JPS5967619A - 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 - Google Patents
減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置Info
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- JPS5967619A JPS5967619A JP17876482A JP17876482A JPS5967619A JP S5967619 A JPS5967619 A JP S5967619A JP 17876482 A JP17876482 A JP 17876482A JP 17876482 A JP17876482 A JP 17876482A JP S5967619 A JPS5967619 A JP S5967619A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
造過程を必要とする装置の減圧答器内の圧力制御装置に
関するものである。さらに詳（７くは、ＬＳＩの集積度
が向上し、ＶＬＳ Ｉ程度になると減圧を利用した製造
上程にＬ生産性向上と品質確保のために高い排気速度と
精度の高い圧力制御を行なう排気装置が必要である。本
発明はこの要求を満す減圧容器の排気装置に関するもの
である。
関するものである。さらに詳（７くは、ＬＳＩの集積度
が向上し、ＶＬＳ Ｉ程度になると減圧を利用した製造
上程にＬ生産性向上と品質確保のために高い排気速度と
精度の高い圧力制御を行なう排気装置が必要である。本
発明はこの要求を満す減圧容器の排気装置に関するもの
である。
従来の減圧を利用した処理装置の圧力制御Ｑよ第１図も
しくは第２図に示すような構造が一般的である。第１図
でに、減圧容器１（この中で＠イΦの半導体の製造過程
が行なわれるか、説明は省略する）に接続した排気管２
の途中に排気路の１リ「面積を調節するコンダクタンス
バルブ３と、排気管２を開閉するケ゛一トバルプ４とが
設けてあり、排気管２の他端には排気ポンプ５が設けで
ある。第１図のケゞ一トバルブ４はスライド式のもので
あり、駆動装置４−１によって遮蔽板４−２を排気路内
に出し入れするものである。コンタクタンスバルブ；３
には排気路内に複数のバタフライブレート３ − １が
設ｋＪであり、このバタフライブレー１− ３−１の開
度によって０１気路のコンダクタンスをＷ−１節するも
のである。
しくは第２図に示すような構造が一般的である。第１図
でに、減圧容器１（この中で＠イΦの半導体の製造過程
が行なわれるか、説明は省略する）に接続した排気管２
の途中に排気路の１リ「面積を調節するコンダクタンス
バルブ３と、排気管２を開閉するケ゛一トバルプ４とが
設けてあり、排気管２の他端には排気ポンプ５が設けで
ある。第１図のケゞ一トバルブ４はスライド式のもので
あり、駆動装置４−１によって遮蔽板４−２を排気路内
に出し入れするものである。コンタクタンスバルブ；３
には排気路内に複数のバタフライブレート３ − １が
設ｋＪであり、このバタフライブレー１− ３−１の開
度によって０１気路のコンダクタンスをＷ−１節するも
のである。
第２図は第１図と同様であるか、ク゛一トバルプのみが
ハタフライ式のり゛一トバルゾ６である０このクートバ
ルゾ０のノ・タフライフ０レート６−１は１枚で（１１
〜成している。
ハタフライ式のり゛一トバルゾ６である０このクートバ
ルゾ０のノ・タフライフ０レート６−１は１枚で（１１
〜成している。
生尋体処理過（ツ中減圧容器内を高い清浄度に保持する
ため、処理鍋オ′−に入る前に城用答器内を一たん高，
、＋７．、 ２，ｉＥに損気しなけれはならない。し〃
・しこの時間か長いと装置内１の生産性力會客るため排
気路の断面４］しＬ人きくして排気速度＜Ｌ十ける必−
閲かある。
ため、処理鍋オ′−に入る前に城用答器内を一たん高，
、＋７．、 ２，ｉＥに損気しなけれはならない。し〃
・しこの時間か長いと装置内１の生産性力會客るため排
気路の断面４］しＬ人きくして排気速度＜Ｌ十ける必−
閲かある。
第１１ノＩＪ）・よひ第２図のケ゛一トノ・ルグ４捷た
は６とコンタクタンスパルプ３とシ１」本の排気管Ｖこ
直列に］ｄ続しである。高い排気速Ｗ’ｃ得るために排
気路の断げ１１積を太きぐするとコンダクタンスノ（ル
プ３の排気路の断面積も犬きくなるので、断面積を微細
に調整して圧力の微細調整を行なうことはます捷す困難
となる。
は６とコンタクタンスパルプ３とシ１」本の排気管Ｖこ
直列に］ｄ続しである。高い排気速Ｗ’ｃ得るために排
気路の断げ１１積を太きぐするとコンダクタンスノ（ル
プ３の排気路の断面積も犬きくなるので、断面積を微細
に調整して圧力の微細調整を行なうことはます捷す困難
となる。
従来のＬＳＩ程度の集積度の半導体装置の製造の場合で
は上記の程度の圧力調整で差支えはないが、ＶＬＳＩ程
度の高集積度になるとさらに精度の高い減圧の圧力調整
と高い排気速度が必要となる。本発明はこのような要求
を満すためになされたもので、高精度で圧力の自動調節
が０Ｊ′能であり、しかも最初の高真窒の排気が急速に
行なえる圧力制御装置＾゛を提供するものである。以下
図面により詳細に説明する。
は上記の程度の圧力調整で差支えはないが、ＶＬＳＩ程
度の高集積度になるとさらに精度の高い減圧の圧力調整
と高い排気速度が必要となる。本発明はこのような要求
を満すためになされたもので、高精度で圧力の自動調節
が０Ｊ′能であり、しかも最初の高真窒の排気が急速に
行なえる圧力制御装置＾゛を提供するものである。以下
図面により詳細に説明する。
第６図は本発明の圧力制御装置ｉｄの一実施例の系統図
で、７はメイン排気系、８はザブ排気系、９は制御部で
ある。メイン排気系７は第４図に示すようにメイン排気
管１０の中間にメインバルブ１１が設けである。このメ
インバルブ１１は本実施例ではバタフライバルブで、閉
鎖１時には完全に流路を遮断出来る構造のものである。
で、７はメイン排気系、８はザブ排気系、９は制御部で
ある。メイン排気系７は第４図に示すようにメイン排気
管１０の中間にメインバルブ１１が設けである。このメ
インバルブ１１は本実施例ではバタフライバルブで、閉
鎖１時には完全に流路を遮断出来る構造のものである。
さらにこのメインバルブ１１の両側のメイン排気管１０
にはそれぞれザブ排気系８のサブ排気管ｌ２が接続しで
ある０前記メインバルグ１１のバタフライプレート１３
はメインバルブ駆動モータ１４によって開度昌周節きれ
るものである。
にはそれぞれザブ排気系８のサブ排気管ｌ２が接続しで
ある０前記メインバルグ１１のバタフライプレート１３
はメインバルブ駆動モータ１４によって開度昌周節きれ
るものである。
ザブ排気系８はメイン１Ｊ１気系７のメインＪｕｌ 気
ＷｌＯからザブ排気管］２で分れて、ザブパルプ１５が
接続しである。このザブパルプ１５ＩＪ木丈施例ではメ
インバルブ１ｌと同様な（１１４造で、流路断面積がメ
インバルブ１１の約１／７の大ききである。
ＷｌＯからザブ排気管］２で分れて、ザブパルプ１５が
接続しである。このザブパルプ１５ＩＪ木丈施例ではメ
インバルブ１ｌと同様な（１１４造で、流路断面積がメ
インバルブ１１の約１／７の大ききである。
このザブパルプｌ５のハタクライノ０レート１６はザプ
バルブ，駆動モータ１７によって開度調Ｎｊｉきれるも
のである。
バルブ，駆動モータ１７によって開度調Ｎｊｉきれるも
のである。
制ｆ１印部９υ」、減圧容器１の内部１工カを検出する
圧力検出部１８と、減圧容器１内ｌｌ／１所要の圧力を
設定ノーる圧力設定部Ｉ９とが設けてあり、これらの圧
力検出部１８とｊ王力ｉψ定部１９の出力ほ比１咬器２
０で比較され、圧力設定値と実際の圧力との差にもとつ
く出力か比１咬器２０から出力きれる。この出力ヶ」、
増幅器２１で増幅きれ、一部はザブパルプ駆動モータ１
７を駆動するとともに、一部はシーケンサ２２に人力し
、メインハルブ駆動モータ１４を駆動してメインバルブ
１１の開開調節を行なう。このメインパルプ１１の開度
調節を行なう理由は広ｔｉｊＱ囲でかつ微細な圧力制御
を可能にするためである。ザブパルプ１５は制御イ′へ
度を向上するために全開１１０の何気速度をあ捷り大き
くとっていない０そこでザブパルプ１５で圧力制御しき
れない場合はシーケンサ２２の出力により、ザブバルブ
１５で圧力制御が可能な範囲壕でメインパルプ１１の開
度を段階的に増減する。
圧力検出部１８と、減圧容器１内ｌｌ／１所要の圧力を
設定ノーる圧力設定部Ｉ９とが設けてあり、これらの圧
力検出部１８とｊ王力ｉψ定部１９の出力ほ比１咬器２
０で比較され、圧力設定値と実際の圧力との差にもとつ
く出力か比１咬器２０から出力きれる。この出力ヶ」、
増幅器２１で増幅きれ、一部はザブパルプ駆動モータ１
７を駆動するとともに、一部はシーケンサ２２に人力し
、メインハルブ駆動モータ１４を駆動してメインバルブ
１１の開開調節を行なう。このメインパルプ１１の開度
調節を行なう理由は広ｔｉｊＱ囲でかつ微細な圧力制御
を可能にするためである。ザブパルプ１５は制御イ′へ
度を向上するために全開１１０の何気速度をあ捷り大き
くとっていない０そこでザブパルプ１５で圧力制御しき
