JPH02125421A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH02125421A JPH02125421A JP27866988A JP27866988A JPH02125421A JP H02125421 A JPH02125421 A JP H02125421A JP 27866988 A JP27866988 A JP 27866988A JP 27866988 A JP27866988 A JP 27866988A JP H02125421 A JPH02125421 A JP H02125421A
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- processing
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- processing gas
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
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- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、熱処理装置に関する。
（従来の技術）
近年、半導体デバイスの製造工程における熱拡散工程や
成膜工程で用いられる熱処理装置として、省スペース化
、省エネルギー化、半導体ウェハ等の被処理物の大型化
および自動化への対応が容易特にバッチ処理においてウ
ェハボートの搬入搬出を反応容器内壁に非接触で実行が
容易であること等の理由から縦型熱処理装置が採用され
ている。
成膜工程で用いられる熱処理装置として、省スペース化
、省エネルギー化、半導体ウェハ等の被処理物の大型化
および自動化への対応が容易特にバッチ処理においてウ
ェハボートの搬入搬出を反応容器内壁に非接触で実行が
容易であること等の理由から縦型熱処理装置が採用され
ている。
この縦型熱処理装置は、石英等からなる円筒状の反応管
およびこの周囲を囲繞する如く設けられたヒータ機構、
均熱管、断熱材等から構成された反応炉本体がほぼ垂直
に配設されており、この反応管内に多数の半導体ウェハ
を所定の間隔で棚積み収容した石英等からなるウェハボ
ートが配設されている。このウェハボートは反応管下部
に挿入された円筒状の保温筒上に搭載されており、上下
動可能とされた搬送機構により、この保温筒と一体とな
ってウェハボートが反応管内下方からロード・アンロー
ドされるように構成されている。
およびこの周囲を囲繞する如く設けられたヒータ機構、
均熱管、断熱材等から構成された反応炉本体がほぼ垂直
に配設されており、この反応管内に多数の半導体ウェハ
を所定の間隔で棚積み収容した石英等からなるウェハボ
ートが配設されている。このウェハボートは反応管下部
に挿入された円筒状の保温筒上に搭載されており、上下
動可能とされた搬送機構により、この保温筒と一体とな
ってウェハボートが反応管内下方からロード・アンロー
ドされるように構成されている。
このような縦型熱処理装置では、予め所定の作業手順情
報例えば成膜プログラム等を装置ＣＰＵの記憶機構に記
憶させておき、この記憶した作業手順情報に基づいて所
定の成膜処理を自動的に行うように構成されている（以
下、この自動処理動作をオートモードと呼ぶ）。
報例えば成膜プログラム等を装置ＣＰＵの記憶機構に記
憶させておき、この記憶した作業手順情報に基づいて所
定の成膜処理を自動的に行うように構成されている（以
下、この自動処理動作をオートモードと呼ぶ）。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、近年の被処理物例えば半導体ウェハ等では多
品種少量生産化が進んでいるため、極小量生産や割込み
生産等のような特殊な生産を行う場合が生じる。このよ
うな場合に全自動処理を行おうとすると、処理内容に応
じて新規の処理プログラムを作成しなければならず、作
業が繁雑化し、生産効率の低下を招くという問題があっ
た。
品種少量生産化が進んでいるため、極小量生産や割込み
生産等のような特殊な生産を行う場合が生じる。このよ
うな場合に全自動処理を行おうとすると、処理内容に応
じて新規の処理プログラムを作成しなければならず、作
業が繁雑化し、生産効率の低下を招くという問題があっ
た。
また、作業員がマニュアル操作により装置を動作させて
処理することも考えられるが、一般に成膜作業では、温
