JPH0250421A - ガス供給装置 - Google Patents

ガス供給装置

Info

Publication number
JPH0250421A
JPH0250421A JP20119188A JP20119188A JPH0250421A JP H0250421 A JPH0250421 A JP H0250421A JP 20119188 A JP20119188 A JP 20119188A JP 20119188 A JP20119188 A JP 20119188A JP H0250421 A JPH0250421 A JP H0250421A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
mass flow
valve
inert gas
flow controller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20119188A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0691038B2 (ja
Inventor
Tatsuo Sakai
阪井 達生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63201191A priority Critical patent/JPH0691038B2/ja
Publication of JPH0250421A publication Critical patent/JPH0250421A/ja
Publication of JPH0691038B2 publication Critical patent/JPH0691038B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガス供給装置に関し、特にパージ機能を有する
ガス供給装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の蒸気圧の低いプロセスガスを用いる半導
体製造装置では第2図に示すようにマスフローコントロ
ーラ(以下、NFCという)3.ガスバルブ4、圧力調
整用バルブ、アイソレージコンバルブ8、真空処理室9
、ターボポンプ10、ロータリポンプ11等を有してお
り、 MFC3の前後にバルブが設けてあり、NFCの
前のバルブを閉めることによりMFCa内を排気したり
、また真空処理室9を通して不活性ガスでパージする作
業を行っていた。
〔発明が解決しようとするlK!!I)上述したように
従来のガス供給装置では、パージを頻繁に行えないため
、バルブ閉鎖時に残留した気体が徐々にMFCa内にあ
る流量測定用のセンサ管内で液化し、結果として測定誤
差が増大し、流量制御が行われなくなるという欠点があ
る。
本発明の目的は前記課題を解決したガス供給装置を提供
することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のガス供給装置に対し、本発明でのガス供
給装置では、NFC直後にパージ用のバイパスを設け、
エツチング処理後、毎回センサ管内に残留するガスを不
活性ガスを用い、−掃することができるという相違点を
有する。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明はマスフローコントロ
ーラを用いる半導体製造装置において。
蒸気圧の低いプロセスガスを用いる場合に、装置にプロ
セスガスが流れていない間1分枝したバイパス管を通し
て前記マスフローコントローラを不活性ガスでパージす
る機能を有するものである。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
図において、不活性ガスラインGいプロセスガスライン
G2を不活性ガス供給用バルブ1.プロセスガス供給用
バルブ2をそれぞれ介してプロセスガス用MFC3の流
入側に接続し、該MFC3の流出側をガスバルブ4を介
して真空処理室9に接続する。
一方、真空処理室9には圧力調整用バルブ7、アイソレ
ーションバルブ8を介してターボポンプ10、ロータリ
ポンプ11を接続する。
さらに、プロセスガス用MFC3の流出側をバイパスバ
ルブ5、不活性ガス用MFC6を介してターボポンプ1
0側にバイパスさせる。
半導体製造装置において、処理終了後、バルブ2を閉じ
、真空処理室9を介してポンプ10.11で真空に引く
0次にバルブ4と8を閉じ、バルブ1と5を開く。この
とき、MFC6で不活性ガスが過大に流れないように流
量を調節する。一定時間不活性ガスを流した後、バルブ
1を閉じ、真空引きを行う0次に、バルブ5を閉じ、バ
ルブ8.バルブ4、バルブ2の順に開くことにより、処
理動作可能とし、再び処理を継続させる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は不活性ガスを半導体製造装
置処理終了後、−度MFC内のセンサ管に流すことによ
り、従来の方法で多くみられたセンサ管内の目づまりに
よる故障を皆無にすることができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の不活性ガス供給装置を示すブロック図
、また第2図は従来のガス供給装置を示すブロック図で
ある。 1・・・不活性ガス供給用バルブ 2・・・プロセスガス供給用バルブ 3・・・プロセスガス供給MFC4・・・ガスバルブ5
・・・バイパスバルブ    6・・・不活性ガス用M
FC7・・・圧力調整用バルブ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マスフローコントローラを用いる半導体製造装置
    において、蒸気圧の低いプロセスガスを用いる場合に、
    装置にプロセスガスが流れていない間、分枝したバイパ
    ス管を通して前記マスフローコントローラを不活性ガス
    でパージする機能を有することを特徴とするガス供給装
    置。
JP63201191A 1988-08-12 1988-08-12 ガス供給装置 Expired - Lifetime JPH0691038B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63201191A JPH0691038B2 (ja) 1988-08-12 1988-08-12 ガス供給装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63201191A JPH0691038B2 (ja) 1988-08-12 1988-08-12 ガス供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0250421A true JPH0250421A (ja) 1990-02-20
JPH0691038B2 JPH0691038B2 (ja) 1994-11-14

