JPS5967619A - 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 - Google Patents

減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置

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JPS5967619A
JPS5967619A JP17876482A JP17876482A JPS5967619A JP S5967619 A JPS5967619 A JP S5967619A JP 17876482 A JP17876482 A JP 17876482A JP 17876482 A JP17876482 A JP 17876482A JP S5967619 A JPS5967619 A JP S5967619A
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Makoto Ozawa
誠 小沢
Fumio Muramatsu
村松 文雄
Ryoji Tsunoda
角田 良二
Genichi Kanazawa
金沢 元一
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Kokusai Electric Corp
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Kokusai Electric Corp
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 造過程を必要とする装置の減圧答器内の圧力制御装置に
関するものである。さらに詳(7くは、LSIの集積度
が向上し、VLS I程度になると減圧を利用した製造
上程にL生産性向上と品質確保のために高い排気速度と
精度の高い圧力制御を行なう排気装置が必要である。本
発明はこの要求を満す減圧容器の排気装置に関するもの
である。
従来の減圧を利用した処理装置の圧力制御Qよ第1図も
しくは第2図に示すような構造が一般的である。第1図
でに、減圧容器1(この中で@イΦの半導体の製造過程
が行なわれるか、説明は省略する)に接続した排気管2
の途中に排気路の1リ「面積を調節するコンダクタンス
バルブ3と、排気管2を開閉するケ゛一トバルプ4とが
設けてあり、排気管2の他端には排気ポンプ5が設けで
ある。第1図のケゞ一トバルブ4はスライド式のもので
あり、駆動装置4−1によって遮蔽板4−2を排気路内
に出し入れするものである。コンタクタンスバルブ;3
には排気路内に複数のバタフライブレート3 − 1が
設kJであり、このバタフライブレー1− 3−1の開
度によって01気路のコンダクタンスをW−1節するも
のである。
第2図は第1図と同様であるか、ク゛一トバルプのみが
ハタフライ式のり゛一トバルゾ6である0このクートバ
ルゾ0のノ・タフライフ0レート6−1は1枚で(11
〜成している。
生尋体処理過(ツ中減圧容器内を高い清浄度に保持する
ため、処理鍋オ′−に入る前に城用答器内を一たん高,
、+7.、 2,iEに損気しなけれはならない。し〃
・しこの時間か長いと装置内1の生産性力會客るため排
気路の断面4]しL人きくして排気速度<L十ける必−
閲かある。
第11ノIJ)・よひ第2図のケ゛一トノ・ルグ4捷た
は6とコンタクタンスパルプ3とシ1」本の排気管Vこ
直列に]d続しである。高い排気速W’c得るために排
気路の断げ11積を太きぐするとコンダクタンスノ(ル
プ3の排気路の断面積も犬きくなるので、断面積を微細
に調整して圧力の微細調整を行なうことはます捷す困難
となる。
従来のLSI程度の集積度の半導体装置の製造の場合で
は上記の程度の圧力調整で差支えはないが、VLSI程
度の高集積度になるとさらに精度の高い減圧の圧力調整
と高い排気速度が必要となる。本発明はこのような要求
を満すためになされたもので、高精度で圧力の自動調節
が0J′能であり、しかも最初の高真窒の排気が急速に
行なえる圧力制御装置^゛を提供するものである。以下
図面により詳細に説明する。
第6図は本発明の圧力制御装置idの一実施例の系統図
