JP3442235B2 - 油拡散ポンプ及び半導体製造装置 - Google Patents

油拡散ポンプ及び半導体製造装置

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JP3442235B2
JP3442235B2 JP27612096A JP27612096A JP3442235B2 JP 3442235 B2 JP3442235 B2 JP 3442235B2 JP 27612096 A JP27612096 A JP 27612096A JP 27612096 A JP27612096 A JP 27612096A JP 3442235 B2 JP3442235 B2 JP 3442235B2
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oil
diffusion pump
bubbling
gas
oil diffusion
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菊池  健
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は油拡散ポンプ及び油
拡散ポンプを真空ポンプとして使用する半導体製造装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造においては、プラズマエッ
チングや反応性イオンエッチング(RIE)等のドライ
エッチングがよく使用される。ドライエッチングはチャ
ンバに所定のガスを導入しながら実施される。また、イ
オン注入も、チャンバに所定のガスを導入しながら実施
される。
【0003】チャンバは通常は真空状態にされ、そのた
めに真空ポンプが使用される。高真空状態を得るため
に、真空ポンプとして油拡散ポンプが使用される。油拡
散ポンプでは、本体内に油が入れられており、油がヒー
タによって加熱され、油蒸気となって拡散用ノズルから
噴出される。チャンバから排気される処理ガスは拡散用
ノズルから噴出される油蒸気と衝突し、運動量を与えら
れ、排気口の方向へ運動する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】チャンバ内には処理ガ
ス及び生成ガスがあり、これらの処理ガス及び生成ガス
は真空ポンプとしての油拡散ポンプに吸引される。吸引
された処理ガス及び生成ガスは油拡散ポンプを通り、さ
らに、荒引き用ポンプを通りガス処理装置を通って後で
大気に放出される。しかし、油拡散ポンプを通る処理ガ
ス及び生成ガスの一部は、油拡散ポンプの油中に溶け込
み、油拡散ポンプの交換やメンテナンスを行うときに、
油拡散ポンプの油中に溶け込んだ処理ガス及び生成ガス
が油拡散ポンプから放出されることがある。従って、油
拡散ポンプの交換やメンテナンスをクリーンルーム内で
行う場合、クリーンルームが汚染されるという問題があ
った。
【0005】本発明の目的は、内部の汚染物質を効率的
に浄化することができ、よってクリーンルームの汚染を
防止することのできる油拡散ポンプ及び油拡散ポンプを
真空ポンプとして使用する半導体製造装置を提供するこ
とである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による油拡散ポン
プは、本体と、該本体内に配置された拡散部材と、該本
体の油の液体レベルより下方の位置にバブリングガスを
供給するために該本体に接続されたバブリングガス導入
ラインと、該油を加熱するヒータとを備え、バブリング
ガスによって油のバブリングを行うようにしたことを特
徴とするものである。
【0007】また、本発明による半導体製造装置は、そ
のような油拡散ポンプを真空ポンプとして使用すること
を特徴とするものである。上記構成において、リリーフ
弁を含むダクトが該本体の上部に接続されているように
することもできる。また、油の温度を油の沸点以下に制
御してバブリングを行うようにすることもできる。ま
た、該本体を大気に開放するベントと該本体を真空にす
る真空引きとを交互に繰り返すようにすることもでき
る。
【0008】上記特徴により、バブリングガスによって
油のバブリングを行い、油を清浄にする。よって、油拡
散ポンプの交換やメンテナンス時にクリーンルームが汚
染されるのを防止することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施例による油拡
散ポンプ32を示す図である。油拡散ポンプ32は、本
体40と、本体40内に配置された拡散部材としてのノ
ズル(簡略化して示されている)42と、本体40の油
の液体レベル44より下方の位置にバブリングガスを供
給するために本体40に接続されたバブリングガス導入
ライン46とを備えてなる。ヒータ41が本体40の底
部に設けられ、油を加熱できるようになっている。
【0010】より詳細には、バブリングガス導入ライン
46は本体40内の液量を測定するために測定棒を差し
込む部分40aに接続される。バルブ48がバブリング
ガス導入ライン46に配置され、バブリングガス導入ラ
イン46は図示しないバブリングガスの供給源に接続さ
れる。バブリングガスとして例えば窒素ガスが供給され
る。バブリングガスとしてその他のガスを使用すること
もできる。例えば水蒸気を含んだガスを使用すると、さ
らに効果的になることがある。
【0011】油拡散ポンプ32は、本体40の頂部に吸
気口50を備え、本体40の下方で油の液体レベル44
より上方の位置に排気口52を備える。排気口52に通
じるダクト54にはバルブ55が配置される。さらに、
バブリングガスの放出ダクト56が本体40の上方の位
置に設けられ、リリーフ弁58が放出ダクト56に設け
られる。
【0012】制御装置60は、ヒータ41をバブリング
に適するように作動させたり、バルブ48、55をバブ
リング時に同期して作動させたりする。バブリングガス
は、油拡散ポンプの交換やメンテナンス時にバルブ48
を開くことによって本体40内に所定の圧力下で供給さ
れ、液体状態の油の中で泡となっ吹き上がり、油のバ
ブリングを行う。油のバブリングを行うと、油中に含ま
れる汚染物質が油から分離され、バブリングガスととも
に油の液体レベル44より上方に浮き上がる。
【0013】バルブ55が閉じていると、バブリングガ
スの導入によって本体40内の圧力が上昇するので、油
から分離された汚染物質はバブリングガスとともにリリ
ーフ弁58を開弁させ、放出ダクト56を通り、さらに
図示しない処理装置を通って、大気に放出される。
【0014】ここで、ヒータ41を作動させ、油の温度
を油の沸点以下に制御してバブリングを行うと、汚染物
質が油から分離されるのを促進することができる。ま
た、ダクト54を他の真空ポンプ(例えば後で説明する
低真空用真空ポンプ30)等に接続して、汚染物質及び
バブリングガスをダクト54を通って放出することもで
きる。この場合、バルブ48、55をバブリング時に同
期して作動させ、ダクト54を通っての放出を断続的に
行うことにより、汚染物質の浄化をより効率的に行うこ
とができる。
【0015】図2は図1の油拡散ポンプを真空ポンプと
して使用する半導体製造装置10を示している。この半
導体製造装置10はイオン注入装置として実施されてい
る。この半導体製造装置10はその他の、例えばエッチ
ング装置等として実施されることもできる。
【0016】半導体製造装置10はチャンバ12を備
え、イオン注入に必要なガスを供給する供給ライン14
及びそのガスを排出する排出ライン16がチャンバ12
に接続されている。供給ライン14及び排出する排出ラ
イン16にはそれぞれバルブ14a、16aが配置され
る。また、安全弁18を含むダクト20が接続される。
チャンバ12には必要に応じてイオン注入のための公知
の手段(図示せず)が配置される。
【0017】また、チャンバ12を大気に開放する場合
にチャンバ12を浄化するために、不活性ガス導入ライ
ン22及び水分含有ガス導入ライン24がチャンバ12
に接続されている。不活性ガス導入ライン22はバルブ
22aを含み、水分含有ガス導入ライン24はバルブ2
4aを含む。これらのバルブバルブ22a、24aを開
閉することによって所望のガスをチャンバ12に導入す
ることができる。不活性ガス導入ライン22は例えば窒
素ガスを供給し、水分含有ガス導入ライン24は例えば
水蒸気を含む空気、あるいは水蒸気を含む窒素等を供給
する。
【0018】さらに、排気ライン26、28がチャンバ
12に接続されている。排気ライン26はバルブ26a
及び荒引き用真空ポンプ30を含み、排気ライン28は
バルブ28a及び高真空用真空ポンプ32を含む。通
常、チャンバ12を真空にする場合、荒引き用真空ポン
プ30を最初に作動させてチャンバ12内を低真空状態
にし、それから高真空用真空ポンプ32を作動させてチ
ャンバ12内を高真空状態にする。高真空用真空ポンプ
32としては油拡散ポンプが使用される。これが図1の
油拡散ポンプ32である。
【0019】さらに、ヒータ34がチャンバ12を形成
する外壁の周囲及び底部に取りつけられ、チャンバ12
を加熱することができるようになっている。このように
して、メンテナンス等においてチャンバ12を大気に開
放する際に、不活性ガス導入ライン22又は水分含有ガ
ス導入ライン24及び排気ライン26を通してチャンバ
12に不活性ガス又は水分含有ガスを流すとともに、ヒ
ータ34を作動させてチャンバ12を加熱し、チャンバ
12を浄化することができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
内部に汚染物質がある場合にその汚染物質を効率的に浄
化することのできる油拡散ポンプ及び油拡散ポンプを真
空ポンプとして使用する半導体製造装置を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による油拡散ポンプを示す図で
ある。
【図2】図1の油拡散ポンプを使用した半導体製造装置
を示す図である。
【符号の説明】
12…チャンバ 22…不活性ガス導入ライン 24…水分含有ガス導入ライン 26、28…排気ライン 30…荒引き用真空ポンプ 32…高真空用真空ポンプ 40…本体 42…ノズル 46…バブリングガス導入ライン 56…ダクト 58…リリーフ弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/02 F04B 9/00 B01D 19/00

