JPH07321047A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPH07321047A
JPH07321047A JP10848494A JP10848494A JPH07321047A JP H07321047 A JPH07321047 A JP H07321047A JP 10848494 A JP10848494 A JP 10848494A JP 10848494 A JP10848494 A JP 10848494A JP H07321047 A JPH07321047 A JP H07321047A
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JP
Japan
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vacuum
chamber
chambers
exhaust
exhaust system
Prior art date
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Pending
Application number
JP10848494A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Saeki
弘明 佐伯
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 排気ポンプの使用合計台数を2台までに減ら
すことができ、設置スペース並びに設備費の削減が図
れ、特定の室の粗引き排気が他の室の真空維持機能に悪
影響を与えないマルチチャンバ型真空処理装置を提供す
ることにある。 【構成】 ロードロック室1と、これにゲートバルブ2
を介し接続する移載室3と、これにゲートバルブ4を介
し接続する複数個の真空処理室5とを備え、ロードロッ
ク室1と移載室3と各真空処理室5とに対しバルブ15
a〜15fを介し接続する共通の粗引き用排気ポンプ3
4を備えた第1排気系31と、これと別にロードロック
室1と移載室3と各真空処理室5とに対しバルブ18a
〜18f,19c〜19fを介し接続する共通の真空維
持用排気ポンプ44並びに移載室3と各真空処理室5に
バルブを介しそれぞれ接続する各管路42c〜42f途
中に真空ポンプ17c〜17fを備えた第2排気系41
とを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体ウェーハや
LCD基板等の被処理体を処理するために複数の真空室
を備えた真空処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、例えば半導体ウェーハやLCD基
板等の半導体製造プロセスにおいては、複数の真空処理
室を備えたクラスタツールなどと呼ばれているマルチチ
ャンバ型真空処理装置の開発がなされて来ている。
【0003】この種のマルチチャンバ型真空処理装置
は、例えば図2に示す如く、真空室として、例えば並列
的に配する2個のロードロック室1と、これらロードロ
ック室1と個々にゲートバルブ2を介し気密に接続する
一個の多角形容器状の移載室3と、この移載室3の周囲
に配し該移載室3と個々にゲートバルブ4を介して気密
に接続する複数個の真空処理室5とを備えている。
【0004】その2個のロードロック室1は、それぞれ
内部に昇降可能なカセット受台(図示せず)を有すると
共に、外端側口(反移載室側)にも外部大気との連通・
遮断用のゲートバルブ6を有し、外部から半導体ウェー
ハ等の被処理体Wを外部搬送装置、例えばハンドリング
アーム7によりカセットK単位で搬入・出できる。
【0005】前記移載室3はトランスファチャンバとも
称され、内部に旋回並びに伸縮動可能な多関節ロボット
等の搬送アーム8や位置合わせ用のアライメント機構9
を備えている。前記複数個の真空処理室5はプロセスチ
ャンバと称され、各種半導体製造プロセスに応じた各種