れない場合はシーケンサ２２の出力により、ザブバルブ
１５で圧力制御が可能な範囲壕でメインパルプ１１の開
度を段階的に増減する。
次に、本発明のｎ−力制御装置の動作について説明する
。減圧容器１の内部に半導体なとの被処理物を入れ、出
入れ１」および反応ガス導入ＩＪ ］−１を閉鎖し排気
、ｊ５ンノ５の運転を開始する。この状態のときはメイ
ンパルプ１１およびザブパルプ１５は全開状態となって
いるので、排気ｄ、排気月ビンノ。
。減圧容器１の内部に半導体なとの被処理物を入れ、出
入れ１」および反応ガス導入ＩＪ ］−１を閉鎖し排気
、ｊ５ンノ５の運転を開始する。この状態のときはメイ
ンパルプ１１およびザブパルプ１５は全開状態となって
いるので、排気ｄ、排気月ビンノ。
５の排気能力−ばいの速度で行なわれ、急速に高真空状
態となる。これにより、空気などの不要ガスを排除して
から圧力設定部１９に減圧容器１の所要圧力を設定し、
反応ガス導入口１−１から必要量の反応ガスを導入する
。この結果減圧容器１の内部圧力は上昇するか、圧力４
す↓山部１８の出力と圧力設定部１９の出力とが」、比
較器２０で比較され、設定圧力との偏差に応じた圧力が
比較器２０から出、この出力を増幅器２１で増幅しザブ
パルプ駆動モーフ１７によりザブパルプ１５のバタフラ
イノ０レート１６の開度を調節し、コンダクタンスバル
ブとして機能させて４：１１気月？ンプ５のＪｕｌ気１
１（を調節して減圧容器１の内部圧力τ設定値に保つ。
態となる。これにより、空気などの不要ガスを排除して
から圧力設定部１９に減圧容器１の所要圧力を設定し、
反応ガス導入口１−１から必要量の反応ガスを導入する
。この結果減圧容器１の内部圧力は上昇するか、圧力４
す↓山部１８の出力と圧力設定部１９の出力とが」、比
較器２０で比較され、設定圧力との偏差に応じた圧力が
比較器２０から出、この出力を増幅器２１で増幅しザブ
パルプ駆動モーフ１７によりザブパルプ１５のバタフラ
イノ０レート１６の開度を調節し、コンダクタンスバル
ブとして機能させて４：１１気月？ンプ５のＪｕｌ気１
１（を調節して減圧容器１の内部圧力τ設定値に保つ。
なお、に１′１１節第１”３度を上げるために１１■記
のようにザブ排気系統はメイン排気系統にくらへて小き
いので、−リーブバルブ１５の全閉と全開との差はそれ
ほと大きくない。このためにコンダクタンスバルブとし
ての調節範囲か不足することがある。このためにザブパ
ルプ１５が全開となったときに前記増幅器２１の出力の
一部が７−ケンザ２２によって段階的にメインパルプ１
１の開度Ｎ７６節を行なう。
のようにザブ排気系統はメイン排気系統にくらへて小き
いので、−リーブバルブ１５の全閉と全開との差はそれ
ほと大きくない。このためにコンダクタンスバルブとし
ての調節範囲か不足することがある。このためにザブパ
ルプ１５が全開となったときに前記増幅器２１の出力の
一部が７−ケンザ２２によって段階的にメインパルプ１
１の開度Ｎ７６節を行なう。
このメインパルプ１１の段階的開度ｉ；Ｌ’、Ｉ節とザ
ブパルプ１５の）Ｉ（１９段階開度調簡によってコンダ
クタンスバルブとして所−狭範囲のコンダクタンス調節
を行うものである。
ブパルプ１５の）Ｉ（１９段階開度調簡によってコンダ
クタンスバルブとして所−狭範囲のコンダクタンス調節
を行うものである。
本発明の他の実施例は、ｍ（記実施例と回路構成は同じ
であるが、前記実施例においてはシーケンサ２２が比較
器２０からの連続的な入力変化に対して入力の一定変化
量ごとに段階的出力に変換するものであるのに対し、本
実施例の７−ケンサは減圧容器１内の月−万が設定値よ
り高い場合の比軸器２０の出力（たとえばマイナス出力
とする）の場合にｄ、ゼロ出力で、メインパルブ１１は
全開となっており、減圧容器１内の圧力か設定値に一致
４１した場合の比較器の出力（この場合ゼロ出力と
なる）および設定値より低くなった場合の比較器２０
・の出力（たとえはプラス出力とする）の場合には
フ０ラス出力となってメインノ（ルプ１１を全開とする
ものである。
であるが、前記実施例においてはシーケンサ２２が比較
器２０からの連続的な入力変化に対して入力の一定変化
量ごとに段階的出力に変換するものであるのに対し、本
実施例の７−ケンサは減圧容器１内の月−万が設定値よ
り高い場合の比軸器２０の出力（たとえばマイナス出力
とする）の場合にｄ、ゼロ出力で、メインパルブ１１は
全開となっており、減圧容器１内の圧力か設定値に一致
４１した場合の比較器の出力（この場合ゼロ出力と
なる）および設定値より低くなった場合の比較器２０
・の出力（たとえはプラス出力とする）の場合には
フ０ラス出力となってメインノ（ルプ１１を全開とする
