JPH05315290A - ガス流量制御装置 - Google Patents

ガス流量制御装置

Info

Publication number
JPH05315290A
JPH05315290A JP11786592A JP11786592A JPH05315290A JP H05315290 A JPH05315290 A JP H05315290A JP 11786592 A JP11786592 A JP 11786592A JP 11786592 A JP11786592 A JP 11786592A JP H05315290 A JPH05315290 A JP H05315290A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
flow rate
pipes
gases
mfc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11786592A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Suzuki
実 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP11786592A priority Critical patent/JPH05315290A/ja
Publication of JPH05315290A publication Critical patent/JPH05315290A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数のガスを混合しその混合ガスを真空処理
装置の処理室へ多分岐導入するためのガス流量制御装置
に関し、処理室に混合ガスを導入した時に、ガスの混合
比が一定し且つ各分岐に対する流量分配が逸早く安定す
るようにさせることを目的とする。 【構成】 各ガスソース2a,2bから個別にガスを送
る複数の配管3a,3b、配管3a,3bの各々に配設
されたMFC4a,4b、を有する第1配管系3と、配
管3a,3bの末端を連結してガスを混合する混合部5
と、混合部5から多分岐導入する処理室1の各導入口に
分岐して接続する配管7a,7b、その配管の一つ7a
に配設されて上手の圧力を所定にするAPC9、該一つ
を除く残りの配管7bに配設されたMFC8b、を有す
る第2配管系7と、によりガス流路を構成し、APC9
を動作させた後に第2配管系7のMFC8bを動作させ
る制御を行う動作遅延回路10を備えるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のガスを混合しそ
の混合ガスを真空処理装置の処理室へ多分岐導入するた
めのガス流量制御装置に関する。
【0002】上記真空処理装置は、例えば半導体装置の
製造に用いるドライエッチング装置などであり、上記多
分岐導入は、処理分布の改善策として処理室内のガス分
布を制御するために行うものである。
【0003】本発明は、処理室に混合ガスを導入した時
に各分岐に対する流量分配が逸早く安定するようにさせ
ようとするものである。
【0004】
【従来の技術】以下の説明は真空処理装置がドライエッ
チング装置である場合を例にとって述べる。
【0005】ドライエッチングでは、複数のガスを混合
しその混合ガスを処理室へ導入して処理を行う場合が多
い。複数のガスは、混合比を一定に保つために、各ガス
毎にマスフローコントローラ(MFC)で流量を一定に
して混合する。この混合ガスの処理室への導入は、導入
口を一つにする場合と複数にする場合がある。導入口を
複数にすれば、処理室内のガス分布の制御が容易になり
エッチング分布の均一化に有利である。その場合は、混
合ガスを複数の導入口に分配する多分岐導入の形態にな
る。
【0006】図3は処理室の導入口を一つにする即ち多
分岐導入しない場合の例の構成図であり、混合するガス
が2種類の場合である。図3において、1は混合ガスを
導入してドライエッチングを行う処理室、2a,2bは
混合するガスのガスソース、3a,3bはガスソース2
a,2bから個別にガスを送る配管、4a,4bは配管
3a,3bの各々に配設されたMFC、5は配管3a,
3bの末端を連結してガスを混合する混合部、6は混合
部5から処理室1の導入口に接続する配管、である。配
管2a,2bと混合部5と配管6がガス流路を構成す
る。
【0007】ドライエッチングは、通常1Torr以下
の圧力で行うため、処理室1及び混合部5での圧力は1
Torr以下となる。一般的なMFCの動作必要差圧が
約200〜2200Torrであるため、ガスソース2
a,2bはこれを考慮した圧力でガスを供給する。
【0008】ガスソース2a,2bからのガスは、それ
ぞれMFC4a,4bにより流量を一定にされるので混
合部5において一定の混合比で混合した混合ガスとな
る。その混合ガスは、MFC4a,4bそれぞれの流量
の和となる流量で配管6から処理室1に導入される。
【0009】混合するガスが3種類以上の場合も上述に
準ずる。図4は処理室の導入口を複数にする即ち多分岐
導入する従来例の構成図であり、混合するガスが図3と
同様に2種類で多分岐導入の分岐数が2の場合である。
【0010】図4において、ガスソース2a,2bから
混合部5までの間は図3と同じであり、7a,7bは混
合部5から多分岐導入する処理室1の各導入口に分岐し
て接続する配管、8a,8bは配管7a,7bの各々に
配設されたMFC、である。配管3a,3bを合わせて
