排気管の所定部位に装着されたバルブとを具備
する半導体製造装置において、前記バルブは前記ロ−ド
ロック部から前記ポンプに流れる気体の速度を調節し得
る排気速度調節用バルブであることを特徴とする。
め、本発明に係る第１の半導体製造装置は、半導体装置
の製造工程の行われる反応室と、前記反応室の所定部位
に連通され、反応室内に移送される半導体ウェハの装着
されるロ−ドロック部と、前記ロ−ドロック部を減圧す
るためのポンプと、前記ロ−ドロック部と前記ポンプと
を連結して前記ロ−ドロック部の気体を排出する排気管
と、前記排気管の所定部位に装着されたバルブとを具備
する半導体製造装置において、前記バルブは前記ロ−ド
ロック部から前記ポンプに流れる気体の速度を調節し得
る排気速度調節用バルブであることを特徴とする。
【００１９】上記の目的を達成するため、本発明に係る
第２の半導体製造装置は、半導体装置の製造工程が行わ
れる反応室と、前記反応室の所定部位に連通され、前記
反応室内に移送される半導体ウェ−ハの装着されるロ−
ドロック部と、前記ロ−ドロック部にベンティング用の
気体を注入するためのベンティング用気体注入管とを備
えた半導体製造装置において、前記ベンティング用気体
注入管は、前記ロ−ドロック部に注入されるベンティン
グ用気体を加熱するために前記ベンティング用気体注入
管の所定部位に装着された加熱源をさらに具備すること
を特徴する。
第２の半導体製造装置は、半導体装置の製造工程が行わ
れる反応室と、前記反応室の所定部位に連通され、前記
反応室内に移送される半導体ウェ−ハの装着されるロ−
ドロック部と、前記ロ−ドロック部にベンティング用の
気体を注入するためのベンティング用気体注入管とを備
えた半導体製造装置において、前記ベンティング用気体
注入管は、前記ロ−ドロック部に注入されるベンティン
グ用気体を加熱するために前記ベンティング用気体注入
管の所定部位に装着された加熱源をさらに具備すること
を特徴する。
【００２０】上記の目的を達成するため、本発明に係る
第３の半導体製造装置は、半導体装置の製造工程の行わ
れる反応室と、前記反応室の所定部位に連通され、前記
反応室内に移送される半導体ウェ−ハの装着される複数
のロ−ドロック部と、前記複数のロ−ドロック部を減圧
させるためのポンプと、前記複数のロ−ドロック部と前
記ポンプとを連結して前記複数のロ−ドロック部の気体
を排出する排気管と、前記排気管の所定部位に装着され
たバルブとを具備する半導体製造装置において、前記排
気管は、前記複数のロ−ドロック部とそれぞれ連結され
る複数の副排気管部と、一端が前記複数の副排気管部
に、他端が前記ポンプに連結され、所定の領域の口径が
残り領域の口径と異なる主排気管部とを備えることを特
徴とする。
第３の半導体製造装置は、半導体装置の製造工程の行わ
れる反応室と、前記反応室の所定部位に連通され、前記
反応室内に移送される半導体ウェ−ハの装着される複数
のロ−ドロック部と、前記複数のロ−ドロック部を減圧
させるためのポンプと、前記複数のロ−ドロック部と前
記ポンプとを連結して前記複数のロ−ドロック部の気体
を排出する排気管と、前記排気管の所定部位に装着され
たバルブとを具備する半導体製造装置において、前記排
気管は、前記複数のロ−ドロック部とそれぞれ連結され
る複数の副排気管部と、一端が前記複数の副排気管部
に、他端が前記ポンプに連結され、所定の領域の口径が
残り領域の口径と異なる主排気管部とを備えることを特
徴とする。
【００２１】上記の目的を達成するため、本発明に係る
第４の半導体製造装置は、高真空の中で半導体ウェハに
処理を施すための反応室と、前記反応室を大気圧に開放
することなく半導体ウェハを移送するためのロ−ドロッ
ク部と、前記ロ−ドロック部を減圧するためのポンプと
を有する半導体製造装置であって、前記ロ−ドロック部
を前記ポンプにより減圧する際の凝縮現象による微粒子
の発生を抑制する手段を具備することを特徴とする半導
体製造装置。
第４の半導体製造装置は、高真空の中で半導体ウェハに
処理を施すための反応室と、前記反応室を大気圧に開放
することなく半導体ウェハを移送するためのロ−ドロッ
ク部と、前記ロ−ドロック部を減圧するためのポンプと
を有する半導体製造装置であって、前記ロ−ドロック部
を前記ポンプにより減圧する際の凝縮現象による微粒子
の発生を抑制する手段を具備することを特徴とする半導
体製造装置。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施の形態を詳細に説明する。
明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２３】＜第１の実施の形態＞図５は、本発明の第
１の実施の形態に係る半導体製造装置の１つであるイオ
ン注入装置の概略図である。同図において、１１は半導
体ウェハのイオン注入工程のための反応室、２１は反応
室１１の所定部位に連通され、反応室１１内に移送され
る半導体ウェハが装着されるロ−ドロック部である。ロ
ードロック部２１は、１または複数個（例えば、図示の
例は２個）備えられる。
１の実施の形態に係る半導体製造装置の１つであるイオ
ン注入装置の概略図である。同図において、１１は半導
体ウェハのイオン注入工程のための反応室、２１は反応
室１１の所定部位に連通され、反応室１１内に移送され
る半導体ウェハが装着されるロ−ドロック部である。ロ
ードロック部２１は、１または複数個（例えば、図示の
例は２個）備えられる。
【００２４】また、３１は反応室１１と各ロ−ドロック
部２１との間に配置され、各ロ−ドロック部２１と反応
室１１とを分離するか否かを決定する分離用バルブ、４
１は各ロ−ドロック部２１から反応室１１に半導体ウェ
−ハを移送させる際に、真空状態を維持するために各ロ
−ドロック部２１を減圧するポンプ、５１は各ロ−ドロ
ック部２１とそれぞれ連結された複数個（例えば、図示
の例は２個）の副排気管部Ｃと、一端が各副排気管部Ｃ
に、他端がポンプ４１に連結された主排気管部Ｄとを有
する排気管、６１は排気管５１に装着され、開放程度に
応じて各ロ−ドロック部２１からポンプ４１に流れる気
体の速度（ロ−ドロック部２１内の圧力の変化速度）を
調節する機能を有する排気速度調節用バルブ、７１は各
ロ−ドロック部２１をベンティングする場合にベンティ
ング用気体を注入するためのベンティング用気体注入管
である。