の真空処理機能、例えばスパッタリング、CVD、エッ
チング、アッシング、酸化、拡散等のいずれかの処理機
能を備えたものや、予備真空処置室として加熱・冷却等
の機能を備えたものである。
【0006】図3に、前記マルチチャンバ型真空処理装
置における各真空室へのガス導入手段並びに排気手段を
示す。不活性ガス導入系11は、各真空室である2個の
ロードロック室1及び移載室3並びに各真空処理室5に
対しバルブ11a,11b,11c,11d,11e,
11fを介してそれぞれ接続し、各室に所要量のN2
ス等の不活性ガスを導入できる。プロセスガス導入系1
2は、各真空処理室5に対しバルブ12a,12b,1
2cを介してそれぞれ接続し、その各室に所定のプロセ
スガスを前記不活性ガスと独立に導入できる。
【0007】一方、排気手段として、真空室である2個
のロードロック室1及び移載室3並びに各真空処理室5
に対し個々に独立した排気系14A,14B,14C,
14D,14E,14Fを備えている。これら各排気系
14A〜14Fは、当該真空室にバルブ15a,15
b,15c,15d,15e,15fを介し接続する排
気ポンプ(ドライポンプ;DRY)16a,16b,1
6c,16d,16e,16fを有している。なお、前
述の排気ポンプ(ドライポンプ)だけでは減圧しきれな
い高い真空度が要求される移載室3と各真空処理室5と
の排気系14C,14D,14E,14Fには、この管
路途中から分岐し、前記バルブ15c,15d,15
e,15fと並列的に配して移載室3や真空処理室5に
接続する真空ポンプ(ターボ分子ポンプ;TMP)17
c,17d,17e,17f並びにこれらの各吸気側及
び排気側に配するバルブ18c,19c,18d,19
d,18e,19e,18f,19fとをそれぞれ備え
ている。
【0008】このようなマルチチャンバ型真空処理装置
では、各ロードロック室1に被処理体WをカセットK単
位でハンドリングアーム7により搬入する際、そのロー
ドロック室1はゲートバルブ6が開いて大気開放状態と
なる。その被処理体搬入後にゲートバルブ6が閉じて外
部大気と遮断し、その内部大気雰囲気が前記排気系14
A,14Bの常時開放状態のバルブ15a,15bを介
し排気ポンプ16a,16bにより強制排気されて適度
に減圧されながら不活性ガス導入系11から導入される
微量のN2 ガス等の不活性ガスと置換される。つまり、
ロードロック室1は、大気開放状態と、外部と遮断した
真空排気(不活性ガス置換)状態とを常に繰り返す。
【0009】一方、移載室3及び各真空処理室5は、最
初の起動時に、大気状態から各々の排気系14C〜14
Fのバルブ15c〜15fが開いて排気ポンプ16c〜
16fによる強制的に吸引排気(一般に粗引きと称して
いる)が行われ、その後、該バルブ15c〜15fが閉
じる代わりに、18c,19c〜18f,19fが開
き、排気ポンプ16c〜16fと共に真空ポンプ(ター
ボ分子ポンプ)17c〜17fが稼働して真空排気する
ことで更に減圧され、そのまま真空排気されながら不活
性ガス導入系11より導入される微量のN2 ガス等の不
活性ガスと置換されつつ、常に所要の高い真空度に維持
される。つまり、移載室3及び各真空処理室5は、夜間
等の操業停止や故障やクリーニング等のメンテナンス時
以外は大気開放されることがなく、常に高い真空度の不
活性ガス雰囲気に維持される。
【0010】こうした真空排気状態で、移載室3の前記
ロードロック室1側のゲートバルブ2が開き、そのロー
ドロック室1のカセットK内の被処理体Wを搬送アーム
8により一枚ずつ移載室3内に取り込んでアライメント
機構9により位置合わせし、それをゲートバルブ4を介
し各真空処理室5内へ順次搬入する。
【0011】その被処理体Wが搬入された真空処理室5
では、ゲートバルブ4を閉じると共に、真空排気による
高真空度を維持しながら、プロセスガス導入系12から
所要のプロセスガスを導入して、該被処理体Wに例えば
成膜やエッチング等の所定の処理を行う。その処理後