度、処理ガス流量、真空度等の処理条件の制御を高精度
で行う必要があることから、作業員が完全なマニュアル
操作により所定の成膜を行うことは困難であった。
処理することも考えられるが、一般に成膜作業では、温
度、処理ガス流量、真空度等の処理条件の制御を高精度
で行う必要があることから、作業員が完全なマニュアル
操作により所定の成膜を行うことは困難であった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、マニュアル操作による処理が容易に行うことができ、
種々の製造工程への対応が容易にでき、生産性の向上が
図れる熱処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
、マニュアル操作による処理が容易に行うことができ、
種々の製造工程への対応が容易にでき、生産性の向上が
図れる熱処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明の熱処理装置は、被処理物を収容した反応炉本体
と、この反応炉本体内に所定の処理ガスを導入して前記
被処理物に所定の熱処理を施す処理制御系を備えた熱処
理装置において、前記処理ガスのガス流通系における処
理ガス流通状態を表示するガス流通状態表示機構と、こ
のガス流通状態表示機構の表示内容に基づきながら前記
処理制御系を手動操作して前記被処理物を処理するため
の手動処理機構とを備えたことを特徴とするものである
。
と、この反応炉本体内に所定の処理ガスを導入して前記
被処理物に所定の熱処理を施す処理制御系を備えた熱処
理装置において、前記処理ガスのガス流通系における処
理ガス流通状態を表示するガス流通状態表示機構と、こ
のガス流通状態表示機構の表示内容に基づきながら前記
処理制御系を手動操作して前記被処理物を処理するため
の手動処理機構とを備えたことを特徴とするものである
。
（作 用）
本発明は、処理中例えば成膜処理中における処理ガス流
通状態を実際の装置配管と同様な形式で表示し、この表
示された情報に基づきながら手動処理機構により処理制
御系を手動操作しながら被処理物を処理するように構成
したので、マニュアル操作による成膜処理を容易に行え
、種々の製造プロセスに容易に対応でき、生産性の向上
を図ることが可能となる。
通状態を実際の装置配管と同様な形式で表示し、この表
示された情報に基づきながら手動処理機構により処理制
御系を手動操作しながら被処理物を処理するように構成
したので、マニュアル操作による成膜処理を容易に行え
、種々の製造プロセスに容易に対応でき、生産性の向上
を図ることが可能となる。
（実施例）
以下、本発明を２連式縦型熱処理装置に適用した一実施
例について図を参照して説明する。
例について図を参照して説明する。
反応炉本体は、石英等からなる円筒状の第１の反応管１
ａを収容した第１の反応炉本体２ａと、同様に第２の反
応管１ｂを収容した第２の反応炉本体２ｂとを並設した
２連式構造となっている。
ａを収容した第１の反応炉本体２ａと、同様に第２の反
応管１ｂを収容した第２の反応炉本体２ｂとを並設した
２連式構造となっている。
各反応管１ａ、ｌｂには、処理ガス例えばＳｉＨ２Ｃ１
２、ｌｌＣｌ 、 Ｂ ２ ＩＩ ｓ 、Ｐ１１３等を
処理内容に合わせて各反応管１ａ、ｌｂ内に所定量供給
するためのガスコントローラ３と、成膜処理時に各反応
管１ａ、ｌｂ内を所定の真空度に保持する太めの排気系
コントローラ４が設けられている。
２、ｌｌＣｌ 、 Ｂ ２ ＩＩ ｓ 、Ｐ１１３等を
処理内容に合わせて各反応管１ａ、ｌｂ内に所定量供給
するためのガスコントローラ３と、成膜処理時に各反応
管１ａ、ｌｂ内を所定の真空度に保持する太めの排気系
コントローラ４が設けられている。
また、各反応管１ ａ ｓ １ ｂの外周には、温度コ
ントローラ５ａ、５ｂにより夫々制御されるヒータ機構
６ ａ ｓ ６ ｂが周設されており、これら温度コン
トローラ５ａ、５ｂおよびヒータ機構６ ａ −。
ントローラ５ａ、５ｂにより夫々制御されるヒータ機構
６ ａ ｓ ６ ｂが周設されており、これら温度コン
トローラ５ａ、５ｂおよびヒータ機構６ ａ −。
６ｂにより各反応管１ａ、ｌｂ内に収容された被処理物
例えば半導体ウェハ群７ａ、７ｂを所定の処理温度まで
加熱する。
例えば半導体ウェハ群７ａ、７ｂを所定の処理温度まで
加熱する。
このような熱処理装置における処理例えばＳｔエピタキ
シャル成膜処理では、まず各反応管１ａ。
シャル成膜処理では、まず各反応管１ａ。
ｌｂ内を所定の真空度とした後、ガスコントロラ３によ