部２１との間に配置され、各ロ−ドロック部２１と反応
室１１とを分離するか否かを決定する分離用バルブ、４
１は各ロ−ドロック部２１から反応室１１に半導体ウェ
−ハを移送させる際に、真空状態を維持するために各ロ
−ドロック部２１を減圧するポンプ、５１は各ロ−ドロ
ック部２１とそれぞれ連結された複数個（例えば、図示
の例は２個）の副排気管部Ｃと、一端が各副排気管部Ｃ
に、他端がポンプ４１に連結された主排気管部Ｄとを有
する排気管、６１は排気管５１に装着され、開放程度に
応じて各ロ−ドロック部２１からポンプ４１に流れる気
体の速度（ロ−ドロック部２１内の圧力の変化速度）を
調節する機能を有する排気速度調節用バルブ、７１は各
ロ−ドロック部２１をベンティングする場合にベンティ
ング用気体を注入するためのベンティング用気体注入管
である。
【００２５】主排気管部Ｄの口径は、副排気管部Ｃの口
径より大きいことが好ましい。これは、主排気管部Ｄが
各ロ−ドロック部２１から排出される気体が合流して同
時に主排気管部Ｄを通るからである。排気速度調節用バ
ルブ６１としては、スロットルバルブが好適である。
径より大きいことが好ましい。これは、主排気管部Ｄが
各ロ−ドロック部２１から排出される気体が合流して同
時に主排気管部Ｄを通るからである。排気速度調節用バ
ルブ６１としては、スロットルバルブが好適である。
【００２６】本実施の形態によれば、排気速度調節用バ
ルブ６１を用いて排気速度を徐々に速くすることによ
り、ロ−ドロック部２１の急激な圧力の低下による気体
の断熱膨張を防止し、凝縮現象による微粒子の発生を低
減することができる。
ルブ６１を用いて排気速度を徐々に速くすることによ
り、ロ−ドロック部２１の急激な圧力の低下による気体
の断熱膨張を防止し、凝縮現象による微粒子の発生を低
減することができる。
【００２７】また、ベンティング用気体注入管の所定部
位に加熱源（図示せず）、例えばヒ−タ線を装着し、ベ
ンティング時に注入される気体を加熱することにより相
対湿度を下げることができ、これにより気体の断熱膨張
による微粒子の発生を低減することができる。
位に加熱源（図示せず）、例えばヒ−タ線を装着し、ベ
ンティング時に注入される気体を加熱することにより相
対湿度を下げることができ、これにより気体の断熱膨張
による微粒子の発生を低減することができる。
【００２８】図６は、図５の排気速度調節用バルブ６１
の好適な実施例であるスロットルバルブの概略図であ
る。同図において、１０１は両側面に排気管５１（図５
参照）と連結される開口部が形成された円筒形ケ−ス、
２０１は円筒形ケ−ス１０１の内部を左右に分離する円
板形の回転板、３０１は円筒形ケ−ス１０１を直径方向
に垂直に貫き、回転板２０１の中心を通るように回転板
２０１と結合された回転軸である。
の好適な実施例であるスロットルバルブの概略図であ
る。同図において、１０１は両側面に排気管５１（図５
参照）と連結される開口部が形成された円筒形ケ−ス、
２０１は円筒形ケ−ス１０１の内部を左右に分離する円
板形の回転板、３０１は円筒形ケ−ス１０１を直径方向
に垂直に貫き、回転板２０１の中心を通るように回転板
２０１と結合された回転軸である。
【００２９】回転軸３０１は、モ−タ（図示せず）の動
力が伝達されて回動する。従って、回転板２０１は、回
転軸３０１の回動により回転軸３０１を軸として回動
し、回動の程度（角度）に応じてロ−ドロック部２１
（図５参照）からポンプ４１（図５参照）に流れる気体
の速度、すなわち減圧の速度が決定される。
力が伝達されて回動する。従って、回転板２０１は、回
転軸３０１の回動により回転軸３０１を軸として回動
し、回動の程度（角度）に応じてロ−ドロック部２１
（図５参照）からポンプ４１（図５参照）に流れる気体
の速度、すなわち減圧の速度が決定される。
【００３０】＜第２の実施の形態＞図７は、本発明の第
２の実施の形態に係る半導体製造装置の１つであるイオ
ン注入装置の概略図である。なお、図５に示す装置と同
一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
２の実施の形態に係る半導体製造装置の１つであるイオ
ン注入装置の概略図である。なお、図５に示す装置と同
一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３１】図７において、６１Ａは副排気管部Ｃの所
定部位に装着され、ロ−ドロック部２１からポンプ４１
への気体の流れを遮断するか否かを決定する遮断用バル
ブであり、例えばエアバルブが好適である。また、８１
はベンティング用気体注入管７１の所定部位に装着され
た加熱源であり、例えばヒ−タ線が好適である。
定部位に装着され、ロ−ドロック部２１からポンプ４１
への気体の流れを遮断するか否かを決定する遮断用バル
ブであり、例えばエアバルブが好適である。また、８１
はベンティング用気体注入管７１の所定部位に装着され
た加熱源であり、例えばヒ−タ線が好適である。
【００３２】この加熱源８１によってロ−ドロック部２
１に注入するベンティング用気体を加熱することによ
り、ベンティング用気体の相対湿度が低くなり、ベンテ
ィング用気体の断熱膨張によるロ−ドロック部２１にお
ける微粒子の発生を低減することができる。
１に注入するベンティング用気体を加熱することによ
り、ベンティング用気体の相対湿度が低くなり、ベンテ
ィング用気体の断熱膨張によるロ−ドロック部２１にお
ける微粒子の発生を低減することができる。
【００３３】＜第３の実施の形態＞図８は、本発明の第
３の実施の形態に係る半導体製造装置の１つであるイオ
ン注入装置の概略図である。なお、図５に示す装置と同
一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
３の実施の形態に係る半導体製造装置の１つであるイオ
ン注入装置の概略図である。なお、図５に示す装置と同
一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３４】図８において、５１Ａは、ロ−ドロック部
２１と連結される複数個（例えば、図示の例は２個）の
副排気管部Ｅと、一端が副排気管部Ｅに、他端がポンプ
４１に連結される主排気管部Ｆとを有する排気管であ
る。主排気管部Ｆは、複数の副排気管部Ｅが合流する位
置から所定の長さの部分は第１の口径を有し、ポンプ４
１と連結される側の残り部分は、前記第１の口径より大