で、7はメイン排気系、8はザブ排気系、9は制御部で
ある。メイン排気系7は第4図に示すようにメイン排気
管10の中間にメインバルブ11が設けである。このメ
インバルブ11は本実施例ではバタフライバルブで、閉
鎖1時には完全に流路を遮断出来る構造のものである。
さらにこのメインバルブ11の両側のメイン排気管10
にはそれぞれザブ排気系8のサブ排気管l2が接続しで
ある0前記メインバルグ11のバタフライプレート13
はメインバルブ駆動モータ14によって開度昌周節きれ
るものである。
ザブ排気系8はメイン1J1気系7のメインJul 気
WlOからザブ排気管]2で分れて、ザブパルプ15が
接続しである。このザブパルプ15IJ木丈施例ではメ
インバルブ1lと同様な(114造で、流路断面積がメ
インバルブ11の約1/7の大ききである。
このザブパルプl5のハタクライノ0レート16はザプ
バルブ,駆動モータ17によって開度調Njiきれるも
のである。
制f1印部9υ」、減圧容器1の内部1工カを検出する
圧力検出部18と、減圧容器1内ll/1所要の圧力を
設定ノーる圧力設定部I9とが設けてあり、これらの圧
力検出部18とj王力iψ定部19の出力ほ比1咬器2
0で比較され、圧力設定値と実際の圧力との差にもとつ
く出力か比1咬器20から出力きれる。この出力ヶ」、
増幅器21で増幅きれ、一部はザブパルプ駆動モータ1
7を駆動するとともに、一部はシーケンサ22に人力し
、メインハルブ駆動モータ14を駆動してメインバルブ
11の開開調節を行なう。このメインパルプ11の開度
調節を行なう理由は広tijQ囲でかつ微細な圧力制御
を可能にするためである。ザブパルプ15は制御イ′へ
度を向上するために全開110の何気速度をあ捷り大き
くとっていない0そこでザブパルプ15で圧力制御しき
れない場合はシーケンサ22の出力により、ザブバルブ
15で圧力制御が可能な範囲壕でメインパルプ11の開
度を段階的に増減する。
次に、本発明のn−力制御装置の動作について説明する
。減圧容器1の内部に半導体なとの被処理物を入れ、出
入れ1」および反応ガス導入IJ ]−1を閉鎖し排気
、j5ンノ5の運転を開始する。この状態のときはメイ
ンパルプ11およびザブパルプ15は全開状態となって
いるので、排気d、排気月ビンノ。
5の排気能力−ばいの速度で行なわれ、急速に高真空状
態となる。これにより、空気などの不要ガスを排除して
から圧力設定部19に減圧容器1の所要圧力を設定し、
反応ガス導入口1−1から必要量の反応ガスを導入する
。この結果減圧容器1の内部圧力は上昇するか、圧力4
す↓山部18の出力と圧力設定部19の出力とが」、比
較器20で比較され、設定圧力との偏差に応じた圧力が
比較器20から出、この出力を増幅器21で増幅しザブ
パルプ駆動モーフ17によりザブパルプ15のバタフラ
イノ0レート16の開度を調節し、コンダクタンスバル
ブとして機能させて4:11気月?ンプ5のJul気1
1(を調節して減圧容器1の内部圧力τ設定値に保つ。
なお、に1′11節第1”3度を上げるために11■記
のようにザブ排気系統はメイン排気系統にくらへて小き
いので、−リーブバルブ15の全閉と全開との差はそれ
ほと大きくない。このためにコンダクタンスバルブとし
ての調節範囲か不足することがある。このためにザブパ
ルプ15が全開となったときに前記増幅器21の出力の
一部が7−ケンザ22によって段階的にメインパルプ1
1の開度N76節を行なう。
このメインパルプ11の段階的開度i;L’、I節とザ
ブパルプ15の)I(19段階開度調簡によってコンダ
クタンスバルブとして所−狭範囲のコンダクタンス調節
を行うものである。
本発明の他の実施例は、m(記実施例と回路構成は同じ
であるが、前記実施例においてはシーケンサ22が比較
器20からの連続的な入力変化に対して入力の一定変化
量ごとに段階的出力に変換するものであるのに対し、本
実施例の7−ケンサは減圧容器1内の月−万が設定値よ
り高い場合の比軸器20の出力(たとえばマイナス出力
とする)の場合にd、ゼロ出力で、メインパルブ11は
全開となっており、減圧容器1内の圧力か設定値に一致
  41した場合の比較器の出力(この場合ゼロ出力と
なる)および設定値より低くなった場合の比較器20 