第1配管系3、配管7a,7bを合わせて第2配管系7
とする。第1配管系3と混合部5と第2配管系7がガス
流路を構成する。
【0011】この従来例では、第1配管系3から混合部
5で混合されてMFC4a,4bそれぞれの流量の和と
なる流量の混合ガスが、第2配管系7でMFC8a,8
bそれぞれの流量に分配されて配管7a,7bから処理
室1に多分岐導入される。MFC8a,8bそれぞれの
流量の和、即ち第2配管系7の総流量は、MFC4a,
4bそれぞれの流量の和、即ち第1配管系2の総流量に
一致させる。
【0012】混合するガスが3種類以上及び/または多
分岐導入の分岐数が3以上の場合も上述に準ずる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例では、ガスの導入を開始した時に混合部5におけ
る混合ガスの圧力が下がっており、MFC8a,8bを
動作させるのに必要な差圧約200〜2200Torr
が保証されない。混合部5の下がっている圧力は、時間
の経過と共に上昇してくるが、MFC8a,8bの動作
が正常になるまで上昇するのに5〜10分程度以上の時
間を要する。つまり、その間は、第2配管系7で各分岐
に対する流量分配が安定しない状態となり、所望の流量
制御ができない問題がある。
【0014】また、MFC4a,4b,8a,8bの流
量設定は人為的に行うものであることから、第1配管系
3の総流量と第2配管系7の総流量との間にずれが生じ
易い。前者が大きいと第1配管系3のMFC4a,4b
に掛かる差圧が小さくなってガスの混合比が乱れる場合
があり、後者が大きいと第2配管系7のMFC8a,8
bに掛かる差圧が所要に達し得ないで各分岐に対する流
量分配が何時までも安定しない場合がある、という問題
もある。
【0015】そこで本発明は、複数のガスを混合しその
混合ガスを真空処理装置の処理室へ多分岐導入するため
のガス流量制御装置に関し、処理室に混合ガスを導入し
た時に、ガスの混合比が一定し且つ各分岐に対する流量
分配が逸早く安定するようにさせることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるガス流量制御装置は、複数のガスを混
合しその混合ガスを真空処理装置の処理室へ多分岐導入
するためのガス流量制御装置であって、前記複数のガス
の各ガスソースから個別にガスを送る複数の配管、該複
数の配管の各々に配設されたMFC、を有する第1配管
系と、該第1配管系の該複数配管の末端を連結してガス
を混合する混合部と、該混合部から前記多分岐導入する
処理室の各導入口に分岐して接続する配管、該分岐した
配管の一つに配設されて上手の圧力を所定値にする自動
圧力コントローラ(APC)、該一つの配管を除く残り
の配管の各々に配設されたMFC、を有する第2配管系
と、によりガス流路を構成し、該APCを動作させた後
に該第2配管系のMFCを動作させる制御を行う動作遅
延回路を備えることを特徴としている。
【0017】
【作用】ガスソースから第1配管系を経た混合部まで
は、従来例のガスソース2a,2bから混合部5までと
同様である。第2配管系は、従来例の配管7a,7bの
部分に該当すが、従来例のMFCの一つがAPCに変わ
って総流量を規制しなくなっている。これにより、第1
配管系のMFCは所要の差圧が保証されるので、本ガス
流量制御装置はガスの混合比が一定する。
【0018】また、第2配管系では、動作遅延回路の制
御によりMFCの動作に先立ちAPCを動作させるの
で、混合部の圧力は速やかに上昇してMFCに所要差圧
を与える高さに逸早く達する。これにより、各分岐に対
する流量分配が逸早く安定する。
【0019】
【実施例】以下本発明の実施例について図1及び図2を
用いて説明する。図1は実施例の構成図、図2は動作遅
延回路による制御のタイムチャート、であり、全図を通
し同一符号は同一対象物を示す。
【0020】図1において、この実施例は、図4の従来
例に本発明を適用したものであり、従来例の第2配管系
7のMFC8aをAPC9に変えて、動作遅延回路10
を設けてある。
【0021】ガスソース2a,2bはガス供給圧を約2
000Torrに設定してある。この圧力は第1配管系
3のMFC4a,4bを適正に動作させる範囲にあるの
で、混合部5における混合ガスは、ガスの導入開始時点
から逸早く所望の混合比となりその混合比を一定に保
つ。
【0022】APC9は、排気系などに用いられるAP
Cと同様に下手より高い上手の圧力を設定した一定値に
保つ機能を有するものであり、約1000Torrに設
定してある。動作遅延回路10は、APC9を動作させ
た後にMFC8bを動作させる制御を行う機能を有して
おり、ガスの導入開始時点にAPC9を動作させる。混
合部5の圧力は、APC9の動作により速やかに上昇し
て逸早く約1000Torrに達して一定となる。これ
により、第1配管系3のMFC4a,4bに掛かる差圧
が約1000Torrに下がるが、その差圧はMFC4
a,4bを適正に動作させる範囲を保持している。
【0023】動作遅延回路10の制御によるMFC8b
の動作開始は、図2のタイムチャートに示すように、A
PC9の上手の圧力が約1000Torrに達したとこ
ろで行う。APC9の動作からMFC8aの動作までの
時間は5〜10秒程度である。MFC8bは、動作開始
までに所要の差圧が掛けられているので、混合部5から
配管7bに流れる混合ガスを逸早く所定の流量に制御す
る。第1配管系3の総流量を処理室1に導入する混合ガ
スの総流量に合わせてあるので、混合部5から配管7a