きい第２の口径を有することが好ましい。
２１と連結される複数個（例えば、図示の例は２個）の
副排気管部Ｅと、一端が副排気管部Ｅに、他端がポンプ
４１に連結される主排気管部Ｆとを有する排気管であ
る。主排気管部Ｆは、複数の副排気管部Ｅが合流する位
置から所定の長さの部分は第１の口径を有し、ポンプ４
１と連結される側の残り部分は、前記第１の口径より大
きい第２の口径を有することが好ましい。
【００３５】前記第１の口径を有する部分は、必ずしも
複数の副排気管部Ｅが合流する位置から所定の長さの部
分とする必要はなく、主排気管部Ｆにおける任意の位置
に配置し得る。
複数の副排気管部Ｅが合流する位置から所定の長さの部
分とする必要はなく、主排気管部Ｆにおける任意の位置
に配置し得る。
【００３６】前記第１の口径は、副排気管部Ｅの口径よ
り大きいことが好ましい。
り大きいことが好ましい。
【００３７】また、図８において、６１Ａは、ロ−ドロ
ック部２１からポンプ４１に流れる気体を遮断するか否
かを決定する遮断用バルブであり、例えばエアバルブが
好適である。この遮断用バルブ６１Ａは、副排気管部Ｅ
の所定位置に装着されることが好ましい。
ック部２１からポンプ４１に流れる気体を遮断するか否
かを決定する遮断用バルブであり、例えばエアバルブが
好適である。この遮断用バルブ６１Ａは、副排気管部Ｅ
の所定位置に装着されることが好ましい。
【００３８】この構成に拠れば、遮断用バルブ６１Ａが
急激に開いても、排出される気体の速度は、主排気管部
Ｆの前記第１の口径を有する部分により遅くなるため、
ロ−ドロック部２１の急激な圧力の低下による気体の断
熱膨張が抑制され、凝縮現象による微粒子の発生が低減
される。
急激に開いても、排出される気体の速度は、主排気管部
Ｆの前記第１の口径を有する部分により遅くなるため、
ロ−ドロック部２１の急激な圧力の低下による気体の断
熱膨張が抑制され、凝縮現象による微粒子の発生が低減
される。
【００３９】さらに、ベンティング用気体注入管７１の
所定部位に加熱源（図示せず）、例えばヒ−タ線を装着
し、ベンティング時に注入する気体を加熱することによ
り、相対湿度を下げて気体の断熱膨張による微粒子の発
生をさらに低減することができる。
所定部位に加熱源（図示せず）、例えばヒ−タ線を装着
し、ベンティング時に注入する気体を加熱することによ
り、相対湿度を下げて気体の断熱膨張による微粒子の発
生をさらに低減することができる。
【００４０】本発明は、上記の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で様々な変
形をなし得ることは明らかである。
ものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で様々な変
形をなし得ることは明らかである。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、ロ−ドロック部におけ
る気体の断熱膨張を防止し、これにより凝縮現象による
微粒子の発生を低減することができる。
る気体の断熱膨張を防止し、これにより凝縮現象による
微粒子の発生を低減することができる。
【００４２】
【図１】従来例に係る真空システムを備えた半導体製造
装置の１つであるイオン注入装置の概略図である。
装置の１つであるイオン注入装置の概略図である。
【図２】図１の遮断用バルブとして用いられるエアバル
ブを示した断面図である。
ブを示した断面図である。
【図３】図１のロ−ドロック部から発生した微粒子を観
察したＳＥＭ写真である。
察したＳＥＭ写真である。
【図４】図３の微粒子の成分をＡＥＳで分析した結果を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図６】図５の排気速度調節用バルブの好適な実施例で
あるスロットルバルブの概略図である。
あるスロットルバルブの概略図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体製造装
置の概略図である。
置の概略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ (72)発明者 蔡勝基 大韓民国ソウル特別市陽川区木洞925番地 新市街地アパート701棟104号
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体装置の製造工程を実行するための
反応室と、前記反応室の所定部位に連通され、前記反応
室内に半導体ウェハを移送するためのロ−ドロック部
と、前記ロ−ドロック部を減圧するためのポンプと、前
記ロ−ドロック部と前記ポンプとを連結して前記ロ−ド
ロック部の気体を排出する排気管とを有する半導体製造
装置であって、 前記ロ−ドロック部から前記ポンプに流れる気体の速度
を調節する排気速度調節手段を含むバルブを前記排気管
の所定部位に具備することを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項２】 前記ロ−ドロック部は、ベンティング用
気体を注入するためのベンティング用気体注入管と、前
記ベンティング用気体注入管の所定部位に装着された加
熱源とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導
体製造装置。 - 【請求項３】 前記バルブは、スロットルバルブである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記加熱源は、前記ベンティング用気体
注入管を取り囲むヒ−タ線を含むことを特徴とする請求
項２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記スロットルバルブは、 両側面に前記排気管と連結される開口部を有する円筒形
ケ−スと、 前記円筒形ケ−スの内部の左右を分離する円板形の回転
板と、 前記円筒形ケ−スを垂直に直径方向に貫いて前記回転板
の中心を通るように前記回転板と結合された回転軸と、 前記回転軸を回動する駆動部と、 を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項６】 前記駆動部は、モ−タであることを特徴
とする請求項５に記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 半導体装置の製造工程を実行するための