は、その真空処理室5の内部のプロセスガスを完全に真
空排気して不活性ガスと置換してから、ゲートバルブ4
を開いて、該処理済み体Wを搬送アーム8により移載室
3内に取り出し、更にゲートバルブ2を介してロードロ
ック室1のカセットK内に順々に戻し、そのカセットK
内が処理済み体Wで満配になると、そのロードロック室
1の移載室3側のゲートバルブ2を完全に閉じてから、
外端側のゲートバルブ6を開いて大気開放しハンドリン
グアーム7により外部に取り出す。
【0012】こうしたマルチチャンバ型真空処理装置で
あれば、搬送系であるロードロック室1と移載室3と搬
送アーム8などが、周配する複数個の真空処理室5に対
し共用できるので、構成の簡素化並びに設置スペースの
縮小化や搬送効率のアップなどが図れて有利となる。な
お、真空処理室5の周配個数としては、図示のような3
個のタイプ以外にも、2個或いは4個以上周配するタイ
プがある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した従
来のマルチチャンバ型真空処理装置においては、排気手
段として、各真空室である各ロードロック室1及び移載
室3並びに各真空処理室5に対しそれぞれ個々に独立し
た排気系14A〜14Fを設け、それぞれに一個ずつ専
用の排気ポンプ(大型で高価なドライポンプ)16a〜
16fを備えている。このために、排気ポンプ16a…
の設置台数が多く、真空室と同数必要であり、設置スペ
ースを非常に多く取ると共に設備費が嵩む問題があっ
た。
【0014】そこで、排気ポンプの設置個数を減らすべ
く、前記真空室の似たもの同志をグループ分けし、その
グループごとに排気系をまとめて一台ずつの排気ポンプ
を設けることを考えた。つまり、例えば図4に示す如
く、2個のロードロック室1,1の排気系を符号24A
のように一つにまとめて一台の排気ポンプ16aのみと
し、移載室3の排気系14Cは似たものがないのでその
ままとし、各真空処理室5…の排気系を符号24Dのよ
うに一つにまとめて一台の排気ポンプ16dのみとす
る。これにて大型で高価な排気ポンプ(ドライポンプ)
が16a.16c,16dの3台で済むことになり、設
置スペース並びに設備費の低減が図れる。
【0015】しかしながら、この場合でも、排気ポンプ
が3台は必要で、できればもう少し台数を少なくしたい
要望がある。また、こうした場合、排気ポンプを共用し
たグループ内で、例えば各真空処理室5…で、その中の
一室を何らかの理由により大気開放した後に再び真空排
気(粗引き)をする時には、その他の真空状態の室から
の真空排気を逆流防止のために止めなければならず、そ
の間、各室でのプロセス処理ができないなどの不具合が
生じ、スループットの低下を招く問題がある。
【0016】本発明は前記事情に鑑みなされ、その目的
とするところは、複数の真空室に対し排気系の排気ポン
プの使用合計台数を最低2台までに減らすことができ
て、設置スペース並びに設備費の大幅な削減が図れると
共に、特定の真空室の大気開放状態からの真空排気が他
の真空室の真空維持などの機能に悪影響を与えることが
なく、メンテナンス性やスループットの向上が図れるよ
うになる真空処理装置を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段と作用】請求項1の発明の
真空処置装置は、前記目的を達成するために、複数の真
空室を備えた真空処理装置において、前記各真空室に対
しそれぞれバルブを介し接続する共通の粗引き用排気ポ
ンプを備えた第1排気系と、この第1排気系と別に前記
各真空室に対しバルブを介しそれぞれ接続する共通の真
空維持用排気ポンプを備えた第2排気系とを具備し、前
記各真空室の個々の大気開放状態から真空への粗引き排
気を前記第1排気系で行い、その各真空室の真空維持を
第2排気系で行う構成としたことを特徴とする。
【0018】こうした構成の真空処理装置であれば、複
数の真空室に対し共通の粗引き用排気ポンプを備えた第
