JPH05198513A - 減圧処理装置のガス供給方法 - Google Patents
減圧処理装置のガス供給方法Info
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- JPH05198513A JPH05198513A JP709492A JP709492A JPH05198513A JP H05198513 A JPH05198513 A JP H05198513A JP 709492 A JP709492 A JP 709492A JP 709492 A JP709492 A JP 709492A JP H05198513 A JPH05198513 A JP H05198513A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相反応に基づく成膜またはエッチングを行
う減圧処理装置のガス供給方法に関し、処理室へのガス
供給の初期に、処理室における供給ガスの圧力にオーバ
ーシュートが生じないようにさせることを目的とする。 【構成】 処理室１，排気系３，ＭＦＣ（マスフローコ
ントローラ）４，ガス供給管５，第１バルブ６，ガスバ
イパス管７，第２バルブ８を有して、ＭＦＣ４から処理
室１にガス２を供給する際に第１バルブ６を開くと共に
第２バルブ８を閉じる減圧処理装置において、そのガス
供給の以前は、ＭＦＣ４にガス２を流しながらガス供給
管上流部分５ａのガス圧ｐをガス供給中に示す圧力ｐ0
以下の第２圧力ｐ2 しておくように構成する。ＭＦＣ４
のガス流量ｑをガス供給中の所定流量ｑ0 より少なくし
てｐをｐ2 にし、ガス供給を開始した直後にｑをｑ0 ま
で増やす。ｑをｑ0 に維持し、第２バルブ８の後に排気
ポンプを設けても良い。
う減圧処理装置のガス供給方法に関し、処理室へのガス
供給の初期に、処理室における供給ガスの圧力にオーバ
ーシュートが生じないようにさせることを目的とする。 【構成】 処理室１，排気系３，ＭＦＣ（マスフローコ
ントローラ）４，ガス供給管５，第１バルブ６，ガスバ
イパス管７，第２バルブ８を有して、ＭＦＣ４から処理
室１にガス２を供給する際に第１バルブ６を開くと共に
第２バルブ８を閉じる減圧処理装置において、そのガス
供給の以前は、ＭＦＣ４にガス２を流しながらガス供給
管上流部分５ａのガス圧ｐをガス供給中に示す圧力ｐ0
以下の第２圧力ｐ2 しておくように構成する。ＭＦＣ４
のガス流量ｑをガス供給中の所定流量ｑ0 より少なくし
てｐをｐ2 にし、ガス供給を開始した直後にｑをｑ0 ま
で増やす。ｑをｑ0 に維持し、第２バルブ８の後に排気
ポンプを設けても良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相反応に基づく成膜ま
たはエッチングを行う減圧処理装置のガス供給方法に関
する。
たはエッチングを行う減圧処理装置のガス供給方法に関
する。
【０００２】上記減圧処理装置は、半導体装置の製造に
賞用されており、処理室へのガス供給開始により処理を
開始する。そして、供給したガスの処理室における圧力
の経時的変化は処理に微妙に影響する。例えば、その圧
力が所定から外れると、選択成長または領域の選択的エ
ッチングの選択性が崩れたり、成膜の膜質が変化したり
する。このことは、ガス供給の初期に顕著であり、特
に、圧力にオーバーシュートが生ずると影響が大きい。
賞用されており、処理室へのガス供給開始により処理を
開始する。そして、供給したガスの処理室における圧力
の経時的変化は処理に微妙に影響する。例えば、その圧
力が所定から外れると、選択成長または領域の選択的エ
ッチングの選択性が崩れたり、成膜の膜質が変化したり
する。このことは、ガス供給の初期に顕著であり、特
に、圧力にオーバーシュートが生ずると影響が大きい。
【０００３】本発明は、そのオーバーシュートを緩和し
ようとするものである。
ようとするものである。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来例を説明するための図であ
り、図３（ａ）は減圧処理装置（ガス供給以前）を示
し、図３（ｂ）は処理室へのガス供給前後におけるガス
供給管上流部分及び処理室のガス圧を示す。