反応室と、前記反応室の所定部位に連通され、前記反応
室内に半導体ウェハを移送するためのロ−ドロック部
と、前記ロ−ドロック部にベンティング用の気体を注入
するためのベンティング用気体注入管とを有する半導体
製造装置であって、 前記ロ−ドロック部に注入するベンティング用気体を加
熱するための加熱源を、前記ベンティング用気体注入管
の所定部位に具備することを特徴する半導体製造装置。 - 【請求項８】 前記加熱源は、前記ベンティング用気体
注入管を取り囲むヒ−タ線を含むことを特徴とする請求
項７に記載の半導体製造装置。 - 【請求項９】 半導体装置の製造工程を実行するための
反応室、前記反応室の所定部位に連通され、前記反応室
内に半導体ウェハを移送するための複数のロ−ドロック
部と、前記複数のロ−ドロック部を減圧するためのポン
プと、前記複数のロ−ドロック部と前記ポンプとを連結
して前記複数のロ−ドロック部の気体を排出する排気管
と、前記排気管の所定部位に装着されたバルブとを有す
る半導体製造装置であって、前記排気管は、 前記複数のロ−ドロック部とそれぞれ連結される複数の
副排気管部と、 一端が前記複数の副排気管部に、他端が前記ポンプに連
結され、所定の領域の口径が他の領域と異なる主排気管
部と、 を具備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項１０】 前記主排気管部において、所定の長さ
の部分は第１の口径を有し、前記ポンプに連結される残
りの長さ部分は前記第１の口径より大きい第２の口径を
有することを特徴とする請求項９に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項１１】 前記バルブは、前記副排気管部の所定
位置に装着されていることを特徴とする請求項９に記載
の半導体製造装置。 - 【請求項１２】 前記複数のロ−ドロック部にベンティ
ング用気体を注入するためのベンティング用気体注入管
と、前記ベンティング用気体注入管の所定部位に装着さ
れた加熱源とをさらに具備することを特徴とする請求項
９に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１３】 前記バルブは、遮断用バルブであるこ
とを特徴とする請求項９に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１４】 前記遮断用バルブは、エアバルブであ
ることを特徴とする請求項１３に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項１５】 高真空の中で半導体ウェハに処理を施
すための反応室と、前記反応室を大気圧に開放すること
なく半導体ウェハを移送するためのロ−ドロック部と、
前記ロ−ドロック部を減圧するためのポンプとを有する
半導体製造装置であって、 前記ロ−ドロック部を前記ポンプにより減圧する際の凝
縮現象による微粒子の発生を抑制する手段を具備するこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042623A KR100189981B1 (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치 |
| KR95-42623 | 1995-11-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148265A true JPH09148265A (ja) | 1997-06-06 |
| JP4008515B2 JP4008515B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=19435018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17750396A Expired - Lifetime JP4008515B2 (ja) | 1995-11-21 | 1996-06-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5833425A (ja) |
| EP (2) | EP0776026B1 (ja) |
| JP (1) | JP4008515B2 (ja) |
| KR (1) | KR100189981B1 (ja) |
| CN (2) | CN1242456C (ja) |
| DE (1) | DE69616481T2 (ja) |
| TW (1) | TW308705B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003531503A (ja) * | 2000-04-20 | 2003-10-21 | アルカテル | 半導体装置の移送チャンバから排気する方法およびシステム |
| KR20200143537A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4117969C2 (de) * | 1991-05-31 | 2000-11-09 | Balzers Ag Liechtenstein | Vakuumkammer |
| KR100296651B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2001-10-26 | 윤종용 | 반도체진공설비및이를이용하는방법 |
| US6161311A (en) * | 1998-07-10 | 2000-12-19 | Asm America, Inc. | System and method for reducing particles in epitaxial reactors |
| US6016611A (en) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Gas flow control in a substrate processing system |
| US6197119B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
