JPH0250421A - ガス供給装置 - Google Patents
ガス供給装置Info
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- JPH0250421A JPH0250421A JP20119188A JP20119188A JPH0250421A JP H0250421 A JPH0250421 A JP H0250421A JP 20119188 A JP20119188 A JP 20119188A JP 20119188 A JP20119188 A JP 20119188A JP H0250421 A JPH0250421 A JP H0250421A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガス供給装置に関し、特にパージ機能を有する
ガス供給装置に関する。
ガス供給装置に関する。
従来、この種の蒸気圧の低いプロセスガスを用いる半導
体製造装置では第2図に示すようにマスフローコントロ
ーラ(以下、NFCという)3.ガスバルブ4、圧力調
整用バルブ、アイソレージコンバルブ8、真空処理室9
、ターボポンプ10、ロータリポンプ11等を有してお
り、 MFC3の前後にバルブが設けてあり、NFCの
前のバルブを閉めることによりMFCa内を排気したり
、また真空処理室9を通して不活性ガスでパージする作
業を行っていた。
体製造装置では第2図に示すようにマスフローコントロ
ーラ(以下、NFCという)3.ガスバルブ4、圧力調
整用バルブ、アイソレージコンバルブ8、真空処理室9
、ターボポンプ10、ロータリポンプ11等を有してお
り、 MFC3の前後にバルブが設けてあり、NFCの
前のバルブを閉めることによりMFCa内を排気したり
、また真空処理室9を通して不活性ガスでパージする作
業を行っていた。
〔発明が解決しようとするlK!!I)上述したように
従来のガス供給装置では、パージを頻繁に行えないため
、バルブ閉鎖時に残留した気体が徐々にMFCa内にあ
る流量測定用のセンサ管内で液化し、結果として測定誤
差が増大し、流量制御が行われなくなるという欠点があ
る。
従来のガス供給装置では、パージを頻繁に行えないため
、バルブ閉鎖時に残留した気体が徐々にMFCa内にあ
る流量測定用のセンサ管内で液化し、結果として測定誤
差が増大し、流量制御が行われなくなるという欠点があ
る。
本発明の目的は前記課題を解決したガス供給装置を提供
することにある。
することにある。
上述した従来のガス供給装置に対し、本発明でのガス供
給装置では、NFC直後にパージ用のバイパスを設け、
エツチング処理後、毎回センサ管内に残留するガスを不
活性ガスを用い、−掃することができるという相違点を
有する。
給装置では、NFC直後にパージ用のバイパスを設け、
エツチング処理後、毎回センサ管内に残留するガスを不
活性ガスを用い、−掃することができるという相違点を
有する。
前記目的を達成するため、本発明はマスフローコントロ
ーラを用いる半導体製造装置において。
ーラを用いる半導体製造装置において。
蒸気圧の低いプロセスガスを用いる場合に、装置にプロ
セスガスが流れていない間1分枝したバイパス管を通し
て前記マスフローコントローラを不活性ガスでパージす
る機能を有するものである。
セスガスが流れていない間1分枝したバイパス管を通し
て前記マスフローコントローラを不活性ガスでパージす
る機能を有するものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
図において、不活性ガスラインGいプロセスガスライン
G2を不活性ガス供給用バルブ1.プロセスガス供給用
バルブ2をそれぞれ介してプロセスガス用MFC3の流
入側に接続し、該MFC3の流出側をガスバルブ4を介
して真空処理室9に接続する。
G2を不活性ガス供給用バルブ1.プロセスガス供給用
バルブ2をそれぞれ介してプロセスガス用MFC3の流
入側に接続し、該MFC3の流出側をガスバルブ4を介
して真空処理室9に接続する。
一方、真空処理室9には圧力調整用バルブ7、アイソレ
ーションバルブ8を介してターボポンプ10、ロータリ
ポンプ11を接続する。
ーションバルブ8を介してターボポンプ10、ロータリ
ポンプ11を接続する。
さらに、プロセスガス用MFC3の流出側をバイパスバ
ルブ5、不活性ガス用MFC6を介してターボポンプ1
0側にバイパスさせる。
ルブ5、不活性ガス用MFC6を介してターボポンプ1
0側にバイパスさせる。
半導体製造装置において、処理終了後、バルブ2を閉じ
、真空処理室9を介してポンプ10.11で真空に引く
0次にバルブ4と8を閉じ、バルブ1と5を開く。この
とき、MFC6で不活性ガスが過大に流れないように流
量を調節する。一定時間不活性ガスを流した後、バルブ
1を閉じ、真空引きを行う0次に、バルブ5を閉じ、バ
ルブ8.バルブ4、バルブ2の順に開くことにより、処
理動作可能とし、再び処理を継続させる。
、真空処理室9を介してポンプ10.11で真空に引く
0次にバルブ4と8を閉じ、バルブ1と5を開く。この
とき、MFC6で不活性ガスが過大に流れないように流
量を調節する。一定時間不活性ガスを流した後、バルブ
1を閉じ、真空引きを行う0次に、バルブ5を閉じ、バ
ルブ8.バルブ4、バルブ2の順に開くことにより、処
理動作可能とし、再び処理を継続させる。
以上説明したように本発明は不活性ガスを半導体製造装
置処理終了後、−度MFC内のセンサ管に流すことによ
り、従来の方法で多くみられたセンサ管内の目づまりに
よる故障を皆無にすることができる効果を有する。
置処理終了後、−度MFC内のセンサ管に流すことによ
り、従来の方法で多くみられたセンサ管内の目づまりに
よる故障を皆無にすることができる効果を有する。
第1図は本発明の不活性ガス供給装置を示すブロック図
、また第2図は従来のガス供給装置を示すブロック図で
