JPS5980777A - ガス制御装置 - Google Patents

ガス制御装置

Info

Publication number
JPS5980777A
JPS5980777A JP18905382A JP18905382A JPS5980777A JP S5980777 A JPS5980777 A JP S5980777A JP 18905382 A JP18905382 A JP 18905382A JP 18905382 A JP18905382 A JP 18905382A JP S5980777 A JPS5980777 A JP S5980777A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
valve
pulp
vacuum chamber
pump system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18905382A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0565593B2 (ja
Inventor
Sadayuki Okudaira
奥平 定之
Shigeru Nishimatsu
西松 茂
Keizo Suzuki
敬三 鈴木
Tatsumi Mizutani
水谷 巽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP18905382A priority Critical patent/JPS5980777A/ja
Publication of JPS5980777A publication Critical patent/JPS5980777A/ja
Publication of JPH0565593B2 publication Critical patent/JPH0565593B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は真空装置にガスを導入する場合の制御方法に関
し、特にガス導入の自動制御およびガス導入量を安定に
させるだめの装置構成に関する。
〔従来技術〕
従来の真空装置にガスを導入する方法は、ガス流量を制
御するだめのガス流量コントローラ(マスフローコント
ローラ)するいハ可変ニードルバルブを直接、あるいは
ストップパルプを介在させて真空槽に接続させる方法で
あったので、ガスを流入させる時点においては真空槽内
のガス圧力が必ず連続的に変化し、ガス圧力が変動する
時間が長いという欠点があった。
さらに実例を挙げて説明すると第1図(a)の従来の装
置構成においては真空槽lに直接マスフローコントロー
ラあるいは可変ニードルパルプなどで構成される可変パ
ルプ2が接続されておシ、真空槽1にガスを流入させな
い場合には可変パルプは零点に設定しておく。真空槽1
にガスを流入させる場合には可変パルプ2を手動あるい
は自動操作によって所定のガス流量(あるいは所定のガ
ス圧力)に達するまで、開かなければならない。この操
作中に真空槽1のガス圧力は連続的に上昇し、安定なガ
ス圧力に達するのに時間がかかる。自動操作の場合には
特に所定のガス流量(あるいはガス圧力)よシ一度オー
バな値に達し、再び可変パルプを閉じる操作の繰返しを
行うことが多いので、安定なガス流量(あるいはガス圧
力)に達するまでの時間が長くなる。前記第1図(b)
は可変パルプ2が零点にあっても完全にガスの流れを停
止できない場合とか、急激にガス流を停止させる場合に
、真空槽1と可変バルブ2の間にストップパルプ3を介
在させた装置構成であるが、ガスを流入し始める場合に
は(a)の場合と同じく、ガス流量(あるいはガス圧力
)が安定するまで時間がかかる。また可変パルプ2が完
全に閉状態にできず、長時間放置されている場合には、
ストップバルブ3と可変パルプ2の配′ぎ部分4にガス
が溜まるため、ストップパルプ3を閉状態から開状態に
切υ替えた瞬間に、上記配管部4に溜まっていた圧力の
高いガスが真空槽1に流入する不都合な現象が起こる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は真空槽にガスを供給する装置において、
ガス流量あるいはガス圧力を制御するだめの簡単な装置
構成により、より簡便で、ガス流量およびガス圧力をよ
シ短時間で安定化する装置構成を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するための本発明の構成は、真空槽とガ
ス流量を調整する制御器との間に少なくとも1個の中間
排気ポンプ系を設けることにある。
本発明は上記構成になるので、例えばドライエツチング
装置の自動化において、排気操作およびエツチング操作
の自動化は比較的に容易に達成された。ガス流量あるい
はガス圧力制御において自動化が困難であったことに基
づいて、従来よシ優れたガス供給方式が容易となった。
また、自動化とともにガス流量あるいはガス圧力の調整
時間の短縮、およびガス流量およびガス圧力の安定性や
、再現性に極めて効を奏するようになった。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。第2図は真空装置にガ
スを供給する場合に、中間排気配管系5を設けた本発明
の基本構成ケ示す。真空槽1はあらかじめ排気ポンプ系
6によってパルプ7を経て排気されている。供給ガスは
ボンベまたは液体源などを用いたガス源8から減圧弁9
を経てマスフローコントローラあるいはニードルパルプ
などの01変バルブ2に接続している。ただしガス源の
圧力が低い場合には減圧弁9を必ずしも必要としない。
+TJ変パルプ2から真空槽1の間には少なくとも1つ
のパルプ3があり、並列して他の排気ポンプ系5との間