| US6238514B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-05-29 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent |
| KR100740905B1 (ko) * | 2000-03-16 | 2007-07-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 고진공 스퍼터 장치 |
| US6568896B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-05-27 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber with side wall port |
| US6488745B2 (en) | 2001-03-23 | 2002-12-03 | Mks Instruments, Inc. | Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions |
| US6701972B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-03-09 | The Boc Group, Inc. | Vacuum load lock, system including vacuum load lock, and associated methods |
| JP2005191494A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
| CN100520503C (zh) * | 2004-03-08 | 2009-07-29 | 周星工程股份有限公司 | 抽真空系统及其驱动方法、具有此系统的装置和使用此系统转移基板的方法 |
| US7253107B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-08-07 | Asm International N.V. | Pressure control system |
| JP4581602B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2010-11-17 | 株式会社島津製作所 | 真空処理装置 |
| JP2006342688A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Ebara Corp | 真空排気システム |
| KR101121419B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2012-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 기판제조장치 및 이에 이용되는 진공펌핑방법과 벤팅방법 |
| KR100665855B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조설비의 진공장치 및 이를 이용한진공방법 |
| JP4951618B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-06-13 | 株式会社クラレ | 不織繊維構造を有する成形体 |
| US7989173B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-08-02 | The Johns Hopkins University | Detection and diagnosis of inflammatory disorders |
| KR101359401B1 (ko) * | 2007-06-21 | 2014-02-10 | 주성엔지니어링(주) | 고효율 박막 태양전지와 그 제조방법 및 제조장치 |
| JP2009252953A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| JP2010153737A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| US8623141B2 (en) | 2009-05-18 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Piping system and control for semiconductor processing |
| JP5899209B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2016-04-06 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | ワークピース上の結露を防ぐためのアクティブ露点検出およびロードロック通気 |
| EP2546300A1 (en) | 2011-07-14 | 2013-01-16 | Cytec Surface Specialties, S.A. | Radiation curable aqueous dispersions |
| US20140116336A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate process chamber exhaust |
| US20230138326A1 (en) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | Applied Materials, Inc. | Model-Based Controlled Load Lock Pumping Scheme |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4181288A (en) * | 1978-04-05 | 1980-01-01 | Simon Bylsma | Fluid pressure regulator valve unit for a fluid delivery system |
| US4573431A (en) * | 1983-11-16 | 1986-03-04 | Btu Engineering Corporation | Modular V-CVD diffusion furnace |