1排気系で、バルブ切り替えにより、それら真空室の個
々の大気開放状態から真空状態への粗引き排気を行う一
方、その各真空室に対し共通の真空維持ポンプを備えた
第2排気系で該各真空室の真空維持のための排気を行う
ようになる。このために複数の真空室に対し第1及び第
2の2つの排気系だけで良く、大型で高価な排気ポンプ
(ドライポンプ)の使用合計台数は最低2台あれば済む
ことになり、設置スペース並びに設備費の大幅な低減が
図れるようになる。しかも、前述のように各真空室の粗
引きのための排気と真空維持のための排気とを第1と第
2との互いに別な排気系で行うので、特定の真空室の大
気開放状態から真空への粗引き排気が他の真空室の真空
維持などの機能に悪影響を与えることがなく、メンテナ
ンス性やスループットの向上が図れるようになる。
【0019】請求項2の発明は、複数の真空室を備えた
真空処理装置において、前記各真空室に対しバルブを介
しそれぞれ接続する共通の粗引き用排気ポンプを備えた
第1排気系と、この第1排気系と別に前記各真空室に対
しバルブを介しそれぞれ接続する共通の真空維持用排気
ポンプを備えた第2排気系とを具備し、前記各真空室の
個々の大気開放状態から真空への粗引き排気を第1排気
系で行い、その各真空室の真空維持を第2排気系で行う
構成とすると共に、その第2排気系は高い真空度を必要
とする真空室にバルブを介し接続する管路途中に真空ポ
ンプを備えていることを特徴とする。
【0020】こうした構成の真空処理装置であれば、前
述の請求項1の発明の作用に加え、各真空室の真空維持
のための排気を第2排気系で行う際、特に高い真空度を
必要とする真空室に対しては、該第2排気系の真空維持
用排気ポンプと共にターボ分子ポンプ等の真空ポンプが
稼働して真空排気するようになる。これで当該真空室内
を所要の高い真空度に維持するようになる。
【0021】請求項3の発明は、被処理体を搬入出する
毎に外部大気と連通・遮断が繰り返されるロードロック
室と、このロードロック室にゲートバルブを介し接続す
る移載室と、この移載室にゲートバルブを介し接続する
複数個の真空処理室とを備え、前記ロードロック室内に
搬入された被処理体を前記移載室内に搬送手段により取
り込んで前記各真空処理室内へ移載して真空処理し、そ
の処理済み体を移載室に取り出してロードロック室へ戻
す構成のマルチチャンバ型真空処理装置において、前記
ロードロック室と移載室と各真空処理室とに対しバルブ
を介しそれぞれ接続する共通の粗引き用排気ポンプを備
えた第1排気系と、この第1排気系と別に前記ロードロ
ック室と移載室と各真空処理室とに対しバルブを介しそ
れぞれ接続する共通の真空維持用排気ポンプを備えた第
2排気系とを具備し、前記ロードロック室と移載室と各
真空処理室との個々の大気開放状態から真空への粗引き
排気を第1排気系で行い、そのロードロック室と移載室
と各真空処理室との真空維持を第2排気系で行う構成と
すると共に、その第2排気系は移載室と各真空処理室に
バルブを介しそれぞれ接続する各管路途中に各々真空ポ
ンプを備えていることを特徴とする。
【0022】こうした構成のマルチチャンバ型真空処理
装置であれば、前述同様に第1及び第2の2つの排気系
だけで、ロードロック室と移載室と各真空処理室の個々
の大気開放状態から真空状態への粗引き排気と、それら
ロードロック室と移載室と各真空処理室の真空維持のた
めの排気とを行い得るようになり、大型で高価な排気ポ
ンプ(ドライポンプ)の使用合計台数は最低2台あれば
済むことになり、設置スペース並びに設備費の大幅な低
減が図れるようになる。しかも、前述のようにロードロ
ック室と移載室と各真空処理室の粗引きのための排気と
真空維持のための排気とを第1と第2との互いに別な排
気系で行うので、特定の室の大気開放状態から真空への
粗引き排気が他の室の真空維持などの機能に悪影響を与
えることがなく、メンテナンス性やスループットの向上
が図れるようになる。更に、ロードロック室と移載室と
各真空処理室の真空維持のための排気を第2排気系で行
う際、特に高い真空度を必要とする移載室や各真空処理
室に対しては、該第2排気系の真空維持用排気ポンプと
共にターボ分子ポンプ等の真空ポンプが稼働して真空排
気するようになる。これで当該室内を所要の高い真空度
に維持するようになり、被処理体の真空処理を能率良く
高性能に行うことが可能となる。
【0023】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1により説明す
る。なお、ここでは真空処理装置として図2に示したと
同様のマルチチャンバ型真空処理装置に適応した例を述
べるが、その他の真空処理装置に適用しても良い。ま
た、図1中前記図2乃至図4に示したものと重複する構
成には同一符号を付して説明の簡略化を図る。
【0024】まず、図1に示した如く、マルチチャンバ
型真空処理装置の本体構成として、複数個の真空室即
ち、互いに並列的に配する2個のロードロック室1と、
これらロードロック室1と個々にゲートバルブ2を介し
気密に接続する一個の多角形容器状の移載室3と、この
移載室3の周囲に配し該移載室3と個々にゲートバルブ
4を介して気密に接続する複数個の真空処理室5とを備
えている。
【0025】その2個のロードロック室1は、それぞれ
内部に昇降可能なカセット受台(図示せず)を有すると
共に、外端側口(反移載室側)にも外部大気との連通・
遮断用のゲートバルブ6を有し、外部から半導体ウェー
ハ等の被処理体Wがハンドリングアーム等の外部搬送装
置によりカセットK単位で搬入・出される。
【0026】前記移載室3は内部に搬送手段として旋回
並びに伸縮動可能な多関節ロボット等の搬送アーム8や
位置合わせ用のアライメント機構9を備えたトランスフ
ァチャンバである。この搬送アーム8により前記ロード
ロック室1内に搬入された被処理体Wを移載室3に取り
込んで各真空処理室5内へ移載して真空処理させ、その
処理済み体Wを移載室3に取り出してロードロック室1
へ戻す構成である。
【0027】前記複数個の真空処理室5はプロセスチャ
ンバと称され、各種半導体製造プロセスに応じた各種の
真空処理機能、例えばスパッタリング、CVD、エッチ
ング、アッシング、酸化、拡散等のいずれかの処理機能
を備えたものや、予備真空処置室として加熱・冷却等の
機能を備えたものである。
【0028】こうした構成のマルチチャンバ型真空処理
装置の各真空室へのガス導入手段として、不活性ガス導
入系11が備えられ、これが各真空室である2個のロー
ドロック室1及び移載室3並びに各真空処理室5に対し
バルブ11a,11b,11c,11d,11e,11
fを介してそれぞれ接続し、各室に所要量のN2 ガス等
の不活性ガスを導入する。また、プロセスガス導入系1
2が備えられ、これが各真空処理室5に対しバルブ12
a,12b,12cを介してそれぞれ接続し、その各室
に所定のプロセスガスを前記不活性ガスと独立に導入す
るようになっている。
【0029】一方、前記2個のロードロック室1及び移
載室3並びに各真空処理室5の排気手段として、全体で
2系統の排気系が設けられている。つまい、各ロードロ
ック室1と移載室3と各真空処理室5との個々の大気開
放状態から真空への粗引き排気を行う第1排気系31
と、それら各ロードロック室1と移載室3と各真空処理
室5との真空維持のための真空排気を行う第2排気系4
1とが設けられている。
【0030】その粗引き用の第1排気系31は、前記各
ロードロック室1及び移載室3並びに各真空処理室5に
対しバルブ15a,15b,15c,15d,15e,
15fを介してそれぞれ接続する分岐管路32a,32
b,32c,32d,32e,32fと、これら分岐管
路32a〜32fが全て接続する一本の集合配管路33
と、この集合配管路33の端末に接続した全室共通の一
台の粗引き用排気ポンプ34とを備えた構成で、その一
台の排気ポンプ34により各ロードロック室1と移載室
3と各真空処理室5の個々の大気状態から真空への粗引
き排気ができるようになっている。
【0031】なお、この第1排気系31の各分岐管路3
2a〜32fはメイン排気用で、大気状態から真空への
粗引きを大排気で行うが、その際に室内の不要なごみを
まき上げないように初期段階では少量ずつゆっくり排気
し得るように、各分岐管路32a〜32fの途中からそ
れぞれ分岐して前記バルブ15a〜15fと並列的に各
ロードロック室1及び移載室3並びに各真空処理室5に
接続するスロー排気用の分岐細管路35a,35b,3
5c,35d,35d,35e,35fが設けられ、こ
れらにバルブ36と風量調整(絞り)用のニードルバル
ブ37とが対をなしてそれぞれ設けられている。
【0032】前記真空維持用の第2排気系41は、前記
第1排気系31と全く別に、前記各ロードロック室1と
移載室3と各真空処理室5とにバルブ18a,18b,
18c,18d,18e,18fを介しそれぞれ接続す
る分岐管路42a,42b,42c,42d,42e,
42fと、これら分岐管路42a〜42fが全て接続す
る一本の集合配管路43と、この集合配管路43の端末
に接続した全室共通の一台の真空維持用排気ポンプ44
とを備えた構成である。
【0033】また、この第2排気系41の高い真空度が
要求される移載室3と各真空処理室5とに接続する分岐
管路42c,42d,42e,42f途中には、前記バ
ルブ18c,18d,18e,18fともう一つのバル
ブ19c,19d,19e,19fとの間に配して真空
ポンプ(ターボ分子ポンプ;TMP)17c,17d,
17e,17fがそれぞれ設けられている。
【0034】なお、前記第1排気系31の粗引き用排気
ポンプ34と第2排気系41の真空維持用排気ポンプ4
4は、いずれもロータリー式ドライポンプ(DRY)で
あって、対象とする真空室の個数及び内容空間に応じた
排気容量、例えば毎分 500〜1000リットル程度の排気容
量のものである。
【0035】この種のドライポンプの真空排気能力は通
常大気状態から10mmTorr程度までが限度である。これは
ロードロック室1の真空度達成には有効であるが、これ
よりも一段高い真空度が要求される載置室3及び更に一
段高い真空度が要求される各真空処理室5に対しては、
排気ポンプ44だけでは減圧しきれない。
【0036】これを補うために移載室3に対する真空ポ
ンプ(ターボ分子ポンプ;TMP)17cは、例えば毎
秒60リットル程度の真空排気容量をもち、該移載室3内
を0.1mmTorr 程度に減圧できる。各真空処理室5に対す
る真空ポンプ17d,17e,17fは例えば毎秒 300
〜1000リットル程度の大きな真空排気容量をもち、プロ
セスガスの導入、例えばエッチャーの場合10〜100sccm
程度のプロセスガスを導入しても、該真空処理室5内を
10〜1000mmTorr程度に減圧できて、高い真空度を維持可
能である。
【0037】これら各真空ポンプ(ターボ分子ポンプ;
TMP)17c,17d,17e,17fは、背圧が1
〜5Torr以上では負荷がかかり過ぎて止まってしまうの
で、これをバックアップする意味で前記排気ポンプ44
が共同で排気動作を行う構成である。
【0038】なお、図中想像線で示すバルブ45は、前
記第2排気系41の真空ポンプ(ターボ分子ポンプ)1
7c,17d,17e,17fを大気開放した後に真空
引き動作させる際、その背圧側大気を第1排気系31側
に引かせるためのもので、これは必ずしも設けて置かな
くても良い。
【0039】このようなマルチチャンバ型真空処理装置
の作用を述べると、各ロードロック室1に被処理体Wを
カセットK単位で搬入する際、そのロードロック室1は
ゲートバルブ6が開いて大気開放状態となる。その被処
理体搬入後にゲートバルブ6が閉じて外部大気と遮断
し、その内部大気雰囲気が前記第1排気系31の粗引き
用排気ポンプ34により強制的に吸引排気されて適度に
減圧されながら、不活性ガス導入系11から導入される
微量のN2 ガス等の不活性ガスと置換される。このまま
前記バルブ15a,15bが閉じる代わりに、第2排気
系41のバルブ18a,18bが開いて、真空維持用排