に流れる混合ガスも逸早く所定の流量となる。これによ
り、第2配管系7の各分岐である配管7a,7bに対す
る流量分配が長くとも0.5分以下の時間で安定する。
この時間は、従来例の場合の5〜10分程度以上と比較
すると1/10以下に短縮されている。
【0024】MFC8bの動作開始時点は、APC9の
上手の圧力が200Torr以上に達したところまで前
進させても良い。上記時間短縮を更に向上させることが
できる。また、APC9の動作開始の後、適宜な時間差
を見計らってMFC8bを動作させても良い。
【0025】上述は混合ガスが2種類で多分岐導入の分
岐数が2の場合であるが、混合するガスを3種類以上に
する際は、第1配管系3に配管3a,3bと並列する配
管を付加し、その配管のそれぞれにMFC4a,4bと
同様なMFCを配設すれば良く、多分岐導入の分岐数を
3以上にする際は、第2配管系7に配管7a,7bと並
列する付加し、その配管のそれぞれにMFC8bと同様
なMFCを配設すれば良い。これにより、混合ガスの種
類数と多分岐の分岐数を任意にしても、ガスの混合比が
一定し且つ各分岐に対する流量分配が逸早く安定するよ
うにさせることができる。
【0026】以上の説明は真空処理装置がドライエッチ
ング装置である場合を例にとって述べてあるが、その真
空処理装置がドライエッチング装置に限定されないこと
は上述の説明から明らかである。また、ガスソース2
a,2bのガス供給圧とAPC9の設定圧力は、MFC
4a,4b,8bの動作必要差圧を勘案して定めれば良
く、先に述べた値に限定されるものではない。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数のガスを混合しその混合ガスを真空処理装置の処理室
へ多分岐導入するためのガス流量制御装置に関し、処理
室に混合ガスを導入した時に、ガスの混合比が一定し且
つ各分岐に対する流量分配が逸早く安定するようにさせ
ることができて、当該真空処理装置の性能向上を可能に
させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例の構成図
【図2】 動作遅延回路による制御のタイムチャート
【図3】 多分岐導入しない場合の例の構成図
【図4】 多分岐導入する従来例の構成図
【符号の説明】
1 処理室 2a,2b ガスソース 3 第1配管系 3a,3b 配管 4a,4b MFC(マスフローコントローラ) 5 混合部 6 配管 7 第2配管系 7a,7b 配管 8a,8b MFC(マスフローコントローラ) 9 APC(自動圧力コントローラ) 10 動作遅延回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のガスを混合しその混合ガスを真空
    処理装置の処理室へ多分岐導入するためのガス流量制御
    装置であって、 前記複数のガスの各ガスソースから個別にガスを送る複
    数の配管、該複数の配管の各々に配設され該ガスの流量
    の制御を行うマスフローコントローラ、を有する第1配
    管系と、 該第1配管系の該複数配管の末端を連結してガスを混合
    する混合部と、 該混合部から前記多分岐導入する処理室の各導入口に分
    岐して接続する配管、該分岐した配管の一つに配設され
    て上手の圧力を所定値にする自動圧力コントローラ、該
    一つの配管を除く残りの配管の各々に配設され流量の制
    御を行うマスフローコントローラ、を有する第2配管系
    と、によりガス流路を構成し、 該自動圧力コントローラを動作させた後に該第2配管系
    のマスフローコントローラを動作させる制御を行う動作
    遅延回路を備えることを特徴とするガス流量制御装置。
JP11786592A 1992-05-12 1992-05-12 ガス流量制御装置 Withdrawn JPH05315290A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11786592A JPH05315290A (ja) 1992-05-12 1992-05-12 ガス流量制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11786592A JPH05315290A (ja) 1992-05-12 1992-05-12 ガス流量制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05315290A true JPH05315290A (ja) 1993-11-26

Family

ID=14722209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11786592A Withdrawn JPH05315290A (ja) 1992-05-12 1992-05-12 ガス流量制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05315290A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004511905A (ja) * 2000-10-06 2004-04-15 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理のためのガス供給装置
JP2005507159A (ja) * 2001-10-15 2005-03-10 ラム リサーチ コーポレーション 調整可能なマルチゾーンガス噴射システム