| US4657621A (en) * | 1984-10-22 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Low particulate vacuum chamber input/output valve |
| US4739787A (en) * | 1986-11-10 | 1988-04-26 | Stoltenberg Kevin J | Method and apparatus for improving the yield of integrated circuit devices |
| JPH01198034A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02185974A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Tokyo Electron Ltd | 金属シリサイド膜の減圧ｃｖｄ装置 |
| US4987933A (en) * | 1989-03-03 | 1991-01-29 | Eaton Corporation | Fluid flow control method and apparatus for minimizing particle contamination |
| KR0155572B1 (ko) * | 1991-05-28 | 1998-12-01 | 이노우에 아키라 | 감압처리 시스템 및 감압처리 방법 |
| JP3149206B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5228208A (en) * | 1991-06-17 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Method of and apparatus for controlling thermal gradient in a load lock chamber |
| JPH0536618A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH05218176A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 熱処理方法及び被処理体の移載方法 |
| US5303671A (en) * | 1992-02-07 | 1994-04-19 | Tokyo Electron Limited | System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer |
| JPH0669180A (ja) * | 1992-08-13 | 1994-03-11 | Tokyo Hightech Kk | 真空乾燥装置 |
| JP3330166B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US5308989A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-03 | Eaton Corporation | Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter |
| EP0635875B1 (en) * | 1993-02-05 | 1997-01-02 | Asm Japan K.K. | Apparatus for heat treatment |
| JP3218488B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6047713A (en) * | 1994-02-03 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a throttle valve |
| US5485542A (en) * | 1994-07-18 | 1996-01-16 | Mks Instruments, Inc. | Heated fluid control valve with electric heating element and thermocouple wiring disposed in rotatable shaft |
| JPH0855810A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-02-27 | Nec Kyushu Ltd | 拡散炉 |
-
1995
- 1995-11-21 KR KR1019950042623A patent/KR100189981B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-05-25 TW TW085106244A patent/TW308705B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-06-06 CN CNB200310116459XA patent/CN1242456C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-06 CN CNB961022655A patent/CN1165637C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-07 DE DE69616481T patent/DE69616481T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-07 EP EP96304288A patent/EP0776026B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-07 EP EP00302162A patent/EP1017085A3/en not_active Withdrawn