り所定の処理ガスを反応管１ａ、ｌｂ内に導入する。こ
のとき排気系コントローラ４により反応管１ａｓｌｂ内
は所定の真空度例えば１〜１０Ｔｏｒｒとなるように排
気制御される。そして温度コントローラＳａｓ ５ｂに
より半導体ウェハ群７ａ、７ｂが所定の処理温度例えば
８５０−１０５０”Ｃとなるようにヒータ機構６ａ、６
ｂを制御しながら処理を行う。
り所定の処理ガスを反応管１ａ、ｌｂ内に導入する。こ
のとき排気系コントローラ４により反応管１ａｓｌｂ内
は所定の真空度例えば１〜１０Ｔｏｒｒとなるように排
気制御される。そして温度コントローラＳａｓ ５ｂに
より半導体ウェハ群７ａ、７ｂが所定の処理温度例えば
８５０−１０５０”Ｃとなるようにヒータ機構６ａ、６
ｂを制御しながら処理を行う。
上記各コントローラ３．４．５ａ、５ｂは、夫々第２図
に示すように装置ＣＰＵ９により制御されており、必要
に応じて３つの操作モード即ちマニュアル操作モード１
０、オートモード１１、プログラムモード１２を任意に
選択できるように構成されている。
に示すように装置ＣＰＵ９により制御されており、必要
に応じて３つの操作モード即ちマニュアル操作モード１
０、オートモード１１、プログラムモード１２を任意に
選択できるように構成されている。
ここでオートモード１１は、予め装置ＣＰＵ９に記憶さ
れた成膜プログラムに従って各コントローラ３．４．５
ａ、５ｂを制御しながら自動的に処理を行ういわゆる全
自動モードで、通常の製造プロセスで使用されるモード
である。
れた成膜プログラムに従って各コントローラ３．４．５
ａ、５ｂを制御しながら自動的に処理を行ういわゆる全
自動モードで、通常の製造プロセスで使用されるモード
である。
一方、マニュアル操作モード１０・は、各コントローラ
３．４．５ａ、５ｂを作業員が人為的に操作するモード
であり、作業員が必要に応じて例えば少ロフト生産等の
場合にその都度各コントローラ３．４．５ａ、５ｂｓ
９を任意に操作して処理する場合の操作モードである。
３．４．５ａ、５ｂを作業員が人為的に操作するモード
であり、作業員が必要に応じて例えば少ロフト生産等の
場合にその都度各コントローラ３．４．５ａ、５ｂｓ
９を任意に操作して処理する場合の操作モードである。
また、プログラムモード１２は、上記オートモード１１
の動作に必要な成膜プログラムを作成して、装置ＣＰＵ
９の記憶部に記憶させるモードで、このプログラムモー
ド１２でプログラム入力部１３から所定の成膜プログラ
ムを作成し、該成膜プログラムを装置ＣＰＵ９に予め記
憶させておくことで、オートモード１１で上記作成した
成膜プログラムの処理を自動的に行うことができる。
の動作に必要な成膜プログラムを作成して、装置ＣＰＵ
９の記憶部に記憶させるモードで、このプログラムモー
ド１２でプログラム入力部１３から所定の成膜プログラ
ムを作成し、該成膜プログラムを装置ＣＰＵ９に予め記
憶させておくことで、オートモード１１で上記作成した
成膜プログラムの処理を自動的に行うことができる。
ところで、マニュアル操作モード１０により成膜作業を
行う場合には、第３図に示すような装置の処理ガス流通
系の状態を表示する処理ガス流通系表示機構２１の表示
情報に基づいて作業員が各コントローラ３．４．５ａ、
５ｂ操作する。
行う場合には、第３図に示すような装置の処理ガス流通
系の状態を表示する処理ガス流通系表示機構２１の表示
情報に基づいて作業員が各コントローラ３．４．５ａ、
５ｂ操作する。
この処理ガス流通系表示機構２１に表示される表示内容
は、処理ガス源例えばパージガス源２２、原料ガス源２
３ａ、２３ｂから各反応反応管１ａ、１ｂへのガス供給
配管系２４〜２６、このガス供給配管系２４〜２６に設
けられ処理ガスの流量を制御する複数のガス流量調整機
構２７〜３１と制御弁３２〜３８、そして各反応管１ａ
、ｌｂから真空排気系３９間に設けられトラップ機構４
０〜４２や各種制御弁４３〜４５を備えた排気配管系４
６等、実際の装置配管とほぼ同様の形式で表示されてい
る。
は、処理ガス源例えばパージガス源２２、原料ガス源２
３ａ、２３ｂから各反応反応管１ａ、１ｂへのガス供給
配管系２４〜２６、このガス供給配管系２４〜２６に設
けられ処理ガスの流量を制御する複数のガス流量調整機
構２７〜３１と制御弁３２〜３８、そして各反応管１ａ
、ｌｂから真空排気系３９間に設けられトラップ機構４
０〜４２や各種制御弁４３〜４５を備えた排気配管系４
６等、実際の装置配管とほぼ同様の形式で表示されてい
る。
このような処理ガス流通系表示機構２１に基づくマニュ
アル操作は、ガスコントローラ３や温度コントローラ５
ａ、５ｂにより各ガス流量調整機構２７〜３１、制御弁
３２〜３８．４３〜４５等を制御しながら行うが、この
ときの各制御弁３２〜３８．４３〜４５やガス流量調整
機構２７〜３１の動作状態は、処理ガス流通系表示機構
２１にリアルに表示されるので、作業員はこの表示され
た情報により正確な作業状態を知ることができ、成膜処
理作業時に必要な温度、処理ガス流量、真空度等の処理
条件の高精度な制御を容易に行うことができる。従って
、マニュアル操作により、オートモード時の自動処理と
同様な成膜処理を行うことが可能となる。
アル操作は、ガスコントローラ３や温度コントローラ５
ａ、５ｂにより各ガス流量調整機構２７〜３１、制御弁
３２〜３８．４３〜４５等を制御しながら行うが、この
ときの各制御弁３２〜３８．４３〜４５やガス流量調整
機構２７〜３１の動作状態は、処理ガス流通系表示機構
２１にリアルに表示されるので、作業員はこの表示され
た情報により正確な作業状態を知ることができ、成膜処
理作業時に必要な温度、処理ガス流量、真空度等の処理
条件の高精度な制御を容易に行うことができる。従って
、マニュアル操作により、オートモード時の自動処理と
同様な成膜処理を行うことが可能となる。
また、上述実施例において、マニュアル操作時における
成膜処理動作の情報を装置ＣＰＵ９の記憶部に記憶して
おけば、次処理からは上記マニュアル操作ときの成膜作
業を自動的に行うことができる。
成膜処理動作の情報を装置ＣＰＵ９の記憶部に記憶して
おけば、次処理からは上記マニュアル操作ときの成膜作
業を自動的に行うことができる。
尚、処理ガス流通系表示機構２１に表示される表示情報
は、実際の装置のガス流通配管系に近いものであればあ
る程、より正確なマニュアル操作が可能となることは無
論である。
は、実際の装置のガス流通配管系に近いものであればあ
る程、より正確なマニュアル操作が可能となることは無
論である。
また、上述実施例では、本発明を縦型熱処理装置に適用
した実施例について説明したが、本発明は横型熱処理装
置等の他の熱処理装置にも適用可能である。
した実施例について説明したが、本発明は横型熱処理装
置等の他の熱処理装置にも適用可能である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の熱処理装置によれば、マ
ニュアル操作による成膜処理が容易に行うことが可能と
なるので、種々の製造プロセスに容易に対応することが
でき、生産性の向上が図れる。
ニュアル操作による成膜処理が容易に行うことが可能と
なるので、種々の製造プロセスに容易に対応することが
でき、生産性の向上が図れる。
第１図は本発明による一実施例の縦型熱処理装置の制御
系の構成を示す図、第２図は実施例の各操作モードと各
制御系の関係を示す図、第３図は実施例の処理ガス流通
系表示機構に表示される表示情報の一例を示す図である
。 ｌａ、１ｂ・・・・・・反応管、２ａ、２ｂ・・・・・
・反応炉本体、３・・・・・・ガスコントローラ、４・
・・・・・排気系コントローラ、５ ａ １５ ｂ・・
・・・・温度コントローラ、７ａ、７ｂ・・・半導体ウ
ェハ群、９・・・・・・装置ＣＰＵ。 １０・・・・・・マニュアル操作モード、１１・・・・
・・オートモード、１２・・・・・・プログラムモード
、２１・・・・・・処理ガス流通系表示機構の表示内容
、２２・・・・・・パージガス源、２３ａ、２３ｂ・・
・・・・原料ガス源、２４〜２６・・・・・・処理ガス
供給配管系、２７〜３１・・・・・・処理ガス流量調整
機構、３９・・・・・・真空排気系、３２〜３８．４３
〜４５・・・・・・ガス制御弁、４６・・・・・・排気
配管系。 出願人 チル相模株式会社
系の構成を示す図、第２図は実施例の各操作モードと各
制御系の関係を示す図、第３図は実施例の処理ガス流通
系表示機構に表示される表示情報の一例を示す図である
。 ｌａ、１ｂ・・・・・・反応管、２ａ、２ｂ・・・・・
・反応炉本体、３・・・・・・ガスコントローラ、４・
・・・・・排気系コントローラ、５ ａ １５ ｂ・・
・・・・温度コントローラ、７ａ、７ｂ・・・半導体ウ
ェハ群、９・・・・・・装置ＣＰＵ。 １０・・・・・・マニュアル操作モード、１１・・・・
・・オートモード、１２・・・・・・プログラムモード
、２１・・・・・・処理ガス流通系表示機構の表示内容
、２２・・・・・・パージガス源、２３ａ、２３ｂ・・
・・・・原料ガス源、２４〜２６・・・・・・処理ガス
供給配管系、２７〜３１・・・・・・処理ガス流量調整
機構、３９・・・・・・真空排気系、３２〜３８．４３
〜４５・・・・・・ガス制御弁、４６・・・・・・排気
配管系。 出願人 チル相模株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理物を収容した反応炉本体と、この反応炉本体内に
所定の処理ガスを導入して前記被処理物に所定の熱処理
を施す処理制御系を備えた熱処理装置において、 前記処理ガスのガス流通系における処理ガス流通状態を
表示するガス流通状態表示機構と、このガス流通状態表
示機構の表示内容に基づきながら前記処理制御系を手動
操作して前記被処理物を処理するための手動処理機構と
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278669A JP2729266B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278669A JP2729266B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125421A true JPH02125421A (ja) | 1990-05-14 |
| JP2729266B2 JP2729266B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=17600511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278669A Expired - Lifetime JP2729266B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729266B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701928A (en) * | 1994-09-30 | 1997-12-30 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Leak compressed fuel gas discharging device |
| JPH1036189A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-10 | Sony Corp | 気相成長装置 |
| JP2002025918A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| US6660094B2 (en) * | 2001-05-30 | 2003-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
| JP2005216911A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャル成長装置の排ガス処理システム |
| US7001640B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
| US10645941B2 (en) | 2014-10-13 | 2020-05-12 | The State Of Israel, Ministry Of Agriculture & Rural Development, Agricultural Research Organization (Aro) (Volcani Center) | Method and system for treating a product |
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| JPS6312155U (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | ||
| JPS63168703A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-12 | Yokogawa Electric Corp | 半導体拡散炉制御装置 |
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-
1988
- 1988-11-04 JP JP63278669A patent/JP2729266B2/ja not_active Expired - Lifetime
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