り、図３（ａ）は減圧処理装置（ガス供給以前）を示
し、図３（ｂ）は処理室へのガス供給前後におけるガス
供給管上流部分及び処理室のガス圧を示す。
【０００５】図３（ａ）において、減圧処理装置は、排
気系３を接続しマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４か
らガス２を供給して減圧処理する処理室１と、ＭＦＣ４
から処理室１に接続するガス供給管５と、ガス供給管５
に介在する第１バルブ６と、ガス供給管５のＭＦＣ４と
第１バルブ６の間となる上流部分５ａから分岐して排気
系３に接続するガスバイパス管７と、ガスバイパス管７
に介在する第２バルブ８とを有しており、処理室１にガ
ス２を供給する際に第１バルブ６を開くと共に第２バル
ブ８を閉じる。ＭＦＣ４はガス２の流量を一定に維持制
御するものである。
気系３を接続しマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４か
らガス２を供給して減圧処理する処理室１と、ＭＦＣ４
から処理室１に接続するガス供給管５と、ガス供給管５
に介在する第１バルブ６と、ガス供給管５のＭＦＣ４と
第１バルブ６の間となる上流部分５ａから分岐して排気
系３に接続するガスバイパス管７と、ガスバイパス管７
に介在する第２バルブ８とを有しており、処理室１にガ
ス２を供給する際に第１バルブ６を開くと共に第２バル
ブ８を閉じる。ＭＦＣ４はガス２の流量を一定に維持制
御するものである。
【０００６】そして、稼働中で処理室１にガス２を供給
しない時は、第１バルブ６を閉じると共に第２バルブ８
を開いて、ＭＦＣ４からのガス２を排気系３にバイパス
させる。その際のＭＦＣ４のガス流量ｑは、従来は、処
理室１へのガス供給中と同じ所定流量ｑ0 にしている。
上記バイパスを行うのは、ガスバイパス管７を省略して
第１バルブ６の開閉のみで処理室１へのガス２の供給制
御を行うと、ガス供給以前のガス流量ｑが０となりＭＦ
Ｃ４の制御特性からしてガス供給の初期にガス流量ｑが
所定流量ｑ0 に対し変動するので、その流量変動を回避
するためである。
しない時は、第１バルブ６を閉じると共に第２バルブ８
を開いて、ＭＦＣ４からのガス２を排気系３にバイパス
させる。その際のＭＦＣ４のガス流量ｑは、従来は、処
理室１へのガス供給中と同じ所定流量ｑ0 にしている。
上記バイパスを行うのは、ガスバイパス管７を省略して
第１バルブ６の開閉のみで処理室１へのガス２の供給制
御を行うと、ガス供給以前のガス流量ｑが０となりＭＦ
Ｃ４の制御特性からしてガス供給の初期にガス流量ｑが
所定流量ｑ0 に対し変動するので、その流量変動を回避
するためである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにすると、ガスバイパス管７のコンダクタンスがガス
供給管５のコンダクタンスよりはるかに大きいので、図
３（ｂ）のように、ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐ
がガスバイパス中においてガス供給中に示す圧力ｐ0 よ
り高い圧力ｐ1 となる。図中、Ａはガス供給の開始時点
を示す。このため、第１バルブ６を開くと共に第２バル
ブ８を閉じてなされるガス供給の初期に、圧力ｐ1 が作
用して、処理室１におけるガス２の圧力Ｐにオーバーシ
ュートＢが生ずる。そして、このオーバーシュートＢ
は、処理室１における処理に悪影響を及ぼし、例えば選
択成長または領域の選択的エッチングの選択性を崩した
り、成膜の膜質やエッチングの速度を変化させたりす
る。
うにすると、ガスバイパス管７のコンダクタンスがガス
供給管５のコンダクタンスよりはるかに大きいので、図
３（ｂ）のように、ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐ
がガスバイパス中においてガス供給中に示す圧力ｐ0 よ
り高い圧力ｐ1 となる。図中、Ａはガス供給の開始時点
を示す。このため、第１バルブ６を開くと共に第２バル
ブ８を閉じてなされるガス供給の初期に、圧力ｐ1 が作
用して、処理室１におけるガス２の圧力Ｐにオーバーシ
ュートＢが生ずる。そして、このオーバーシュートＢ