- 1996-06-18 JP JP17750396A patent/JP4008515B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-20 US US08/752,954 patent/US5833425A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-12-01 US US08/980,789 patent/US6071350A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003531503A (ja) * | 2000-04-20 | 2003-10-21 | アルカテル | 半導体装置の移送チャンバから排気する方法およびシステム |
| KR20200143537A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11615969B2 (en) | 2019-06-13 | 2023-03-28 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1152626A (zh) | 1997-06-25 |
| CN1501445A (zh) | 2004-06-02 |
| US6071350A (en) | 2000-06-06 |
| KR100189981B1 (ko) | 1999-06-01 |
| US5833425A (en) | 1998-11-10 |
| EP0776026A1 (en) | 1997-05-28 |
| KR970030243A (ko) | 1997-06-26 |
| EP1017085A2 (en) | 2000-07-05 |
| JP4008515B2 (ja) | 2007-11-14 |
| CN1242456C (zh) | 2006-02-15 |
| EP1017085A3 (en) | 2002-09-25 |
| CN1165637C (zh) | 2004-09-08 |
| TW308705B (ja) | 1997-06-21 |
| DE69616481T2 (de) | 2002-07-11 |
| EP0776026B1 (en) | 2001-10-31 |
| DE69616481D1 (de) | 2001-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09148265A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US5678116A (en) | Method and apparatus for drying a substrate having a resist film with a miniaturized pattern | |
| CN107424908B (zh) | 一种晶圆处理方法 | |
| US6043162A (en) | Method of processing semiconductor substrate | |
| US20050087303A1 (en) | Membrane dryer | |
| JP2020170808A (ja) | 処理液生成装置、基板処理装置、処理液生成方法および基板処理方法 | |
| JPH0252428A (ja) | 処理装置 | |
| JP2020047887A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US8114203B2 (en) | Units for collecting particles, apparatus including the same and methods for collecting particles using the same | |
| JPH0864514A (ja) | 基板処理方法及び装置 | |
| JPH09115889A (ja) | 半導体エッチング装置及びその方法 | |
| JPH10132141A (ja) | コンダクタンス調整弁および半導体製造装置 | |
| TWI843298B (zh) | 基板處理方法及處理液評價方法 | |
| JPH084102Y2 (ja) | 真空装置 | |
| JPH1041214A (ja) | Ｈｍｄｓ処理方法及びｈｍｄｓ処理装置 | |
| JP2006108402A (ja) | 微細構造乾燥処理方法とその装置及びサンプルホルダ | |
| JPH07201758A (ja) | 減圧熱処理炉用開度可変弁装置 | |
| KR19990042579A (ko) | 진공 시스템을 구비한 반도체 제조장치 | |
| JPH01125933A (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JPH11218236A (ja) | 流体処理方法及び流体処理装置 | |
| JP3442235B2 (ja) | 油拡散ポンプ及び半導体製造装置 | |
| JP3454479B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07283126A (ja) | 基板の回転式乾燥処理方法及び装置 | |
| KR19990081135A (ko) | 챔버에서 발생되는 기체 응축 현상을 방지하기 위한 방법 및 그방법이 적용되는 반도체 제조 장치 | |
| JP2000323453A (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050425 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060327 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070409 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070704 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070806 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070830 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130907 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |