JP2007005481A - 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 熱処理装置1の制御部100は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハWを収容した反応管2内を400℃に加熱する。反応管2内が400℃に加熱されると、制御部100は、処理ガス導入管17から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハWに供給されることにより、半導体ウエハWに形成された自然酸化膜が除去される。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、自然酸化膜の付着していない被処理体に薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
被処理体を収容する反応室内を、前記被処理体に形成された自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱されている反応室に収容された被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給して、前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去する除去工程と、
を備える、ことを特徴とする。
前記自然酸化膜は、前記半導体ウエハ、シリコン膜、ポリシリコン膜、または、金属膜上に形成されていてもよい。
前記除去工程では、前記自然酸化膜を、当該自然酸化膜が接するポリシリコン膜またはシリコン膜の表面とともに除去してもよい。
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に収容されている被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給する供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を被処理体に形成された自然酸化膜の成長を抑制する温度に維持した状態で、当該反応室内に収容された被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給して前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去するように前記供給手段を制御する、ことを特徴とする。
前記自然酸化膜は、前記半導体ウエハ、シリコン膜、ポリシリコン膜、または、金属膜上に形成されていてもよい。
前記制御手段は、前記供給手段を制御して前記自然酸化膜を当該自然酸化膜が接する、ポリシリコン膜またはシリコン膜の表面とともに除去してもよい。
本発明の第1の観点にかかる被処理体の処理方法により、前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去する処理工程と、
前記処理工程により自然酸化膜が除去された被処理体に成膜ガスを供給して、当該被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
を備える、ことを特徴とする。
本発明の第2の観点にかかる処理装置と、
反応室内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給手段と、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を所定の温度に加熱させるとともに、前記成膜ガス供給手段を制御して前記自然酸化膜が除去された被処理体に前記成膜ガスを供給して、当該被処理体に薄膜を形成させる成膜制御手段と、
を備える、ことを特徴とする。
コンピュータに、
被処理体を収容する反応室内を、前記被処理体に形成された自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱する加熱手順、
前記加熱手順で自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱されている反応室に収容された被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給して、前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去する除去手順、
を実行させることを特徴とする。
前記除去手順により自然酸化膜が除去された被処理体に成膜ガスを供給して、当該被処理体に薄膜を形成する薄膜形成手順、
を実行させてもよい。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管5内の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
塩素の流量は、0.05リットル/min〜1リットル/minであることが好ましい。
窒素の流量は、0.6リットル/min〜3リットル/minであることが好ましい。
また、塩素と窒素との流量比は、1:1〜1:12であることが好ましい。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (16)
- 被処理体を収容する反応室内を、前記被処理体に形成された自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱する加熱工程と、
前記加熱工程で自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱されている反応室に収容された被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給して、前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去する除去工程と、
を備える、ことを特徴とする被処理体の処理方法。 - 前記被処理体は、半導体ウエハ、シリコン膜、ポリシリコン膜、または、金属膜の少なくとも1つを含み、
前記自然酸化膜は、前記半導体ウエハ、シリコン膜、ポリシリコン膜、または、金属膜上に形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の被処理体の処理方法。 - 前記被処理体は、少なくともその表面に、ポリシリコン膜またはシリコン膜を有し、当該ポリシリコン膜またはシリコン膜上に前記自然酸化膜が形成されており、
前記除去工程では、前記自然酸化膜を、当該自然酸化膜が接するポリシリコン膜またはシリコン膜の表面とともに除去する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の被処理体の処理方法。 - 前記加熱工程では、前記反応室内を500℃以下に加熱する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の被処理体の処理方法。
- 前記加熱工程では、前記反応室内を塩素が活性化可能な温度に加熱し、
前記除去工程では、前記加熱工程で加熱された反応室内に塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させ、該活性化した塩素を前記被処理体に供給する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の被処理体の処理方法。 - 前記除去工程では、塩素を含む処理ガスに、紫外線、プラズマ、または、触媒活性により処理ガスに含まれる塩素を活性化させ、該活性化した塩素を前記被処理体に供給する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の被処理体の処理方法。
- 被処理体を収容する反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に収容されている被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給する供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を被処理体に形成された自然酸化膜の成長を抑制する温度に維持した状態で、当該反応室内に収容された被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給して前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去するように前記供給手段を制御する、ことを特徴とする処理装置。 - 前記被処理体は、半導体ウエハ、シリコン膜、ポリシリコン膜、または、金属膜の少なくとも1つを含み、
前記自然酸化膜は、前記半導体ウエハ、シリコン膜、ポリシリコン膜、または、金属膜上に形成されている、ことを特徴とする請求項7に記載の処理装置。 - 前記被処理体は、少なくともその表面に、ポリシリコン膜またはシリコン膜を有し、当該ポリシリコン膜上またはシリコン膜上に、自然酸化膜が形成されており、
前記制御手段は、前記供給手段を制御して前記自然酸化膜を当該自然酸化膜が接する、ポリシリコン膜またはシリコン膜の表面とともに除去する、ことを特徴とする請求項7または8に記載の処理装置。 - 前記制御手段は、前記加熱手段を制御して前記反応室内を500℃以下に維持する、ことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記制御手段は、前記加熱手段を制御して前記反応室内を塩素が活性化可能な温度に加熱させ、前記供給手段を制御して前記加熱した反応室内に塩素を含む処理ガスを供給させることにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させ、該活性化した塩素を前記被処理体に供給させる、ことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記制御手段は、前記供給手段を制御して塩素を含む処理ガスに、紫外線、プラズマ、または、触媒活性により処理ガスに含まれる塩素を活性化させ、該活性化した塩素を被処理体に供給させる、ことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の処理装置。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の被処理体の処理方法により、前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去する処理工程と、
前記処理工程により自然酸化膜が除去された被処理体に成膜ガスを供給して、当該被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項7乃至12のいずれか1項に記載の処理装置と、
反応室内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給手段と、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を所定の温度に加熱させるとともに、前記成膜ガス供給手段を制御して前記自然酸化膜が除去された被処理体に前記成膜ガスを供給して、当該被処理体に薄膜を形成させる成膜制御手段と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - コンピュータに、
被処理体を収容する反応室内を、前記被処理体に形成された自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱する加熱手順、
前記加熱手順で自然酸化膜の成長を抑制する温度に加熱されている反応室に収容された被処理体に、少なくとも活性化された塩素を供給して、前記被処理体に形成された自然酸化膜を除去する除去手順、
を実行させるためのプログラム。 - さらに、コンピュータに、
前記除去手順により自然酸化膜が除去された被処理体に成膜ガスを供給して、当該被処理体に薄膜を形成する薄膜形成手順、
を実行させるための請求項15に記載のプログラム。
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