ある。 1・・・不活性ガス供給用バルブ 2・・・プロセスガス供給用バルブ 3・・・プロセスガス供給MFC4・・・ガスバルブ5
・・・バイパスバルブ 6・・・不活性ガス用M
FC7・・・圧力調整用バルブ
、また第2図は従来のガス供給装置を示すブロック図で
ある。 1・・・不活性ガス供給用バルブ 2・・・プロセスガス供給用バルブ 3・・・プロセスガス供給MFC4・・・ガスバルブ5
・・・バイパスバルブ 6・・・不活性ガス用M
FC7・・・圧力調整用バルブ
Claims (1)
- (1)マスフローコントローラを用いる半導体製造装置
において、蒸気圧の低いプロセスガスを用いる場合に、
装置にプロセスガスが流れていない間、分枝したバイパ
ス管を通して前記マスフローコントローラを不活性ガス
でパージする機能を有することを特徴とするガス供給装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63201191A JPH0691038B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63201191A JPH0691038B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガス供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250421A true JPH0250421A (ja) | 1990-02-20 |
JPH0691038B2 JPH0691038B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16436858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63201191A Expired - Lifetime JPH0691038B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガス供給装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0691038B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210053201A (ko) | 2019-11-01 | 2021-05-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 장치 및 가스 공급 시스템의 제어 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5980777A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | ガス制御装置 |
JPS6082668A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-10 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | ガス流量制御装置 |
JPS63118073A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 反応ガスパ−ジシステム |
JPS6447872A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Matsushita Electronics Corp | Thin film forming device |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201191A patent/JPH0691038B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5980777A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | ガス制御装置 |
JPS6082668A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-10 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | ガス流量制御装置 |
JPS63118073A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 反応ガスパ−ジシステム |
JPS6447872A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Matsushita Electronics Corp | Thin film forming device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210053201A (ko) | 2019-11-01 | 2021-05-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 장치 및 가스 공급 시스템의 제어 방법 |
US11538665B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-12-27 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus, and control method for gas supply system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0691038B2 (ja) | 1994-11-14 |
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