Family

ID=16436858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63201191A Expired - Lifetime JPH0691038B2 (ja) 1988-08-12 1988-08-12 ガス供給装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0691038B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210053201A (ko) 2019-11-01 2021-05-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 시스템, 기판 처리 장치 및 가스 공급 시스템의 제어 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5980777A (ja) * 1982-10-29 1984-05-10 Hitachi Ltd ガス制御装置
JPS6082668A (ja) * 1983-10-07 1985-05-10 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd ガス流量制御装置
JPS63118073A (ja) * 1986-11-05 1988-05-23 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 反応ガスパ−ジシステム
JPS6447872A (en) * 1987-08-19 1989-02-22 Matsushita Electronics Corp Thin film forming device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5980777A (ja) * 1982-10-29 1984-05-10 Hitachi Ltd ガス制御装置
JPS6082668A (ja) * 1983-10-07 1985-05-10 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd ガス流量制御装置
JPS63118073A (ja) * 1986-11-05 1988-05-23 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 反応ガスパ−ジシステム
JPS6447872A (en) * 1987-08-19 1989-02-22 Matsushita Electronics Corp Thin film forming device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210053201A (ko) 2019-11-01 2021-05-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 공급 시스템, 기판 처리 장치 및 가스 공급 시스템의 제어 방법
US11538665B2 (en) 2019-11-01 2022-12-27 Tokyo Electron Limited Gas supply system, substrate processing apparatus, and control method for gas supply system

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0691038B2 (ja) 1994-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6782907B2 (en) Gas recirculation flow control method and apparatus for use in vacuum system
EP1934043A2 (en) Wide range pressure control using turbo pump
JPH0250421A (ja) ガス供給装置
JP2006319207A (ja) 流量制御装置、薄膜堆積装置および流量制御方法
JP2826479B2 (ja) ガス供給装置及びその操作方法
JP3125779B2 (ja) 気相成長方法
JP2715134B2 (ja) 処理方法
JP2881154B2 (ja) 真空排気装置
JPS6024017A (ja) 処理ガス圧力調整方法
KR100676197B1 (ko) 로드락 챔버의 공기흐름 조절장치
JP2019046998A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JPS6262526A (ja) プラズマ処理装置
JPH09306851A (ja) 減圧排気システムおよび減圧気相処理装置
JPH0593272A (ja) 真空容器の給気装置及び給気方法
JPH02229983A (ja) 真空装置
KR930004198Y1 (ko) 가스통로의 자동 배기장치
KR0181904B1 (ko) 화학기상증착설비의 배기 시스템
JPH0318674A (ja) ガス圧力制御方法及び真空装置
JPH06256948A (ja) 真空処理装置
JP2558385B2 (ja) 真空装置
KR200247359Y1 (ko) 유량 제어 장치 부착형 가스 공급 장치
JP2001227657A (ja) プロセスガス供給ユニット
JPS62152529A (ja) 処理装置
JPS63140081A (ja) 微少流量間欠ガス導入方法および装置
JPH0593541U (ja) 真空容器のリーク装置