にも少なくとも1つのノくルプ10がある。排気ポンプ
系5と6はいず肛も可変ノ<ルプ2によって、流れるガ
ス流量を十分排気できるだけの口しカをもつ必要がめる
。大隊にガスを真空槽に供給する場合には一度所定のガ
ス流量あるいはガス圧力を測定するために、パルプ10
を閉じパルプ3を開として排気ポンプ系6にガスを流し
流量調整を行っておくのがよい。可変ノくルプは所定の
ガス流量に適した調整位置に固定しておく。
真空槽1にガスを供給する必要のない場合にはノくルブ
3を閉じパルプ10を開とし、可変ノ(ルプ2とパルプ
3および10の間の配管部4にガスが溜らないよう匝排
気ポンプ系5に流しておき、真空槽にガス供給をする場
合にパルプ10を閉、)(ルプ3を開とする。パルプl
Oとパルプ3の開閉のタイミングはパルプの動作機構に
よって差があるのであらかじめ時定数の調整をしておく
のがよい。
本発明のガス供給の装置構成と前記第1図に示した従来
装置構成によるガス圧力の時間変化曲線を第3図に示す
。第3図(a)は通常用いられているスパッタ装置ある
いは反応性スパッタエツチング装置で、真空槽が約60
1の容積の装置にAr。
0□、H2、CF4 、SFgなどのガス種をマスフロ
ーコントローラを用いて流した帯金のガス圧力の時間変
化を示す。はぼ安定なガス圧力に達するまでの時間はガ
ス種に限らず約2分でbつだ。
本発明のガス配管の装置構成では第3図(b)のごとく
約10数秒で安定なガス圧力に到達した。また従来方式
では各ガス導入時毎に調整が必要であり、再現性の良い
値に設定するだめの熟練を要すが、本発明ではストップ
パルプの開閉だけであるので、再現性に優れていた。
本実験で得られた特性は他の容積値を有する各極真空装
置に応用できるのはもちろんであるが、真空槽の8積お
よび本排気ポンプ系の排気速度に応じて、中間排気ポン
プ系の排気速度もできるだけ同一にするのが望ましい。
第4図はガス配管を清浄にするために可変パルプ2のバ
イパスパルプ11を設けた装置構成であり、ガス源から
可変バルブ2までの配管部分の不要ガスを排気清浄化す
るときに、処理時間が短縮できる。この場合には可変パ
ルプ2の調整位置は固定のままでよい。パルプ12はガ
ス源のガスを供給するときに閉状態にしておき、直接可
変パルプ2に圧力がかからないために有効であるのと同
時に、長時間真空槽lにガス供給をしないときに、パル
プ12を閉にしてガスを止めるために有効である。
第5図はガスが高価であるとか、ポンプを劣化させる種
類の場合に有効なガス配管の装置構成である。ガス源1
3が高価なガスあるいは塩素系ガスや酸化性ガスのよう
にポンプを劣化させるガス源の場合には、排気ポンプ系
5に流すガスは、できるだけ不活性で低価なガスに切り
替えるのがよい。ガス源14は上記目的の切シ替えガス
源で、通常N 2 * A rガスを用いるのがよい。
排気ポンプ系5に流す時間が短かい場合には、ガスを切
り替えないでもよいが、排気ポンプ系5には、ポンプ保
護のため活性ガスのトラップ15.16を設けるのがよ
い。トラップ15.16は1つでもよいが、ガスが多量
の場合には両者を交互に使用し、一方が使われている間
に、他方をN2ガスなどのパージラインを設けて清浄化
しておくのが効率的である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、真空装置内にガスを供給しなけれハナ
らない装置において、ガス圧力調整の時間を約1/10
に短縮でき、再現性や安定性にも優れ、操作法も簡便に
なるので、特に自動化装置化する場合に効果がある。も
ちろん手動装置の場合にもストップパルプの開閉操作の
みでよいので、操作が簡略化され、性能および効率が向
上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のガス供給系の装置構成図、第2図は本発
明によるガス供給系の装置構成図、第3図は本発明によ
るガス圧力の時間変動特性図、第4図、第5図は本発明
によるガス供給系の装置構成図である。 l・・・真空槽、2・・・可変パルプ(ニードルパルプ
。 マスフローコントローラなど)、3・・・ストップパル
プ、4・・・ガス配管の一部、5・・・中間排気ポンプ
系、6・・・真空槽用主排気ボング系、7・・・ストッ
プパルプ、8・・・ガス源、9〜12・・・ストップパ
ルプ、463 ■1図 (化)(b) 第 2 図 ¥J 3  図 PrrJl (man)      時間(w6n)T
1図 ¥J 5 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空槽内にガスを導入する装置において、真空槽と
    ガス流量を調整する制御器との間に少なくとも一つの中
    間排気ポンプ系を設けることを特徴とするガス制御装置
    。 2、特許請求の範囲第1項において、真空槽にガスを供
    給する場合には中間排気ポンプ系を閉じ、真空槽にガス
    を供給しないときには中間排気ポンプ系を開状態とし、
    ガス排気を行うことを特徴とするガス制御装置。 3、%許請求の範囲第1項において、」二記中間排気ポ
    ンプ系の排気速度は真空槽に接続する主排気ポンプ系と
    同一にすることを特徴とするガス制御装置。
JP18905382A 1982-10-29 1982-10-29 ガス制御装置 Granted JPS5980777A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18905382A JPS5980777A (ja) 1982-10-29 1982-10-29 ガス制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18905382A JPS5980777A (ja) 1982-10-29 1982-10-29 ガス制御装置