は、処理室１における処理に悪影響を及ぼし、例えば選
択成長または領域の選択的エッチングの選択性を崩した
り、成膜の膜質やエッチングの速度を変化させたりす
る。
【０００８】そこで本発明は、気相反応に基づく成膜ま
たはエッチングを行う減圧処理装置のガス供給方法に関
し、処理室へのガス供給の初期に、処理室における供給
ガスの圧力にオーバーシュートが生じないようにさせる
ことを目的とする。
たはエッチングを行う減圧処理装置のガス供給方法に関
し、処理室へのガス供給の初期に、処理室における供給
ガスの圧力にオーバーシュートが生じないようにさせる
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は実施例１を説明す
るための図であり、図１（ａ）は減圧処理装置（ガス供
給以前）を示し、図１（ｂ）は処理室へのガス供給前後
におけるガス供給管上流部分及び処理室のガス圧を示
す。図１（ａ）を参照して、上記目的を達成するため
に、本発明による減圧処理装置のガス供給方法は、排気
系３を接続しＭＦＣ４からガス２を供給して減圧処理す
る処理室１と、ＭＦＣ４を処理室１に接続するガス供給
管５と、ガス供給管５に介在する第１バルブ６と、ガス
供給管５のＭＦＣ４と第１バルブ６の間となる上流部分
５ａから分岐して排気系３に接続するガスバイパス管７
と、ガスバイパス管７に介在する第２バルブ８とを有し
て、処理室１にガス２を供給する際に第１バルブ６を開
くと共に第２バルブ８を閉じる減圧処理装置において、
前記ガス供給の以前は、ＭＦＣ４にガス２を流しなが
ら、ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐをガス供給中に
示す圧力ｐ0 以下の第２圧力ｐ2 にしておくことを特徴
としている。
るための図であり、図１（ａ）は減圧処理装置（ガス供
給以前）を示し、図１（ｂ）は処理室へのガス供給前後
におけるガス供給管上流部分及び処理室のガス圧を示
す。図１（ａ）を参照して、上記目的を達成するため
に、本発明による減圧処理装置のガス供給方法は、排気
系３を接続しＭＦＣ４からガス２を供給して減圧処理す
る処理室１と、ＭＦＣ４を処理室１に接続するガス供給
管５と、ガス供給管５に介在する第１バルブ６と、ガス
供給管５のＭＦＣ４と第１バルブ６の間となる上流部分
５ａから分岐して排気系３に接続するガスバイパス管７
と、ガスバイパス管７に介在する第２バルブ８とを有し
て、処理室１にガス２を供給する際に第１バルブ６を開
くと共に第２バルブ８を閉じる減圧処理装置において、
前記ガス供給の以前は、ＭＦＣ４にガス２を流しなが
ら、ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐをガス供給中に
示す圧力ｐ0 以下の第２圧力ｐ2 にしておくことを特徴
としている。
【００１０】そして、図１（ｂ）のように、前記ガス供
給の以前（ガス供給開始時点Ａの以前）は、ＭＦＣ４の
ガス流量ｑをガス供給中の所定流量ｑ0 より少なくして
ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐを第２圧力ｐ2 に
し、そのガス供給を開始した直後に流量ｑを所定流量ｑ
0 まで増やすことにするか、または、図１（ａ）に示さ
れないが、ＭＦＣ４のガス流量ｑをガス供給中の所定流
量ｑ0 に維持し、ガスバイパス管７の第２バルブ８と排
気系３の間に排気ポンプを設けて、前記ガス供給の以前
におけるガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐを圧力ｐ2
にすることにするのが望ましい。
給の以前（ガス供給開始時点Ａの以前）は、ＭＦＣ４の
ガス流量ｑをガス供給中の所定流量ｑ0 より少なくして
ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐを第２圧力ｐ2 に
し、そのガス供給を開始した直後に流量ｑを所定流量ｑ
0 まで増やすことにするか、または、図１（ａ）に示さ
れないが、ＭＦＣ４のガス流量ｑをガス供給中の所定流
量ｑ0 に維持し、ガスバイパス管７の第２バルブ８と排
気系３の間に排気ポンプを設けて、前記ガス供給の以前
におけるガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐを圧力ｐ2
にすることにするのが望ましい。
【００１１】
【作用】従来例では、ガス供給の以前即ちガスバイパス
管７によるガスバイパス中はガス圧ｐがガス供給中に示
す圧力ｐ0 より高くなり、それに起因して、ガス供給の
初期に処理室１におけるガス２の圧力Ｐに問題のオーバ
ーシュートＢが生じた。
管７によるガスバイパス中はガス圧ｐがガス供給中に示
す圧力ｐ0 より高くなり、それに起因して、ガス供給の
初期に処理室１におけるガス２の圧力Ｐに問題のオーバ
ーシュートＢが生じた。
【００１２】従って、ガス供給の以前はＭＦＣ４にガス
２を流しながらガス圧ｐを圧力ｐ0 以下の第２圧力ｐ2
にしておき、その状態からガス供給を開始すると、先に
述べたＭＦＣ４の制御特性に基づく流量変動を回避てき
ることと相まって、図１（ｂ）に示すように、ガス供給
の初期に、処理室１におけるガス２の圧力Ｐにオーバー
シュートＢが生じないようになる。
２を流しながらガス圧ｐを圧力ｐ0 以下の第２圧力ｐ2
にしておき、その状態からガス供給を開始すると、先に
述べたＭＦＣ４の制御特性に基づく流量変動を回避てき
ることと相まって、図１（ｂ）に示すように、ガス供給
の初期に、処理室１におけるガス２の圧力Ｐにオーバー
シュートＢが生じないようになる。
【００１３】そして、ガス供給の以前においてガス流量
ｑを所定流量ｑ0 より少なくすることは、その間のガス
圧ｐを第２圧力ｐ2 にすることを実現させる。その際
は、ガス供給を開始した直後にガス流量ｑを所定流量ｑ
0 まで増やすことによりガス供給の流量を確保すること
ができる。然もその時のガス流量ｑの増加は、０からの
増加でないので所定流量ｑ0 に対する流量変動を生じさ
せない。
ｑを所定流量ｑ0 より少なくすることは、その間のガス
圧ｐを第２圧力ｐ2 にすることを実現させる。その際
は、ガス供給を開始した直後にガス流量ｑを所定流量ｑ
0 まで増やすことによりガス供給の流量を確保すること
ができる。然もその時のガス流量ｑの増加は、０からの
増加でないので所定流量ｑ0 に対する流量変動を生じさ
せない。
【００１４】また、上記排気ポンプを設けることは、ガ
スバイパス管７の見かけのコンダクタンスを小さくさせ
るので、ガス流量ｑを所定流量ｑ0 に維持しても、ガス
供給の以前のガス圧ｐを第２圧力ｐ2 にすることを実現
させる。その際は、単純に第１バルブ６を開くと共に第
２バルブ８を閉じることにより、圧力Ｐにオーバーシュ
ートＢが生じないでガス供給の流量が所定流量ｑ0 とな
る。
スバイパス管７の見かけのコンダクタンスを小さくさせ
るので、ガス流量ｑを所定流量ｑ0 に維持しても、ガス
供給の以前のガス圧ｐを第２圧力ｐ2 にすることを実現
させる。その際は、単純に第１バルブ６を開くと共に第
２バルブ８を閉じることにより、圧力Ｐにオーバーシュ
ートＢが生じないでガス供給の流量が所定流量ｑ0 とな
る。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例について先に参照した図
１及び実施例２を説明するための図２を用いて説明す
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。
１及び実施例２を説明するための図２を用いて説明す
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。
【００１６】図１において、この実施例１は、従来例を
説明した図３（ａ）の減圧処理装置を用い、ＭＦＣ４の
操作によりオーバーシュートＢを生じさせないようにし
たものである。
説明した図３（ａ）の減圧処理装置を用い、ＭＦＣ４の
操作によりオーバーシュートＢを生じさせないようにし
たものである。
【００１７】即ち、処理室１へガス２を供給する以前即
ちガスバイパス管７によるガスバイパス中は、ＭＦＣ４
のガス流量ｑをガス供給中の所定流量ｑ0 より少ない流
量ｑ 2 にして、ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐをガ
ス供給中に示す圧力ｐ0 以下の第２圧力ｐ2 にする。