ものである。
なお、本実施例の場合には訣ｒ＋二容器ｌの規模および
種類によってザブパルプ１５、サブノ・ル）゛駆動モー
タ１７など０１１個もしくは複数個を並列に １接
続することが出来る０ このように本発明の圧力制御装置では大形のメインパル
プ１１で急速排気が出来、小形のサフ゛ノ（ルブ１５で
微細な圧力調節が出来るので、減１１−容器１の内１１
の高い清浄度を短時間で得ることにより、生産性の向上
を図るとともに、高い精１ヶの圧力調節により被処理物
の品質確保を答易に行うことか出来る。しかもこれらの
動作＆；Ｊ’、 Ｈｉ制御部９によって自動制御きれる
ので、操作に要する人手は・庫瑞にｆｊｉ’ｉ約するこ
とか出来るなど、実用効呆＆：Ｊ、（・叶めて太きい。
種類によってザブパルプ１５、サブノ・ル）゛駆動モー
タ１７など０１１個もしくは複数個を並列に １接
続することが出来る０ このように本発明の圧力制御装置では大形のメインパル
プ１１で急速排気が出来、小形のサフ゛ノ（ルブ１５で
微細な圧力調節が出来るので、減１１−容器１の内１１
の高い清浄度を短時間で得ることにより、生産性の向上
を図るとともに、高い精１ヶの圧力調節により被処理物
の品質確保を答易に行うことか出来る。しかもこれらの
動作＆；Ｊ’、 Ｈｉ制御部９によって自動制御きれる
ので、操作に要する人手は・庫瑞にｆｊｉ’ｉ約するこ
とか出来るなど、実用効呆＆：Ｊ、（・叶めて太きい。
第１図＆、４−従来の圧力制御装置１（イの構成図、第
２図は従来の他の圧力側４ｉｉ１１装置の（１ｑ成図、
第６図は本記明の圧力制御装置の系統図、第４図に１、
本発明の子方制御装置の排気系統の構成図である。 図において、１０はメイン排気管、ｌＩ＆よメインパル
プ、１２ｖ」、−リーグ胡気肯、＋ ５ ＆：Ｊ、’−
リプバルグ、１８は圧力検出部、１９は圧力設定部、２
０は比較器、２１Ｑ」、増幅器、２２はシーケンサであ
る。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士山元俊仁 第１図 第２図
２図は従来の他の圧力側４ｉｉ１１装置の（１ｑ成図、
第６図は本記明の圧力制御装置の系統図、第４図に１、
本発明の子方制御装置の排気系統の構成図である。 図において、１０はメイン排気管、ｌＩ＆よメインパル
プ、１２ｖ」、−リーグ胡気肯、＋ ５ ＆：Ｊ、’−
リプバルグ、１８は圧力検出部、１９は圧力設定部、２
０は比較器、２１Ｑ」、増幅器、２２はシーケンサであ
る。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 弁理士山元俊仁 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置に
おいて、主として減圧容器のｊＪ１気を行なうメイン排
気手段と、主として減圧容器の圧力調節を行なうザブ排
気手段と、前記メイン排気手段および前記ザブ損気手段
の動作を制御する制御部とからなり、前記メイン排気〕
・段ｅこは排気量の調整を行なうメインバルブを設け、
前記ザブ排気手段には減圧容器の圧力調整を行なうザブ
バルブを設け、ＡｉＪ記ａｊす一部にぬ５、減圧容器内
の圧力を検出する圧力検出部と減圧容器内の圧力を設定
する圧力設定部と、これらの圧力検出部および圧力設定
部の出力を比較して設定圧力からの１１ｒｉｉ差を検Ｕ
ｊ Ｌその偏差に応じた出力の一部で前記ザブ・・ルブ
の開度調節を行なう比較器と、この比較器の出力の他の
一部を段階的な出力に変換して０１［記メインバルブの
段階的開度調節を行なうシーケンサとを具備したことケ
特徴とする減圧容器を有する半導体製造装置の圧力！ｌ
；ＩＪ御装置。 ２、減圧容器を有する半導体製造装置の圧力ａｉｌ １
１１装置において、主として減圧容器の排気を行なうメ
イン排気手段と、主として減圧容器の圧力調整を行なう
１個も１〜くは複数個の一す−プυ１気手段と、前記メ
イン排気手段および前記ザブ排気手段の動作を制御する
制御部からなり、１１■記メイン排気手段に０」、全開
および全閉動作を行なうメインバルブを設り、前記ザブ
排気手段には（１，ｌｊ、圧芥器内の圧力調節イ［行な
うツ゛プハルブを設け、前記制御１部には、７威ｊ上容
器内の圧力を検出する１王力検出川≦ど、Ａｉｌ記ｄ・
υ１：谷器内の圧力を設定する圧力設定部と、これら月
力検出部および圧力設定部の出力を比較して設定圧力か
らの偏差を検出１７その偏差に応じた出力の一１９１ｉ
で前記１個もしくは複数個のサグパルプの開度調節を行
なう比較器と、この比較器の出力の他の一部を２段階出
力に変換して前記メインパルプの全開および全閉動作全
行なうシーケンサとを具備したことを特徴とする減圧容
器を有する半導体製造装置の圧力制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17876482A JPS5967619A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17876482A JPS5967619A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967619A true JPS5967619A (ja) | 1984-04-17 |
| JPH0510131B2 JPH0510131B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=16054196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17876482A Granted JPS5967619A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967619A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029437A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空排気方法 |
| JPH0245136U (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | ||
| US8182253B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-05-22 | Toshiba Carrier Corporation | Multi-cylinder rotary compressor and refrigeration cycle equipment |
| US8206139B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-06-26 | Toshiba Carrier Corporation | Rotary compressor and refrigeration cycle equipment |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161067A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-15 | Hitachi Ltd | Manufacturing apparatus of thin film |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP17876482A patent/JPS5967619A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161067A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-15 | Hitachi Ltd | Manufacturing apparatus of thin film |
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| JPH0245136U (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | ||
| US8182253B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-05-22 | Toshiba Carrier Corporation | Multi-cylinder rotary compressor and refrigeration cycle equipment |
| US8206139B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-06-26 | Toshiba Carrier Corporation | Rotary compressor and refrigeration cycle equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510131B2 (ja) | 1993-02-08 |
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