JPH0124224B2 - - Google Patents
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- JPH0124224B2 JPH0124224B2 JP22202383A JP22202383A JPH0124224B2 JP H0124224 B2 JPH0124224 B2 JP H0124224B2 JP 22202383 A JP22202383 A JP 22202383A JP 22202383 A JP22202383 A JP 22202383A JP H0124224 B2 JPH0124224 B2 JP H0124224B2
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- JP
- Japan
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- vacuum
- evacuation
- valve
- deposition chamber
- flow rate
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- Expired
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は処理室である蒸着室内の異物巻き上が
りを抑えることができる真空装置に関するもので
ある。
りを抑えることができる真空装置に関するもので
ある。
周知のように真空装置例えば真空蒸着装置は、
たとえば半導体ウエーハの表面に金属蒸着膜を形
成する場合に用いる。
たとえば半導体ウエーハの表面に金属蒸着膜を形
成する場合に用いる。
そして、この蒸着を行なう際には、まず装置の
蒸着室内を高真空にしておく必要があり、また蒸
着終了後においては蒸着室内の圧力を大気圧にも
どす必要がある。
蒸着室内を高真空にしておく必要があり、また蒸
着終了後においては蒸着室内の圧力を大気圧にも
どす必要がある。
従来、真空蒸着装置２１は第３図に示すように
蒸着室２２を中程において、この蒸着室２２の一
方に粗引き用ロータリーポンプ２４をつなぎ、こ
れらの間に粗引きバルブ２３を介在させ、これに
より真空排気のうちの粗引きを行ない、次いで蒸
着室２２の下部に拡散ポンプ３４および補助用ロ
ータリポンプ３６をつないで本引きを行なつてい
る。さらに、蒸着室２２の他方にベントバルブ３
０をつないで、これにより蒸着室２２への大気導
入を行なう構造のものであつた。
蒸着室２２を中程において、この蒸着室２２の一
方に粗引き用ロータリーポンプ２４をつなぎ、こ
れらの間に粗引きバルブ２３を介在させ、これに
より真空排気のうちの粗引きを行ない、次いで蒸
着室２２の下部に拡散ポンプ３４および補助用ロ
ータリポンプ３６をつないで本引きを行なつてい
る。さらに、蒸着室２２の他方にベントバルブ３
０をつないで、これにより蒸着室２２への大気導
入を行なう構造のものであつた。
ところが、このような構造のものにおいては、
真空排気時および大気導入時に気体の流れが乱
れ、蒸着室２２内の異物が巻き上がりウエーハ表
面に付着し、ウエーハの蒸着による歩留り低下を
きたしていた。
真空排気時および大気導入時に気体の流れが乱
れ、蒸着室２２内の異物が巻き上がりウエーハ表
面に付着し、ウエーハの蒸着による歩留り低下を
きたしていた。
とくに、前記巻き上がり現象が問題となるのは
蒸着室２２内の気体の状態が粘性流領域、たとえ
ば大気圧〜５×10-3Torrまでの範囲で問題が生
ずる。
蒸着室２２内の気体の状態が粘性流領域、たとえ
ば大気圧〜５×10-3Torrまでの範囲で問題が生
ずる。
本発明はこのような従来の真空装置の欠点を解
消するものであつて、その目的とするところは処
理室内の異物巻き上がりを抑え清浄な処理室内で
半導体ウエーハを処理することができる真空装置
を提供するにある。
消するものであつて、その目的とするところは処
理室内の異物巻き上がりを抑え清浄な処理室内で
半導体ウエーハを処理することができる真空装置
を提供するにある。
以下、添付図面に関連し本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明の一実施例に従つた真空蒸着装
置の系統図である。同図において、この真空蒸着
装置１は中程に蒸着室２を有しており、この蒸着
室２の片側には、真空排気部の一部を構成すると
ころの真空排気用配管３を取付け、この先端に粗
引き用ポンプとしてのロータリポンプ４を設ける
と同時に、このロータリポンプ４と蒸着室２を結
ぶ配管３の間には、粗引きバルブ５を介在させて
いる。
置の系統図である。同図において、この真空蒸着
装置１は中程に蒸着室２を有しており、この蒸着
室２の片側には、真空排気部の一部を構成すると
ころの真空排気用配管３を取付け、この先端に粗
引き用ポンプとしてのロータリポンプ４を設ける
と同時に、このロータリポンプ４と蒸着室２を結
ぶ配管３の間には、粗引きバルブ５を介在させて
いる。
さらに、粗引きバルブ５をまたぐようにスロー
排気用バイパス６をつないで、このバイパス６に
流量制御手段としての流量コントロールバルブ７
とスロー排気バルブ８を蒸着室２側から順次取り
付けている。
排気用バイパス６をつないで、このバイパス６に
流量制御手段としての流量コントロールバルブ７
とスロー排気バルブ８を蒸着室２側から順次取り
付けている。
また、蒸着室２の反対側には、大気導入部の一
部を構成する大気導入用配管９をつないで、この
配管９の中途にベントバルブ１０を介在させてい
る。
部を構成する大気導入用配管９をつないで、この
配管９の中途にベントバルブ１０を介在させてい
る。
そして、このベントバルブ１０をまたいで配管
９にスローベント用バイパス１１をつないで、こ
れに流量制御手段としてのスローベントバルブ１
２と流量コントロールバルブ１３を蒸着室２から
遠い位置から順次並べて設けている。
９にスローベント用バイパス１１をつないで、こ
れに流量制御手段としてのスローベントバルブ１
２と流量コントロールバルブ１３を蒸着室２から
遠い位置から順次並べて設けている。
また、蒸着室２の下部には本引き用ポンプとし
ての拡散ポンプ１４を設け、これを配管１５を介
して補助ポンプとしてのロータリポンプ１６につ
ないでいる。
ての拡散ポンプ１４を設け、これを配管１５を介
して補助ポンプとしてのロータリポンプ１６につ
ないでいる。
つぎに、このように構成した真空蒸着装置１に
おける真空排気動作および大気導入動作について
第１図と第２図ａ，ｂをつかつて説明する。
おける真空排気動作および大気導入動作について
第１図と第２図ａ，ｂをつかつて説明する。
まず、ａに示すように蒸着室２を大気圧から適
当な真空度にもつていくためには、真空排気動作
を行なわせなければならない。
当な真空度にもつていくためには、真空排気動作
を行なわせなければならない。
これをするには、最初に流量コントロールバル
ブ７で大まかに流量をしぼつたあと、つぎにスロ
ー排気バルブ８にて、気体の粘性流領域での流量
を気体が乱れない程度にしぼつて粗引き用のロー
タリポンプ４で引く。
ブ７で大まかに流量をしぼつたあと、つぎにスロ
ー排気バルブ８にて、気体の粘性流領域での流量
を気体が乱れない程度にしぼつて粗引き用のロー
タリポンプ４で引く。
ついで、粗引きバルブ５を開いて前記スロー排
気バルブ８での粗引きよりも大なる粗引きを同じ
くロータリポンプ４で引いて図る。
気バルブ８での粗引きよりも大なる粗引きを同じ
くロータリポンプ４で引いて図る。
ここまでは、気体の粘性流領域を対象として真
空排気であるが、これに引き続いて粘性流領域以
外たとえば分子流領域を対象とした本引き動作に
入る。
空排気であるが、これに引き続いて粘性流領域以
外たとえば分子流領域を対象とした本引き動作に
入る。
この本引きは、言うに及ばず拡散ポンプ１４
と、これにつないだロータリポンプ１６とにより
行ない、高真空状態を得る。
と、これにつないだロータリポンプ１６とにより
行ない、高真空状態を得る。
この状態において、蒸着室２内で所定の蒸着、
すなわちウエーハの表面に対する金属蒸着膜の形
成を行なつたあと、前述した大気導入動作を行な
わせる。
すなわちウエーハの表面に対する金属蒸着膜の形
成を行なつたあと、前述した大気導入動作を行な
わせる。
この大気導入動作は、蒸着室２内の圧力（高真
空）を大気圧にもどすためのもので、これはｂに
示すように、まずスローベントバルブ１２で取り
込む大気の粘性流領域での流量を気体が乱れない
程度にしぼつて、これをさらに流量コントロー
ル・バルブ７で調節して蒸着室２に導入してい
る。
空）を大気圧にもどすためのもので、これはｂに
示すように、まずスローベントバルブ１２で取り
込む大気の粘性流領域での流量を気体が乱れない
程度にしぼつて、これをさらに流量コントロー
ル・バルブ７で調節して蒸着室２に導入してい
る。
このあと、ベントバルブ１０を開いてスローベ
ント・バルブ１２による導入量よりも大なる流量
で大気を蒸着室２内にとり込むことにより、蒸着
室２の圧力を高真空状態から大気圧状態にまでも
どすことができる。
ント・バルブ１２による導入量よりも大なる流量
で大気を蒸着室２内にとり込むことにより、蒸着
室２の圧力を高真空状態から大気圧状態にまでも
どすことができる。
なお、前記実施例において、大気導入部側にお
けるスローベント・バルブ１２と流量コントロー
ル・バルブ１３の配列順序は第１図に示す通りの
配列が最も好ましく、これらを入れかえた配置に
すると、スローベント・バルブ１２を開いた直後
に、流量コントロール・バルブ１３とスローベン
ト・バルブ１２との間に存在する気体が流入し、
急激な圧力上昇を生ずるため避けなければならな
い。
けるスローベント・バルブ１２と流量コントロー
ル・バルブ１３の配列順序は第１図に示す通りの
配列が最も好ましく、これらを入れかえた配置に
すると、スローベント・バルブ１２を開いた直後
に、流量コントロール・バルブ１３とスローベン
ト・バルブ１２との間に存在する気体が流入し、
急激な圧力上昇を生ずるため避けなければならな
い。
同様なことは、真空排気部側における流量コン
トロール・バルブ７とスロー換気バルブ８につい
ても生ずることから第１図に示す配置が望まし
い。ただし、この場合においてはスロー排気バル
ブ８前後の圧力差がスローベンド・バルブ１２の
場合よりも小さいために逆の配置にしても、その
影響は少ない。
トロール・バルブ７とスロー換気バルブ８につい
ても生ずることから第１図に示す配置が望まし
い。ただし、この場合においてはスロー排気バル
ブ８前後の圧力差がスローベンド・バルブ１２の
場合よりも小さいために逆の配置にしても、その
影響は少ない。
以上の説明から明らかなように本発明による真
空装置によれば、真空装置の真空排気部と大気導
入部の双方にそれぞれ、気体の粘性流領域での流
量を制御するための手段を設けて、真空排気工程
の初期および大気導入工程の初期において、気体
の流量をしぼり極力、気体の流れに乱れを生じさ
せないようにしているから、従来のように処理室
内の異物の巻き上げがなく、ウエーハなど対象物
に対して清浄な状態で処理を行なうことができ
る。
空装置によれば、真空装置の真空排気部と大気導
入部の双方にそれぞれ、気体の粘性流領域での流
量を制御するための手段を設けて、真空排気工程
の初期および大気導入工程の初期において、気体
の流量をしぼり極力、気体の流れに乱れを生じさ
せないようにしているから、従来のように処理室
内の異物の巻き上げがなく、ウエーハなど対象物
に対して清浄な状態で処理を行なうことができ
る。
第１図は本発明の一実施例に従つた真空蒸着装
置の排気系統図、第２図ａ，ｂは真空排気および
大気導入動作過程を示すブロツク図、第３図は従
来の真空蒸着装置の排気系統図である。 １……真空蒸着装置、２……蒸着室、３……真
空排気用配管、４……ロータリポンプ、５……粗
引きバルブ、６……スロー排気用バイパス、７…
…流量コントロール・バルブ、８……スロー排気
バルブ、９……大気導入用配管、１０……ベント
バルブ、１１……スローベント・バイパス、１２
……スローベント・バルブ、１３……流量コント
ロールバルブ、１４……拡散ポンプ、１５……配
管、１６……ロータリポンプ、２１……真空蒸着
装置、２２……蒸着室、２３……粗引きバルブ、
２４……粗引き用ロータリ・ポンプ、３０……ベ
ントバルブ、３４……拡散ポンプ、３６……補助
用ロータリポンプ。
置の排気系統図、第２図ａ，ｂは真空排気および
大気導入動作過程を示すブロツク図、第３図は従
来の真空蒸着装置の排気系統図である。 １……真空蒸着装置、２……蒸着室、３……真
空排気用配管、４……ロータリポンプ、５……粗
引きバルブ、６……スロー排気用バイパス、７…
…流量コントロール・バルブ、８……スロー排気
バルブ、９……大気導入用配管、１０……ベント
バルブ、１１……スローベント・バイパス、１２
……スローベント・バルブ、１３……流量コント
ロールバルブ、１４……拡散ポンプ、１５……配
管、１６……ロータリポンプ、２１……真空蒸着
装置、２２……蒸着室、２３……粗引きバルブ、
２４……粗引き用ロータリ・ポンプ、３０……ベ
ントバルブ、３４……拡散ポンプ、３６……補助
用ロータリポンプ。
Claims (1)
- １ 処理室と、処理室を真空状態にするための真
空排気部と、上記処理室を大気圧にするための大
気導入部とを有する真空装置において、上記真空
排気部による真空排気時又は大気導入部による大
気導入時に上記処理室において気体の乱れが生じ
ないように気体の流量を調整することができる流
量調整手段を有していることを特徴とする真空装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22202383A JPS59133365A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22202383A JPS59133365A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 真空装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP594177A Division JPS5913587B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | 真空蒸着装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6573286A Division JPS61217572A (ja) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | 真空装置による処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133365A JPS59133365A (ja) | 1984-07-31 |
| JPH0124224B2 true JPH0124224B2 (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=16775885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22202383A Granted JPS59133365A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430627U (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-12 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6191375A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | プラズマエツチング装置の排気ベント機構 |
| US4739787A (en) * | 1986-11-10 | 1988-04-26 | Stoltenberg Kevin J | Method and apparatus for improving the yield of integrated circuit devices |
| WO2011102405A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 株式会社アルバック | 縦型真空装置及び処理方法 |
| JP7134856B2 (ja) * | 2018-12-13 | 2022-09-12 | 株式会社アルバック | ベント装置 |
| CN112609044B (zh) * | 2020-12-11 | 2022-07-19 | 北京首钢股份有限公司 | 一种rh预抽真空装置与方法 |
| CN117305801B (zh) * | 2023-11-29 | 2024-03-08 | 龙焱能源科技（杭州）有限公司 | 用于基板镀膜的传动装置及镀膜传动系统 |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP22202383A patent/JPS59133365A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430627U (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59133365A (ja) | 1984-07-31 |
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