気ポンプ44により該ロードロック室1内を吸引排気し
て所定の真空度に維持し続ける。
【0040】一方、移載室3及び各真空処理室5は、最
初の起動時に、大気状態から第1排気系31のバルブ1
5c〜15fが開いて粗引き用排気ポンプ34により強
制的に吸引排気されて適度に減圧されながら、不活性ガ
ス導入系11から導入される微量のN2 ガス等の不活性
ガスと置換される。このままバルブ15c〜15fが閉
じる代わりに、第2排気系41のバルブ18c,19c
〜18f,19fが開き、真空維持用排気ポンプ44に
よる吸引排気と共に真空ポンプ(ターボ分子ポンプ)1
7c〜17fが稼働して真空排気することで更に減圧さ
れながら、不活性ガス導入系11より導入される微量の
2 ガス等の不活性ガスと置換されつつ、常に所要の高
い真空度に維持される。
【0041】こうした真空排気状態で、移載室3の前記
ロードロック室1側のゲートバルブ2が開き、そのロー
ドロック室1のカセットK内の被処理体Wを搬送アーム
8により一枚ずつ移載室3内に取り込んでアライメント
機構9により位置合わせし、それをゲートバルブ4を介
し各真空処理室5内へ順次搬入する。
【0042】その被処理体Wが搬入された真空処理室5
では、ゲートバルブ4を閉じると共に、第2排気系41
の真空維持用排気ポンプ44と真空ポンプ(ターボ分子
ポンプ)17d〜17fとにより常に所要の高い真空度
に維持されながら、プロセスガス導入系12から所要の
プロセスガスが導入されて、該被処理体Wに例えば成膜
やエッチング等の所定の処理を行う。
【0043】その処理後は、その真空処理室5の内部の
プロセスガスを完全に真空排気して不活性ガスと置換し
てから、ゲートバルブ4を開いて、該処理済み体Wを搬
送アーム8により移載室3内に取り出し、更にゲートバ
ルブ2を介してロードロック室1のカセットK内に順々
に戻し、そのカセットK内が処理済み体Wで満配になる
と、そのロードロック室1の移載室3側のゲートバルブ
2を完全に閉じてから、外端側のゲートバルブ6を開い
て大気開放しハンドリングアームなどにより外部に取り
出す。
【0044】こうした構成のマルチチャンバ型真空処理
装置であれば、第1及び第2の2つの排気系31,41
だけで、ロードロック室1と移載室3と各真空処理室5
の個々の大気開放状態から真空状態への粗引き排気と、
それらロードロック室1と移載室3と各真空処理室5の
真空維持のための排気とを行い得るようになり、大型で
高価な排気ポンプ(ドライポンプ)34,44の使用合
計台数は2台あれば済むことになり、設置スペース並び
に設備費の大幅な低減が図れるようになる。
【0045】しかも、前述のようにロードロック室1と
移載室3と各真空処理室5の粗引きのための排気と真空
維持のための排気とを第1と第2との互いに別な排気系
31,41で行うので、例えば故障やクリーニング等の
メンテナンスなどで特定の室を大気開放してから再び真
空への粗引き排気を行う場合でも、それは第1排気系3
1で行い、他の室は全く別の第2排気系41の真空排気
により確実に真空維持できて、その室のプロセス機能に
悪影響を与えることがなく、メンテナンス性やスループ
ットの向上が図れるようになる。
【0046】更に、ロードロック室1と移載室3と各真
空処理室4の真空維持のための排気を第2排気系41で
行う際、特に高い真空度を必要とする移載室3や各真空
処理室5に対しては、該第2排気系41の真空維持用排
気ポンプ44と共にターボ分子ポンプ等の真空ポンプ1
7c〜17fが稼働して真空排気するようになるので、
当該室内を所要の高い真空度に維持するようになり、被
処理体の真空処理を能率良く高性能に行うことが可能と
なる。
【0047】
【発明の効果】本発明の真空処理装置は、上述の如く構
成したので、複数の真空室に対し排気系の排気ポンプの
使用合計台数を最低2台までに減らすことができて、設
置スペース並びに設備費の大幅な削減が図れると共に、
特定の真空室の大気開放状態からの真空排気が他の真空
室の真空維持などの機能に悪影響を与えることがなく、