JP2007207808A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法
US7481240B2 (en) 2003-06-09 2009-01-27 Tokyo Electron Limited Partial pressure control system, flow rate control system and shower plate used for partial pressure control system
JP2016033997A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004511905A (ja) * 2000-10-06 2004-04-15 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理のためのガス供給装置
JP2011233905A (ja) * 2000-10-06 2011-11-17 Lam Research Corporation 半導体処理のためのガス供給装置
JP4838971B2 (ja) * 2000-10-06 2011-12-14 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理のためのガス供給装置及び基板処理方法
JP2005507159A (ja) * 2001-10-15 2005-03-10 ラム リサーチ コーポレーション 調整可能なマルチゾーンガス噴射システム
US7481240B2 (en) 2003-06-09 2009-01-27 Tokyo Electron Limited Partial pressure control system, flow rate control system and shower plate used for partial pressure control system
US8109288B2 (en) 2003-06-09 2012-02-07 Tokyo Electron Limited Flow rate control system and shower plate used for partial pressure control system
JP2007207808A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法
JP2016033997A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1066550B1 (en) Method and apparatus for pressure control in vaccum processors
US5758680A (en) Method and apparatus for pressure control in vacuum processors
KR102531896B1 (ko) 가스 전달 시스템
US7621290B2 (en) Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control
US5685912A (en) Pressure control system for semiconductor manufacturing equipment
US20140332100A1 (en) Gas supply method
JP2002110570A (ja) 半導体製造装置用ガスラインシステム
US5281295A (en) Semiconductor fabrication equipment
KR20020032341A (ko) 기상 증착 방법 및 장치
KR102140842B1 (ko) 가스 분배 네트워크에서의 흐름 밸런싱
JP4417434B2 (ja) 真空プロセッサの圧力を制御する方法及び装置
US5058616A (en) Method of supplying ultrahigh purity gas
JP2001060578A (ja) 真空処理装置
JPH05315290A (ja) ガス流量制御装置
CN106057623A (zh) 减少缘于有含铜合金部件处理室的铜污染的系统和方法
JPS62143427A (ja) 処理ガス供給装置
US6524969B2 (en) High density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) processing of gallium arsenide wafers
JP4789323B2 (ja) プログラム可能な処理パラメータを備えたウエハ処理リアクタシステム及びその操作方法
JPH01184818A (ja) Mocvd装置
JPH10312968A (ja) 排気切換方法及び排気切換装置
JPH02125421A (ja) 熱処理装置
US7087443B2 (en) Optimized temperature controller for cold mass introduction
KR100467539B1 (ko) 진공처리장치내압력제어장치및방법
JP2004179499A (ja) 半導体エピタキシャルウェーハの製造装置
JPH10237654A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990803