  ・の出力(たとえはプラス出力とする)の場合には
フ0ラス出力となってメインノ(ルプ11を全開とする
ものである。
なお、本実施例の場合には訣r+二容器lの規模および
種類によってザブパルプ15、サブノ・ル)゛駆動モー
タ17など011個もしくは複数個を並列に   1接
続することが出来る0 このように本発明の圧力制御装置では大形のメインパル
プ11で急速排気が出来、小形のサフ゛ノ(ルブ15で
微細な圧力調節が出来るので、減11−容器1の内11
の高い清浄度を短時間で得ることにより、生産性の向上
を図るとともに、高い精1ヶの圧力調節により被処理物
の品質確保を答易に行うことか出来る。しかもこれらの
動作&;J’、 Hi制御部9によって自動制御きれる
ので、操作に要する人手は・庫瑞にfji’i約するこ
とか出来るなど、実用効呆&:J、(・叶めて太きい。
【図面の簡単な説明】
第1図&、4−従来の圧力制御装置1(イの構成図、第
2図は従来の他の圧力側4ii11装置の(1q成図、
第6図は本記明の圧力制御装置の系統図、第4図に1、
本発明の子方制御装置の排気系統の構成図である。 図において、10はメイン排気管、lI&よメインパル
プ、12v」、−リーグ胡気肯、+ 5 &:J、’−
リプバルグ、18は圧力検出部、19は圧力設定部、2
0は比較器、21Q」、増幅器、22はシーケンサであ
る。 特許出願人  国際電気株式会社 代理人 弁理士山元俊仁 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置に
    おいて、主として減圧容器のjJ1気を行なうメイン排
    気手段と、主として減圧容器の圧力調節を行なうザブ排
    気手段と、前記メイン排気手段および前記ザブ損気手段
    の動作を制御する制御部とからなり、前記メイン排気〕
    ・段eこは排気量の調整を行なうメインバルブを設け、
    前記ザブ排気手段には減圧容器の圧力調整を行なうザブ
    バルブを設け、AiJ記ajす一部にぬ5、減圧容器内
    の圧力を検出する圧力検出部と減圧容器内の圧力を設定
    する圧力設定部と、これらの圧力検出部および圧力設定
    部の出力を比較して設定圧力からの11rii差を検U
    j Lその偏差に応じた出力の一部で前記ザブ・・ルブ
    の開度調節を行なう比較器と、この比較器の出力の他の
    一部を段階的な出力に変換して01[記メインバルブの
    段階的開度調節を行なうシーケンサとを具備したことケ
    特徴とする減圧容器を有する半導体製造装置の圧力!l
    ;IJ御装置。 2、減圧容器を有する半導体製造装置の圧力ail 1
    11装置において、主として減圧容器の排気を行なうメ
    イン排気手段と、主として減圧容器の圧力調整を行なう
    1個も1〜くは複数個の一す−プυ1気手段と、前記メ
    イン排気手段および前記ザブ排気手段の動作を制御する
    制御部からなり、11■記メイン排気手段に0」、全開
    および全閉動作を行なうメインバルブを設り、前記ザブ
    排気手段には(1,lj、圧芥器内の圧力調節イ[行な
    うツ゛プハルブを設け、前記制御1部には、7威j上容
    器内の圧力を検出する1王力検出川≦ど、Ail記d・
    υ1:谷器内の圧力を設定する圧力設定部と、これら月
    力検出部および圧力設定部の出力を比較して設定圧力か
    らの偏差を検出17その偏差に応じた出力の一191i
    で前記1個もしくは複数個のサグパルプの開度調節を行
    なう比較器と、この比較器の出力の他の一部を2段階出
    力に変換して前記メインパルプの全開および全閉動作全
    行なうシーケンサとを具備したことを特徴とする減圧容
    器を有する半導体製造装置の圧力制御装置。
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Cited By (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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