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18214994A Division JP2650105B2 (ja) 1994-08-03 1994-08-03 ガス制御装置
JP6182148A Division JP2827911B2 (ja) 1994-08-03 1994-08-03 ガス制御装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5980777A true JPS5980777A (ja) 1984-05-10
JPH0565593B2 JPH0565593B2 (ja) 1993-09-20

Family

ID=16234498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18905382A Granted JPS5980777A (ja) 1982-10-29 1982-10-29 ガス制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5980777A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62274065A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JPH0250421A (ja) * 1988-08-12 1990-02-20 Nec Corp ガス供給装置
JPH05112881A (ja) * 1991-05-15 1993-05-07 Hitachi Ltd イオンミリング装置のガス導入系
CN103325651A (zh) * 2012-03-21 2013-09-25 Fei公司 多种气体喷射系统
WO2013157635A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 東京エレクトロン株式会社 ガスフロー蒸着装置、及びガスフロー蒸着方法
CN109536931A (zh) * 2018-12-28 2019-03-29 华灿光电(浙江)有限公司 发光二极管的外延片生长装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5729577A (en) * 1980-07-30 1982-02-17 Anelva Corp Automatic continuous sputtering apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5729577A (en) * 1980-07-30 1982-02-17 Anelva Corp Automatic continuous sputtering apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62274065A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成装置
JPH0250421A (ja) * 1988-08-12 1990-02-20 Nec Corp ガス供給装置
JPH05112881A (ja) * 1991-05-15 1993-05-07 Hitachi Ltd イオンミリング装置のガス導入系
CN103325651A (zh) * 2012-03-21 2013-09-25 Fei公司 多种气体喷射系统
EP2642506A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-25 Fei Company Multiple gas injection system
US20130248490A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 Fei Company Multiple Gas Injection System
JP2013197594A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Fei Co 複数ガス注入システム
US9275823B2 (en) 2012-03-21 2016-03-01 Fei Company Multiple gas injection system
US9728375B2 (en) 2012-03-21 2017-08-08 Fei Company Multiple gas injection system
WO2013157635A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 東京エレクトロン株式会社 ガスフロー蒸着装置、及びガスフロー蒸着方法
CN109536931A (zh) * 2018-12-28 2019-03-29 华灿光电(浙江)有限公司 发光二极管的外延片生长装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0565593B2 (ja) 1993-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5259735A (en) Evacuation system and method therefor
JPH1126552A (ja) 半導体装置製造設備及びこれの駆動方法
JPS5980777A (ja) ガス制御装置
JPH06244125A (ja) 減圧処理装置
JPH04314995A (ja) 無給油式注液形スクリュ圧縮機
RU2086873C1 (ru) Способ удаления отходящих газов из дуговой электропечи, устройство для его осуществления и дуговая электропечь
JPH0118152B2 (ja)
JP2650105B2 (ja) ガス制御装置
JP2827911B2 (ja) ガス制御装置
KR200212869Y1 (ko) 반도체제조를위한진공유기용배관시스템
JPH1011152A (ja) 減圧処理装置の真空排気装置
JPS55142993A (en) Volume control for centrifugal compressor
JPS5881975A (ja) プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系
JP2954142B2 (ja) 半導体製造装置とその気体流量の制御方法
KR100222960B1 (ko) 저압 공정용 펌핑 라인
JPS5811074B2 (ja) 真空装置における排気系
JPS63123108A (ja) 真空制御装置
JPH0882226A (ja) 空気冷却器
JPS6269509A (ja) 低圧cvd装置
JPH05198513A (ja) 減圧処理装置のガス供給方法
JPS6321573Y2 (ja)
JPS61254241A (ja) 真空装置のガス制御装置
JPH0250421A (ja) ガス供給装置
JP2558385B2 (ja) 真空装置
JPH09126394A (ja) 低温液化ガス貯蔵設備