ちガスバイパス管７によるガスバイパス中は、ＭＦＣ４
のガス流量ｑをガス供給中の所定流量ｑ0 より少ない流
量ｑ 2 にして、ガス供給管上流部分５ａのガス圧ｐをガ
ス供給中に示す圧力ｐ0 以下の第２圧力ｐ2 にする。
【００１８】ガス２の流量及び圧力の一例は、例えば、
所定流量ｑ0 が５ｓｃｃｍ、ガス供給中の処理室１にお
ける圧力Ｐが１０-2Ｔｏｒｒ、ガス供給中のガス供給管
上流部分５ａの圧力ｐ0 が１０-1Ｔｏｒｒ、上記ガスバ
イパス中にガス流量ｑを所定流量ｑ0 にした際のガス供
給管上流部分５ａの圧力（従来例で述べたｐ1 ）が１Ｔ
ｏｒｒの場合、流量ｑ2 を２ｓｃｃｍにすることにより
第２圧力ｐ2 が１０-1Ｔｏｒｒとなる。
所定流量ｑ0 が５ｓｃｃｍ、ガス供給中の処理室１にお
ける圧力Ｐが１０-2Ｔｏｒｒ、ガス供給中のガス供給管
上流部分５ａの圧力ｐ0 が１０-1Ｔｏｒｒ、上記ガスバ
イパス中にガス流量ｑを所定流量ｑ0 にした際のガス供
給管上流部分５ａの圧力（従来例で述べたｐ1 ）が１Ｔ
ｏｒｒの場合、流量ｑ2 を２ｓｃｃｍにすることにより
第２圧力ｐ2 が１０-1Ｔｏｒｒとなる。
【００１９】そして、ガス供給開始時点Ａに、第１バル
ブ６を開くと共に第２バルブ８を閉じてガス供給を開始
し、その直後に（開始と同時に）ＭＦＣ４を操作して流
量ｑを所定流量ｑ0 まで１秒以下の時間を掛けて段階的
に増やす。これにより先に述べた流量変動もオーバーシ
ュートＢも生ずることなく１秒以内に処理室１へ所定流
量ｑ0 のガス２が供給される。従来例で問題にしたオー
バーシュートＢは継続時間が２〜３秒であるので、従来
例の減圧処理装置をそのまま用いてオーバーシュートＢ
の発生を抑え然も１秒以内で所定流量ｑ0 に達する本実
施例は極めて望ましいものである。
ブ６を開くと共に第２バルブ８を閉じてガス供給を開始
し、その直後に（開始と同時に）ＭＦＣ４を操作して流
量ｑを所定流量ｑ0 まで１秒以下の時間を掛けて段階的
に増やす。これにより先に述べた流量変動もオーバーシ
ュートＢも生ずることなく１秒以内に処理室１へ所定流
量ｑ0 のガス２が供給される。従来例で問題にしたオー
バーシュートＢは継続時間が２〜３秒であるので、従来
例の減圧処理装置をそのまま用いてオーバーシュートＢ
の発生を抑え然も１秒以内で所定流量ｑ0 に達する本実
施例は極めて望ましいものである。
【００２０】なお、上述の説明から理解されるように、
第２圧力ｐ2 は、圧力ｐ0 以下であることが条件であ
り，圧力ｐ0 に等しいかまたはそれになるべく近い方が
有利である。
第２圧力ｐ2 は、圧力ｐ0 以下であることが条件であ
り，圧力ｐ0 に等しいかまたはそれになるべく近い方が
有利である。
【００２１】次に図２において、同図は減圧処理装置
（ガス供給以前）を示し、この実施例２は、従来例を説
明した図３（ａ）の減圧処理装置に排気ポンプ９を付加
して、実施例１におけるＭＦＣ４の操作を不要にしたも
のである。
（ガス供給以前）を示し、この実施例２は、従来例を説
明した図３（ａ）の減圧処理装置に排気ポンプ９を付加
して、実施例１におけるＭＦＣ４の操作を不要にしたも
のである。
【００２２】即ち、排気ポンプ９は、ガスバイパス管７
の第２バルブ８と排気系３の間に設けて、第２バルブ８
側を排気するようにしてある。そして、処理室１へガス
２を供給する以前即ちガスバイパス管７によるガスバイ
パス中は、ＭＦＣ４のガス流量ｑをガス供給中の所定流
量ｑ0 に維持し、排気ポンプ８の排気によりガス供給管
上流部分５ａのガス圧ｐを実施例１で述べた第２圧力ｐ
2 にする。排気ポンプ９の排気は、ガス供給管上流部分
５ａから見たガスバイパス管７の見かけのコンダクタン
スを小さくさせるので、従来例で述べた圧力ｐ1 を第２
圧力ｐ2 に下げることができる。排気ポンプ９には例え
ばターボ分子ポンブなどを用い、第２圧力ｐ2 への調整
は排気ポンプ９の排気能を加減して行う。
の第２バルブ８と排気系３の間に設けて、第２バルブ８
側を排気するようにしてある。そして、処理室１へガス
２を供給する以前即ちガスバイパス管７によるガスバイ
パス中は、ＭＦＣ４のガス流量ｑをガス供給中の所定流
量ｑ0 に維持し、排気ポンプ８の排気によりガス供給管
上流部分５ａのガス圧ｐを実施例１で述べた第２圧力ｐ
2 にする。排気ポンプ９の排気は、ガス供給管上流部分
５ａから見たガスバイパス管７の見かけのコンダクタン
スを小さくさせるので、従来例で述べた圧力ｐ1 を第２
圧力ｐ2 に下げることができる。排気ポンプ９には例え
ばターボ分子ポンブなどを用い、第２圧力ｐ2 への調整
は排気ポンプ９の排気能を加減して行う。
【００２３】そして、ガス供給の開始は、従来例の場合
と同様に、第１バルブ６を開くと共に第２バルブ８を閉
じるだけで良い。ガス供給前後におけるガス供給管上流
部分５ａ及び処理室１のガス圧は先に述べた図１（ｂ）
と同様になり、問題のオーバーシュートＢが生ずること
なく処理室１へ所定流量ｑ0 のガス２が供給される。然
も、ＭＦＣ４の操作がないので、処理室１で所定流量ｑ
0 となるのに要する時間が先の実施例１の場合より早く
なる利点がある。第２圧力ｐ2 の大きさに関しては実施
例１の場合と同様である。
と同様に、第１バルブ６を開くと共に第２バルブ８を閉
じるだけで良い。ガス供給前後におけるガス供給管上流
部分５ａ及び処理室１のガス圧は先に述べた図１（ｂ）
と同様になり、問題のオーバーシュートＢが生ずること
なく処理室１へ所定流量ｑ0 のガス２が供給される。然
も、ＭＦＣ４の操作がないので、処理室１で所定流量ｑ
0 となるのに要する時間が先の実施例１の場合より早く
なる利点がある。第２圧力ｐ2 の大きさに関しては実施
例１の場合と同様である。
【００２４】なお、実施例２において、第２圧力ｐ2 へ
の調整を容易にするため、排気ポンプ９の前または後に
コンダクタンスを加減するダンパ機構を設けても良い。
上述した実施例はガス供給系が一つの場合であるが、処
理室１に複数のガス供給系が接続される場合も個々のガ
ス供給系が上述と同様になることは容易に理解されよ
う。
の調整を容易にするため、排気ポンプ９の前または後に
コンダクタンスを加減するダンパ機構を設けても良い。
上述した実施例はガス供給系が一つの場合であるが、処
理室１に複数のガス供給系が接続される場合も個々のガ
ス供給系が上述と同様になることは容易に理解されよ
う。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、気
相反応に基づく成膜またはエッチングを行う減圧処理装
置のガス供給方法に関し、処理室へのガス供給の初期
に、処理室における供給ガスの圧力にオーバーシュート
が生じないようにさせることができて、例えば選択成長
または領域の選択的エッチングにおける選択性の崩れ
や、成膜における膜質の変化、或いはエッチングにおけ
るエッチング速度の変化を防止するといった、処理の安
定性向上を可能にさせる効果がある。
相反応に基づく成膜またはエッチングを行う減圧処理装
置のガス供給方法に関し、処理室へのガス供給の初期
に、処理室における供給ガスの圧力にオーバーシュート
が生じないようにさせることができて、例えば選択成長
または領域の選択的エッチングにおける選択性の崩れ
や、成膜における膜質の変化、或いはエッチングにおけ
るエッチング速度の変化を防止するといった、処理の安
定性向上を可能にさせる効果がある。
【図１】 実施例１を説明するための図
【図２】 実施例２を説明するための図
【図３】 従来例を説明するための図
１ 処理室 ２ ガス ３ 排気系 ４ ＭＦＣ（マスフローコントローラ） ５ ガス供給管 ５ａ ガス供給管上流部分 ６ 第１バルブ ７ ガスバイパス管 ８ 第２バルブ ９ 排気ポンプ Ａ ガス供給開始時点 Ｂ オーバーシュート ｐ ガス供給管上流部分のガス圧 ｐ0 ガス圧ｐのガス供給中に示す圧力 ｐ1 ガス圧ｐの従来例によるガスバイパス中の圧力 ｐ2 第２圧力（ガス圧ｐの実施例によるガスバイパス
中の圧力） Ｐ ガス供給中の処理室におけるガスの圧力 ｑ ＭＦＣのガス流量 ｑ0 所定流量（ガス供給中の流量） ｑ2 所定流量以下の流量
中の圧力） Ｐ ガス供給中の処理室におけるガスの圧力 ｑ ＭＦＣのガス流量 ｑ0 所定流量（ガス供給中の流量） ｑ2 所定流量以下の流量
Claims (3)
- 【請求項１】 排気系を接続しマスフローコントローラ
からガスを供給して減圧処理する処理室と、該マスフロ