メンテナンス性やスループットの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマルチチャンバ型真空処理装置の一実
施例を示す構成図。
【図2】マルチチャンバ型真空処理装置の本体構成部の
一部断面した平面図。
【図3】マルチチャンバ型真空処理装置の従来の排気系
を示す構成図。
【図4】マルチチャンバ型真空処理装置の他の従来の排
気系を示す構成図。
【符号の説明】
1,3,5…真空室(1…ロードロック室、3…移載
室、5…真空処理室)、2,4…ゲートバルブ、8…搬
送手段(搬送アーム)、15a〜15f,18a〜18
f,19c〜19f…バルブ、17c〜17f…真空ポ
ンプ(ターボ分子ポンプ)、31…第1排気系、34…
粗引き用排気ポンプ、41…第2排気系、42c〜42
f…管路、44…真空維持用排気ポンプ W…被処理体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B05C 13/00

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の真空室を備えた真空処理装置にお
    いて、前記各真空室に対しそれぞれバルブを介し接続す
    る共通の粗引き用排気ポンプを備えた第1排気系と、こ
    の第1排気系と別に前記各真空室に対しバルブを介しそ
    れぞれ接続する共通の真空維持用排気ポンプを備えた第
    2排気系とを具備し、前記各真空室の個々の大気開放状
    態から真空への粗引き排気を前記第1排気系で行い、そ
    の各真空室の真空維持を第2排気系で行う構成としたこ
    とを特徴とする真空処理装置。
  2. 【請求項2】 複数の真空室を備えた真空処理装置にお
    いて、前記各真空室に対しバルブを介しそれぞれ接続す
    る共通の粗引き用排気ポンプを備えた第1排気系と、こ
    の第1排気系と別に前記各真空室に対しバルブを介しそ
    れぞれ接続する共通の真空維持用排気ポンプを備えた第
    2排気系とを具備し、前記各真空室の個々の大気開放状
    態から真空への粗引き排気を第1排気系で行い、その各
    真空室の真空維持を第2排気系で行う構成とすると共
    に、その第2排気系は高い真空度を必要とする真空室に
    バルブを介し接続する管路途中に真空ポンプを備えてい
    ることを特徴とする真空処理装置。
  3. 【請求項3】 被処理体を搬入出する毎に外部大気と連
    通・遮断が繰り返されるロードロック室と、このロード
    ロック室にゲートバルブを介し接続する移載室と、この
    移載室にゲートバルブを介し接続する複数個の真空処理
    室とを備え、前記ロードロック室内に搬入された被処理
    体を前記移載室内に搬送手段により取り込んで前記各真
    空処理室内へ移載して真空処理し、その処理済み体を移
    載室に取り出してロードロック室へ戻す構成のマルチチ
    ャンバ型真空処理装置において、 前記ロードロック室
    と移載室と各真空処理室とに対しバルブを介しそれぞれ
    接続する共通の粗引き用排気ポンプを備えた第1排気系
    と、この第1排気系と別に前記ロードロック室と移載室
    と各真空処理室とに対しバルブを介しそれぞれ接続する
    共通の真空維持用排気ポンプを備えた第2排気系とを具
    備し、前記ロードロック室と移載室と各真空処理室との
    個々の大気開放状態から真空への粗引き排気を第1排気
    系で行い、そのロードロック室と移載室と各真空処理室
    との真空維持を第2排気系で行う構成とすると共に、そ
    の第2排気系は移載室と各真空処理室にバルブを介しそ
    れぞれ接続する各管路途中に各々真空ポンプを備えてい
    ることを特徴とするマルチチャンバ型真空処理装置。
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