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 本体と、該本体内に配置された拡散部材
    と、該本体の油の液体レベルより下方の位置にバブリン
    グガスを供給するために該本体に接続されたバブリング
    ガス導入ラインと、該油を加熱するヒータとを備え、バ
    ブリングガスによって油のバブリングを行うようにした
    ことを特徴とする油拡散ポンプ。
  2. 【請求項2】 リリーフ弁を含むダクトが該本体の上部
    に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の油
    拡散ポンプ。
  3. 【請求項3】 油の温度を油の沸点以下に制御してバブ
    リングを行うことを特徴とする請求項1に記載の油拡散
    ポンプ。
  4. 【請求項4】 該本体を大気に開放するベントと該本体
    を真空にする真空引きとを交互に繰り返すことを特徴と
    する請求項1に記載の油拡散ポンプ。
  5. 【請求項5】 半導体を処理するためのチャンバと、該
    チャンバを真空にするための真空ポンプを含む排気ライ
    ンとを備え、該真空ポンプが油拡散ポンプからなり、該
    油拡散ポンプが、本体と、該本体内に配置された拡散部
    材と、該本体の油の液体レベルより下方の位置にバブリ
    ングガスを供給するために該本体に接続されたバブリン
    グガス導入ラインと、該油を加熱するヒータとを備え、
    バブリングガスによって油のバブリングを行うようにし
    たことを特徴とする半導体製造装置。
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