ーコントローラを該処理室に接続するガス供給管と、該
ガス供給管に介在する第１バルブと、該ガス供給管の該
マスフローコントローラと該第１バルブの間となる上流
部分から分岐して該排気系に接続するガスバイパス管
と、該ガスバイパス管に介在する第２バルブとを有し
て、該処理室に該ガスを供給する際に該第１バルブを開
くと共に該第２バルブを閉じる減圧処理装置において、 前記ガス供給の以前は、該マスフローコントローラに該
ガスを流しながら、該ガス供給管上流部分のガス圧をガ
ス供給中に示す圧力以下の第２圧力にしておくことを特
徴とする減圧処理装置のガス供給方法。 - 【請求項２】 前記ガス供給の以前は、前記マスフロー
コントローラのガス流量をガス供給中の所定流量より少
なくして前記ガス供給管上流部分のガス圧を前記第２圧
力にし、該ガス供給を開始した直後に該ガス流量を該所
定流量まで増やすことを特徴とする請求項１記載の減圧
処理装置のガス供給方法。 - 【請求項３】 前記マスフローコントローラのガス流量
をガス供給中の所定流量に維持し、前記ガスバイパス管
の前記第２バルブと前記排気系の間に排気ポンプを設け
て、前記ガス供給の以前における前記ガス供給管上流部
分のガス圧を前記第２圧力にすることを特徴とする請求
項１記載の減圧処理装置のガス供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP709492A JPH05198513A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 減圧処理装置のガス供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP709492A JPH05198513A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 減圧処理装置のガス供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198513A true JPH05198513A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11656496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP709492A Withdrawn JPH05198513A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 減圧処理装置のガス供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198513A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269511A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および記録媒体 |
| KR100829391B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2008-05-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 공정용 가스압력 유지장치 |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP709492A patent/JPH05198513A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100829391B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2008-05-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 공정용 가스압력 유지장치 |
| JP2006269511A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および記録媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |